固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法
2023-06-16 11:39:51 9
固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法
【專利摘要】本發明提供一種能夠降低暗電流的固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，提供了固體拍攝裝置。固體拍攝裝置具備光電變換元件、固體電荷層、氮化矽膜和氧化矽膜。光電變換元件將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累。固定電荷層被設置在光電變換元件的受光面側，並保持負的固定電荷。氮化矽膜被設置在固定電荷層的受光面側。氧化矽膜被設置在固定電荷層和氮化矽膜之間。
【專利說明】固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法。
【背景技術】
[0002]在現有技術中，固體拍攝裝置具備與拍攝圖像的各像素對應並設置成矩陣狀的多個光電變換元件。各光電變換元件將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷，並作為表示各像素的亮度的信息積累。
[0003]在這種固體拍攝裝置中，由於在光電變換元件的受光面上的晶體缺陷等原因，存在不管有無入射光都在光電變換元件中積累電荷的情況。這種電荷在輸出拍攝圖像時變成暗電流而被檢測到，並在拍攝圖像中成為白色痕跡出現。因此，在固體拍攝裝置中，需要降低暗電流。
[0004][專利文獻I]特開2007-258684號公報
【發明內容】
[0005]本發明所要解決的問題是提供能夠降低暗電流的固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法。
[0006]本發明的實施方式的固體拍攝裝置具備:光電變換元件，其將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累；固定電荷層，其設置在上述光電變換元件的受光面側，保持負的固定電荷；在上述固定電荷層的受光面側設置的氮化矽膜；在上述固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的氧化矽膜。
[0007]另一種實施方式的固體拍攝裝置的製造方法包括:形成將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累的光電變換兀件；在上述光電變換兀件的受光面側形成保持負的固定電荷的固定電荷層；在上述固定電荷層的受光面側形成氧化矽膜；在上述氧化矽膜的受光面側形成氮化矽膜。
[0008]根據上述構成的固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法，能夠降低暗電流。【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是實施方式所涉及的CMOS傳感器的從頂面看的說明圖。
[0010]圖2是表示實施方式所涉及的像素單元的一部分的從剖面看的說明圖。
[0011]圖3是表示實施方式所涉及的CMOS傳感器的製造工序的從剖面看的說明圖。
[0012]圖4是表示實施方式所涉及的CMOS傳感器的製造工序的從剖面看的說明圖。
[0013]圖5是表示實施方式所涉及的CMOS傳感器的製造工序的從剖面看的說明圖。
【具體實施方式】
[0014]以下參照附圖詳細地說明實施方式所涉及的固體拍攝裝置以及固體拍攝裝置的製造方法。另外，本發明並不限定於本實施方式。[0015]在本實施方式中，作為固體拍攝裝置的一個例子，以在與將入射光進行光電變換的光電變換元件的入射光入射的面相反的面一側形成布線層的所謂背面照射型CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器為例進行說明。
[0016]另外，本實施方式所涉及的固體拍攝裝置並不限於背面照射型CMOS圖像傳感器，也可以是表面照射型CMOS圖像傳感器、CCD (電荷耦合器件)圖像傳感器等任意圖像傳感器。
[0017]圖1是實施方式所涉及的背面照射型CMOS圖像傳感器(以下稱為「CMOS傳感器I」)的從頂面看的說明圖。如圖1所示，CMOS傳感器I具備像素部2和邏輯部3。
[0018]像素部2具備設置成矩陣狀的多個光電變換元件。各光電變換元件將入射光光電變換成與受光量(受光強度)相應的量的電荷並積累在電荷積累區域中。另外，關於光電變換元件的構成，將參照圖2以後說明。
[0019]邏輯部3具備:定時發生器31、垂直選擇電路32、採樣電路33、水平選擇電路34、增益控制電路35、A/D (模擬/數字)變換電路36、放大電路37等。
[0020]定時發生器31是對像素部2、垂直選擇電路32、採樣電路33、水平選擇電路34、增益控制電路35、A/D變換電路36、放大電路37等輸出成為工作定時的基準的脈衝信號的處理部。
[0021]垂直選擇電路32是以行為單位從配置成矩陣狀的多個光電變換元件中依次選擇讀出電荷的光電變換元件的處理部。這種垂直選擇電路32使在以行為單位選擇的各光電變換元件中積累的電荷作為表示各像素的亮度的像素信號從光電變換元件向採樣電路33輸出。
[0022]採樣電路33是從由通過垂直選擇電路32以行為單位選擇的各光電變換元件輸入的像素信號中用CDS (相關雙採樣)除去噪音並暫時保持的處理部。
[0023]水平選擇電路34是按每一列順序地選擇並讀出由採樣電路33保持的像素信號，並向增益控制電路35輸出的處理部。增益控制電路35是調整從水平選擇電路34輸入的像素信號的增益，並向A/D變換電路36輸出的處理部。
[0024]A/D變換電路36是將從增益控制電路35輸入的模擬像素信號向數字像素信號變換，並向放大電路37輸出的處理部。放大電路37是放大從A/D變換電路36輸入的數位訊號，並向指定的DSP (數位訊號處理器(省略圖示))輸出的處理部。
[0025]這樣，在CMOS傳感器I中，配置在像素部2中的多個光電變換元件將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累，邏輯部3通過將在各光電變換元件中積累的電荷作為像素信號讀出而進行拍攝。
[0026]在這種CMOS傳感器I中，當在光電變換元件的入射光入射的一側的端面(以下稱為「受光面」)由於晶體缺陷而發生界面態和/或汙染物質附著時，在未接收入射光的光電變換元件中可能積累電荷。
[0027]這種電荷在由邏輯部3讀出像素信號時變成暗電流，從像素部2向邏輯部3流入，並在拍攝圖像中變成白色痕跡出現。因此，在實施方式所涉及的CMOS傳感器I中，構成像素部2以便抑制暗電流。以下，參照圖2說明實施方式所涉及的像素部2的構成。
[0028]圖2是表示實施方式所涉及的像素部2的一部分的從剖面看的說明圖。另外，在圖2中概念性地示出了像素部2中的I個像素的剖面。[0029]如圖2所示，像素部2具備:在支撐基板11上隔著粘接層12而設置的多層布線層15和光電變換元件18。多層布線層15例如具備:由氧化矽等形成的層間絕緣膜14和埋設在層間絕緣膜14的內部並在讀出經過光電變換後的負電荷和/或向各電路元件傳送驅動信號等中使用的多層布線13。
[0030]光電變換元件18例如包括:摻雜了 P (磷)等N型雜質的N型Si區域17和摻雜了 B (硼)等P型雜質的P型Si區域16。在此，P型Si區域16從頂面看被設置成包圍N型Si區域17。
[0031]這種光電變換元件18是通過P型Si區域16和N型Si區域17的PN接合而形成的光電二極體。然後，光電變換元件18將從與其與多層布線層15的界面相反的端面入射的入射光進行光電變換以形成與受光量相應的量的負(_)電荷，並積累在N型Si區域17中。
[0032]此外，像素部2在光電變換元件18的受光面上具備形成膜厚度小於等於3nm的第I氧化矽膜19。這樣，在像素部2中，由於能夠降低在N型Si區域17的受光面側端面產生的懸空鍵，因此能夠抑制由於懸空鍵而引起的界面態的增加。
[0033]因此，根據像素部2，由於能夠抑制由於界面態引起且與有無入射光無關地產生的負電荷在N型Si區域17中積累，因此，能夠降低暗電流。
[0034]此外，像素部2在第I氧化矽膜19的入射光入射的一側的面(受光面)上具備保持負的固定電荷的厚度小於等於IOnm的固定電荷層20。這種固定電荷層20例如用HfO (氧化鉿)形成。
[0035]另外，固定電荷層20的材料並不限於HfO，也可以是如Al (招)、Ti (鈦)、Zr (錯)、Mg (鎂)的氧化物等那樣的能夠保持負的固定電荷的任意金屬氧化物。此外，固定電荷層20的材料也可以是組合了從Hf0、A10、Ti0、Zr0、Mg0中選擇的任意一個材料的材料。此夕卜，固定電荷層20採用在形成穩定的薄膜方面有效的ALD (原子層沉積)法形成。
[0036]這樣，像素部2在光電變換元件18的N型Si區域17的受光面一側隔著第I氧化矽膜19具備保持負的固定電荷的固定電荷層20。由此，在像素部2中，由於在固定電荷層20中保持的負的固定電荷，在N型Si區域17內存在的正電荷(正空穴)被吸引，在N型Si區域17的受光面附近形成正空穴積累區域25。
[0037]這種在正空穴積累區域25中積累的正電荷通過與由於在N型Si區域17的受光面附近產生的界面態而引起的負電荷的再耦合，能夠降低與有無入射光無關地產生的成為暗電流的原因的負電荷。因此，根據像素部2，能夠更有效地降低暗電流。
[0038]進一步地，像素部2具備在固定電荷層20的入射光入射的一側的面(受光面)上依次層疊的厚度小於等於5nm的第2氧化娃膜21、氮化娃膜22、彩色濾光片23、微透鏡24。
[0039]微透鏡24是平凸透鏡，將向像素部2入射的入射光向光電變換元件18聚光。此夕卜，彩色濾光片23使例如紅色、綠色、藍色三原色中的任意一個顏色的入射光透過。此外，氮化矽膜22具有作為防止透過彩色濾光片23的入射光的反射的反射防止膜的功能。
[0040]在此，當形成為連接固定電荷層20和氧化矽膜22時，在固定電荷層20中混入氮氣，固定電荷層20的組成發生變化，所產生的固定電荷量減少。這樣，N型Si區域17表面的正空穴積累區域25的正電荷濃度降低，減小暗電流抑制效果。
[0041]在此，為了減小氮氣對固定電荷層20的影響，雖然考慮了充分加厚固定電荷層20，但由於固定電荷層20採用ALD法形成，因此，膜厚度的形成加大了製造負擔。[0042]因此，形成在物理上隔開固定電荷層20和氮化矽膜22之間的屏蔽膜。關於該膜，電氣特性穩定的氧化矽膜21是有效的。該氧化矽膜21的厚度只要能夠充分減小氮氣對固定電荷層20的影響即可，例如，小於等於5nm就足夠了。
[0043]此外，該氧化矽膜21採用在穩定地形成薄膜方面有效的ALD法形成。這樣，抑制了氮氣混入固定電荷層20，由於固定電荷層20的膜的組成不會發生變化，因此能夠避免暗電流抑制效果的減小。
[0044]此外，在像素部2中，由於第I氧化矽膜19的膜厚度小於等於3nm，第2氧化矽膜21的膜厚度小於等於5nm，因此，能夠抑制由於第I氧化矽膜19和第2氧化矽膜21的入射光的反射和折射到能夠忽略的程度。
[0045]而且，在像素部2中，由於固定電荷層20的厚度小於等於10nm，因此，能夠在將所需要的量的負電荷保持在固定電荷層20中的同時，抑制由於固定電荷層20的入射光的反射和折射到能夠忽略的程度。
[0046]以下參照圖3?圖5，對實施方式所涉及的CMOS傳感器I的製造方法進行說明。另外，CMOS傳感器I的邏輯部3的製造方法與現有的一般CMOS傳感器是一樣的。因此，以下對CMOS傳感器I的像素部2的製造方法進行說明，對於邏輯部3的製造方法，省略其說明。
[0047]圖3?圖5是表示實施方式所涉及的CMOS傳感器I的製造工序的從剖面看的說明圖。另外，在圖3?圖5中，概念性地示出了像素部2的I個像素部分的製造工序。
[0048]如圖3 (a)所示，在製造CMOS傳感器I時，在Si晶片等半導體基板10上形成P型Si區域16。此時，例如，在半導體基板10上通過使摻雜了 B等P型雜質的Si層外延生長，形成P型Si區域16。另外，這種P型Si區域16也可以通過向Si晶片的內部離子注入P型雜質並進行退火處理而形成。
[0049]接著，如圖3 (b)所示,在P型Si區域16的指定區域從頂面向半導體基板10形成開口，其後，向開口的內部形成N型Si區域17。此時，例如，通過在開口的內部使摻雜了P等N型雜質的Si層外延生長，形成N型Si區域17。
[0050]另外，這種N型Si區域17也可以通過從P型Si區域16的頂面側向P型Si區域16內部離子注入N型雜質並進行退火處理而形成。這種N型Si區域17從頂面看被配置成多個矩陣狀。
[0051]這樣，通過向P型Si區域16的內部嵌入N型Si區域17，形成了 PN結，從而形成作為光電二極體的光電變換元件18。另外，在此，N型Si區域17變成積累經過了光電變換後的負電荷的電荷積累區域，與半導體基板10的接合面一側在後面露出，成為入射光的受光面。
[0052]接著，如圖3 (C)所示，在光電變換元件18的頂面形成多層布線層15。此時，例如，通過重複形成氧化矽膜等層間絕緣膜14的步驟、在層間絕緣膜14上形成指定布線圖案的步驟和通過在布線圖案內嵌入Cu等形成多層布線層13的步驟，形成多層布線層15。其後，如圖3 (d)所示。在多層布線層15的頂面塗敷粘接劑以設置粘接層12，並在粘接層12的頂面粘貼例如Si晶片等支撐基板11。
[0053]接著，如圖4 Ca)所示，在使圖3 Cd)所示的結構體的頂底顛倒後，用磨床等研磨裝置4從背面側(在此，是從頂面側)開始研磨半導體基板10，將半導體基板10磨薄到指定厚度。
[0054]其後，例如用CMP (化學機械研磨)進一步研磨半導體基板10的背面側，如圖4 (b)所示，使N型Si區域17的背面(在此，是頂面)露出。此時，在作為N型Si區域17的研磨麵的頂面發生懸空鍵，產生界面態。
[0055]在此，如前所述，這種N型Si區域17是積累了經過光電變換後的負電荷的電荷積累區域，其露出的頂面成為光電變換元件18的受光面。然後，不理想的是當在光電變換元件18的受光面產生界面態時，由於界面態引起且與有無入射光無關地產生的負電荷被積累在到N型Si區域17中，變成暗電流的原因。
[0056]因此，在實施方式所涉及的CMOS傳感器I的製造方法中，如圖4 (C)所示，在光電變換元件18的受光面上形成厚度小於等於3nm的第I氧化矽膜19。
[0057]在此，在第I氧化矽膜19的形成中使用ALD法。在該方法中，例如由於可以在400°C左右形成膜，因此，具有即使在氧化矽膜19成膜時在已經形成的多層布線13中使用Cu的情況下也能夠避免溶出的問題和/或與等離子CVD (化學氣相沉積)法等其它低溫成膜法相比、能夠形成穩定的Si界面和/或薄膜形成時的膜厚度控制性優異的特徵，適合於氧化矽膜19的形成。
[0058]這樣，通過在光電變換元件18的受光面上設置第I氧化矽膜19，能夠抑制在N型Si區域17的頂面產生界面態，因此，能夠降低暗電流。此外，第I氧化矽膜19由於膜厚度小於等於3nm，因此能夠將入射光的反射和折射抑制到能夠忽略的程度。
[0059]另外，在此，雖然對在N型Si區域17的頂面以及P型Si區域16的頂面形成第I氧化矽膜19的情形進行了說明，但是，第I氧化矽膜19如果至少在N型Si區域17的頂面設置，也能夠抑制成為暗電流的原因的負電荷的發生。
[0060]接著，如圖5 Ca)所示，在第I氧化矽膜19的頂面形成保持負的固定電荷的固定電荷層20。該固定電荷層20例如形成厚度小於等於IOnm的HfO膜。
[0061]在此，在固定電荷層20的形成中使用ALD法。在該方法中，例如由於可以在小於等於400°C下形成膜，因此，具有即使在氧化矽膜19成膜時在已經形成的多層布線13中使用Cu的情況下也能夠避免溶出的問題和/或薄膜形成時的膜厚度控制性優異的特徵，適合於固定電荷層20的形成。
[0062]進一步地，利用成膜中的處理溫度或者其後的形成步驟的處理溫度，通過使HfO的至少一部分結晶化(晶體化)來產生負的固定電荷，並被其吸引而在N型Si區域17的光照射界面側形成正空穴積累區域25。由此，由於成為暗電流的原因的在界面附近存在的晶體缺陷和/或重金屬元素而發生的電子與正空穴被再耦合。因此，根據CMOS傳感器1，能夠進一步降低暗電流。
[0063]另外，在此雖然說明了固定電荷層20的材料是HfO的情況，但固定電荷層20的材料也可以是包含Hf、T1、Al、Zr、Mg中一種以上的材料。
[0064]其後，如圖5 (b)所示，在固定電荷層20的入射光入射的面(受光面)形成第2氧化矽膜21，如圖5 (c)所示，在第2氧化矽膜21的入射光入射的面(受光面)形成成為反射防止膜的氮化矽膜22。
[0065]此時，第2氧化矽膜21和第I氧化矽膜19 一樣，用ALD法形成。然後，氮化矽膜22用一般的CVD法形成。另外，作為固定電荷層20的HfO等由於是高折射率膜，因此即使是單體也起到反射防止膜的功能，但是，為了產生穩定的固定電荷，需要用ALD法成膜，這需要成膜時間，為了形成厚膜，生產性負擔增大。由此，即使在使用固定電荷層20的情況下，也通過在反射防止膜中使用可以用CVD法形成的氮化矽膜22，減輕對生產性的負荷。
[0066]這樣，在實施方式所涉及的CMOS傳感器I的製造方法中，通過在固定電荷層20和氮化矽膜22之間形成第2氧化矽膜21，能夠抑制固定電荷層20的組成的變化，形成穩定的固定電荷層20，並且進一步地，反射防止層通過用CVD法形成氮化矽膜，能夠減輕生產性的負荷。
[0067]由此，在CMOS傳感器I的製造方法中，由於能夠抑制在N型Si區域17的正空穴積累區域25 (參照圖2)內積累的正電量，因此，能夠製造能夠大幅度降低暗電流的CMOS傳感器I。
[0068]此外，如果使第I氧化矽膜19和第2氧化矽膜21的膜厚度一致，則由於變成完全相同的條件，因此，形成時的裝置的運行效率上升，能夠進一步降低生產性的負荷。
[0069]其後，在CMOS傳感器I的製造方法中，在氮化矽膜22的頂面順序地形成彩色濾光片23和微透鏡24，製造具備圖2所示的像素部2的CMOS傳感器I。
[0070]另外，在本實施方式中，對於全部用ALD法形成第I氧化矽膜19、固定電荷層20、第2氧化矽膜21的情況進行了說明，但也可以用ALD法形成這其中的至少一個。
[0071]如上所述，實施方式所涉及的固體拍攝裝置具備光電變換元件、固定電荷層、氮化娃膜和氧化娃膜。光電變換兀件將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累。固定電荷層被設置在光電變換元件的受光面側，保持負的固定電荷。氮化矽膜被設置在固定電荷層的受光面側。氧化娃膜被設置在固定電荷層與氮化娃膜之間。
[0072]根據這種固體拍攝裝置，通過用在固定電荷層和氮化矽膜之間設置的氧化矽膜防止固定電荷層內的負電荷與氮化矽膜內的正電荷進行再耦合而減少，能夠進一步大幅度地降低暗電流。
[0073]此外，實施方式所涉及的固體拍攝裝置進一步具備在光電變換元件的受光面設置的氧化矽膜。由此，實施方式所涉及的固體拍攝裝置通過抑制在光電變換元件的受光面產生的界面態的增加，能夠進一步降低暗電流。
[0074]此外，實施方式所涉及的氧化矽膜以及固定電荷層使用ALD法形成。根據這種ALD法，例如能夠以比在固體拍攝裝置的多層布線中使用的金屬的熔點低的處理溫度形成氧化矽膜以及固定電荷層。因此，根據實施方式所涉及的固體拍攝裝置，能夠防止由於氧化矽膜和固定電荷層的形成而對多層布線產生的不良影響。
[0075]此外，實施方式所涉及的在固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的氧化矽膜的厚度小於等於5nm，在光電變換元件的受光面設置的氧化矽膜的厚度小於等於3nm。根據這種氧化矽膜，能夠將向光電變換元件入射的入射光的反射和折射抑制到能夠忽略的程度。
[0076]此外，實施方式所涉及的固定電荷層的厚度小於等於10nm。該膜厚度假設為使暗電流降低的負的固定電荷的發生所需要的最低限度的膜厚度，反射防止膜用以生產負荷小的CVD法能夠形成的氮化矽膜形成。
[0077]雖然說明了本發明的幾個實施方式，但這些實施方式是作為例子提出的，並不意味著限定發明範圍。這些新的實施方式能夠以其它各種形式實施，在不脫離發明的主旨的範圍下能夠進行各種省略、置換、變更。這些實施方式和/或其變形包含在發明的範圍和/或主旨中，並且也包含在權利要求的範圍所記載的發明及其等同的範圍中。
【權利要求】
1.一種固體拍攝裝置，具備: 光電變換兀件，其將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累； 固定電荷層，其設置在上述光電變換元件的受光面側，保持負的固定電荷； 在上述固定電荷層的受光面側設置的氮化矽膜；以及 在上述固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的氧化矽膜。
2.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，還具備:在上述光電變換元件的受光面設置的氧化矽膜。
3.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其中，上述氧化矽膜和上述固定電荷層使用ALD (原子層沉積)法形成。
4.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其中，在上述固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的上述氧化矽膜的厚度小於等於5nm。
5.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其中，上述固定電荷層的厚度小於等於10nm。
6.根據權利要求2所述的固體拍攝裝置，其中，在上述光電變換元件的受光面設置的上述氧化矽膜的厚度小於等於3nm。
7.根據權利要求2所述的固體拍攝裝置，其中，在上述固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的氧化矽膜和在上述光電變換元件的受光面設置的氧化矽膜的厚度相等。
8.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其中，上述固定電荷層具有結晶化了的部位。
9.根據權利要求1所述的固體`拍攝裝置，其中，上述氮化矽膜使用CVD(化學氣相沉積)法形成。
10.根據權利要求1所述的固體拍攝裝置，其中，上述固體拍攝裝置是背面照射型的圖像傳感器，上述固定電荷層和上述氧化矽膜用比上述背面照射型的圖像傳感器具備的布線的熔點低的成膜溫度形成。
11.一種固體拍攝裝置的製造方法，包括: 形成將入射光光電變換成與受光量相應的量的電荷並積累的光電變換兀件； 在上述光電變換元件的受光面側形成保持負的固定電荷的固定電荷層； 在上述固定電荷層的受光面側形成氧化矽膜；以及 在上述氧化矽膜的受光面側形成氮化矽膜。
12.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:在上述光電變換元件的受光面形成氧化矽膜。
13.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:使用ALD(原子層沉積)法形成上述氧化矽膜和上述固定電荷層。
14.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:形成在上述固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的上述氧化矽膜，以使得厚度小於等於5nm。
15.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:形成上述固定電荷層，以使得厚度小於等於10nm。
16.根據權利要求12所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:形成在上述光電變換元件的受光面設置的上述氧化矽膜，以使得厚度小於等於3nm。
17.根據權利要求12所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:形成在上述固定電荷層和上述氮化矽膜之間設置的氧化矽膜和在上述光電變換元件的受光面設置的氧化矽膜，以使得兩者的厚度相等。
18.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:使上述固定電荷層的一部分結晶化。
19.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，包括:使用CVD(化學氣相沉積)法形成上述氮化矽膜。
20.根據權利要求11所述的固體拍攝裝置的製造方法，其中，上述固體拍攝裝置是背面照射型的圖像傳感器，上述方法包括用比上述背面照射型的圖像傳感器具備的布線的熔點低的成膜溫度形成上述固定電荷層和上述氧化矽膜。
【文檔編號】H01L27/146GK103779363SQ201310202507
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年5月28日 優先權日:2012年10月23日
【發明者】渡邊龍太, 宇家真司 申請人:株式會社東芝