吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發光元件的製作方法

2023-05-28 00:24:11 2

專利名稱：吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發光元件的製作方法
技術領域：
本發明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發光元件。
背景技術：
主鏈骨架中包含具有作為取代基的烷基的吩噁嗪二基的高分子化合物由於在溶 劑中可溶而可以利用塗布法形成發光元件中的有機層，因此作為發光材料一直被研究(日 本特開2004-137456號公報)。

發明內容
然而，上述高分子化合物的色純度未必充分。本發明的目的在於提供色純度優良的高分子化合物。本發明的第一方面，提供含下述式(0)所表示的化合物的殘基的高分子化合物。
權利要求
1.一種含有下述式(0)所表示的化合物的殘基的高分子化合物，
2.根據權利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(0)所表示的化合物為下述式 (0-1)所表示的化合物，
3.根據權利要求2所述的高分子化合物，其中，所述式(0-1)所表示的化合物為下述式 (1)所表示的化合物，
4.根據權利要求3所述的高分子化合物，其中，所述式(I)所表示的化合物的殘基是下 述式( 所表示的2價基團，
5.根據權利要求4所述的高分子化合物，其中，所述式( 所表示的2價基團為重複單兀。
6.根據權利要求3 5中的任一項所述的高分子化合物，其中，所述A1S-C(Ra)=， 且所述R1為芳基。
7.根據權利要求1 6中的任一項所述的高分子化合物，其還含有下述式C3)所表示 的重複單元，
8.根據權利要求7所述的高分子化合物，其中，所述式C3)所表示的重複單元為下述式(4)所表示的重複單元，
9.根據權利要求8所述的高分子化合物，其中，所述式(4)所表示的重複單元為下述式(5)所表示的重複單元，
10.根據權利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5為烷基。
11.根據權利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5為芳基。
12.根據權利要求1 11中的任一項所述的高分子化合物，其中，還含有下述式(6)所 表示的重複單元，
13. 一種下述式(9-0)所表示的化合物，
14.根據權利要求13所述的化合物，其中所述式(9-0)所表示的化合物為下述式(9) 所表示的化合物，
15.根據權利要求14所述的化合物，其中，所述式(9)所表示的化合物為下述式(10) 所表示的化合物，
16.根據權利要求13所述的化合物，其中，所述式(9-0)所表示的化合物為下述式 (10-0)所表示的化合物，
17. 一種含有下述式(0』)所表示的重複單元的高分子化合物的製造方法，其包括在過 渡金屬催化劑的存在下，將下述式(10-0)所表示的化合物進行聚合的工序，
18. 一種含有下述式0』)所表示的重複單元的高分子化合物的製造方法，其包括在過 渡金屬催化劑的存在下，將下述式(10)所表示的化合物聚合的工序，
19. 一種下述式(11)所表示的化合物，
20. 一種下述式(1 所表示的化合物，
21.一種含有權利要求1 12中的任一項所述的高分子化合物的組合物。
22.—種含有權利要求1 12中的任一項所述的高分子化合物的薄膜。
23.一種具有權利要求22所述的薄膜的有機電晶體。
24.一種發光元件，其具備包含陽極和陰極的電極、以及在該電極間設置的含有權利要 求1 12中的任一項所述的高分子化合物的層。
25.一種使用了權利要求M所述的發光元件的面狀光源。
26.一種使用了權利要求M所述的發光元件的顯示裝置。
全文摘要
本發明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發光元件，提供一種含有下述式(0)所表示的化合物的殘基的高分子化合物，式中，Ar0表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基或下述式(A)所表示的基團，Ar0的至少2個為下述式(A)所表示的基團，R0表示烷基、烷氧基、芳基等取代基，l和m表示0～3的整數，式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基。
文檔編號C08G61/12GK102131843SQ200980133479
公開日2011年7月20日 申請日期2009年6月26日 優先權日2008年6月30日
發明者小林諭 申請人:住友化學株式會社, 薩美甚株式會社