粘接層形成方法
2024-04-09 00:14:05
專利名稱：粘接層形成方法
技術領域：
本申請人在特開平5-302176號、特開平7-112160號、特開平7-136577號等申請中，提出了如下的粉體膜形成方法，即，通過對形成了粘接層的被處理構件(形成有粉體膜的各種物品或部件等)、粉體及粉體膜形成介質等使用振動裝置施加振動，在該被處理構件上，夾隔粉體膜形成介質附著粉體而形成粉體膜。該粉體膜形成方法例如在攜帶電話或筆記本電腦之類的電子機器的筐體的塗刷時被使用。本發明涉及在作為此種粉體膜形成方法的一個工序的在被處理構件的表面形成粘接層的粘接層形成方法。
背景技術：
作為用於形成粘接層的粘接物質用樹脂，使用各種液狀的熱固性樹脂。為了在被處理構件的表面均一地形成粘接層，需要提高粘接物質用樹脂的流動性，為此，粘接物質用樹脂被用有機溶劑或水等溶解、稀釋或分散而使用。此外，通過在將粘接物質用樹脂採用有機溶劑等稀釋了的粘接物質用樹脂液的液槽中，浸漬被處理構件，或者將粘接物質用樹脂液向被處理構件噴霧，在被處理構件的表面形成粘接層。例如使用將熱固性環氧樹脂(樹脂97％、固化劑3％)用甲基酮稀釋了的粘接物質用樹脂液。
在如上所述的粉體膜形成方法中，在表面上形成了粘接層的被處理構件上直接或夾隔粉體膜形成介質而附著的粉體，因被粉體膜形成介質撞擊而與粘接層壓接或被壓入粘接層。與此同時，構成被粉體覆蓋的粘接層的粘接物質，因被粉體膜形成介質撞擊而被向粉體的表面擠出。另外，因粉體膜形成介質與此種被擠出的粘接物質相碰撞，因而附著於粉體膜形成介質上的粉體向被處理構件轉移，進行粉體向被處理構件上的附著。此後，當即使被處理構件被粉體膜形成介質撞擊，構成粘接層的粘接物質也不會向粉體的表面擠出時，粉體的附著工序，即粉體膜的形成即結束。所以，塗布於被處理構件上的粘接層的厚度將對形成於被處理構件上的粉體膜的厚度產生決定性的影響。
如上所述，以往通過將被處理構件浸漬於用溶劑稀釋了的粘接物質用樹脂液的液槽中，或者用被溶劑稀釋了的粘接物質用樹脂液向被處理構件噴霧，在被處理構件的表面形成粘接層。利用此種浸漬手段或噴霧手段很難調整附著於被處理構件上的粘接物質用樹脂液的厚度，所以，就有難以將形成於被處理構件上的粉體膜設為所需的厚度的問題。另外，由於從塗布於被處理構件上的粘接物質用樹脂液中除去溶劑，因此更難以調整形成於被處理構件上的粘接層的厚度。另外，在利用此種浸漬手段或噴霧手段塗布粘接物質用樹脂液的情況下，由於塗布於被處理構件的表面的粘接物質用樹脂液部分地貯留於被處理構件的表面而形成所謂液體滯留，因此就會有形成於被處理構件的表面的粘接層的厚度變得不均一的問題。
另外，在被處理構件的表面塗布了粘接物質用樹脂液後，由於需要將作為稀釋劑的溶劑等除去，因此以往對塗布了粘接物質樹脂液的被處理構件實施熱處理而使溶劑等揮發。為此，在粘接層的形成中要花費時間，並且從節省能源的觀點考慮也有問題。
另外，對於固化溫度低的熱固性樹脂的情況，無法進行用於使溶劑等揮發的熱處理，需要在常溫下放置。由此，就會有因粘接層的形成而需要很長時間的問題。
發明內容
本發明的目的在於，解決所述的以往的粘接層形成方法所具有的問題。
為了解決所述問題而完成的本發明的粘接層形成方法的特徵是，通過使塗布了粘接物質的粘接層形成介質與被處理構件相碰撞，將塗布於所述粘接層形成介質上的粘接物質向被處理構件轉移，而在被處理構件上形成粘接層。
另外，本發明的粘接層形成方法的特徵是，將塗布了粘接物質的粘接層形成介質和被處理構件放入容器，通過對粘接層形成介質或被處理構件賦予振動，或攪拌粘接層形成介質及被處理構件，而在被處理構件上形成粘接層。
在這些粘接層形成方法中，最好在實質上未塗布有粘接物質的被處理構件的表面上形成粘接層。
另外，在這些粘接層形成方法中，為了將形成於被處理構件上的粘接層的厚度設為一定值，最好將形成於粘接層形成介質上的粘接層的厚度維持在一定的範圍。
所述粘接物質最好含有液狀物質。該液狀物質優選液狀樹脂，該液狀樹脂最好含有固化材料。另外，所述粘接物質最好含有隔離粒子。此外，所述粘接物質優選實質上不蒸發的物質。
本發明的粉體膜形成方法的特徵是，通過在利用所述粘接層形成方法形成於被處理構件的表面上的粘接層上附著粉體，而在被處理構件的表面形成粉體膜。這裡，最好所述粘接物質含有隔離粒子，該隔離粒子由所述粉體的粒子構成。
本發明由於被如上所述地構成，因此會起到如下所述的效果。
由於通過使塗布了一定的範圍的厚度的粘接物質的粘接層形成介質與被處理構件碰撞，將塗布於粘接層形成介質上的粘接物質向被處理構件轉移，由此在被處理構件上形成粘接層，因此就可以通過調整塗布於粘接層形成介質上的粘接物質的厚度(每一個粘接層形成介質所保持的粘接物質的量)，將形成於被處理構件上的粘接層設為所需的厚度。所以，在下面的粉體膜形成工序中，就可以將形成於被處理構件的表面上的粉體膜設為所需的厚度。
另外，由於通過使塗布了粘接物質的粘接層形成介質與被處理構件碰撞，將該粘接物質向被處理構件轉移，從而在被處理構件上形成粘接層，因此就可以防止像以往的粘接層形成方法那樣，在將被處理構件浸漬於粘接物質用樹脂液的液槽中，或將粘接物質用樹脂液向被處理構件噴霧的情況下所產生的液體滯留的形成，所以就可以使形成於被處理構件上的粘接層的厚度均勻化。
由於在粘接層形成介質上附著了隔離粒子，因此就可以防止粘接層形成介質被被處理構件捕捉，並且可以提高形成於被處理構件上的粘接層的表面的平滑度。
由於不含有需要在塗布了粘接物質後除去的溶劑等，因此就可以將粘接層的形成工序簡單化，並且可以實現節省能量化或公害的防止等。另外，由於不需要實施用於除去溶劑等的熱處理，因此能夠使用的固化劑或主劑的自由度增加。
圖1是作為在粘接層形成介質上附著粘接物質的一個例子的安裝了容器的振動裝置的包括局部剖面的主視圖。
圖2是塗布有粘接層形成介質並且附著了隔離粒子的粘接層形成介質的示意性的立體圖。
圖3是用於在被處理構件上形成粘接層的粘接層形成裝置的包括局部剖面的主視圖。
圖4是用於在被處理構件上形成粘接層的其他的實施例的粘接層形成裝置的包括局部剖面的主視圖。
其中，C…容器，V…振動裝置，W…被處理構件，m1…粘接層形成介質，m2…粘接物質，m3…隔離粒子具體實施方式
下面將對本發明的粘接層形成方法的實施例進行說明，然而只要不超出本發明的主旨，就不受本實施例的任何限定。
構成塗布了粘接物質的層或塗布了含有液狀物質的粘接物質的層(以下簡稱為粘接層。)的粘接物質，是由在被處理構件上形成粘接層的工序中實質上不蒸發的物質構成，所述粘接層形成於本發明的粘接層形成介質的表面上。
作為構成粘接層的粘接物質，可以使用含有液狀樹脂的各種液狀物質。作為液狀樹脂以外的液狀物質，可以舉出水玻璃、水明膠、膠、漆等。另外，作為液狀樹脂，可以使用環氧樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、氟樹脂、密胺樹脂等各種樹脂。而且，在液狀物質的粘度高的情況下，可以將各種樹脂等的化合物作為粘度降低劑適當地添加。
另外，在作為粘接物質的液狀樹脂中，也可以添加有固化劑。另外，在作為構成粘接層的粘接物質的液狀物質中也可以添加粒狀的隔離粒子。
作為所述固化劑，可以使用雙氰胺、咪唑、異氰酸酯、酸或其無水物等各種固化劑。
作為所述隔離粒子，可以使用由二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氫氧化鋁、各種金屬、各種樹脂等構成的微粒。其大小及添加量雖然可以根據粘接層形成介質的形狀或尺寸等而適當地選擇，然而最好粒徑為1～20μm左右，粘接物質中的體積比例為5～30％左右。另外，在該隔離粒子中，最好使用構成要最終形成的粉體膜的粉體的粒子。
另外，粘接層形成介質的材質為鐵、碳素鋼、其他的合金鋼、銅及銅合金、鋁及鋁合金、其他的各種金屬、合金或Al2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、SiC等陶瓷、玻璃、硬質塑料等。粘接層形成介質的尺寸、材質可以根據被處理構件的形狀或尺寸、構成形成於被處理構件上的膜的粉體的材質等適當地選擇。另外，也可以將多個尺寸及材質的粘接層形成介質混合使用，還可以對粘接層形成介質實施表面處理、表面膜而使用。粘接層形成介質可以使用球狀、橢圓形、立方體、三角柱、圓柱、圓錐、三角錐、四角錐、菱形體、不定形體、其他的各種形狀的材料，也可以將這些形狀的粘接層形成介質單獨或適當地混合使用。作為粘接層形成介質的大小的一個例子，在粘接層形成介質為球狀的情況下，其粒徑為從O.3mm左右到數mm左右。
作為在粘接層形成介質上附著粘接層形成用混合體的裝置，作為一個例子，可以使用如圖1所示的安裝了容器C的振動裝置V。在圖1中，v1為振動裝置V的機臺，在機臺v1上，夾隔螺旋彈簧v2配置有振動板v3，在振動板v3上安裝有容器C。另外，在振動板v3的下面安裝有馬達v4，在馬達v4的輸出軸v5上偏心地安裝有重錘v6。所以，由於通過驅動馬達v4，偏心的重錘v6即旋轉，因此就可以使安裝于振動板v3上的容器C振動。
通過將所述的作為粘接物質的液狀物質和粘接層形成介質的混合體、或者作為添加了固化劑的粘接物質的液狀樹脂和粘接層形成介質的混合體或作為添加了隔離粒子的粘接物質的液狀物質和粘接層形成介質的混合體投入如圖1所示的配置于振動裝置V上的容器C中並混合，在粘接層形成介質的表面，就到處都塗布了液狀物質或添加了固化劑的液狀樹脂或分散了隔離粒子的液狀物質，所以，就可以製作出在表面形成了粘接層的粘接層形成介質。而且，在所述的粘接層形成介質的製作中，也可以不使用如圖1所示的配設了容器C的振動裝置V，通過將被投入到通常的容器中的所述的混合體用適當的攪拌裝置攪拌，而在粘接層形成介質的表面上形成粘接層。
圖2中示意性地表示按照如下方法形成的具有粘接層的粘接層形成介質，即，將隔離粒子、粘接物質和粘接層形成介質的混合體投入安裝於如上所述的振動裝置V上的容器C中。在被如此製作的粘接層形成介質m1上，塗布有粘接物質m2，並且以給定量附著有在表面塗布了粘接物質的隔離粒子m3。
形成於粘接層形成介質的表面上的粘接層的厚度可以通過相對於投入到容器C的粘接層形成介質的表面積的總和，適當地調整投入到容器C的作為粘接物質的液狀物質的量，來任意地設定。
將被如上所述地製作的形成有粘接層的粘接層形成介質如圖3所示，投入到安裝於與圖1相同的振動裝置V上的容器C中，並且還投入實質上未附著粘接物質的被處理構件W。像這樣，通過利用振動裝置V使投入了形成有粘接層的粘接層形成介質m1和實質上未附著粘接物質的被處理構件W的容器C振動，就會使形成有粘接層的粘接層形成介質m1及被處理構件W振動，使形成有粘接層的粘接層形成介質m1與被處理構件W碰撞或者摩擦。雖然根據粘接層形成介質向被處理構件的碰撞的方式，有時用摩擦這樣的表現形式更為恰當，然而本說明書中，將此種摩擦之類的碰撞也簡稱為碰撞。這樣，就會使塗布於粘接層形成介質m1上的粘接層向被處理構件W轉移，換言之，塗布於粘接層形成介質m1上的粘接層被被處理構件W剝除，而在被處理構件W的表面形成粘接層。像這樣，通過反覆進行如下的工序，即，塗布於粘接層形成介質m1上的粘接層向被處理構件W轉移，其後粘接層形成介質m1與被處理構件W分離，就會在被處理構件W上形成給定的厚度的粘接層。
而且，在將形成有粘接層的粘接層形成介質m1及被處理構件W用攪拌裝置攪拌的情況下，也可以與所述相同地在被處理構件W的表面形成粘接層。
在所述的工序中，通過調整塗布於粘接層形成介質表面的粘接物質的厚度(或者每一個粘接層形成介質所保持的粘接物質的量)，另外，通過調整構成粘接層的液狀物質的粘度或隔離粒子的量，就可以將形成於被處理構件上的粘接層設為所需的厚度。
而且，所使用的粘接層形成介質的量無論所需的粘接層的厚度的大小如何，都需要足夠多。這是因為，為了遍及需要形成粘接層的被處理構件表面全體地均一地塗布粘接物質，塗布了粘接物質的粘接層形成介質需要對被處理構件的表面到處並且極多次地擊打或摩擦。
像這樣，在本發明中，由於可以將形成於被處理構件上的粘接層設定為所需的厚度，因此就可以利用後述的粉體膜形成裝置，將形成於被處理構件的表面的粉體膜調整為所需的厚度。
另外，由於在構成形成於粘接層形成介質上的粘接層的粘接物質中不含有利用蒸發除去的物質，因此在形成於被處理構件上的粘接層中也不含有利用蒸發除去的物質。所以，由於不需要對被處理構件實施熱處理而使溶劑等蒸發，因此與以往的在被處理構件上形成粘接層的方法相比，可以縮短粘接層的形成時間，並且從節省能量或防止公害的觀點考慮也是有利的。另外，由於粘接層一旦形成於被處理構件上，厚度就不會因蒸發而變動，因此粘接層的厚度的控制就變得更為容易。
另外，由於不需要像以往的被處理構件的粘接層形成方法那樣對被處理構件實施熱處理，因此作為粘接物質，可以容易地使用固化溫度低的熱固性樹脂。
優選使用如圖2所示的塗布有粘接物質m2並且附著有在表面塗布了粘接物質的隔離粒子m3的粘接層形成介質m1。以下將此種粘接層形成介質m1、粘接物質m2及隔離粒子m3成為一體的物質稱作「粘接物質·帶隔離物介質m0」。與所述相同，將粘接物質·帶隔離物介質m0投入圖3所示的安裝于振動裝置V上的容器C中，並且投入實質上未塗布粘接物質的被處理構件W。像這樣，通過利用振動裝置V使投入了粘接物質·帶隔離物介質m0及被處理構件W的容器C振動，就會使粘接物質·帶隔離物介質m0及被處理構件W振動，使粘接物質·帶隔離物介質m0與被處理構件W碰撞。這樣，就會將附著於粘接層形成介質m1上的粘接物質m2及隔離粒子m3向被處理構件W轉移，換言之，附著於粘接層形成介質m1上的粘接物質m2及隔離粒子m3被被處理構件W剝除，形成由粘接物質m2及隔離粒子m3構成的粘接層。其後，粘接層形成介質m1與被處理構件W分離。通過反覆進行此種工序，就會形成由粘接物質m2及隔離粒子m3構成並具有給定的厚度的粘接層。
如上所述，雖然使粘接物質·帶隔離物介質m0與被處理構件W碰撞，然而由於在粘接層形成介質m1上附著有粒狀的隔離粒子m3，因此與未附著有此種隔離粒子m3的粘接層形成介質m1與被處理構件W碰撞的情況相比，粘接層形成介質m1和被處理構件W的接觸面積將變小。由此，被處理構件W和粘接層形成介質m1之間的粘接力變小，難以引起粘接層形成介質m1被被處理構件W捕捉的情況。當粘接層形成介質m1被被處理構件W的表面捕捉時，則由於在作為目的物的粉體膜中，以至在粉體膜的加熱固化後形成於被處理構件表面的連續膜中，該部分成為缺陷，因此為了避免此種缺陷的生成，使用隔離粒子m3是有效的。另外，由於在使用該粘接層而最終形成的粉體膜中也含有隔離粒子m3，因此通過將構成該粉體膜的粉體的粒子用於隔離粒子m3中，就可以將隔離粒子m3也有效地用於粉體膜的形成中。
另外，附著有隔離粒子m3的粘接層形成介質m1在與形成於被處理構件W上的粘接層碰撞而在被處理構件W的表面滾動時，形成於粘接層上的凹陷或劃痕槽的深度由於與使用未附著有隔離粒子m3的粘接層形成介質m1的情況相比更小，因此可以提高形成於被處理構件W上的粘接層的表面的平滑度。
下面，對在形成了粘接層的被處理構件W的表面附著粉體而形成粉體膜的粉體膜形成方法進行概述。作為粉體膜形成裝置，使用圖1所示的安裝了容器C的振動裝置V。
向容器C中，投入形成了粘接層的被處理構件W、構成粉體膜的粉體及與所述的粘接層形成介質相同的粉體膜形成介質等，利用振動裝置V對容器C提供振動，在被處理構件W的表面形成粉體膜。此種粉體膜形成裝置如上所述，被公布於本申請人的先前的申請的特開平5-302176號、特開平7-112160號、特開平7-136577號等中。
在所述的膜形成方法中，在表面形成了粘接層的被處理構件上直接或夾隔粉體膜形成介質而附著的粉體因被粉體膜形成介質撞擊而與粘接層壓接或被壓入粘接層。與此同時，構成被粉體覆蓋的粘接層的粘接物質因被粉體膜形成介質撞擊而向粉體的表面擠出。另外，因粉體膜形成介質與被如此擠出的粘接物質碰撞，附著於粉體膜形成介質上的粉體向被處理構件轉移，進行粉體向被處理構件上的附著。此外，在即使被處理構件被粉體膜形成介質撞擊，構成粘接層的粘接物質也不向粉體的表面擠出的時候，粉體的附著工序即粉體膜形成即結束。
粉體膜形成介質具有如下的功能，即，擊打附著於被處理構件的表面的粘接層的粉體，將粉體向粘接層壓入或推壓，使粉體牢固地附著於粘接層上。另外，粉體膜形成介質具有如下的功能，即，因擊打附著於粘接層上的粉體，而將粉體之下的構成粘接層的粘接物質向粉體的表面擠出，繼而使粉體附著於被擠出的構成粘接層的粘接物質上，使粉體多層並且高密度地附著於被處理構件的表面。另外，粉體膜形成介質還具有如下的功能，即，因與被處理構件碰撞，而將附著於粉體膜形成介質上的粉體向被處理構件轉移，進行這樣的一種轉印的操作，促進粉體在被處理構件的表面上的堆積。
在本發明的眾多的用途中，如上所述，在被處理構件上形成了粉體膜後，實施熱處理。當對形成於被處理構件表面的粉體膜進行加熱時，構成粉體膜的粉體當中的具有加熱溫度以下的熔點的粉體成分即熔融，膜表面變得平滑，並且向具有加熱溫度以上的熔點的粉體成分的間隙浸透而形成緻密的膜。此時，在粉體膜形成前形成於被處理構件上的作為粘接層的構成成分的液狀樹脂及因加熱而熔融了的粉體膜中的低熔點成分因固化劑的作用而硬化。像這樣，形成於被處理構件上的粉體膜因熱處理而變為平滑且牢固的膜。而且，此時的固化劑被添加到用於粘接層形成的粘接物質中、用於粉體層形成的粉體中雙方，或者僅被添加到粉體中。
下面，對更為具體的實施例進行說明。
作為液狀樹脂，使用環氧樹脂，為了降低環氧樹脂的粘度，將環氧類反應性稀釋劑以相對於環氧樹脂100份反應性稀釋劑為30份的比例添加。作為固化劑，使用了雙氰胺。作為隔離粒子，使用丙烯酸樹脂制的粒徑5μm的球狀粒子，作為粘接層形成介質，使用了粒徑1mm的氧化鋯制的球體。此後，將粘接層形成介質10kg、隔離粒子4g、添加了反應性稀釋劑的環氧樹脂20g及固化劑2g投入於配置于振動裝置V上的容器C(容積31)中，通過使之振動10分鐘，在粘接層形成介質上，形成由添加了反應性稀釋劑的環氧樹脂構成的粘接層，並且附著了隔離粒子。將被如此製作的附著了粘接層及隔離粒子的粘接層形成介質投入於相同的配置于振動裝置V上的容器C中，並且作為被處理構件，投入20個外徑20mm、內徑18mm、高7mm的MQ粘結磁鐵，通過使之振動1分鐘，就可以形成厚度2～3μm的均一的粘接層。其後，將形成了粘接層的MQ粘結磁頭投入於用於形成粉體層的容器中，使之振動。該容器及振動裝置使用了與所述的用於粘接層形成的例子相同大小且相同形式的裝置。向該容器中，作為粉體層形成介質，投入進行了塗膠的0.5mm的粒徑的氧化鋁球狀粒子3kg，作為粉體，投入相對於平均粒徑5μm的環氧粉末100份有平均粒徑5μm的雲母粉20份的混合粉末30g，使之振動5分鐘後，投入20個形成了所述的粘接層的MQ粘結磁鐵，使之振動2分鐘。在像這樣在MQ粘結磁鐵上形成了粉體層後，將這些粘結磁鐵從容器中取出，在加熱爐中180℃下加熱了20分鐘。這樣，形成於MQ粘結磁鐵上的塗覆層的厚度為15～25μm。
在所述的粘接層形成及粉體層形成的實施例中，為了在被處理構件的表面穩定地形成15～25μm的塗覆膜，在粘接層形成工序中，需要將添加到粘接層形成介質中的粘接物質、固化劑及隔離粒子的量保持在一定的範圍中。這些成分在所述的例子中，添加了反應性稀釋劑的環氧樹脂20g、固化劑2g及隔離粒子4g被在最初添加。由於通過對被處理構件進行粘接層形成處理，這些添加成分即被消耗，因此當消耗量超過一定的範圍時，就需要補充添加成分。實驗的結果發現，為了穩定地形成所述的15～25μm的塗覆膜，添加到粘接層形成介質中的各成分的量需要在使各自的比率一定的同時，將合計的添加量控制在26g±5g的範圍中。
如上所述，本發明的粘接層形成方法的具有特徵的構成是，在混入了固化劑的液狀樹脂(液狀熱固性樹脂)中不含有溶劑。所以，由於對塗布了液狀熱固性樹脂的被處理構件，不需要像以往的粘接層形成方法那樣，實施用於除去溶劑等的熱處理，因此粘接層的形成時間被縮短，並且可以實現能量節省。
另外，由於不需要實施用於除去溶劑等的熱處理，因此可以使用在常溫下固化的液狀熱固性樹脂，能夠使用的固化劑或主劑的自由度增加，被處理構件的選擇的範圍變寬。
另外，可以將由作為粘接物質用樹脂的稀釋劑的溶劑等的揮發引起的粘接層的厚度的偏差排除，所以就可以在被處理構件表面形成總是一定的厚度的粘接層，可以減少每個被處理構件的粘接層的厚度的偏差，所以，粘接層的厚度的調整變得更為容易。
另外，通過在粘接層形成介質上附著隔離粒子，可以防止粘接層形成介質被被處理構件捕捉的情況。
而且，還可以防止因將被處理構件浸漬於粘接物質用樹脂液的液槽中，或者將粘接物質用樹脂液向被處理構件噴霧而產生的粘接物質用樹脂液的滯留，即所謂的液體滯留，所以可以將形成於被處理構件的表面的粘接層的厚度均一化。
如上所述，通過反覆進行如下的工序，即，粘接層形成介質與被處理構件碰撞，附著於粘接層形成介質上的粘接物質或隔離粒子向被處理構件轉移，其後，粘接層形成介質與被處理構件分離，就會在被處理構件上形成給定的厚度的粘接層。在該粘接層形成中，從粘接層形成介質向被處理構件轉移的粘接物質的量及隔離粒子的量可以根據被處理構件的形成有粘接層的部分的面積和形成於該部分的粘接層的平均厚度預先算出，因此在將利用圖3所示的粘接層形成裝置形成了粘接層的被處理構件W從容器C中取出後，算出在工序中由被處理構件消耗的粘接物質及隔離粒子的量，通過將該算出量部分利用分配器等投入到容器C中，就可以向粘接層形成介質中，補充向被處理構件轉移了的量的粘接物質及隔離粒子。像這樣，在收容有初期狀態的附著了粘接物質及隔離粒子的粘接層形成介質的容器C中投入新的被處理構件，就可以在被處理構件表面反覆操作而形成給定的厚度的粘接層。
使用圖4，對粘接層形成裝置的其他的實施例進行說明。
在收容塗布有粘接物質的粘接層形成介質的容器C內，配置被抽吸墊1抽吸保持的被處理構件W，使之不與塗布有粘接物質的粘接層形成介質接觸。與抽吸墊1連接的管道2被安裝於支撐構件3上，在管道2上連接有柔性管道4。柔性管道4被藉助閥5與空氣抽吸源裝置6連接。通過將閥5設為開的狀態，而將被處理構件W抽吸保持在抽吸墊1上。此後，如上所述，通過驅動馬達v4，使安裝于振動板v3上的容器C振動，與圖3所示相同地，在被處理構件W上形成粘接層。而且，也可以通過使支撐構件3沿水平方向振動或擺動，促進在被處理構件W上的粘接層的形成，或實現粘接層的厚度的均一化。該方法被用於攜帶電話、筆記本電腦等電子機器的筐體等比較大面積的產品的塗刷中。
權利要求
1.一種粘接層形成方法，其特徵是，通過使塗布了粘接物質的粘接層形成介質與被處理構件碰撞，將塗布於所述粘接層形成介質上的粘接物質向被處理構件轉移，從而在被處理構件上形成粘接層。
2.一種粘接層形成方法，其特徵是，將塗布了粘接物質的粘接層形成介質和被處理構件放入容器，通過對粘接層形成介質或被處理構件賦予振動，或攪拌粘接層形成介質及被處理構件，從而在被處理構件上形成粘接層。
3.根據權利要求1或2所述的粘接層形成方法，其特徵是，在實質上未塗布粘接物質的被處理構件的表面上形成粘接層。
4.根據權利要求1～3中任意一項所述的粘接層形成方法，其特徵是，為了將形成於被處理構件上的粘接層的厚度設為一定值，將形成於粘接層形成介質上的粘接層的厚度維持在一定的範圍。
5.根據權利要求1～4中任意一項所述的粘接層形成方法，其特徵是，粘接物質含有液狀物質。
6.根據權利要求5所述的粘接層形成方法，其特徵是，粘接物質含有液狀樹脂。
7.根據權利要求6所述的粘接層形成方法，其特徵是，液狀樹脂含有固化材料。
8.根據權利要求1～7中任意一項所述的粘接層形成方法，其特徵是，粘接物質含有隔離粒子。
9.根據權利要求1～8中任意一項所述的粘接層形成方法，其特徵是，粘接物質為實質上不蒸發的物質。
10.一種粉體膜形成方法，其特徵是，通過利用權利要求1～9中任意一項所述的方法在形成於被處理構件的表面上的粘接層上附著粉體，從而在被處理構件的表面上形成粉體膜。
11.根據權利要求10所述的粉體膜形成方法，其特徵是，所述粘接物質含有隔離粒子，該隔離粒子由所述粉體的粒子構成。
全文摘要
本發明提供一種粘接層形成方法，在為了在被處理構件上形成含有粉體的膜而在被處理構件的表面形成粘接層的工序中，可以將粘接層設為所需的厚度。此種目的被利用如下的構成實現。通過使塗布了粘接物質的粘接層形成介質(m1)與被處理構件(W)碰撞，將粘接物質從粘接層形成介質(m1)向被處理構件(W)轉移，而在被處理構件(W)上形成粘接層。通過調整塗布於粘接層形成介質上的粘接物質的厚度(每一個粘接性形成介質所保持的粘接物質的量)，就可以將形成於被處理構件上的粘接層設為所需的厚度。這樣，就可以將最終形成的粉體膜也設為所需的厚度。
文檔編號C09J5/00GK1802221SQ20048001562
公開日2006年7月12日 申請日期2004年6月2日 優先權日2003年6月6日
發明者板谷修, 佐川真人 申請人:因太金屬株式會社