稱重變送器的製造方法

2023-05-28 15:23:26 1

稱重變送器的製造方法
【專利摘要】一種可以方便快捷準確的校準零點和增益、將信號有效利用率調整到最大且穩定可靠抗幹擾能力強的稱重變送器。技術方案是：其特徵是由一級放大電路(1)、二級放大電路(2)、比例跟隨電路(3)和V/I轉換電路(4)組成，所述的一級放大電路(1)、二級放大電路(2)、比例跟隨電路(3)和V/I轉換電路(4)順序連接；其中，一級放大電路(1)的輸入端設置有電位調節器RV1，二級放大電路(2)設置有電位調節器RV2，V/I轉換電路(4)設置有電位調節器RP2和電位調節器RP1。
【專利說明】稱重變送器
【技術領域】
[0001]本實用新型屬於稱重變送器結構領域，尤其是一種可以方便快捷準確的校準零點和增益、將信號有效利用率調整到最大且穩定可靠抗幹擾能力強的稱重變送器。
【背景技術】
[0002]當前建築、化工、食品以及飼料等很多行業中，都涉及到稱重控制系統，而對物料的稱重採集將不可避免的會用到稱重傳感器，而在現場直接採集稱重傳感器信號會遇到幹擾等一系列問題。
[0003]直接採集傳感器電壓信號，現場往往幹擾太大，影響計量精度，需要通過稱重變送器來進行。普通稱重變送器，需要反覆調節零點和增益修正線性，操作麻煩且容易將信號調舌L。
實用新型內容
[0004]本實用新型的目的是提供一種可以方便快捷準確的校準零點和增益、將信號有效利用率調整到最大且穩定可靠抗幹擾能力強的稱重變送器。
[0005]本實用新型的技術方案是:稱重變送器，其特徵是由一級放大電路(I)、二級放大電路(2)、比例跟隨電路(3)和V/I轉換電路⑷組成，所述的一級放大電路(I)、二級放大電路(2)、比例跟隨電路(3)和V/I轉換電路⑷順序連接；
[0006]其中，一級放大電路(I)的輸入端設置有電位調節器RVl，二級放大電路(2)設置有電位調節器RV2，V/1轉換電路(4)設置有電位調節器RP2和電位調節器RPl。
[0007]所述一級放大電路⑴由晶片AD8211和外圍電路組成，
[0008]其中，晶片AD3211的埠 I和埠 4之間設置有電容C4、電阻R5和電容C6的並聯電路，晶片AD3211的埠 I還分別與電容Cl、電阻R2連接，晶片AD3211的埠 4還分別與電容C9、電阻R7連接，電阻R2的另一端分別與電容C3、電位調節器RV1、電容C7、電阻FBl連接，電阻R7的另一端分別與電容C10、電容C7、電阻FB2連接，電阻FBl的另一端分別與電容C2、電容C5和信號輸入端負極SIG-連接，電阻FB2的另一端分別與電容C8、電容C5和信號輸入端正極SIG+連接，電位調節器RVl通過電阻Rl與信號端EXC+連接；
[0009]晶片AD3211的埠 2和埠 3分別與電阻R4連接；
[0010]晶片AD3211的埠 5與電容CC6和電容CC8的並聯電路連接；
[0011]晶片AD3211的埠 6接地；
[0012]晶片AD3211的埠 7通過電阻R3與二級放大電路⑵連接，電阻R3還與電容C12連接；
[0013]晶片AD3211的埠 8與電容CCl和電容CC3的並聯電路連接。
[0014]所述二級放大電路⑵由晶片TL082和外圍電路組成，
[0015]其中，晶片TL082埠 I分別與電阻R6、電位調節器RV2連接，電阻R6分別與比例跟隨電路⑶和電容Cll連接，電位調節器RV2還與電阻R9連接；[0016]晶片TL082埠 2分別與電位調節器RV2和電阻RlO連接；
[0017]晶片TL082埠 3與電阻R3連接；
[0018]晶片TL082的埠 8與電容CC2和電容CC4的並聯電路連接。
[0019]所述比例跟隨電路(3)由晶片TL082和外圍電路組成，
[0020]其中，晶片TL082埠 4與電容CC5和電容CC7的並聯電路連接；
[0021]晶片TL082埠 5與電阻R6連接；
[0022]晶片TL082埠 6與晶片TL082埠 7連接；
[0023]晶片TL082埠 7還分別與V/I轉換電路(4)以及電容C13和電阻R8的並聯電
路連接。
[0024]所述V/I轉換電路(4)由晶片DH4-20和外圍電路組成，
[0025]其中，晶片DH4-20的埠 I與電位調節器RP1、穩壓管D2以及電容C15的並聯電路連接，電位調節器RPl的一端通過電阻R12與比例跟隨電路(3)晶片TL082的埠 7連接，電位調節器RPl的另一端和電阻R12之間設置有電容C14 ；
[0026]晶片DH4-20的埠 2與電位調節器RP2連接；
[0027]晶片DH4-20的埠 3分別與二極體Dl和TVS管D3連接，二極體Dl的另一端與電源連接，TVS管D3的另一端接地。
[0028]本實用新型的效果是:稱重變送器，由一級放大電路、二級放大電路、比例跟隨電路和V/ι轉換電路組成，所述的一級放大電路、二級放大電路、比例跟隨電路和V/I轉換電路順序連接；
[0029]其中，一級放大電路的輸入端設置有電位調節器RVl，二級放大電路設置有電位調節器RV2，V/1轉換電路設置有電位調節器RP2和電位調節器RPl。
[0030]本實用新型稱重變送器為稱重傳感器的信號採集提供了更好的接口途徑，採用「兩段式四點位」調節方式，可以方便快捷準確的校準零點和增益，將信號有效利用率調整到最大，經過實際應用穩定可靠抗幹擾能力強。
[0031 ] 本稱重變送器通過內部電U1/AD8221部分電路對信號進行一級放大，再經過U2A/TL082部分電路進行二級放大，再經過U2B/TL082部分電路進行比例跟隨防止阻抗匹配的影響，放大調理後的信號經過U3/DH4-20部分電路進行V/I轉換，最終轉變為4?20mA的標準電流信號，電位器RVl調節V段零點，電位器RV2調節V段增益，電位器RP2調節I段零點，電位器RPl調節I段增益，不影響線性。
[0032]下面結合附圖和實施例對本實用新型做進一步的說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]附圖是本實用新型的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0034]附圖中，稱重變送器，由一級放大電路1、二級放大電路2、比例跟隨電路3和V/I轉換電路4組成，所述的一級放大電路1、二級放大電路2、比例跟隨電路3和V/I轉換電路4順序連接；
[0035]其中，一級放大電路I的輸入端設置有電位調節器RVl，二級放大電路2設置有電位調節器RV2，V/I轉換電路4設置有電位調節器RP2和電位調節器RPl。
[0036]一級放大電路I由晶片AD8211和外圍電路組成，
[0037]其中，晶片AD3211的埠 I和埠 4之間設置有電容C4、電阻R5和電容C6的並聯電路，晶片AD3211的埠 I還分別與電容Cl、電阻R2連接，晶片AD3211的埠 4還分別與電容C9、電阻R7連接，電阻R2的另一端分別與電容C3、電位調節器RV1、電容C7、電阻FBl連接，電阻R7的另一端分別與電容C10、電容C7、電阻FB2連接，電阻FBl的另一端分別與電容C2、電容C5和信號輸入端負極SIG-連接，電阻FB2的另一端分別與電容C8、電容C5和信號輸入端正極SIG+連接，電位調節器RVl通過電阻Rl與信號端EXC+連接；
[0038]晶片AD3211的埠 2和埠 3分別與電阻R4連接；
[0039]晶片AD3211的埠 5與電容CC6和電容CC8的並聯電路連接；
[0040]晶片AD3211的埠 6接地；
[0041]晶片AD3211的埠 7通過電阻R3與二級放大電路2連接，電阻R3還與電容C12連接；
[0042]晶片AD3211的埠 8與電容CCl和電容CC3的並聯電路連接。
[0043]二級放大電路2由晶片TL082和外圍電路組成，
[0044]其中，晶片TL082埠 I分別與電阻R6、電位調節器RV2連接，電阻R6分別與比例跟隨電路3和電容Cll連接，電位調節器RV2還與電阻R9連接；
[0045]晶片TL082埠 2分別與電位調節器RV2和電阻RlO連接；
[0046]晶片TL082埠 3與電阻R3連接；
[0047]晶片TL082的埠 8與電容CC2和電容CC4的並聯電路連接。
[0048]所述比例跟隨電路3由晶片TL082和外圍電路組成，
[0049]其中，晶片TL082埠 4與電容CC5和電容CC7的並聯電路連接；
[0050]晶片TL082埠 5與電阻R6連接；
[0051]晶片TL082埠 6與晶片TL082埠 7連接；
[0052]晶片TL082埠 7還分別與V/I轉換電路4以及電容C13和電阻R8的並聯電路連接。
[0053]V/1轉換電路4由晶片DH4-20和外圍電路組成，
[0054]其中，晶片DH4-20的埠 I與電位調節器RP1、穩壓管D2以及電容C15的並聯電路連接，電位調節器RPl的一端通過電阻R12與比例跟隨電路3晶片TL082的埠 7連接，電位調節器RPl的另一端和電阻R12之間設置有電容C14 ；
[0055]晶片DH4-20的埠 2與電位調節器RP2連接；
[0056]晶片DH4-20的埠 3分別與二極體Dl和TVS管D3連接，二極體Dl的另一端與電源連接，TVS管D3的另一端接地。
【權利要求】
1.稱重變送器，其特徵是由一級放大電路(I)、二級放大電路(2)、比例跟隨電路(3)和V/I轉換電路⑷組成，所述的一級放大電路(I)、二級放大電路(2)、比例跟隨電路(3)和V/I轉換電路⑷順序連接； 其中，一級放大電路(I)的輸入端設置有電位調節器RVl，二級放大電路(2)設置有電位調節器RV2，V/1轉換電路(4)設置有電位調節器RP2和電位調節器RPl。
2.根據權利要求1所述的稱重變送器，其特徵是所述一級放大電路(I)由晶片AD8211和外圍電路組成， 其中，晶片AD3211的埠 I和埠 4之間設置有電容C4、電阻R5和電容C6的並聯電路，晶片AD3211的埠 I還分別與電容Cl、電阻R2連接，晶片AD3211的埠 4還分別與電容C9、電阻R7連接，電阻R2的另一端分別與電容C3、電位調節器RV1、電容C7、電阻FBl連接，電阻R7的另一端分別與電容CIO、電容C7、電阻FB2連接，電阻FBl的另一端分別與電容C2、電容C5和信號輸入端負極SIG-連接，電阻FB2的另一端分別與電容C8、電容C5和信號輸入端正極SIG+連接，電位調節器RVl通過電阻Rl與信號端EXC+連接； 晶片AD3211的埠 2和埠 3分別與電阻R4連接； 晶片AD3211的埠 5與電容CC6和電容CC8的並聯電路連接； 晶片AD3211的埠 6接地； 晶片AD3211的埠 7通過電阻R3與二級放大電路(2)連接，電阻R3還與電容C12連接； 晶片AD3211的埠 8與電容CCl和電容CC3的並聯電路連接。
3.根據權利要求1所述的稱重變送器，其特徵是所述二級放大電路(2)由晶片TL082和外圍電路組成， 其中，晶片TL082埠 I分別與電阻R6、電位調節器RV2連接，電阻R6分別與比例跟隨電路⑶和電容Cll連接，電位調節器RV2還與電阻R9連接； 晶片TL082埠 2分別與電位調節器RV2和電阻RlO連接； 晶片TL082埠 3與電阻R3連接； 晶片TL082的埠 8與電容CC2和電容CC4的並聯電路連接。
4.根據權利要求1所述的稱重變送器，其特徵是所述比例跟隨電路(3)由晶片TL082和外圍電路組成， 其中，晶片TL082埠 4與電容CC5和電容CC7的並聯電路連接； 晶片TL082埠 5與電阻R6連接； 晶片TL082埠 6與晶片TL082埠 7連接； 晶片TL082埠 7還分別與V/I轉換電路(4)以及電容C13和電阻R8的並聯電路連接。
5.根據權利要求1所述的稱重變送器，其特徵是所述V/I轉換電路(4)由晶片DH4-20和外圍電路組成， 其中，晶片DH4-20的埠 I與電位調節器RP1、穩壓管D2以及電容C15的並聯電路連接，電位調節器RPl的一端通過電阻R12與比例跟隨電路⑶晶片TL082的埠 7連接，電位調節器RPl的另一端和電阻R12之間設置有電容C14 ； 晶片DH4-20的埠 2與電位調節器RP2連接；晶片DH4-20的埠 3分別與二極體Dl和TVS管D3連接，二極體Dl的另一端與電源連接，TVS管D3的另一端接 地。
【文檔編號】G01G19/00GK203414156SQ201320537289
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年9月2日 優先權日:2013年9月2日
【發明者】由薈琳, 王素臣, 高志剛, 史敏 申請人:青島貝士特電氣有限公司