高分子膜表面選區鍍膜方法
2023-06-10 14:16:01 1
專利名稱：高分子膜表面選區鍍膜方法
技術領域：
本發明涉及一種薄膜層狀結構的製造方法，特別是指在半導體製程技術中，可避免黃光製程中的顯影劑及蝕刻製程中的化學藥品對高分子薄膜造成損害的一種在高分子薄膜上的特定區域鍍上金屬或其它材料的製造方法。
按已知技術，在一基材上將薄膜形成特定的圖形並且精確地規範其尺寸，可利用照相石板掩模塗布、紫外線曝曬及蝕刻技術來完成。
已知技術在決定薄膜的圖案及尺寸的方式，系包括先將材料安置在基板上，再讓光阻經過黃光的製程，將所需要的特定區域及尺寸決定出來，並讓光阻掩蓋其上，在後續的蝕刻製程中，不要的區域將會被腐蝕掉。在經過上述的各程序後，當光阻去除後，即可得到所要的圖案及其尺寸。
在上述的製造程序中，當基材改為高分子薄膜如幹膜光阻時，其中黃光製程中使用的顯影劑會對幹膜光阻的基材造成腐蝕現象，而且蝕刻製程中的化學試劑亦同樣會對幹膜光阻的基材造成腐蝕現象，因此，在已知技術的製程中，當使用高分子薄膜為基材時將不可避免會遭受損害。
本發明的主要目的在於克服現有技術的不足，提供一種避免黃光製程中的顯影劑及蝕刻製程中的化學藥品對高分子薄膜造成損害的鍍膜方法。
本發明的另一目的系提供一種在高分子薄膜表面可精確選區鍍膜的製程方法。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的一種高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其特點是，包含以下步驟選取一薄片，其上開設預定圖案之孔；將所述薄片之孔對準一高分子薄膜基層的選定區域，並且使所述薄片緊密貼合於所述高分子薄膜基層的表面上；鍍膜一預定材料層至該高分子薄膜基層上；及從該高分子薄膜基層上移去所述薄片，藉此，在高分子薄膜基層的選定區域上鍍膜上所述預定圖案的預定材料層。
上述的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其中，所述具預定圖案的孔是利用光罩、黃光製程方式開出所需的圖案及尺寸。
上述的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其中，所述預定材料層可為一金屬層或陶瓷材料。
上述的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其中，薄片可為塑膠片或真空膠帶或以遮罩方式取代。
一種薄膜表面選區鍍膜方法，其特點是，包含的步驟有選取一薄片，其上開設一預定圖案的孔；將所述孔對準一薄膜的選定區域，並且使該薄片緊貼於所述薄膜的表面上；及鍍膜一材料層至所述薄膜上，藉此，使該薄膜的選定區域上鍍上所述預定圖案的所述材料層。
一種薄膜選區鍍膜的製程方法，適用於在一基層上所粘合的薄膜層，其特點是包含以下步驟選取一薄片，其上開設一預定圖形的穿孔；將所述穿孔對準所述薄膜層表面上的選定區域，並使所述薄片貼合於該薄膜層上；以及鍍膜一預設材料層至該薄膜層上，藉此，使所述選定區域的表面鍍上一層所述預定圖形的預設材料層。
鑑於已知技術在薄膜上選區鍍膜時，其製程方法中的黃光製程與蝕刻製程必然會對該薄膜造成損害的缺點，本發明排除使用光阻來電界定鍍膜的選區及尺寸，而改由利用一事先開設出所需的圖案與尺寸規範的塑膠薄片，直接精密地對位而置於高分子薄膜表面，並使其緊密貼合於該薄膜上，再將兩者一併送入機器中鍍膜，如此，高分子薄膜需要鍍膜的特定選區上因為沒有被所述塑膠薄片所遮蓋，因此可以利順利地鍍上所要求的薄膜層。由於本發明的鍍膜方法並未使用任何化學藥劑，故可完整地保留高分子薄膜層。
以下通過附圖及實施例對本發明高分子薄膜表面選區鍍膜方法詳細說明，以進一步了解其優點與特徵
圖1A與1B為已知技術的選區鍍膜方法的示意圖。
圖2A與2B為本發明高分子膜表面選區鍍膜方法的示意圖。
圖3本發明高分子膜表面選區鍍膜方法的流程圖。
首先參考圖1A與1B，系顯示已知技術在基材上選區鍍膜的方法。按已知技術在一基材上選區鍍膜的方法，系包括(1)在基材1上鍍上所需的金屬層2或其它材料層；(2)利用黃光製程，使光阻3可以精確的規範尺寸，並且在金屬層2的表面覆蓋住所需鍍膜的區域，以界定其圖案，如圖1A所示；(3)利用蝕刻製程，將金屬層2上光阻3所覆蓋以外的區域腐蝕掉，則基材1上將會形成如光阻所界定的尺寸與圖案的金屬層2，如圖1B所示。經過上述各程序後，去掉光阻3便可得到指定圖案的金屬層2。
當基材1為一高分子薄膜時，則上述程序2與程序3的過程將會溶解、腐蝕高分子薄膜，因此，已知的製程方式並無法完成在高分子薄膜表面上選區鍍膜的要求。
請接著參考圖2A與2B，系顯示本發明高分子膜表面選區鍍膜方法的示意圖，並配合參閱圖3的選區鍍膜方法的流程圖。根據本發明的製程方法可順利地完成以高分子薄膜為基層，並在其表面上選區鍍膜的要求，主要系包含下列程序(1)選取一塑膠片，並開設預定圖案的穿孔首先選取一塑膠薄片20，且在該塑膠薄片20上開設所需圖案的孔21且準確地規範其尺寸，所述圖案即為在高分子薄膜10上欲鍍膜的圖形，而塑膠薄片20的作法可以傳統加工方式製成或是利用光罩、黃光製程方式開出所需的圖案及尺寸，以利於鍍膜之遮蔽；(2)對準穿孔至薄膜層之選定區域，並使塑膠片緊密貼合於表面上將所述塑膠薄片20精密地在高分子薄膜10表面上對位至選定區域，並且使塑膠薄片20緊密貼合於該高分子薄膜10表面上；(3)鍍膜預定材料層至所述薄膜層上將貼合塑膠薄片20的高分子薄層10一併送入鍍膜機或電鍍機臺內進行鍍膜金屬層2或其它材料層，由於塑膠薄片20之孔21已精準地對位至高分子薄膜10上的選定區域，所以高分子薄膜10表面需要鍍膜的區域上方並沒有被塑膠薄片20所遮蓋，因此，金屬層2或其它材料層可順利地鍍膜至指定區域。
(4)從薄膜層上移去塑膠片
在經過上述各程序後，當塑膠薄片20自高分子薄膜10表面上移除後，即可在該高分子薄膜10上的選定區域鍍上所需圖案的金屬層2或其它材料層，如圖2B所示。
在本發明的製程方法中，並沒有使用任何的化學藥劑，因此，可以在整個製程過程中完整保留高分子薄膜層10。
本發明並不受限於上述實施例的實施方式，例如，塑膠片可由真空膠帶、遮罩方式取代其功能。
綜上所述，根據本發明所實施的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，將有效克服已知技術的製程方法中，黃光製程使用的顯影劑及蝕刻製程使用的化學劑對高分子薄膜的損害所造成的缺點與弊端，本發明由於不使用任何化學藥劑，因而可在製造過程中完整保留高分子薄膜且順利精準地於選定區域上鍍膜金屬層或其它材料層，獲得令人滿意的鍍膜品質。
權利要求
1.一種高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，包含以下步驟選取一薄片，其上開設預定圖案的孔；將所述薄片的孔對準一高分子薄膜基層的選定區域，並且使該薄片緊密貼合於該高分子薄膜基層的表面上；鍍膜一預定材料層至所述高分子薄膜基層上；及從該高分子薄膜基層上移去所述薄片，藉此，在所述高分子薄膜基層的選定區域上鍍膜上所述預定圖案的預定材料層。
2.如權利要求1所述的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，所述具預定圖案的孔是利用光罩、黃光製程方式開出所需的圖案及尺寸。
3.如權利要求1所述的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，所述預定材料層可為一金屬層或陶瓷材料。
4.如權利要求1所述的高分子薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，所述薄片可為塑膠片或真空膠帶或以遮罩方式取代。
5.一種薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，包含的步驟有選取一薄片，其上開設一預定圖案的孔；將所述孔對準一薄膜的選定區域，並且使該薄片緊貼於該薄膜的表面上；及鍍膜一材料層至該薄膜上，藉此，使薄膜的選定區域上鍍上所述預定圖案的所述材料層。
6.如權利要求5所述的薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，所述具預定圖案的孔是利用光罩、黃光製程方式開出所需的圖案及尺寸。
7.如權利要求5所述的薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，所述材料層可為一金屬層或陶瓷材料。
8.如權利要求5所述的薄膜表面選區鍍膜方法，其特徵在於，所述薄片可為塑膠片或真空膠帶或以遮罩方式取代。
9.一種薄膜選區鍍膜的製程方法，適用於在一基層上所粘合的薄膜層，其特徵在於，包含以下步驟選取一薄片，其上開設一預定圖形的穿孔；將所述穿孔對準所述薄膜層表面上的選定區域，並使所述薄片貼合於該薄膜層上；以及鍍膜一預設材料層至該薄膜層上，藉此，使所述選定區域的表面鍍上一層所述預定圖形的預設材料層。
10.如權利要求9所述的薄膜選區鍍膜的製程方法，其特徵在於，所述穿孔是利用光罩、黃光製程方式開出所需的圖案及尺寸。
11.如權利要求9所述的薄膜選區鍍膜的製程方法，其特徵在於，所述預設材料層可為一金屬層或陶瓷材料。
12.如權利要求9所述的薄膜選區鍍膜的製程方法，其特徵在於，所述薄片可為塑膠片或真空膠帶或以遮罩方式取代。
全文摘要
本發明利用一事先開設出所需的圖案與尺寸規範的塑膠薄片,直接精密地在選定區域上對位而置於高分子薄膜之上,並使其緊密貼合於該薄膜上,再將一併送入機器中鍍膜,如此,高分子薄膜可以順利地在選定區域上鍍上所要求之圖案的薄膜層,且整個過程中並未使用化學藥劑,故可完整地保留高分子薄膜層。
文檔編號B44C1/22GK1269427SQ9910482
公開日2000年10月11日 申請日期1999年4月1日 優先權日1999年4月1日
發明者周沁怡, 張英倫, 蔡宏駿, 張一熙 申請人:研能科技股份有限公司