量子點電致發光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置的製作方法

2024-04-01 15:37:05

本申請涉及光電器件技術領域，具體而言，涉及一種量子點電致發光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置。

背景技術：

量子點是一種新型的納米發光材料，其直徑在1-20nm的範圍內。由於其尺寸較小，因此，其內部的電子和空穴在運動中會受到限制，產生量子限域效應，連續的能帶結構變成分子特性的分立能級結構，當量子點受激發後，電子從導帶躍遷至價帶後與空穴複合發射出光子。

隨著量子點合成技術的進步，基於量子點的發光器件的發光效率可以高達100％；而且量子點的發光光譜容易調節，只要改變量子點尺寸或摻入其它元素，其發光波長便可以在所有可見波段調節，並能延伸至近紅外波段和近紫外波段，大大增加了其可開發利用的前景。除此之外，量子點發光光譜的半峰寬較窄，一般小於30nm，滿足了發光二極體(Light-emitting diode，LED)做高性能顯示設備的一個重要條件。另外，與有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)相比，量子點電致發光二極體(Quantum dot light-emitting diode，QLED)中的量子點的光化學穩定性較OLED中的有機材料有大幅提升，可有效延長LED器件壽命，達到商用要求。同時，量子點發光二極體可通過全溶液工藝大面積加工生產，也可加工在柔性襯底上，大大降低了LED生產成本。

QLED有望應用於新一代高色彩質量與低功耗的平板顯示中，受到越來越多人們的關注。QLED工作時，正電荷和負電荷分別從陽極和陰極注入器件，再流入量子點層，最終在量子點上複合形成激子對後發出光子。

然而，由於能級結構不匹配的問題，空穴注入效率相比電子注入效率普遍偏低，導致QLED的量子點層中的載流子注入不平衡，量子點呈現非電中性；再加上外加電場的影響，大大降低了量子點的本身發光效率。

以藍光QLED為例，其外量子效率(External quantum efficiency，EQE)最高僅為10.7％，壽命也只有1000h(T50100cd/m2)，與已經推向量產的OLED性能有一定的差距，不能滿足商業化產品的需求。

技術實現要素：

本申請的主要目的在於提供一種量子點電致發光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置，以解決現有技術中的量子點層中載流子注入不平衡的問題。

為了實現上述目的，根據本申請的一個方面，提供了一種量子點電致發光器件，該量子點電致發光器件包括：陽極；量子點層，設置在上述陽極的表面上；電子阻擋層，設置在上述量子點層的遠離上述陽極的表面上，形成上述電子阻擋層的材料包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料；陰極，設置在上述電子阻擋層的遠離上述量子點層的表面上。

進一步地，上述電子阻擋層的材料的最低未佔分子軌道能級大於上述量子點層的導帶能級。

進一步地，上述空穴傳輸材料包括聚乙烯咔唑、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)、4,4',4」-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯苯、N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺中的一種或多種，上述空穴注入材料包括氧化鉬、氧化鎢、氧化鎳、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢、硒化鉬、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)與聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)中的一種或多種。

進一步地，上述電子阻擋層的厚度在0.1～20nm之間。

進一步地，上述電子阻擋層的螢光光譜與上述量子點層的吸收光譜部分重疊。

進一步地，上述電子阻擋層的厚度在0.1～10nm之間。

進一步地，上述量子點電致發光器件還包括：空穴功能層，設置在上述陽極與上述量子點層之間。

進一步地，上述空穴功能層的材料包括聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)、摻雜聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩並噻吩、氧化鎳、氧化鎢、氧化鉬、氧化鉻、氧化釩、p型氮化鎵、MoS2、WS2、WSe2、MoSe2、聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯並[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)聯苯、4,4',4」-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-雙-(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺與4-丁基苯基-二苯基胺和N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-螺二芴中的一種或多種。

進一步地，上述量子點電致發光器件還包括：電子功能層，設置在上述陰極與上述電子阻擋層之間。

進一步地，上述電子功能層的材料包括無機氧化物納米顆粒、摻雜的無機氧化物納米顆粒或有機材料，上述無機氧化物納米顆粒的材料選自ZnO、TiO2、SnO2、ZrO2和Ta2O3中的一種或多種，上述摻雜的無機氧化物納米顆粒中的摻雜物選自Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga、Gd和8-羥基喹啉鋁中的一種或多種。

根據本申請的另一方面，提供了一種顯示裝置，包括量子點電致發光器件，該量子點電致發光器件為上述的量子點電致發光器件。

根據本申請的另一方面，提供了一種照明裝置，包括量子點電致發光器件，該量子點電致發光器件為上述的量子點電致發光器件。

應用本申請的技術方案，在量子點電致發光器件中的量子點層與陰極之間增加包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料的電子阻擋層，該電子阻擋層主要用於阻擋電子由陰極傳輸到量子點層，降低電子的傳輸速率，使得電子和空穴注入量子點層的速率基本一致，從而使得器件運行過程中的電子與空穴接近或達到注入平衡，進而使得量子點呈現電中性，避免量子點中由於電子過量帶來的非輻射複合和量子點充電等現象，提高了器件的發光效率和壽命；並且，當該電子阻擋層的螢光光譜與量子點層的吸收光譜有部分重疊時，還會發生螢光共振能量轉移的現象，從而進一步提高了器件的發光效率和工作壽命。

附圖說明

構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進一步理解，本申請的示意性實施例及其說明用於解釋本申請，並不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1示出了本申請的一種典型的實施方式提供的量子點電致發光器件的結構示意圖；

圖2示出了本申請的一種實施例提供的量子點電致發光器件的結構示意圖；

圖3示出了本申請的另一種實施例提供的量子點電致發光器件的結構示意圖；

圖4示出了本申請的再一種實施例提供的量子點電致發光器件的結構示意圖；以及

圖5示出了本申請的一種實施例提供的量子點電致發光器件的能級結構示意圖。

其中，上述附圖包括以下附圖標記：

01、基板；10、陽極；20、空穴功能層；30、量子點層；40、電子阻擋層；50、電子功能層；60、陰極。

具體實施方式

應該指出，以下詳細說明都是例示性的，旨在對本申請提供進一步的說明。除非另有指明，本文使用的所有技術和科學術語具有與本申請所屬技術領域的普通技術人員通常理解的相同含義。

需要注意的是，這裡所使用的術語僅是為了描述具體實施方式，而非意圖限制根據本申請的示例性實施方式。如在這裡所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括複數形式，此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語「包含」和/或「包括」時，其指明存在特徵、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。

正如背景技術所介紹的，現有技術中的量子點層中載流子注入不平衡，導致發光器件的發光效率較低，為了解決如上的技術問題，本申請提出了一種量子點電致發光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置。

在本申請一種典型的實施方式中，提供了一種量子點電致發光器件，如圖1所示，該量子點電致發光器件包括陽極10、量子點層30、電子阻擋層40與陰極60。其中，量子點層30設置在上述陽極10的表面上；電子阻擋層40設置在上述量子點層30的遠離上述陽極10的表面上，形成上述電子阻擋層40的材料包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料；陰極60設置在上述電子阻擋層40的遠離上述量子點層30的表面上。

在上述的量子點電致發光器件中的量子點層30與陰極60之間增加包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料(簡稱空穴傳輸和/或注入材料)的電子阻擋層40，其中，在傳統電致發光器件中，空穴傳輸或注入材料用於空穴傳輸或空穴注入層，空穴傳輸或空穴注入層位於發光層與陽極之間，是在電場作用下主要可以實現空穴的定向有序的可控遷移從而達到傳輸電荷的功能層。空穴傳輸或注入材料通常具備較高的空穴遷移率，常用於傳輸空穴，而本發明中將空穴傳輸和/或注入材料置於陰極與量子點層之間，作為電子阻擋層用於減緩陰極電子注入到量子點層(發光層)的電子傳輸速率，消除了傳統觀念中的空穴傳輸材料或注入材料只能在量子點層和陽極之間作為空穴傳輸或注入層的技術偏見，利用空穴傳輸或注入材料較弱的電子傳輸能力來實現電子阻擋。

綜上，採用本發明，將空穴傳輸材料和/或空穴注入材料作為電子阻擋層40的材料可以用於阻擋電子由陰極60傳輸到量子點層30，降低電子的傳輸速率，使得電子和空穴注入量子點層30的速率基本一致，從而使得器件運行過程中的電子與空穴的注入接近或達到平衡，進而使得量子點呈現電中性，避免量子點中由於電子過量帶來的非輻射複合和量子點充電等現象，提高了器件的發光效率和壽命。

優選的，該構成電子阻擋層40的材料的最低未佔分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能級大於量子點層30的導帶能級，有效地阻擋電子從陰極的導帶能級躍遷到量子點層的導帶能級，進一步阻礙了電子從陰極到量子點層的傳輸。

在本申請的一種實施例中，上述電子阻擋層40的空穴傳輸材料可以為聚乙烯咔唑(PVK)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)(Poly-TPD)、4,4',4」-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)聯苯(CBP)、N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD)中的一種或多種。

但是，並不限於上述的空穴傳輸材料，本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的材料作為空穴傳輸材料。

在本申請的另一種實施例中，上述空穴注入材料可以為氧化鉬納米顆粒、氧化鎢納米顆粒、氧化鎳納米顆粒、氧化釩納米顆粒、硫化鉬納米顆粒、硫化鎢納米顆粒、硒化鉬納米顆粒、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)、聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)中的一種或多種。本領域的技術人員可以根據實際情況選擇合適的空穴注入材料。

本申請的一種實施例中，上述實施例中的電子阻擋層40的厚度在0.1～20nm之間。這樣能夠進一步保證了該量子點電致發光器件具有較高的發光效率，避免了由於電子阻擋層過厚導致的量子點電致發光器件的發光效率較低的問題。

通過上述實施例中的包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料的電子阻擋層，可以使得該量子點電致發光器件中量子點層的空穴數量微大於或等於電子的數量，其中，當量子點層中的空穴數量等於電子數量時，也即空穴和電子在量子點層達到注入平衡，此時空穴與電子在量子點層形成激子並在量子點層複合；當量子點層的空穴數量微大於電子數量時，也即空穴與電子在量子點層注入接近平衡時，在電子阻擋層處形成激子，為了避免激子在電子阻擋層複合，構成電子阻擋層的空穴傳輸材料或空穴注入材料可以選用具有與量子點層的吸收光譜全部或部分重疊的螢光光譜的發光材料，並且當該電子阻擋層的厚度較薄時，會發生螢光能量共振轉移(Forster resonance energy transfer，簡稱FRET)現象，從而在電子阻擋層中形成的激子能夠在該螢光能量共振轉移的作用下，把能量傳遞給量子點層的量子點，然後在返回到量子點層進行複合，提高了量子點層的發光效率。

具體地，為了使得電子阻擋層40與量子點層30發生螢光能量共振轉移，進而使得電子阻擋層40通過螢光能量共振轉移的方式把能量轉移到量子點層30，這樣可以提高其發光效率，使得量子點發光器件的外量子效率得到提升，同時提升量子點發光器件的工作壽命，本申請優選上述電子阻擋層40的厚度在0.1～10nm之間，且上述電子阻擋層40的螢光光譜與上述量子點層30的吸收光譜全部或部分重疊，即量子點的吸收光譜的波長與電子阻擋層的螢光譜的波長範圍有部分是相同的。

在本申請中的一種實施例中，如圖2至圖4所示，上述量子點電致發光器件還包括空穴功能層20，該層設置在上述陽極10與上述量子點層30之間。該空穴功能層20包括現有技術中的空穴傳輸層和/或空穴注入層，空穴功能層20可以使得空穴有效地注入到量子點層30中。

本申請中的空穴功能層主要是用於進行空穴注入和傳輸的，該功能層可以只有一層，兼具空穴注入和傳輸的功能；該空穴功能層可以為多層，即該空穴功能層可以包括空穴注入層和空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層可以不止一層，各空穴傳輸層之間最高佔據分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital，簡稱HOMO)能級成階梯式分布，該空穴注入層位於陽極和該空穴傳輸層之間。

上述空穴功能層20的材料可以是本領域技術中的任何空穴功能層20的材料，本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的材料作為空穴功能層20材料。

在本申請的一種實施例中，上述空穴功能層20的材料包括聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)、摻雜聚(全氟乙烯-全氟醚磺酸)的聚噻吩並噻吩、氧化鉬納米顆粒、氧化鉻納米顆粒、氧化鎢納米顆粒、氧化鎳納米顆粒、氧化釩納米顆粒、硫化鉬納米顆粒、硫化鎢納米顆粒、硒化鉬納米顆粒、p型氮化鎵、聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基對苯醌、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(苯並[2,1,3]噻二唑-4,8-二基)]、4,4'-二(9-咔唑)聯苯、4,4',4」-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、N,N'-雙-(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺與4-丁基苯基-二苯基胺和N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-螺二芴中的一種或多種。

為了進一步使得電子能夠有效地由陰極60注入到量子點層30，本申請的一種實施例中，如圖2至圖4所示，上述量子點電致發光器件還包括電子功能層50，該層設置在上述陰極60與上述電子阻擋層40之間。

上述的電子功能層包括現有技術中的電子傳輸層和/或電子注入層。

上述電子功能層50的材料可以是本領域技術中的任何空電子功能層50的材料，本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的材料作為電子功能層50的材料。

本申請中的電子功能層主要是用於進行電子注入和傳輸的，該電子功能層可以由一層或多層組成，優選的，該電子功能層可以為多層，即電子注入層和電子傳輸層，其中，電子傳輸層之間的最低未佔分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能級呈階梯式分布。其中，該電子注入層位於陰極和該電子傳輸層之間。

在本申請的另一種實施例中，上述電子功能層50的材料包括無機氧化物納米顆粒、摻雜的無機氧化物納米顆粒或有機材料，上述無機氧化物納米顆粒的材料選自ZnO、TiO2、SnO2、ZrO2和Ta2O3中的一種或多種，上述摻雜無機氧化物納米顆粒中的摻雜物選自Li、Mg、Al、Cd、In、Cu、Cs、Ga、Gd和8-羥基喹啉鋁中的一種或多種，且上述摻雜物佔上述摻雜無機氧化物納米顆粒的重量的0.001～50wt％。

在本申請中陽極10可以是本領域中的任何材料形成的陽極10，本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的陽極10材料。本申請的一種實施例中，陽極10的材料為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、氧化錫、鋁鋅氧化物或鎘錫氧化物。

陰極60為Al極、Ca極、Ba極、Ca/Al極、Ag極、Ca/Ag極、BaF2/Ca/Al極、BaF2/Ca/Ag極與Mg極中的一種或多種的合金。但並不限於上述的陰極60，本領域技術人員可以根據實際情況選擇合適的陰極60。

在本申請的再一種實施例中，如圖3與圖4所示，上述量子點電致發光器件還包括基板01，該基板01設置在上述陽極10的遠離上述量子點層30的表面上(如圖3所示)，此時的器件結構為正型器件；或設置在上述陰極60的遠離上述量子點層30的表面上(如圖4所示)，此時的器件結構為反型器件。基板可以更好地保護量子點電致發光器件的其他結構。

當量子點電致發光器件(簡稱器件)中的空穴功能層為兩層時，組成器件的各個層的能級結構分布如圖5所示，由左到右(遠離能量坐標軸的方向)依次是陽極的能級分布、空穴注入層的能級分布、空穴傳輸層的能級分布、量子點層的能級分布、電子阻擋層的能級分布、電子功能層的能級分布以及陰極的能級分布，其中，空穴功能層包括空穴注入層和空穴傳輸層。如圖5所示，各個層對應一個矩形，該矩形從下至上代表能量由低到高，空穴注入層和空穴傳輸層的HOMO能級(如圖5示出的空穴注入層的能級分布與空穴傳輸層的能級分布對應的矩形下邊線)呈階梯分布，陽極和空穴注入層、空穴傳輸層以及量子點層各自對應的矩形下邊線也是呈階梯分布的，有利於空穴從陽極傳輸至空穴注入層和空穴傳輸層，並最終傳輸至量子點層，而量子點層、電子阻擋層、電子功能層和陰極對應的矩形的上邊線相當於LUMO能級或導帶能級，電子可以從陰極傳輸至電子功能層，但在最終傳輸至量子點層的過程中被電子阻擋層阻擋，以減緩了電子注入和傳輸的速率，從而使得空穴和電子注入量子點層的速率趨於一致，提高了在量子點層中複合發光的發光效率。當該電子阻擋層材料的螢光光譜與上述量子點層的吸收光譜有部分或者全部重疊、且電子阻擋層的厚度較小時，還會發生螢光共振能量轉移的現象，從而進一步提高了器件的發光效率和工作壽命。

本領域技術人員公知的是，陽極10與陰極60中至少有一個電極是透明的，並且，當基板與透明電極接觸設置時，且該基板側為出光面的話，該基板也是透明的。

本申請的另一種典型的實施方式中，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括量子點電致發光器件，該量子點電致發光器件為上述的量子點電致發光器件。

上述的顯示裝置由於包括上述的量子點電致發光器件，使得顯示裝置的發光效率較高。

本申請的再一種典型的實施方式中，提供了一種照明裝置，該照明裝置包括量子點電致發光器件，該量子點電致發光器件為上述的量子點電致發光器件。

上述的照明裝置由於包括上述的量子點電致發光器件，使得其發光效率較高。

為了使得本領域技術人員能夠更加清楚地了解本申請的技術方案，以下將結合具體的實施例與對比例詳細說明本申請的技術方案。

實施例1

量子點電致發光器件的結構如圖3所示，其中，基板01為玻璃基板，陽極10的材料為ITO，厚度為150nm，量子點層30的材料為CdSe/ZnS紅色核殼量子點，其吸收光譜的波長範圍在300～610nm之間，量子點層30的厚度為20nm；電子阻擋層40的材料為空穴傳輸材料，具體為聚乙烯咔唑(PVK)，其螢光光譜的波長範圍在380～460nm間，其厚度為5nm，量子點層30的吸收光譜與電子阻擋層40的螢光光譜有重疊；電子功能層50材料為ZnO，厚度為40nm，空穴功能層20為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)(Poly-TPD)，厚度分別為40nm和30nm；陰極60的材料為Ag，厚度為100nm；其中，電子阻擋層40的材料PVK的最低未佔分子軌道能級為-2.2eV，其大於量子點層的-3.59eV導帶能級。

實施例2

與實施例1的區別在於，電子阻擋層40的厚度為10nm。

實施例3

與實施例2不同的是：電子阻擋層40的厚度為0.1nm。

實施例4

與實施例2的區別在於，電子阻擋層40的厚度為20nm。

實施例5

與實施例2的區別在於，電子阻擋層40為空穴注入材料：具體為氧化鉬納米顆粒，其最低未佔分子軌道能級為-2.3eV。

實施例6

與實施例2的區別在於，電子阻擋層40為空穴注入材料與空穴傳輸材料的混合物，空穴注入材料為氧化鉬納米顆粒，其重量佔電子阻擋層的總重量的50％，其最低未佔分子軌道能級為-2.3eV，空穴傳輸材料與實施例2中的相同，且其重量佔電子阻擋層的總重量的50％。

對比例

與實施例2不同的是：量子點電致發光器件中，不包括電子阻擋層，量子點層與電子功能層直接接觸設置。

對上述各實施例與對比例的量子點電致發光器件的性能進行測試，採用Keithley2400測定量子點發光器件的電流密度-電壓曲線，採用積分球(FOIS-1)結合海洋光學的光譜儀(QE-6500)測定量子點發光器件的亮度，根據測定得到的電流密度與亮度計算量子點發光器件的外量子效率，外量子效率表徵在觀測方向上發光器件發出的光子數與注入器件的電子數之間的比值，是表徵器發光器件發光效率的重要參數，外量子效率越高，說明器件的發光效率越高。具體的測試結果見表1。

表1

由表1的測試結果可知，與對比例的測試結果相比，由於電子阻擋層的設置，實施例1至實施例6的外量子效率均較高，實施例1至實施例3、實施例5以及實施例6中，量子點層30的吸收光譜與電子阻擋層40的螢光光譜有重疊，且電子阻擋層的厚度在0.1～10nm之間，使得電子阻擋層40與量子點層30發生螢光能量共振轉移，進而其的外量子效率較高；與實施例1至實施例3相比。實施例4由於其的電子阻擋層的厚度較厚，過量地阻礙了電子的注入，使其外量子效率較低。

從以上的描述中，可以看出，本申請上述的實施例實現了如下技術效果：

1)、本申請的量子點電致發光器件中，量子點層與陰極之間增加包括空穴傳輸材料和/或空穴注入材料的電子阻擋層，其中，空穴傳輸材料或空穴注入材料由於其本身的電子傳輸能力較差，其可以阻礙電子從陰極傳輸到量子點層，從而空穴傳輸材料或空穴注入材料具有一定的電子阻擋作用，該包括空穴傳輸材料或空穴注入材料的電子阻擋層主要用於阻擋電子由陰極傳輸到量子點層，降低電子的傳輸速率，使得電子和空穴注入量子點層的速率基本一致，從而使得器件運行過程中的電子與空穴的注入平衡，進而使得量子點呈現電中性，避免量子點中由於電子過量帶來的非輻射複合和量子點充電等現象，提高了器件的發光效率和壽命；並且，當該電子阻擋層的螢光光譜與量子點層的吸收光譜有部分重疊時，還會發生螢光共振能量轉移的現象，從而進一步提高了器件的發光效率和工作壽命。

2)、本申請中的顯示裝置包括上述的量子點電致發光器件，使得顯示裝置的發光高效率較高。

3)、本申請中的照明裝置由於包括上述的量子點電致發光器件，其發光效率較高。

以上所述僅為本申請的優選實施例而已，並不用於限制本申請，對於本領域的技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護範圍之內。