耐強衝擊型熔斷電阻器的製作方法
2023-05-30 21:34:51
專利名稱：耐強衝擊型熔斷電阻器的製作方法
技術領域：
耐強衝擊型熔斷電阻器
技術領域：
本實用新型涉及電阻器技術領域，尤其涉及一種耐強衝擊型熔斷電阻器。
背景技術：
一般的電阻器在規定的額定功耗倍率過負荷條件下，電阻膜可以在規定的時間內熔斷，尤其是電阻器的阻值小於2歐姆時，當施加16倍額定功耗時小於等於60秒，25倍額定功耗時小於等於30秒，當一些特殊的場合要求額定功耗倍率更高時，一般的電阻器不能適用。
實用新型內容本實用新型的目的在於應對強電流強衝擊性提供的一種耐強衝擊型熔斷電阻器。本實用新型是通過以下技術方案來實現的一種耐強衝擊型熔斷電阻器，包括一絕緣基體，所述絕緣基體的兩端各設置有一金屬帽，所述絕緣基體為圓柱狀結構，所述絕緣基體上設有一層電阻膜，所述電阻膜的兩端分別與所述絕緣基體兩端的金屬帽連接，所述絕緣基體兩端的金屬帽分別外接一引腳，所述絕緣基體的外層還設置有一層散熱層，所述電阻膜包裹於所述散熱層內。所述電阻膜上刻有螺紋型的槽。所述電阻膜厚度為0. 03mm。所述電阻膜材質為鎳磷合金。在電阻膜上刻有螺紋型的槽，在不增加絕緣基體長度的基礎上，能有效增加電阻膜的長度。本實用新型的有益效果在於結構簡單、成本低、耐強衝擊性，在36倍的額定功耗電流的情況下，電阻膜熔斷時間在1-30秒；225倍額定功耗電流，電阻膜熔斷時間在0. 2秒至2秒；900倍額定功耗電流，電阻膜熔斷時間在20毫秒至200毫秒。
圖I為本實用新型的結構示意圖。附圖標記1、絕緣基體；2、金屬帽；3、電阻膜；4、引腳；5、散熱層。
具體實施方式
以下結合附圖及具體實施方式
對本實用新型做進一步描述參照圖I所示，一種耐強衝擊型熔斷電阻器，包括一絕緣基體1，所述絕緣基體I的兩端各設置有一金屬帽2，所述絕緣基體I為圓柱狀結構，所述絕緣基體I上設有一層電阻 膜3，所述電阻膜3的兩端分別與所述絕緣基體I兩端的金屬帽2連接，所述絕緣基體I兩端的金屬帽2分別外接一引腳4，所述絕緣基體I的外層還設置有一層散熱層5，所述電阻膜3包裹於所述散熱層5內。[0014]所述電阻膜3上刻有螺紋型的槽。所述電阻膜3厚度為0. 03_。所述電阻膜3材質為鎳磷合金。在電阻膜上刻有螺紋型的槽，在不增加絕緣基體長度的基礎上，能有效增加電阻膜的長度。根據上述說明書的揭示和教導，本實用新型所屬領域的技術人員還可以對上述實施方式進行適當的變更和修改。因此，本實用新型並不局限於上面揭示和描述的具體實施方式
，對本實用新型的一些修改和變更也應當落入本實用新型的權利要求的保護範圍內。 此外，儘管本說明書中使用了一些特定的術語，但這些術語只是為了方便說明，並不對本實用新型構成任何限制。
權利要求1.一種耐強衝擊型熔斷電阻器，其特徵在於包括一絕緣基體，所述絕緣基體的兩端各設置有一金屬帽，所述絕緣基體為圓柱狀結構，所述絕緣基體上設有ー層電阻膜，所述電阻膜的兩端分別與所述絕緣基體兩端的金屬帽連接，所述絕緣基體兩端的金屬帽分別外接一引腳，所述絕緣基體的外層還設置有ー層散熱層，所述電阻膜包裹於所述散熱層內。
2.根據權利要求I所述的耐強衝擊型熔斷電阻器，其特徵在於所述電阻膜上刻有螺紋型的槽。
3.根據權利要求I所述的耐強衝擊型熔斷電阻器，其特徵在於所述電阻膜厚度為0. 03mmo
4.根據權利要求I所述的耐強衝擊型熔斷電阻器，其特徵在於所述電阻膜材質為鎳磷合金。
專利摘要本實用新型提供了一種耐強衝擊型的熔斷電阻器，包括一絕緣基體，所述絕緣基體的兩端各設置有一金屬帽，所述絕緣基體為圓柱狀結構，所述絕緣基體上設有一層電阻膜，所述電阻膜的兩端分別與所述絕緣基體兩端的金屬帽連接，所述絕緣基體兩端的金屬帽分別外接一引腳，所述絕緣基體的外層還設置有一層散熱層，所述電阻膜包裹於所述散熱層內。本實用新型結構簡單、成本低、耐強衝擊性能，在36倍於額定電流的情況下，電阻膜熔斷時間在1-30秒內；225倍額定電流，電阻膜熔斷時間在0.2秒至2秒內；900倍額定電流，電阻膜熔斷時間在20毫秒至200毫秒內。
文檔編號H01C7/13GK202405026SQ20112046144
公開日2012年8月29日 申請日期2011年11月17日 優先權日2011年11月17日
發明者朱豐, 朱奇, 韓秀芬 申請人:深圳市格瑞特電子有限公司