一種防塵真空等離子腔室的製作方法

2023-06-09 21:28:36 1

專利名稱：一種防塵真空等離子腔室的製作方法
技術領域：
一種防塵真空等離子腔室技術領域[0001]本實用新型涉及一種可有效降低真空等離子體腔室，尤其是等離子體刻蝕腔室， 因密封圈老化而引入的塵粒的腔體構造。
背景技術：
[0002]真空等離子腔室在半導體及TFT行業應用非常普遍，設備包括成膜、刻蝕、幹法剝離等裝置。真空腔室的構造普遍如下圖1所示。其中，真空腔室由上下兩個腔體組成，在下腔體腔壁的中間有一凹槽，在凹槽中有一密封圈，當上下兩個腔體壓合時，密封圈能起到很好的密封作用，如圖2所示。但是，當密封圈使用一段時間後(尤其在高溫或等離子體環境下)，會產生較多塵粒。尤其當腔室從大氣狀態切換成真空狀態時，在瞬間壓力變化的作用下，老化的密封圈表面的塵粒非常容易進入腔室。如果不對該密封圈進行更換，密封圈老化產生的塵粒會進入工藝腔室中，在後續工藝過程中，該塵粒會掉落在基板上，導致工藝過程中的缺陷，如刻蝕殘留等等。要解決該問題，目前普遍的做法是更換新的密封圈。而此時， 老化發塵的密封圈仍然能起到密封的作用。但如果一旦密封圈老化發塵則隨即更換新的密封圈會 大大增加設備保養過程中所需要的備件並縮短設備保養維護的周期，最終在人力、 時間、備件等各方面都增加設備保養維護的成本。實用新型內容[0003]為此，本實用新型所要解決的技術問題在於現有的真空等離子腔室密封圈老化形成的塵粒汙染腔室內基板的問題，進而提供一種能夠防塵的真空等離子體腔室。[0004]為解決上述技術問題，本實用新型公開一種防塵真空等離子腔室，其包括上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室之間通過設置於所述下腔室上端面的密封槽內的密封圈實現密封連接，所述下腔室的上端面上具有防塵凸起，所述防塵凸起相對所述密封圈接近腔室內壁設置。[0005]上述防塵真空等離子腔室中，所述防塵凸起在靠近所述密封圈的一側成型有吸塵凹槽。[0006]上述防塵真空等離子腔室中，所述防塵凸起與所述下腔室一體成型。[0007]上述防塵真空等離子腔室中，所述防塵凸起在靠近所述密封圈的一側塗覆粗糙度 Ra大於50微米的鋁製磨砂塗層，其靠近腔室的一側塗覆Al2O3或/和Y2O3絕緣塗層。[0008]本實用新型的上述技術方案相比現有技術具有以下優點[0009]本實用新型的真空等離子腔室在下腔室的上端面上成型有防塵凸起，這樣老化的密封圈產生的塵粒在外力作用下向腔室內側運動時，則能被該防塵凸起擋住。其可以延長密封圈使用壽命，降低設備保養維護成本的情況下，減少或消除密封圈發塵對工藝良率的影響，減少工藝缺陷。[0010]本實用新型的防塵凸起在靠近密封圈的一側成型有吸塵凹槽，灰塵可以被吸附在吸塵凹槽的底部。當腔室開腔保養時可對該凹槽進行清掃，去除其中吸附的塵粒。
為了使本實用新型的內容更容易被清楚的理解，下面根據本實用新型的具體實施例並結合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中圖1 是真空等離子腔室的結構示意圖；圖2 是沿圖1虛線A處剖切的剖面圖；圖3 是本實用新型的真空等離子腔室的剖視圖。圖中附圖標記表示為1-上腔室，2下腔室，21密封槽，22-防塵凸起，3-密封圈。
具體實施方式
圖3為本實用新型公開的防塵真空等離子腔室，其包括上腔室I和下腔室2，所述上腔室I和所述下腔室2之間通過設置於所述下腔室2上端面的密封槽21內的密封圈3實現密封連接，所述下腔室2的上端面上一體成型有防塵凸起22，所述防塵凸起22相對所述密封圈3接近腔室內壁設置。所述防塵凸起22在靠近所述密封圈3的一側成型有吸塵凹槽，該吸塵凹槽的曲率半徑視具體情況而定，彎曲形狀也可根據實際情況而進行改變。所述防塵凸起22在靠近所述密封圈3的一側塗覆粗糙度Ra為100微米的鋁製磨砂塗層，其靠近腔室的一側塗覆Al2O3或/和Y2O3絕緣塗層。這樣，灰塵可以被吸附在吸塵凹槽的底部；當腔室開腔保養時可對該凹槽進行清掃，去除其中吸附的塵粒。作為其他可以實施的方式，該真空等離子腔室中的所述防塵凸起22與所述下腔室2可以通過螺釘實現可拆卸連接。 其他實施方式中，所述防塵凸起22在靠近所述密封圈3的一側只要塗覆粗糙度Ra大於50微米的磨砂塗層即可，例如可以選用粗糙度Ra為200mm的鍍鎳塗層。顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本實用新型創造的保護範圍之中。
權利要求1.一種防塵真空等離子腔室，其包括上腔室(I)和下腔室(2)，所述上腔室(I)和所述下腔室(2)之間通過設置於所述下腔室(2)上端面的密封槽(21)內的密封圈(3)實現密封連接，其特徵在於所述下腔室(2)的上端面上具有防塵凸起(22)，所述防塵凸起(22)相對所述密封圈(3)接近腔室內壁設置。
2.根據權利要求1所述的防塵真空等離子腔室，其特徵在於所述防塵凸起(22)在靠近所述密封圈(3)的一側成型有吸塵凹槽。
3.根據權利要求1或2所述的防塵真空等離子腔室，其特徵在於所述防塵凸起(22)與所述下腔室(2) —體成型。
4.根據權利要求1或2所述的防塵真空等離子腔室，其特徵在於所述防塵凸起(22)在靠近所述密封圈(3)的一側塗覆粗糙度Ra大於50微米的鋁製磨砂塗層，其靠近腔室的一側塗覆Al2O3或Y2O3絕緣塗層。
專利摘要本實用新型公開了一種防塵真空等離子腔室，其包括上腔室(1)和下腔室(2)，所述上腔室(1)和所述下腔室(2)之間通過設置於所述下腔室(2)上端面的密封槽(21)內的密封圈(3)實現密封連接，所述下腔室(2)的上端面上具有防塵凸起(22)，所述防塵凸起(22)相對所述密封圈(3)接近腔室內壁設置。該真空等離子腔室解決了密封圈老化形成的塵粒汙染腔室內基板的問題。
文檔編號H01J37/02GK202839529SQ20122043353
公開日2013年3月27日 申請日期2012年8月29日 優先權日2012年8月29日
發明者施露, 邱勇, 黃秀頎, 林立, 魏博 申請人:崑山工研院新型平板顯示技術中心有限公司