磁控濺射均勻進氣裝置的製作方法

2023-06-06 18:01:51

專利名稱：磁控濺射均勻進氣裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種太陽能電池生產中的磁控濺射裝置，具體的說是一 種改變進氣方式提高沉積均勻性的磁控濺射均勻進氣裝置。
背景技術：
在太陽能電池生產中，磁控濺射工藝作為一種背電極(鋁層)的濺射 工藝，在其運行過程中，需要在其高真空室中充入所需要的惰性氣體-氬氣， 氬氣電離成正離子和電子，通過洛倫茲力作用飛向靶材，激發靶材濺射成膜， 而膜厚的均勻性是一個重要質量標準，所以氣體進入設備時的均勻性就十分 重要。氣體只有均勻的進入設備被電離，才能使正離子和電子更好的分布， 保證靶材的濺射效果，使成膜均勻、平整。
而現有磁控濺射設備結構為一根管進氣，進氣盤上只有一個進氣孔，如 此進氣方式結果為中間氣體流量大，而進氣盤四周的氣體要求得不到保證。 影響鍍膜均勻性，急需改進。 發明內容
本實用新型的目的是要提供一種結構簡單合理、氣體能夠均勻的進入設 備被電離、濺射效果好，使成膜均勻、平整的磁控濺射均勻進氣裝置。
本實用新型的目的是這樣實現的該進氣裝置包括濺鍍室1、進氣盤2，
所述的進氣盤2設置在濺鍍室1的進氣面上，進氣盤2上設置有多個進氣孔 3。
所述的進氣孔3的數量是兩個以上，並且在進氣盤2上均布設置。 本實用新型由於採用上述結構，使得設備進氣時，分別從進氣盤上的多個孔進入，如此保證進氣盤中央和四周的氣體壓強能大致相同，保證了氣體 的均勻性，使氣體能夠均勻的進入設備被電離、濺射效果好，使成膜均勻、 平整。

圖1為磁控濺射均勻進氣裝置整體結構示意圖
圖2為本實用新型進氣盤結構示意圖具體實施方式
由圖1所示；該進氣裝置包括濺鍍室1、進氣盤2，所述的進氣盤2設 置在濺鍍室1的進氣面上，進氣盤2上設置有多個進氣孔3。
所述的進氣孔3的數量是兩個以上，並且在進氣盤2上均布設置。 如圖2所示進氣盤2上的進氣孔3的數量為九個，當設備進氣時，氣 體分九根管道分別接入九個進氣孔3，由於管道氣壓基本相同，所以進入進 氣孔3的氣壓相同，保證了進氣盤2面上各處氣體的均勻，使後面的電離均 勻，進一步保證鍍膜的均勻性。
權利要求1、一種磁控濺射均勻進氣裝置，該進氣裝置包括濺鍍室(1)、進氣盤(2)，所述的進氣盤(2)設置在濺鍍室(1)的進氣面上，其特徵在於所述的進氣盤(2)上設置有多個進氣孔(3)。
2、根據權利要求l所述的一種磁控濺射均勻進氣裝置，其特徵在於所述的進氣孔(3)的數量是兩個以上，並且在進氣盤(2)上均布設置。
專利摘要本實用新型涉及一種太陽能電池生產中的磁控濺射裝置，具體地說是一種改變進氣方式提高沉積均勻性的磁控濺射均勻進氣裝置。該進氣裝置包括濺鍍室、進氣盤，所述的進氣盤設置在濺鍍室的進氣面上，進氣盤上設置有多個進氣孔。所述的進氣孔的數量是兩個以上，並且在進氣盤上均布設置。本實用新型由於採用上述結構，使得設備進氣時，分別從進氣盤上的多個孔進入，如此保證進氣盤中央和四周的氣體壓強能大致相同，保證了氣體的均勻性，使氣體能夠均勻的進入設備被電離、濺射效果好，使成膜均勻、平整。
文檔編號C23C14/35GK201326008SQ200820073008
公開日2009年10月14日 申請日期2008年12月30日 優先權日2008年12月30日
發明者劉萬學, 兵 張, 爽 曲, 王德宏 申請人:吉林慶達新能源電力股份有限公司