製造矽傳感器的方法以及矽傳感器的製作方法
2023-06-02 05:10:36 2
專利名稱：製造矽傳感器的方法以及矽傳感器的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種如權利要求1前序部分所述的製造矽傳感器方法。
本發明還涉及一種如權利要求7前序部分所述的矽傳感器。
本發明尤其旨在用於製造矽基加速度和角速度傳感器。
背景技術：
至於其基本原理，矽微結構利用所謂的平面工藝，也就是說一種薄膜技術及由其發展出的製造方法。微機械製造技術包括如下方面結合不同形式的基本方法，調整它們的參數以便適應想要的應用以及設計符合需要的結構，通常在多個製造步驟中，通過將設計圖案轉移到基片上來實現所述結構。其中，基本方法包括沉積不同種類的薄膜、蝕刻所述薄膜以及通過例如受控的熱處理改變它們的性能。
薄膜工藝的基本方法包括對薄膜形成圖案以及更通常通過使用形成圖案方法和蝕刻方法的相互結合的技術將圖案轉移到結構中。最常用的形成圖案技術以使用光致抗蝕劑為基礎，該光致抗蝕劑通過噴塗或者旋塗(旋轉)薄片施加在薄片表面或其它基片上。在烘乾該抗蝕劑步驟之後，通過紫外線將該圖案從掩模曝光到基片上，並且，在正抗蝕劑情況下，通過顯影劑衝洗除去抗蝕劑的已曝光區域，因此在被沉積掩模層上形成的圖案能進一步轉移到該薄片的下層。後面的操作通過使用本領域中稱為蝕刻的損耗方法來完成，根據操作機理的性質，該蝕刻稱作溼蝕刻方法或幹蝕刻方法。
溼蝕刻在蝕刻溶液中進行，由此損耗材料溶入液態蝕刻溶液中，從而通常形成多種不同的中間化合物。這種蝕刻方法大多數是各向同性的，這意味著它們的蝕刻速率在不同取向中是相同的。然而，單晶質矽也可通過各向異性蝕刻溶液進行蝕刻，由此在不同晶體取向的基片材料中的蝕刻速率彼此很不相同。這一特性被用於傳統的矽微技術中以便形成按照晶體取向對準的精確結構。各向異性矽蝕刻還有以下特徵被蝕刻體積的深度非常一致以及被蝕刻表面的表面結構平滑。通常，被蝕刻體積的表面粗糙度位於百分之一的十分之一數量級。
在幹蝕刻方法中，氣相大氣的反應組分作用在薄片表面上，以便形成易揮發化合物，由此固態材料變換為氣體形式。通常，反應腔在部分真空狀態下操作，因而通過泵送從中除去氣體反應產物。
在溼蝕刻技術中，除了傳統的抗蝕劑掩模之外還利用無機薄膜硬掩模來進行圖案轉移。這種方法通常例如在濃縮鹼溶液中進行的各向異性矽蝕刻。由於光致抗蝕劑不能完整地保留在這種環境下，傳統的氧化物和氮化物硬掩模用作實際的蝕刻掩模。因此，首先使用光致抗蝕劑並結合幹或溼蝕刻方法，對於無機材料製成的掩模進行圖案的形成。
三維微結構能利用基片的整個厚度來製造，由此本領域被稱為體積微結構，或者作為選擇，能通過蝕刻形成要分離的結構使其大致放置在基片表面層或者沉積在基片表面上的薄膜層內。後一技術被稱作表面微結構。體積微結構通過薄膜形成圖案方法來製造以便在薄片表面上製成蝕刻掩模然後通過不同的蝕刻方法將圖案轉移到基片自身之中。
幹蝕刻是通常用來與氣相蝕刻方法相結合以便與在液體周圍介質中進行的溼蝕刻方法區分的術語。正規的幹蝕刻法使用等離子放電，通常在部分真空狀態下氣體大氣中進行電暈放電，因此所述放電由AC電場或不經常地由DC場激勵。控制蝕刻方法的基本技術是調節氣體大氣的成分、它的壓力、等離子放電的激勵功率以及等離子蝕刻腔的幾何形狀。通過測量等離子放電的電阻抗或者使用根據監測等離子放電輻射的光學蝕刻終點系統，在到達預定的蝕刻時間的情況下終止蝕刻。可以使用從監測樣品中變為可見的結構光學檢測以便確定充分蝕刻的終點。
使用處理氣體，使其與要蝕刻的材料反應從而形成氣體反應產物。其例如包括六氟化物(SF6)、四氟化碳(CF4)和氯氣(CL2)。在等離子體中，氣體部分游離，由此活性的氟、氯或其它原子團與正被蝕刻的基片反應。通過將一種或多種例如氬(Ar)或氦(He)的惰性氣體與活性氣體一起引入反應腔來調整該等離子工藝。這些氣體用來穩定蝕刻反應或改進處理大氣的熱傳導性。等離子放電性能可通過增添能夠改變反應平衡狀態的如氧氣(O2)的氣體而進一步控制。因此可以提高某些反應中的自由氟水平從而增加正被除去材料的蝕刻速率，或者作為選擇，在使用光致抗蝕劑掩模時控制正被蝕刻層內的側壁外形。影響等離子處理的第三組介質是鈍化或聚合氣體如甲醛(CHF3)或八氟環丁烷(C4F8)。
為了在矽中蝕刻深溝槽，使用根據在脈衝或交替蝕刻循環的特殊幹蝕刻法。因此，在交替步驟中使用幾乎各向同性的蝕刻以便在矽圖案中迅速地加工深達1μm。其後，該基片需經過鈍化步驟，由此包括剛蝕刻表面的所有基片表面通過由等離子氣體沉積的聚合體層覆蓋。迅速各向同性蝕刻階段的下一步驟是在該圖案溝槽底部衝壓聚合體層，從而將該圖案加深一個增加量。與此同時，沉積在圖案側壁的聚合體層阻止它們進一步被蝕刻。蝕刻氣體通常為六氟化硫，而鈍化氣體為八氟環丁烷。持續的交替蝕刻/鈍化步驟繼續到獲得被蝕刻圖案的所需深度為止。通過這種技術可以蝕刻通過矽薄片整個厚度的狹槽，因而高寬比(即被蝕刻溝槽的深度與寬度的比值)能達到數值10至40。這樣的幹蝕刻方法尤其是對於正被蝕刻的表面來說是非常各向異性的。至於蝕刻掩模的性能，本方法按常規形式給以出色的選擇性係數，該選擇性係數定義為基片蝕刻速率與掩模材料蝕刻速率的比值。在使用氧化物掩模時，能獲得高達200至300的蝕刻選擇性比值，在此同時甚至抗蝕劑掩模也能達到50-100範圍內的蝕刻選擇性比值。通常，傳統非脈衝等離子蝕刻方法能提供的蝕刻選擇性比值僅為這些值的十分之一。其中蝕刻表面粗糙度值通常為百分之幾數量級。
包括例如各向異性幹蝕刻方法(其中沿著垂直於基片表面取向的蝕刻速率比沿著平行於基片表面取向的蝕刻速率快得多)的方法並且對於被蝕刻基片表面取向各向異性的蝕刻方法有助於開口的製造，所述開口通過大致垂直的側壁以幾乎不確定的形狀延伸並且其深度甚至達到通過整個矽薄片。然而由於該方法的固有特性(ARDE，即高寬比相關蝕刻)，瞬時蝕刻速率取決於所要製造開口的幾何形狀。其結果是，它變為不精確的，或者甚至不能夠製造所需深度的窄細槽或者例如在薄片中央平面內的彈簧元件。
位於薄片中央平面內的彈簧元件能用與各向同性蝕刻方法(在所有取向中具有相等的蝕刻速率)結合的各向異性蝕刻方法來製造。然而，還沒有被發現對於矽來說良好的各向同性蝕刻方法。在本領域中只有披露使用XeF2作為各向同性蝕刻氣體[Esashi等人]。
使其表面基本上平行於晶體結構{100}平面地排列好的單晶矽薄片能通過使用溼蝕刻方法(通常根據氫氧化鉀溶液)來製造位於該薄片中央平面內的彈簧元件，所述溼蝕刻方法沿著不同的矽晶體取向各向異性地蝕刻。這種方法給出彈簧元件的良好表面質量和一致的蝕刻速率。
現有技術的缺點之一在於作為單一方法的幹蝕刻已經不適於在矽薄片中央平面內製造高尺寸精度彈簧元件。從另一方面來說，溼蝕刻通過蝕刻製造深結構時需要較大的薄片面積。尤其是在製造加長彈簧元件方面使用傳統的溼蝕刻技術使得該彈簧元件要被大面積孔洞包圍，在所述孔洞中蝕刻表面由{111}晶面形成。而且，控制彈簧元件尺寸精度非常困難，特別是其寬度在傳統製造法中在蝕刻方法期間接近彈簧元件厚度終點值時迅速地減小。甚至在製造方法中或者在薄片初始厚度中的很小的變化也能造成彈簧元件端部寬度的較大偏差。因此，使用這種彈簧元件橫截面幾何形狀來獲得符合需要的彈簧元件質量幾乎變為不可能。
根據SOI類型的多層結構也能製造加速度傳感器，所述多層結構包括一系列疊置層厚矽基片-電介體層-薄矽層-電介體層-厚矽層。這種技術的缺點在於其涉及複雜和昂貴的製造方法。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術工藝的問題並提供一種完全嶄新的製造方法以及一種根據該方法的矽傳感器。
本發明的目的通過使用幹蝕刻方法來達到，所述幹蝕刻方法用來製造通過薄片的蝕刻，然後通過溼蝕刻方法在薄片中央平面內最後確定高精度結構。有利的是，在傳感器結構中的直側壁，以及成角度彈簧支腿的直部分或者其彎曲部分的切線從矽基片的110取向傾斜，較好為至少15°，最好是等同於100取向的45°，或者，如果彈簧元件的形狀不同於矩形平行六面體的形狀，就使彈簧元件的側壁或切線平面從110取向傾斜大約45°。在使用具有不同切割取向的矽薄片的情況下，總的概念是在彈簧元件佔有的體積內減小按照{111}晶面取向的傾斜表面區域。
更確切地說，根據本發明的方法，其特徵在於權利要求1特徵部分中指出的內容。
此外，根據本發明的傳感器，其特徵在於權利要求7特徵部分中指出的內容。
本發明提供顯著的效益。
本發明的特點是結合兩種不同類型的蝕刻方法的優點。
如同已知的那樣，在鹼性蝕刻溶液中的各向異性溼蝕刻沿著不同的晶體取向進行不同的加工，因而在整個矽表面上給出極度一致的蝕刻速率，以及被蝕刻表面非常平滑和無瑕疵的質量。通常，這種蝕刻方法的最大缺點與彈簧元件幾何形狀結構上的限制相關。例如，成形為矩形的彈簧元件的位置不能自由地進行選擇，這是因為在這些元件周圍所需的面積根據其本身覆蓋區域是各種各樣的。
目前用於矽的各向異性幹蝕刻方法允許彈簧元件自由地設計和放置。然而，這些蝕刻方法形成的表面粗糙度和質量比各向異性溼蝕刻的結果低。
本發明能以從未有過的形式進行結合，在通過鹼性刻蝕方法提供表面粗糙度和質量的情況下通過各向異性幹刻蝕方法來製造位置和形狀不受限制的彈簧元件。
除了在薄片中央平面製造彈簧元件之外，上文表示的方法還能用於在該薄片的另一側面製造彈簧元件。其中，各向異性溼蝕刻從薄片的側面進行到幾乎延伸通過該薄片整個厚度的深度。
除了適用於製造大致位於薄片中央平面內並可從該薄片平面向外撓曲的彈簧元件之外，該方法還適於製造能在該薄片平面內撓曲並使它們的厚度受各向異性蝕刻方法控制的彈簧元件，由此它們的彎曲剛度基本上由自身的寬度來確定。
該方法還適用於製造包括垂直和水平部分的高剛度扭轉彈簧元件，或者包括僅能在該矽薄片平面內自由運動的垂直部分的懸臂/扭轉彈簧元件。此外，這些元件能與位於薄片中央平面內的彈簧元件結合使用。
下面將通過附圖中表示的多個示範實施例來解釋本發明，其中圖1是根據本發明的矽傳感器透視圖；圖2是大致與圖1矽傳感器類似的矽傳感器頂視圖；圖3a-3d表示圖3傳感器的製造步驟；
圖4表示矽薄片的晶體取向；圖5a-5g表示在該傳感器慣性質量元件處截取的橫截面，以表示本發明傳感器的製造步驟；圖6是拍攝本發明第一實施例傳感器結構在其製造期間的照片；圖7是除去側壁掩模之前拍攝幹蝕刻法和傳感器窄彈簧元件的照片；圖8是本發明第二實施例加速度傳感器的照片；圖9是本發明第三實施例加速度傳感器的照片；圖10是拍攝圖8傳感器細部的照片；以及圖11是本發明扭簧元件的照片。
在附圖和下文中，使用下述多種括弧符號來表示矽晶體的幾何形狀… 等同的晶體取向，{…} 等同的晶面，[…] 單獨的晶體取向；以及(…) 單獨的晶面。
具體實施例方式
因此，本發明通常涉及以下說明的製造技術。
傳感器彈簧元件由矽薄片製成，其方法為用蝕刻方法使該薄片從一個或二個側面變薄。該矽薄片的所述表面大致是理想的{100}晶面。該彈簧元件大致位於矽薄片的中心平面內。通常使用例如鹼金屬氫氧化物或有機鹼的化學製品使得彈簧元件變薄，所述化學製品相對於矽的晶體取向各向異性地蝕刻矽。通過蝕刻方法將該矽薄片平面內的彈簧元件形狀控制在一定尺寸，該方法與給定薄片平面垂直地進行各向異性化學腐蝕。用上述形式製造的彈簧元件可進一步連接在包括垂直和水平部分的扭轉彈簧元件上，而且可連接在僅包括其高度基本上等於薄片厚度的狹窄部分的其他撓曲或扭轉彈簧元件上。
其中，本發明的實施例的嶄新特點是以下特徵性的細節。首先，該彈簧元件的直側壁、成角度彈簧支腿的直部分或者其彎曲部分的切線從矽晶體結構的110取向傾斜至少15°，最好為45°，也就是說位於取向100中，或者，如果彈簧元件形狀不呈矩形，該元件的側壁或切線平均起來從110取向傾斜45°。其次，彈簧元件的端部至少部分地由兩個相交的{111}晶面限定。
在本發明中意外發現的是，在使用鹼金屬氫氧化物或其它各向異性鹼性溼蝕刻方法實現蝕刻時，在本領域中傳統作法旨在按照110取向最為準確地對準圖案直側壁。現在，本發明利用嶄新的概念，根據此概念，圖案側壁相對小地背離傳統的對準能對工件產生各向異性蝕刻，因此矽的{111}晶面不變成暴露，從而放慢蝕刻。在本發明中，沿著臨界取向的蝕刻速率通過垂直溝槽來控制，所述溝槽在矽基片中沿著從傳統使用的110取向傾斜，即基本上沿著100取向的取向製成，並進一步在側壁處受到保護而不蝕刻。
如圖1所示，典型的加速傳感器結構包括框架10，測震質量6經過彈簧7連接到該框架上。測震質量6是利用幹蝕刻溝槽8從基片10微加工出來的。彈簧7用溼蝕刻法製造，由此該彈簧元件端部已變為沿{111}晶面方向傾斜的。
溝槽8的幹蝕刻通常在等離子輔助方法中完成，由此活性氣體相在該薄片表面上反應從而形成揮發性化合物。其結果是，要從溝槽8除去的固態基片材料轉變成氣體形式，從而它能從在部分真空狀態操作的反應腔泵出。通過如下方法保持該反應連續地輸入反應處理氣體，維持真空泵送和連接其上的反應腔壓力控制系統以及用RF場激勵的等離子系統。蝕刻深度通常通過調節蝕刻時間或使用根據監測等離子光學放射的蝕刻端點檢測器來控制。在幹蝕刻方法中，蝕刻選擇性係數可通過適當地選擇處理參數和從幾乎各向同性蝕刻到強烈各向異性蝕刻的所用蝕刻方法來改變。在本發明方法的上下文中，當提到關於與基片表面垂直取向和與基片表面平行取向的不相等蝕刻時使用術語各向異性蝕刻。蝕刻邊緣的外形也能通過改變蝕刻化學性質和處理參數進行控制。然而在幹蝕刻中，蝕刻率通常與晶體取向完全無關。
在圖2所示的示範性實施例中，彈簧元件7的表面幾乎覆蓋由晶面{100}形成的整個區域上。根據本發明的蝕刻取向選擇使得晶面{111}僅在彈簧元件7的端部處形成。對於傳感器強度來說，另外優點是晶面{111}因而在彈簧元件7的兩個支承端部(即連接到測震質量6的端部和連接到基片10的端部)上形成較厚的部分。{111}晶面在彈簧元件7端部處或在其鄰近區域內沿著相交線11彼此相交。
在圖3a中可見到區域1，它確定延伸通過矽薄片整個厚度的溝槽8，而且在下文要表示的過程圖5c中也能看到區域1。依次，圖3b表示區域2，它限定通過溼蝕刻形成為彈簧元件的部分。這個區域也能在過程圖5a和5e內見到。而圖3c表示通過溼蝕刻法處理並相對於區域1、2以及{110}晶體取向的任意的區域3。要被溼蝕刻的任意區域3側壁以簡圖所示的方式將變成與{110}晶體取向對準。在可實行的方法中，任意區域3將只對圖2中確定的部分加上小區域4進行蝕刻，該小區域4在蝕刻掩模下方形成下切部，然而由於{111}晶面的有限蝕刻速率所造成的阻礙僅局限在較小程度內。測震質量6在處理區域的中央形成，而用短劃線標明的區域表示其上形成有通過{111}平面終止的彈簧和適當地對準薄片表面(100)晶面的彈簧的端部的區域。
圖3d中表示在被製造彈簧元件7端部處的區域，它們由{111}晶面表示以便沿著線11相交。在所示情況下，在該簡圖中畫出以便表示與110晶體取向等同的
晶體取向和彈簧元件縱向軸線15之間的角α為45°，由此{111}晶面相交線11的表面突出部還定向成與彈簧元件7的縱向軸線平行。由於本發明的目的是使彈簧元件7的平坦部分最大化，即獲得(100)晶面的最長區域以便在該彈簧表面上保持自由，角α應足夠地接近45°以便達到這個目的。
該方法還可用下法檢驗考察在{111}晶面方向上彈簧元件7的縱向尺寸L1相對於彈簧元件7長度L的比例。顯然，L1的尺寸直接取決於蝕刻深度和角α。如果比值L1/L小，例如小於0.2，該傳感器結構能做成對產生偏差不敏感。這保證留給該彈簧元件的相對較大基片面積部分以便形成適當的彈簧，由此該彈簧元件的其他尺寸不需要減小到製造公差的極限值。如果角α不等於45°，比值L1/L增大。根據本發明，比值L1/L的適當數值小於0.45，由此彈簧元件7的大小適度區域能做成平面的。根據本發明，在彈簧元件7縱向軸線和在該矽薄片平面內的等同110晶體取向之間的角通常為25°至65°，最好約為45°。
圖4中表示在(100)取向上製成的典型單晶矽薄片晶體取向。其中，100取向標明所有的晶體取向，其總數為6，它與[100]晶體取向等同。相應地，{100}平面標明所有與(100)平面等同的晶面。{100}平面的法向表示為100取向。當該薄片如該簡圖所示從垂直於該薄片平面的方向進行檢驗時，薄片表面是(100)平面，這意味著該薄片表面法向位於[100]取向上。還有，該薄片的平面平行於與110取向等同的
晶體取向。與100取向等同的兩個晶體取向(即圖4所示的
和
取向)與其成45°角並位於該薄片平面內。此外，位於該薄片平面內的是與110取向等同的另一取向(即垂直於該平面的
取向)。在該薄片平面內，與100取向等同的
和
晶體取向與另外兩個薄片平面取向(即
和
)形成45°角，但與此同時後面的兩個取向還與等同於100取向(即垂直於該薄片平面的[100]取向)形成90°角。由此，與110等同的取向總數為12，其中4個位於(100)薄片的平面內。圖4中畫出這些取向中的兩個，即單獨的晶體取向
和
。
如圖5a-5g所示，典型的傳感器製造方法包括下述步驟順序圖5a20.沉積氧化物層12。
21.限定彈簧元件開口2。
22.沉積氮化物層13。
圖5b23.通過光致抗蝕劑14限定用於穿透蝕刻的區域1。
圖5c24.在區域1上蝕刻氮化物層13(和氧化物層12)。
25.在區域1的一個或兩個側面上穿透薄片進行幹蝕刻。
圖5d26.剝離光致抗蝕劑14。
27.對於溝槽8的側壁進行氧化。
圖5e28.除去氮化物層13並露出彈簧元件開口2。
圖5f29.通過溼蝕刻法成形彈簧元件7。
圖5g30.除去掩模。
圖6以更加詳細地表示加速傳感器彈簧7的結構。該簡圖說明彈簧元件7和等同110晶體取向之間的角為大約45°。
圖7表示幹蝕刻實現了不受晶體取向影響的精密穿透蝕刻和製造非常狹窄的彈簧元件的能力。
圖8表示更加複雜的傳感器結構，其所有四個傳感器元件7均以相對於等同110晶體取向呈45°角製造。
圖9進一步表示彈簧元件7延伸到測震質量6中的傳感器結構。在彈簧元件7的端部可見到{111}晶面，由此它們的在該薄片表面上的相交線突出部基本上平行於彈簧元件7的縱向軸線。
圖10表示圖8彈簧元件的端部細節。
圖11進一步表示根據本發明製造的扭轉彈簧元件。其中{111}晶面清晰可見。
本發明可應用於例如加速度傳感器和振動角速度傳感器。
在不偏離本發明精神和範圍的情況下，本發明還可適用於處理與單晶質(單晶體)(100)矽薄片不同的薄片。
權利要求
1.一種用來製造矽傳感器結構的方法，所述方法包括通過在單晶矽薄片(10)內蝕刻開口來形成至少一個彈簧元件輪廓(7)和至少一個與彈簧元件輪廓(7)連接的測震質量(8)的步驟，其特徵在於延伸通過矽薄片深度的開口和溝槽(8)通過幹蝕刻法製造，以及用於控制彈簧元件輪廓(7)彈簧常數的蝕刻方法以溼蝕刻法為根據。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，彈簧元件(7)縱向軸線和矽薄片平面內的等同110晶體取向之間的角α選擇成不同於零，有利的是大於15°，而且通常為25°至65°，有利的是大約45°。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，彈簧元件(7)長度L相對於沿著{111}晶面方向的縱向尺寸L1之間的比值L1/L選擇成小於0.45。
4.如上述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，溼蝕刻步驟通過相對於不同晶體取向呈各向異性的鹼蝕刻方法來實現。
5.如上述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，在除了垂直於薄片平面之外的取向的結構中進行的蝕刻受到限制，其方法是在基片中製成的垂直溝槽(8)使其大致對準除矽薄片110取向之外的不同取向並防止它們的側壁受到蝕刻腐蝕。
6.如權利要求3所述的方法，其特徵在於，幹蝕刻和溼蝕刻方法兩者均為各向異性。
7.一種通過單晶矽薄片(10)製成的矽傳感器結構，其包括框架(10)，至少一個細長彈簧元件(7)，其一端連接在框架(10)上，以及至少一個測震質量(6)，其連接在彈簧元件(7)的另一端部上，其特徵在於，在彈簧元件(7)的端部或者至少在其鄰近地區處形成傾斜{111}晶面的相交線(11)。
8.如權利要求7所述的傳感器結構，其特徵在於，傳感器結構由單晶體(100)矽薄片製成，因此所有傾斜晶面是{111}晶面。
9.如權利要求7或8所述的傳感器結構，其特徵在於，{111}晶面的相交線(11)取向為至少大致平行於彈簧元件(7)的縱向軸線。
全文摘要
本發明涉及一種製造矽傳感器結構的方法以及一種矽傳感器。根據該方法，通過在單晶矽薄片(10)內蝕刻開口來形成至少一個彈簧元件輪廓(7)和至少一個與彈簧元件結構(7)連接的測震質量(8)的步驟。根據本發明，延伸通過該矽薄片深度的開口和溝槽(8)通過幹蝕刻法製造，而用於控制該彈簧元件輪廓(7)彈簧常數的蝕刻方法以溼蝕刻法為根據。
文檔編號H01L29/66GK1511259SQ02810445
公開日2004年7月7日 申請日期2002年3月21日 優先權日2001年3月21日
發明者H·奎斯馬, J·拉登佩雷, R·穆蒂凱寧, H 奎斯馬, 倏, 橋謇 申請人:Vti技術有限公司