密節距小焊盤銅線鍵合單ic晶片封裝件及其製備方法

2024-01-29 15:00:15 3

專利名稱：密節距小焊盤銅線鍵合單ic晶片封裝件及其製備方法
技術領域：
本發明屬於電子信息自動化元器件製造技術領域，涉及一種IC晶片封裝件，具體說是一種密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，本發明還涉及該封裝件的製備方法。
背景技術：
隨著電子信息產業的高速發展，晶片製造業邁入了納米時代，晶片製造的工藝尺寸從90nm縮小到45nm，再到30nm、13nm快速遞進。晶片的幾何尺寸也越來越小，由
1.OmmXl. Omm 至Ij 0. 8mmX0. 8mm、0. 5mmX0. 5mm、0. 3mmX0. 3mm,最小 0. 15mmX0. 15mm,相應地，晶片製造中使用的焊盤節距也由120 μ m逐步縮小到100μπι、70μπι、60μπι、50μπι和 45 μ m。劃道也由10(^111逐漸縮小到7(^111、6(^111、5(^111和454 111。使得焊盤尺寸也由最初的 100 μ mX 100 μ m 漸次縮小為 70 μ mX 70 μ m、55 μ mX 55 μ m、最小為 38μπιΧ38μπι。焊盤尺寸的變化給鍵合工藝帶來了難題和巨大的挑戰。正常的球焊鍵合工藝中，焊球的直徑大於/等於線徑的2倍，小於線徑的5倍為合格。一般金線焊球的直徑可控制在2 2.3(倍)線徑，銅線焊球的直徑可控制在
2.5 3 (倍)線徑。對於38 μ mX 38 μ m的焊盤，相鄰焊盤間距41 μ m 43 μ m，只能使用 Φ15μπι Φ 16 μ m的焊線，並且鍵合焊球的直徑必須控制在37 μ m以內。那麼金線無論 Φ 15 μ m (2. 3X15=34. 5 < 37)或取上限 16 (16X2. 3=36. 8 37)，還是 16 μ m (取上限 16X2. 5=40 > 37)， 都不符合壓焊要求。並且從壓焊質量檢驗的角度講，相鄰鍵合線間的空隙應等於2倍的焊線直徑。實際上，去除線徑，相鄰焊線間空隙1. 69 1. 86倍線徑，相鄰兩鍵合線間距也不能滿足一般質量要求。但是，實踐證明，隨著焊線質量的提高、線徑規格的增多，封裝技術的發展和高密度封裝形式及產品的增加，在保證塑封衝線率滿足工藝要求的前提下，焊線與焊線間不短路，相鄰引線間空隙大於1倍的線徑也被行業公認可以滿足焊線工藝要求。但對密節距小焊盤的鍵合而言，鍵合球的直徑很難控制，稍不注意，鍵合球會超出焊盤，造成相鄰焊點短路，導致產品報廢。另外，由於線間距過小，打第二根線時會碰到前一根線，造成前一根線的損傷。所以說，節距彡43 μ m的密節距小焊盤(38 μ mX38 μ m)產品鍵合的最大難度是鍵合點焊球直徑的控制和碰傷相鄰焊線的問題。

發明內容
本發明為了解決現有節距彡43 μ m、38 μ mX 38 μ m的密節距小焊盤IC晶片銅線鍵合中存在相鄰焊點間短路和碰傷相鄰焊線的問題，提供一種相鄰焊點不易短路的密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，本發明的另一目的是提供一種上述封裝件的製備方法，在鍵合過程中能夠控制鍵合球的直徑，並且能避免碰傷相鄰焊線，實現單晶片鍵合封裝。本發明的技術問題採用下述技術方案解決
一種密節距小焊盤銅線鍵合IC晶片封裝件，包括塑封體，塑封體內設有引線框架載體和框架引線內引腳，引線框架載體的上面固接有IC晶片，所述IC晶片的上表面設置數個焊盤，所述數個焊盤平行設置成兩列焊盤組，分別為第一焊盤組和第二焊盤組，每個焊盤對應連接一框架引線內引腳；所述每列焊盤組中的每個焊盤上分別焊接一個金球，每個金球上焊接一個第一銅鍵合球，拱絲拉弧在對應內弓I腳上打一銅焊點，形成第一銅鍵合線。所述每列焊盤組中間隔的焊盤上分別焊接有一個金球，所述第一焊盤組中的金球與第二焊盤組中的金球交錯設置，每個金球上焊接一個第一銅鍵合球，每列焊盤組中未焊接金球的焊盤上直接焊接一個第二銅鍵合球，拱絲拉弧在對應內引腳上打一銅焊點，形成第二銅鍵合線。所述每列焊盤組中相鄰兩焊盤之間留有空隙，焊盤的外形尺寸為38μπιΧ38μπι， 焊盤的節距為43 μ m。所述第一銅鍵合球採用Φ 15 μ m銅線製成，其直徑為35 μ m 38 μ m。所述金球的直徑為30μπι 36. 8μπι。所述第二銅鍵合球採用01511111銅線製成，其直徑為3411111 3711111。
上述封裝件按下述工藝步驟進行
步驟1、減薄、劃片
常規方法將晶圓減薄至300 μ m並劃片； 步驟2、上芯
取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC晶片固接於引線框架載體上，採用N2氣流量25 30ml/min烘烤3小時，烘烤溫度150°C ； 步驟3、壓焊在每個焊盤上進行壓焊； a)將金線軸固定於壓焊臺上，然後穿入金線；
b)將引線框架載體預熱至200°C 210°C後送到壓焊臺上，在焊盤上分別焊接金球；
c)將銅線軸固定於壓焊臺上，穿入銅線，將步驟b)中焊接有金球的引線框架載體預熱至200°C 210°C後送到壓焊臺上，在每個金球上堆疊一個第一銅鍵合球，然後向上拱絲拉弧至與焊接有該金球的焊盤相對應的引線框架內引腳，並在該引線框架內引腳上打一銅焊點，形成第一銅鍵合線；
d)在兩列焊盤組中未焊接金球的每個焊盤上分別用銅絲球焊形成第二銅鍵合球，拱絲拉弧至與該焊盤相對應的引線框架內引腳，並在該引線框架內引腳上打一銅焊點，形成第二銅鍵合線；
步驟4 採用常規方法對壓焊後形成的半成品框架依次進行塑封、後固化、列印、衝切分離或切割分離(QFN/DFN)，製成密節距小焊盤銅線鍵合IC晶片封裝產品。本發明封裝件採用多重球焊方法，即在IC晶片焊盤上先植金球，並在金球上焊接銅鍵合球以及在其餘的焊盤上直接焊接銅鍵合球的結構，避免了焊盤上產生彈坑和相鄰焊點短路，既解決了密節距小焊盤高密度鍵合時容易碰傷前一根線而造成的塑封衝線開路的問題，又避免鍵合球徑過大造成相鄰焊點短路的難題，結構簡單合理，能用於多引腳封裝。 可應用於多引腳封裝和堆疊封裝。同時，選用銅絲進行鍵合，其鍵合強度優於金線，從而減少了塑封衝線率，提高了產品質量，節約了焊線成本。


圖1為本發明每個晶片焊盤上植金球結構示意圖；圖2為每個晶片焊盤上植金球平面示意圖； 圖3為間隔焊盤上植金球平面示意圖； 圖4為間隔焊盤上植金球剖面示意圖； 圖5為本發明載體外露示意圖； 圖6為本發明的晶片焊盤尺寸間距示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細說明。如圖1所示，本發明提供一種節距b彡43μπι、焊盤4(aXa) % 38ymX38ym^ 密節距小焊盤IC晶片銅線鍵合封裝件，引線框架載體1上是IC晶片3，引線框架載體1 和IC晶片3通過粘片膠2固接，IC晶片3的上表面設置有多個焊盤4，該多個焊盤4組成平行設置的兩列焊盤組，分別為第一焊盤組和第二焊盤組。每列焊盤組中相鄰兩焊盤4之間留有空隙，第一焊盤組中的焊盤4與第二焊盤組中的焊盤4錯開，焊盤4的外形尺寸為 38 μ mX 38 μ m，焊盤4的節距為43 μ m,相鄰兩焊盤4之間的空隙為3 μ m 5 μ m。本封裝件每個焊盤4一一對應連接一個框架引線內引腳7，每個框架引線內引腳7上分別設置有銅鍵合點10。本發明的第一種實施方式如圖2、圖4所示，每個焊盤4上分別先植金球5，金球5 的直徑為30 μ m 36. 8 μ m，每個金球5上焊接一個第一銅鍵合球6，拱絲拉弧在對應內弓丨腳7上打一銅焊點10，形成第一銅鍵合線9。上述各組件封裝於塑封裝體11內，構成了電路整體。塑封體11對IC晶片3、金球5、第一銅鍵合球6、第一銅鍵合線9起到保護作用。本發明的第二種實施方式如圖3、圖5所示，每組焊盤組中間隔的焊盤4上分別焊接有一個金球5，金球5的直徑為30μπι 36.8μπι，第一焊盤組中的金球5與第二焊盤組中的金球5交錯設置，每個金球5上焊接一個第一銅鍵合球6，每列焊盤組中未焊接金球5 的焊盤4上直接焊接一個第二銅鍵合球8，拱絲拉弧在對應內引腳7上打一個月牙形的鍵合點10，形成第二銅鍵合線14。第一銅鍵合線9和第二銅鍵合線14及在IC晶片焊盤上的焊點構成了電路的電源和信號通道。上述各組件封裝於塑封裝體11內，構成了電路整體。塑封體11對IC晶片3、金球5、第一銅鍵合球6和第二銅鍵合球8、第一銅鍵合線9和第二銅鍵合線14起到保護作用。實施例1
製備封裝件的工藝流程為減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、後固化、切筋、電鍍、列印、成形分離和包裝，其中除了上芯、壓焊工序以外的其它工序均採用相關封裝形式的常規方法，其上芯、壓焊操作工藝過程為
1、減薄、劃片
採用封裝通用減薄設備和工藝，將晶圓減薄到280 μ m並劃片；
2、上芯
採用載體外露的eS0P、eMS0P、eTSS0P、e/TLQFP、QFN、DFN引線框架，將1已減薄劃片的 IC晶片3用粘片膠2固定在上述引線框架載體1上，上芯設備和工藝同相關封裝形式常規產品生產；
3、烘烤採用隊氣流量25ml/min的防離層烘烤技術將引線框架載體烘烤3小時，烘烤溫度 150 0C ；
4、壓焊
(1)在步驟1安裝的IC晶片3的上表面平行設置兩列焊盤組，該兩列焊盤組分別由數量相同的焊盤4組成，且兩列焊盤組中的各焊盤4之間互不接觸，一列焊盤組中的焊盤4與另一列焊盤組中的焊盤4為錯開，焊盤4的各條邊的邊長為38 μ mX 38 μ m，焊盤4之間的節距為43 μ m，相鄰兩焊盤4之間的空隙為3 μ m ；
⑵植金球
將直徑16 μ m的金線軸固定於壓焊臺上，穿好金線後，將已粘IC晶片3的引線框架載體1自動傳送到軌道上，通過軌道壓板固定，預熱至200°C後，在每列焊盤組的焊盤4上分別焊接直徑30 μ m的金球5，打完金球的引線框架載體1傳送到收料夾；
⑶疊銅球
在銅線壓焊臺上固定銅線軸，然後穿入直徑為15 μ m的銅線，穿好線後，將已植金球5 的引線框架載體1自動傳送到軌道上，預熱至210°C後傳送到壓焊夾具上，通過軌道壓板進行固定，在每個金球5上堆疊一個直徑為35 μ m的第一銅鍵合球6 ；
(4)拱絲打點
堆疊第一銅鍵合球6後，向上拱絲拉弧到與被植金球5的焊盤4相對應的引線框架內引腳7上打一個月牙形的銅焊點10，形成第二銅鍵合線9 ；
5、採用相關封裝形式的常規方法對壓焊後形成的器件進行塑封、後固化、列印和衝切分離或切割分離，製成密節距小焊盤銅線鍵合IC晶片封裝產品。 實施例2
1、減薄、劃片
採用封裝通用減薄設備和工藝，將晶圓減薄到300μπι並劃片；
2、上芯
採用載體外露的eS0P、eMS0P、eTSS0P、e/TLQFP、QFN、DFN引線框架，將1已減薄劃片的 IC晶片3用導電膠固定在上述引線框架載體1上，上芯設備和工藝同相關封裝形式常規產品生產；
3、烘烤
採用隊氣流量30ml/min的防離層烘烤技術將引線框架載體烘烤3小時，烘烤溫度 150 0C ；
4、壓焊
⑴在步驟1安裝的IC晶片3的上表面平行設置兩列焊盤組，該兩列焊盤組分別由數量相同或不相同的焊盤4組成，且兩列焊盤組中的各焊盤4之間互不接觸，一列焊盤組中的焊盤4與另一列焊盤組中的焊盤4為錯開，控制焊盤4的各條邊a的邊長為38 μ mX 38 μ m， 焊盤4之間的節距為43μπι，相鄰兩焊盤4之間的空隙c為5μπι，見圖1 ；
⑵植金球
將直徑15 μ m的金線軸固定於壓焊臺上，穿好線後，將已粘IC晶片3的引線框架載體1 自動傳送到軌道上，預熱至210°C後傳送到壓焊臺，用軌道壓板進行固定，在每列焊盤組的焊盤4上隔行分別焊接直徑36. 8 μ m的金球5，控制一列焊盤組中焊接的金球5與另一列焊盤組中焊接的金球5交錯設置；打完金球的引線框架載體1傳送到收料夾； ⑶疊銅球
在銅線鍵合壓焊臺上固定銅線軸，然後穿入直徑為15μπι的銅線，將已植金球5的引線框架載體1自動傳送到軌道上，預熱至200°C後傳送到壓焊夾具上，通過軌道壓板進行固定，在每個金球5上堆疊一個直徑38 μ m的第一銅鍵合球6 ；
(4)拱絲打點
堆疊第一鍵鍵合球6後，向上拱絲拉弧到與被植金球5的焊盤4相對應的引線框架內引腳7上打一個月牙形的銅焊點10，形成第一銅鍵合線9 ；
(5)不植(焊接)金球的焊盤直接銅線鍵合
在兩列焊盤組中未植金球5的每個焊盤4上分別用直徑為15 μ m的銅絲打直徑為
37μ m的第二銅鍵合球8，然後，拱絲拉弧至與該焊盤4相對應的引線框架內引腳7，並在該引線框架內引腳7上打一個月牙形的銅焊點10，形成第二銅鍵合線14 ；
5、採用相關封裝形式(如eSOP、eMSOP、eTSSOP、eLQFP、QFN、DFN)常規方法對壓焊後形成的器件進行塑封、後固化、列印和衝切分離或切割分離，製成密節距小焊盤銅線鍵合IC 晶片封裝產品。實施例3
1.減薄、劃片
採用相關封裝形式減薄通用設備和工藝，將晶圓減薄250 μ m並劃片；
2.上芯
上芯採用載體不外露的SOP、SSOP、MSOP、TSSOP, QFPL, QFP、QFN、DFN引線框架，將已減薄到時250 μ m劃片好的IC晶片3用絕緣膠固定在上述引線框架載體1上，上芯設備和工藝同相關封裝形式常規產品生產；
3.壓焊
(1)在步驟1安裝的IC晶片3的上表面平行設置兩列焊盤組，該兩列焊盤組分別由數量相同的焊盤4組成，且兩列焊盤組中的各焊盤4之間互不接觸，一列焊盤組中的焊盤4與另一列焊盤組中的焊盤4為一一對應，如圖1所示，控制焊盤4的各條邊的邊長為
38μ mX 38 μ m，輝盤4之間的節距為50 μ m,相鄰兩焊盤4之間的空隙為5 μ m ；
⑵植金球
將直徑15 μ m的金線軸固定於壓焊臺上，穿好線後，將已粘IC晶片3的引線框架載體 1自動傳送到軌道上，由軌道板固定，預熱至210°C後，在每列焊盤4上分別焊接金球5，控制一列焊盤組中焊接的金球5與另一列焊盤組中焊接的金球5交錯設置，如圖2所示；打完金球5的引線框架載體1傳送到收料夾。(3)疊銅球
將已植金球的傳遞盒送到銅線鍵合臺，在壓焊臺上固定直徑為15 μ m的銅線軸，穿好線後，將已植金球5的引線框架載體1自動傳送到軌道上，預熱至200°C後傳送到壓焊夾具上，通過軌道壓板進行固定，在每個金球5上堆疊一個第一銅鍵合球6 ； (4)拱絲打點
堆疊第一鍵合球6後，向上拱絲拉弧到與被植金球5的焊盤4相對應的引線框架內引腳7上打一個月牙形的銅焊點10，形成第一銅鍵合線9 ；
8(5)重複動作
依次類推直到打完所有焊點為止，並收料到傳遞盒。4、採用相關封裝形式(如SOP、MSOP, TSSOP, L/TQFP)常規方法對壓焊後形成的器件進行塑封、後固化、列印和衝切分離或切割分離，製得密節距小焊盤銅線鍵合IC晶片封
裝廣品。實施例4
1.減薄、劃片
採用相關封裝形式減薄通用設備和工藝，將晶圓減薄250 μ m並劃片；
2.上芯
採用載體不外露的SOP、SS0P、MS0P、TSSOP, QFPL, QFP, QFN、DFN引線框架，將已減薄到時250 μ m劃片好的IC晶片3用粘片膠(導電膠或絕緣膠)4固定在上述引線框架載體1上， 上芯設備和工藝同相關封裝形式常規產品生產；
3.壓焊
(1)在步驟1安裝的IC晶片3的上表面平行設置兩列焊盤組，該兩列焊盤組分別由數量相同的焊盤4組成，且兩列焊盤組中的各焊盤4之間互不接觸，一列焊盤組中的焊盤 4與另一列焊盤組中的焊盤4為一一對應，如圖1所示，控制焊盤4的各條邊a的邊長為 38 μ mX 38 μ m，焊盤4之間的節距b為50 μ m，相鄰兩焊盤4之間的空隙c為3 μ m 5 μ m。(2)植金球
將直徑15 μ m的金線軸固定於壓焊臺上，穿好線後，將已粘IC晶片3的引線框架載體 1自動傳送到軌道上，由軌道板固定，預熱至210°C後，在每列焊盤組間隔的焊盤4上分別焊接金球5，控制一列焊盤組中焊接的金球5與另一列焊盤組中焊接的金球5交錯設置，如圖 3所示；打完金球5的引線框架載體1傳送到傳遞盒。(3)疊銅球
將已植金球的傳遞盒送到銅線鍵合臺，在壓焊臺上固定直徑為15 μ m的銅線軸，穿好線後，將已植金球5的引線框架載體1自動傳送到軌道上，預熱至200°C後傳送到壓焊夾具上，通過軌道壓板進行固定，在每個金球5上堆疊一個第一鍵合球6 ；
(4)拱絲打點
堆疊第一鍵合球6後，向上拱絲拉弧到與被植金球5的焊盤4相對應的引線框架內引腳7上打一個月牙形的銅焊點10，形成第一銅鍵合線9 ；
(5)不植金球的焊盤直接銅線鍵合
接著在兩列焊盤組中未植金球5的每個焊盤4上直接打直徑34 μ m的第二銅鍵合球8， 並拱絲拉弧到與該焊盤4相對應的引線框架內引腳7上打一個月牙形的銅焊點10，形成第二銅鍵合線14 ；
(6)重複動作
依次類推直到打完所有焊點為止，並收料到傳遞盒。3、採用相關封裝形式(如SOP、MSOP, TSSOP, L/TQFP)常規方法對壓焊後形成的器件進行塑封、後固化、列印和衝切分離或切割分離，製得密節距小焊盤銅線鍵合IC晶片封
裝廣品。雖然結合優選實施例已經示出並描述了本發明，本領域技術人員可以理解，在不違背所附權利要求限定的本發明的精神和範圍的前提下可以進行修改和變換。
權利要求
1.一種密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，包括塑封體(11)，塑封體(11)內設有引線框架載體(1)和框架引線內引腳(7)，引線框架載體(1)的上面固接有IC晶片(3)，其特徵在於所述IC晶片(3)的上表面設置數個焊盤(4)，所述數個焊盤(4)平行設置成兩列焊盤組，分別為第一焊盤組和第二焊盤組，所述每列焊盤組中的每個焊盤(4)對應連接一框架引線內引腳(7)，每個焊盤(4)上分別焊接一個金球(5)，每個金球(5)上焊接一個第一銅鍵合球(6 )，拱絲拉弧在對應內引腳(7 )上打一銅焊點(10 )，形成第一銅鍵合線(9)。
2.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，其特徵在於所述第一焊盤組和第二焊盤組中間隔的焊盤(4)上分別焊接有一個金球(5)，所述第一焊盤組中的金球(5 )與第二焊盤組中的金球(5 )交錯設置，每個金球(5 )上焊接一個第一銅鍵合球(6 )， 每列焊盤組中未焊接金球(5 )的焊盤(4 )上直接焊接一個第二銅鍵合球(8 )，拱絲拉弧在對應內引腳(7)上打一銅焊點(10)，形成第二銅鍵合線(14)。
3.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，其特徵在於所述每列焊盤組中相鄰兩焊盤(4)之間留有空隙，焊盤(4)的外形尺寸為38μπιΧ38μπι，焊盤(4) 的節距為43 μ m。
4.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，其特徵在於所述第一銅鍵合球(6)採用Φ 15 μ m銅線製成，第一銅鍵合球(6)直徑為35 μ m 38 μ m。
5.如權利要求1所述的密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，其特徵在於所述金球 (5)的直徑為 30μπι 36. 8μπι。
6.如權利要求1或2所述的密節距小焊盤單IC晶片封裝件，其特徵在於所述第二銅鍵合球(8)採用Φ 15 μ m銅線製成，第二銅鍵合球(8)直徑為34 μ m 37 μ m。
7.—種如權利要求1或2所述密節距小焊盤單IC晶片封裝件的製備方法，工藝流程為減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、後固化、切筋、電鍍、列印、成形分離和包裝，其中除上芯、壓焊工序以外，其它工序均採用相關封裝形式的常規方法，其特徵在於所述上芯、壓焊操作工藝過程為步驟1、減薄、劃片常規方法將晶圓減薄至250 300 μ m並劃片；步驟2、上芯取引線框架載體將步驟1已減薄劃片的IC晶片固接於引線框架載體上，採用&氣流量25 30ml/min烘烤3小時，烘烤溫度150°C ；步驟3、壓焊在焊盤(4)上進行壓焊a)將金線軸固定於壓焊臺上，然後穿入金線；b)將引線框架載體預熱至200°C 210°C後送到壓焊臺上，在焊盤上分別焊接金球；c)將銅線軸固定於壓焊臺上，穿入銅線，將步驟b)中焊接有金球的引線框架載體預熱至200°C 210°C後送到壓焊臺上，在每個金球上堆疊一個第一銅鍵合球，然後向上拱絲拉弧至與焊接有該金球的焊盤相對應的引線框架內引腳，並在該引線框架內引腳上打一銅焊點，形成第一銅鍵合線；d)在兩列焊盤組中未焊接金球的每個焊盤上分別用銅絲球焊形成第二銅鍵合球，拱絲拉弧至與該焊盤相對應的引線框架內引腳，並在該引線框架內引腳上打一銅焊點，形成第二銅鍵合線；步驟4:採用常規方法對壓焊後形成的半成品框架依次進行塑封、後固化、列印、衝切分離或切割分離，製成密節距小焊盤銅線鍵合IC晶片封裝產品。
全文摘要
密節距小焊盤銅線鍵合單IC晶片封裝件，塑封體內設置引線框架載體和框架引線內引腳，引線框架載體上固接有IC晶片，IC晶片上多個焊盤與多個框架引線內引腳為一一對應，每個焊盤和相對應的框架引線內引腳通過鍵合線相連接，每列焊盤組中的焊盤上或間隔的焊盤上分別焊接有金球，金球上焊接有第一銅鍵合球，並在對應的內引腳上打一個月牙形的銅焊點，形成第一銅鍵合線；未焊接金球的焊盤上焊接有第二銅鍵合球，並在對應的內引腳上打一個月牙形的銅焊點，形成第二銅鍵合線，兩列焊盤組中的金球交錯設置。本發明封裝件與製備方法避免了焊盤上產生彈坑、相鄰焊點短路和容易碰傷前一根線而造成的塑封衝線開路的隱患。
文檔編號H01L21/60GK102437141SQ20111040868
公開日2012年5月2日 申請日期2011年12月9日 優先權日2011年12月9日
發明者慕蔚, 李習周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司