一種銀納米線的製備方法

2023-05-30 03:24:11 1

一種銀納米線的製備方法
【專利摘要】本發明提供一種超長透明銀納米線的製備方法，通過矽粉與HF/AgNO3水溶液在高壓沸騰情況下的氧化還原反應：HF/AgNO3水溶液形成的強氧化體系對矽粉進行氧化，矽粉表面附近的Ag+被還原成Ag，並在矽粉表面進行沉積形成超長透明銀納米線。本發明製備步驟少、操作簡單，環境友好，產率高，可用於規模化生產銀納米線，製備的銀納米線長度較長，可替代ITO作為可彎曲顯示屏的電極。
【專利說明】一種銀納米線的製備方法
[0001]
【技術領域】
[0002]本發明屬於納米材料【技術領域】，涉及一種可規模化生產、超長的透明銀納米線的方法。
【背景技術】
[0003]目前,可彎曲顯示屏的屏幕表面材料-氧化銦錫(Indium Tin Oxides, ITO)已
經出現稀缺的情況，這種材料的稀缺使得相關工業陷入了窘境，也使得人們開始尋找這種材料的替代品。銀納米線因具有良好的導電性、透明和可彎曲特點可替代ITO作為可彎曲顯示屏的電極。銀納米線的製備方法主要分為物理法和化學法，其中化學法因其工藝簡單、造價低、容易規模化生產而迅速發展。目前化學製備銀納米線的方法主要有溼化學法、模板電化學法，然而這些方法操作複雜、且汙染環境不能生成透明的導電銀納米線。

【發明內容】

[0004]本發明為了解決上述技術問題，提供一種可以規模化生產超長的透明銀納米線的方法。
[0005]一種銀納米線的製備方法，包括如下步驟:
對矽粉進行清洗，然後矽粉放入盛有HF /AgNO3水溶液的反應釜中形成反應溶液，密封后加熱至反應溶液沸騰，自然冷卻24~48 h後結束反應；從反應溶液中過濾出娃粉，並將娃粉加入到去離子水中靜置12~48 h，將其取出並浸入0.5^10wt%的AgNO3溶液中浸泡10~50min，之後用去離子水反覆清洗三次，於10(T21(TC氬氣氛下乾燥1(T72 h即得到銀納米線。
[0006]所述的矽粉的清洗方式包括如下步驟:依次用丙酮、乙醇、去離子水清洗矽粉，接著放入H2S04/H202溶液(體積比為3:1)中靜置1(T50 min，超聲12~48 h後，用去離子水清洗乾淨。
[0007]所述的矽粉，其細度為5~5000 μπι。
[0008]所述的HF/AgN03水溶液，佔反應釜容積的20~60%，HF的含量為5wt%~20wt%、AgN03的摩爾濃度為l(T45mM。
[0009]所述的惰性氣體為氮氣或氬氣。
[0010]本實驗中Ag的沉積基於以下化學反應方程式:
【權利要求】
1.一種銀納米線的製備方法，其特徵在於，包括如下步驟:對矽粉進行清洗，然後矽粉放入盛有HF /AgNO3水溶液的反應爸中形成反應溶液,密封后加熱至反應溶液沸騰，自然冷卻24~48 h後結束反應；從反應溶液中過濾出矽粉，並將矽粉加入到去離子水中靜置12~48h，將其取出並浸入0.5~10wt°/c^^AgN03溶液中浸泡1(T50 min，之後用去離子水反覆清洗三次，於10(T21(TC氬氣氛下乾燥1(T72 h即得到銀納米線。
2.根據權利要求1所述的製備方法，其特徵在於，所述的矽粉的清洗方式包括如下步驟:依次用丙酮、乙醇、去離子水清洗矽粉，接著放入H2S04/H202溶液(體積比為3:1)中靜置10^50 min，超聲12~48 h後，用去離子水清洗乾淨。
3.根據權利要求1或2所述的製備方法，其特徵在於，所述的矽粉，其細度為5~5000μ m0
4.根據權利要求1或2所述的製備方法，其特徵在於，所述的HF/AgNO3水溶液，佔反應釜容積的20~60%，HF的含量為5wt°/T20wt%、AgNO3的摩爾濃度為10~45禮。
5.根據權利要求1或2所述的製備方法，其特徵在於，所述的惰性氣體為氮氣或氬氣。
【文檔編號】B22F9/24GK103639422SQ201310714543
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月23日 優先權日:2013年12月23日
【發明者】張洪濤 申請人:湖北工業大學