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相位差膜的製造方法

2023-05-30 09:32:01 1

相位差膜的製造方法
【專利摘要】本發明的目的是提供一種更簡單且簡便的相位差膜的製造方法,該相位差膜的製造方法的特徵在於,包括:在基板上塗布包含具有光反應性基團的液晶性聚合物和溶劑的組合物的工序;通過對該組合物進行減壓乾燥或者在自然乾燥後進行加熱乾燥,從而蒸發除去該組合物中的溶劑,形成光反應性層的工序;對該光反應性層照射直線偏振光,形成熱取向性層的工序;對該熱取向性層進行加熱處理的工序。
【專利說明】相位差膜的製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及相位差膜的製造方法。
【背景技術】
[0002]近年來,相位差膜在顯示器(除液晶顯示器外也包括柔性顯示器等)領域內以各種各樣的形式使用。該相位差膜通常是在基板上形成具有液晶取向能力的層(液晶取向層)後,在該液晶取向層上塗布液晶性化合物,使其取向而製成的。這種情況下,作為在基板上賦予液晶取向層的方法,已知例如在基板的表面被覆聚醯亞胺等高分子樹脂膜、沿著一個方向用布等對其進行摩擦的摩擦處理,但該方法中存在如下問題:因微細塵埃的產生而導致的液晶製造流水線的汙染、因靜電而導致的TFT(薄膜電晶體)元件的破壞等成為引起液晶面板的製造工序中的成品率下降的原因,難以進行定量的取向控制等。此外,替代摩擦處理,也提出了多種使用光反應性化合物、將其被覆在基板上、通過光照射來形成具有液晶取向能力的光取向膜的方法(專利文獻I?3)。但是,其中的任一種方法都需要另行製作用於使液晶取向的膜,很繁瑣。
[0003]因此,研究了無需另行形成液晶取向層而直接得到相位差膜的方法。例如,專利文獻4中記載了如下製造方法:將形成於基材上的包含能體現出液晶性的感光性化合物的感光性層加熱至各向同性相變溫度以上後,從該狀態驟冷至玻璃相-液晶相相變溫度以下,照射偏振光,進行加熱處理,從而得到相位差膜。但是,該方法中存在如果無法實現迅速的冷卻、則相位差膜的品質下降等問題,要求提供更簡便且可靠的方法。
[0004]專利文獻1:日本特開平08-015681號公報
[0005]專利文獻2:日本特開2007-304215號公報
[0006]專利文獻3:日本特開2008-276149號公報
[0007]專利文獻4:日本特開2009-109757號公報

【發明內容】

[0008]在上述背景下,本發明的目的是提供一種更簡單且簡便的相位差膜的製造方法。此外,本發明的目的是提供一種能在該相位差膜的製造中使用的新型相位差膜用組合物。
[0009]本發明人進行了認真研究,結果發現,將包含具有光反應性基團的液晶性聚合物和溶劑的組合物塗布於基板、從該塗膜蒸發除去除去溶劑時,如果進行減壓乾燥、或者在自然乾燥後進行加熱乾燥,則經過後續的直線偏振光照射、加熱處理,能直接製成相位差膜,並進一步反覆進行研究,從而完成了本發明。
[0010]S卩,本發明涉及:
[0011]〔I〕相位差膜的製造方法,其特徵在於,包括:
[0012]在基板上塗布包含具有光反應性基團的液晶性聚合物和溶劑的組合物的工序;
[0013]通過對該組合物進行減壓乾燥、或者在自然乾燥後進行加熱乾燥,從而蒸發除去該組合物中的溶劑,形成光反應性層的工序;[0014]對該光反應性層照射直線偏振光,形成熱取向性層的工序;
[0015]對該熱取向性層進行加熱處理的工序。
[0016]〔2〕上述〔I〕的製造方法,其中,形成光反應性層的工序是通過對該組合物進行減壓乾燥,從而蒸發除去該組合物中的溶劑的工序。
[0017]〔3〕相位差膜用組合物,其包含具有通式(I)表示的重複單元的共聚性(甲基)丙
烯酸聚合物,
[0018]
【權利要求】
1.相位差膜的製造方法,其特徵在於,包括以下工序: 塗布工序,在基板上塗布包含具有光反應性基團的液晶性聚合物和溶劑的組合物;光反應性層形成工序,通過對所述組合物進行減壓乾燥、或者在自然乾燥後進行加熱乾燥,從而蒸發除去該組合物中的溶劑,形成光反應性層; 熱取向性層形成工序,對所述光反應性層照射直線偏振光,形成熱取向性層; 熱取向性層加熱處理工序,對所述熱取向層進行加熱處理。
2.如權利要求1所述的製造方法,其中,光反應性層形成工序是通過對所述組合物進行減壓乾燥,從而蒸發除去所述組合物中的溶劑的工序。
3.相位差膜用組合物,其包含具有通式(I)表示的重複單元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
4.相位差膜用組合物,其包含具有通式(1-a)表示的重複單元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
5.相位差膜用組合物,其包含具有通式(1-b)表示的重複單元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
6.相位差膜用組合物,其包含具有通式(Ι-c)表示的重複單元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
【文檔編號】C08F220/30GK103443668SQ201280004819
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2012年2月20日 優先權日:2011年2月23日
【發明者】椿幸樹, 阿波茂樹, 小林武史, 松山剛知, 川月喜弘 申請人:大阪有機化學工業株式會社, 兵庫縣

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