一種超結VDMOS器件的製作方法
2023-06-27 15:19:11
本實用新型屬於超結VDMOS的製備技術領域,具體涉及一種超結VDMOS器件。
背景技術:
目前比較主流的高壓超結製備工藝有兩種,一種是以Infineon和ST位代表的多次注入和外延技術。另一種是以Toshiba和華宏為代表的溝槽刻蝕和回填技術。兩種技術相比來說,多次注入和外延技術比較成熟但價格昂貴,溝槽刻蝕和回填技術工藝比較簡單,成本相對也比較便宜,對溝槽刻蝕和回填形成超結的技術路徑來說,擊穿電壓在很大程度上取決於溝槽的深度,深度越大,擊穿電壓越高,然而,如果溝槽的深寬比太大的話,回填P型的單晶矽工藝會是一個挑戰,那就是容易形成空洞而影響器件的可靠性。
技術實現要素:
有鑑於此,本實用新型的主要目的在於提供一種超結VDMOS器件。
為達到上述目的,本實用新型的技術方案是這樣實現的:
本實用新型實施例提供一種超結VDMOS器件,該器件包括疊加設置的N+襯底、第一N-外延層、第二N-外延層,所述第一N-外延層內設置有P型區,所述第二N-外延層內設置有P-pillar區,所述P-pillar區與P型區對齊。
上述方案中,所述P-pillar區與P型區之間的距離為3um到20um。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果:
本實用新型通過注入一個嵌入的p型區和深溝槽p-pillar區對準、並p型區和p-pillar區有一定距離,在保持溝槽的深寬和深寬比的情況下,能有效地提高擊穿電壓,避免因為溝槽太深,p型Si回填引起可能的空洞,從而提高器件的可靠性。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例提供一種超結VDMOS器件的結構示意圖;
圖2為傳統溝槽超結合本實用新型超結結構模擬的擊穿電壓對比圖;
圖3為傳統溝槽超結合本實用新型超結結構模擬的電場延x=0的電場分布圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,並不用於限定本實用新型。
本實用新型實施例提供一種超結VDMOS器件,如圖1所示,該器件包括疊加設置的N+襯底1、第一N-外延層2、第二N-外延層10,所述第一N-外延層2內設置有P型區3,所述第二N-外延層10內設置有P-pillar區4,所述P-pillar區4與P型區3對齊。
所述P-pillar區4與P型區3之間的距離為3um到20um。
所述超結VDMOS的製備方法,該方法為:在N+襯底1上生長第一N-外延層2,通過光刻版先進行p型雜質的硼注入形成P型區3,繼續外延生長第二N-外延層10,在第二N-外延上通過光刻版注入硼,形成body9並推阱;接著在所述第二N-外延層10上通過光刻界定出溝槽區域並進行深溝槽刻蝕和回填P-型單晶矽,形成超結VDMOS器件的P-pillar區4;然後進行柵氧的熱生長和N+型多晶矽的澱積;多晶矽光刻後,用光刻工藝界定出N+注入區域並注入N+外延層雜質,並退火形成N+源區5;接著進行層間介質的澱積,並刻蝕出電極總線接口6;濺射金屬Al11,光刻後形成最後的器件結構。
所述進進行深溝槽刻蝕和回填P-型單晶矽,形成超結VDMOS器件的P-pillar區4和位於所述第一N-外延層2的P型區3對準。
所述在N+襯底1上生長厚度為10-20um的第一N-外延層2。
具體通過以下步驟實現:
步驟一:在N+襯底1外延生長厚度10-20um的第一N-外延層2,通過光刻版注入boron形成P型區3。
步驟二:在第一外延層上繼續生長第二N-外延層10。
步驟三:第二N-外延層10上熱生長400A氧化層,通過光刻版注入p型雜質並推阱形成body9。
步驟四:接下來用光刻版進行深溝槽刻蝕和p型單晶矽的回填,利用CMP技術把溝槽外部的p型Si去除,形成p-pillar區4。
步驟五:接下來進行一定厚度的柵氧熱生長並進行N型摻雜的poly澱積,通過光刻版poly幹法刻蝕,形成柵極8。
步驟六:然後通過光刻版注入N型雜質As或P並推阱,形成N+源區5。
步驟七:接著一定厚度的SiO2層的澱積生長(即ILD層間介質7)並進行孔的光刻形成電極總線接口6。
步驟八:最後金屬Al11的濺射和光刻,形成器件的最終結構,如圖1所示。
本實用新型超結結構(圖1)與為傳統溝槽超結結構對比,其中溝槽深度和整個外延層厚度相同。
圖2為傳統溝槽超結合本實用新型超結結構模擬的擊穿電壓對比圖,其中溝槽深度和整個外延層厚度相同,從模擬的擊穿電壓結果來看,本實用新型引入嵌入的P型區3,能有效提高器件的擊穿電壓。
圖3為傳統溝槽超結合本實用新型超結結構模擬的電場延x=0的電場分布,其中溝槽深度和整個外延層厚度相同,擊穿電壓就是電場沿y方向的積分,由於本實用新型嵌入p 型區的引入,使得電場在尾端下降更為平緩,從而使電場的積分面積更大,從而擊穿電壓增加。
在超結的p-pillar底部注入一個嵌入式的P型區3,這個P型區3和超結p-pillar是對準的。
所述P型區3與超結的p-pillar是不相連的,距離從3um到20um之內。
以上所述,僅為本實用新型的較佳實施例而已,並非用於限定本實用新型的保護範圍。