超薄型高頻晶體基座及其製作工藝的製作方法

2023-06-06 06:53:01 3

專利名稱：超薄型高頻晶體基座及其製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種晶體基座及其製作工藝，更具體地說，涉及一種超薄型高頻晶體 基座及其製作工藝。
背景技術：
石英晶體諧振器(簡稱石英晶體，晶體)是用途極為廣泛的頻率控制電子零件，其 主要外觀封裝形式分為HC-49型、UM-1型，圓柱型，扁平式表面貼裝型三大類型。隨著電子成品趨向數碼化的發展方向，對於電子成品的機身厚度亦趨向超薄型 方向發展，在上述三大類型晶體當中，只有扁平式表面貼裝型晶體能滿足超薄型電子成品 的內部機芯線路板上的安裝需要。但是，目前扁平式表面貼裝型晶體存在以下的缺點和不 足1.目前國內尚未能掌握生產此類型晶體的外殼基座的技術，而外殼及其基座都是 生產此類型晶體的必不可少的原材料。日本京瓷公司生產的電子陶瓷是唯一此類晶體基座 的貨源，國內的晶體生產廠雖然有生產此類晶體的能力，但是數量及報價無不直接或間接 受到京瓷公司外殼基座材料的控制，不利於國產化原則。2.扁平式表面貼裝晶體，生產線投資大，生產效率低，因而造成此類晶體價格居高 不下，供不應求，不能滿足市場需求。生產線投資大，生產量低，問題焦點集中在外殼/基座的封裝形式，表面貼裝晶體 的基座材料是電子陶瓷及燒結在陶瓷中的金屬框邊，封裝時採用電阻焊式壓封技術原理。 電阻焊壓封技術分為衝壓式及滾輪壓焊式(縫焊式)，衝壓式電阻焊封裝機生產速度比較 快，可以達到1. 0秒 1. 5秒1隻，每臺設備成本約七萬元人民幣，但是封裝過程中會將基 座的電子陶瓷擊碎，所以實際上不能用。滾輪壓焊(縫焊式)不會壓碎基座，但是封裝一隻晶體需要6秒時間，每臺設備成 本約八十萬元人民幣，而且目前這種設備要從國外進口，國產無此類設備。因此，投資一條 月產量300萬隻的表面貼裝晶體生產線單此生產工序便須投入800萬元人民幣，若連同其 它工序的設備成本，便須超過一千萬元人民幣。3.扁平式表面貼裝晶體，目前通用的厚度為2. 0mm，要進一步減薄難度非常大。圓 柱狀晶體2*6型，採用水平安裝在線路板上，其高度亦為2. 0mm，雖然在安裝厚度上與表面 貼裝晶體相同，但是由於圓柱狀晶體在過去一直未能通過跌落試驗，所以未能被用戶放心 採用以取代表面貼裝晶體。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種製作工藝簡單、生產成本低、生產效率高 以及突破目前最薄通用晶體極限的超薄高頻晶體基座。本發明所要解決的再一個技術問題是提供一種實現上述超薄型高頻晶體基座的 製作工藝。
為了解決上述技術問題，本發明採用了以下技術方案一方面，一種超薄型高頻晶體基座，包括基板、引線、固晶夾片及外殼；所述基板和 外殼採用金屬材料製成。所述固晶夾片為。型。 另一方面，一種超薄型高頻晶體基座的製作工藝，其包括以下步驟步驟1在基板上設置引線並且使引線向上延長的長度大於晶片的長度；步驟2把所述引線打扁衝壓成型為兩根U形固晶夾片並形成晶片安裝的雙端四佔.
^ \\\ 步驟3在所述固晶夾片上點上銀膠，將晶片安裝固定；步驟4將外殼用真空冷壓入或充氮冷壓入方式進行封裝。本發明廢棄以電子陶瓷作為基座材料，避免材料來源受制於日本京瓷公司。採用 金屬材料作為基座的材料，整過製作流程完全實現國產化，而且成本價只有表面貼裝型的 外殼基座的十分之一左右。採用真空冷壓入或充氮冷壓入方式，相對於滾輪電阻焊方式，封 裝工序的生產效率提高20倍以上，而生產設備(真空壓入機)的投入成本(以同等產量而 言)只需百分之一的成本。採用U型固晶夾片的設計，解決了跌落試驗不通過的問題，利用 該項技術進一步發展成超薄型高頻晶體基座(1. 0mm 1. 2mm厚度)突破了目前晶體厚度 最薄2. 0mm的極限。在結合附圖閱讀本發明的實施方式的詳細描述後，本發明的特點和優點將變得更 加清楚。


圖1是本發明的超薄型高頻晶體基座的主視圖。圖2是本發明的超薄型高頻晶體基座的左視圖。圖3是本發明的超薄型高頻晶體基座的俯視圖。圖4本發明的超薄型高頻晶體基座的外殼主視圖。圖5本發明的超薄型高頻晶體基座的外殼左視圖。圖6本發明的超薄型高頻晶體基座的外殼俯視圖。
具體實施例方式下面以一個實施方式對本發明作進一步詳細的說明，但應當說明，本發明的保護 範圍不僅僅限於此。參閱圖1，它是本發明的超薄型高頻晶體基座的主視圖。一種超薄型高頻晶體基 座，包括基板1、引線2、固晶夾片3及外殼4 ；所述基板1和外殼4採用金屬材料製成。所 述固晶夾片3為。型。一種超薄型高頻晶體基座的製作工藝，其包括以下步驟步驟1在基板1上設置引線2並且使引線向上延長的長度大於晶片的長度；步驟2把所述引線2打扁衝壓成型為兩根U形固晶夾片3並形成晶片安裝的雙端 四點；步驟3在所述固晶夾片3上點上銀膠，將晶片安裝固定；
步驟4將外殼4用真空冷壓入或充氮冷壓入方式進行封裝。因此，採用上述製作流程，即可解決生產晶體過程中，裝片，點膠，成品測試等的自 動化生產問題。雖然結合附圖描述了本發明的實施方式，但是本領域的技術人員可以在所附權利 要求的範圍之內作出各種變形或修改，只要不超過本發明的權利要求所描述的保護範圍， 都應當在本發明的保護範圍之內。
權利要求
一種超薄型高頻晶體基座，包括基板(1)、引線(2)、固晶夾片(3)及外殼(4)；其特徵在於所述基板(1)和外殼(4)採用金屬材料製成。
2.根據權利要求1所述的超薄型高頻晶體基座，其特徵在於所述固晶夾片(3)為U型。
3.實現權利要求1所述的超薄型高頻晶體基座的製作工藝，其特徵在於，包括以下步驟步驟1在基板(1)上設置引線(2)並且使引線(2)向上延長的長度大於晶片的長度； 步驟2把所述引線(2)打扁衝壓成型為兩根U形固晶夾片(3)並形成晶片安裝的雙端 四點；步驟3在所述固晶夾片(3)上點上銀膠，將晶片安裝固定； 步驟4將外殼(4)用真空冷壓入或充氮冷壓入方式進行封裝。
全文摘要
本發明公開了一種超薄型高頻晶體基座及其製作工藝。一種超薄型高頻晶體基座，包括基板、引線、固晶夾片及外殼；所述基板和外殼採用金屬材料製成。所述固晶夾片為U型。本發明製作工藝簡單、生產成本低、生產效率高，且突破目前最薄通用晶體的最小最薄極限。
文檔編號H03H9/19GK101860340SQ200910106289
公開日2010年10月13日 申請日期2009年4月8日 優先權日2009年4月8日
發明者葉國豪, 趙傳斌 申請人:趙傳斌;葉國豪