清洗裝置製造方法

2023-06-01 21:41:01

清洗裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種清洗裝置，用於對晶圓進行清洗，所述裝置包括混合單元、與所述混合單元相連的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路還連接一噴頭，所述噴頭與所述晶圓正對，所述噴頭與晶圓之間設有可活動的遮擋盤。在噴頭與晶圓之間設置一可活動的遮擋盤，在進行噴等離子水或者氮氣之前先使用遮擋盤對等離子水或氮氣進行遮擋，直至混合單元將氮氣和等離子水製作成高壓水霧之後再移去遮擋盤，使高壓水霧直接噴至晶圓的表面，進行清洗，防止等離子水或者氮氣直接噴在晶圓的表面，減少靜電的形成，避免對晶圓造成損傷。
【專利說明】粒大小的不同設置不同的氮氣以及等離子
隱結構示意圖，所述清洗裝置位於清洗機臺I路12、混合管路13以及噴頭20，其中，所13均與所述混合單元10相連，所述噴頭2030位於所述噴頭20的下方，氮氣由所述氮2提供，所述氮氣與等離子水在所述混合單擊噴頭20噴出高壓水霧21至晶圓30的表
進行清洗之後，晶圓30的中心位置的鋁盤擊穿所致。因此，清洗工藝便成為高度懷疑
裝置，能夠減少靜電的產生，避免靜電對晶:可以修改在此描述的本實用新型，而仍然:當被理解為對於本領域技術人員的廣泛知
徵。在下列描述中，不詳細描述公知的功能細節而混亂。應當認為在任何實際實施例1的特定目標，例如按照有關系統或有關商另外，應當認為這種開發工作可能是複雜和是常規工作。
(體地描述本實用新型。根據下面說明和權帚說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且麼明本實用新型實施例的目的。
在損傷極有可能是清洗工藝產生的靜電而(1)只噴氮氣至晶圓表面42)至噴等離子高壓水霧。結果發現，只噴氮氣時，在晶圓生靜電最少的是噴由氮氣和等離子水形成、位置，通常是先噴氮氣，與晶圓中心位置存已，並不對本實用新型起到任何限制作用。3新型的技術方案的範圍內，對本實用新型字換或修改等變動，均屬未脫離本實用新型圍之內。
【權利要求】
1.一種清洗裝置，用於對晶圓進行清洗，其特徵在於，所述裝置包括混合單元、與所述混合單元相連的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路還連接一噴頭，所述噴頭與所述晶圓正對，所述噴頭與晶圓之間設有可活動的遮擋盤。
2.如權利要求1所述的清洗裝置，其特徵在於，所述清洗裝置還包括一固定件，所述固定件固定在所述噴頭一側，並與所述遮擋盤相連。
3.如權利要求1所述的清洗裝置，其特徵在於，所述遮擋盤的尺寸大於所述噴頭的尺寸。
4.如權利要求3所述的清洗裝置，其特徵在於，所述噴頭的俯視圖為圓形，所述噴頭的直徑範圍是2cm?8cm。
5.如權利要求4所述的清洗裝置，其特徵在於，所述遮擋盤的俯視圖為圓形，所述遮擋盤的直徑範圍是3cm?9cm。
6.如權利要求1所述的清洗裝置，其特徵在於，所述噴頭設有多個孔洞，所述孔洞按照一定規則分布在所述噴頭的表面。
【文檔編號】B08B3/02GK203631506SQ201320804360
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年12月9日 優先權日:2013年12月9日
【發明者】彭利, 詹揚 申請人:中芯國際集成電路製造(北京)有限公司