一種介電超晶格材料周期測量儀及其使用方法
2023-07-04 15:02:06
一種介電超晶格材料周期測量儀及其使用方法
【專利摘要】本發明公開了一種介電超晶格材料周期測量儀,包括雷射光源、屏幕和刻度裝置,待測介電超晶格材料放置於雷射光源和刻度裝置之間,所述雷射光源垂直於待測介電超晶格材料表面,所述屏幕平行於待測介電超晶格材料表面,所述刻度裝置置於屏幕上。本發明採用光柵衍射原理,使用雷射對介電體超晶格材料表面照射,通過檢測透過的衍射點來判定材料周期。本發明裝置簡單,操作方便快捷,且準確度高。
【專利說明】一種介電超晶格材料周期測量儀及其使用方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於雷射檢測領域,涉及到一種介電體超晶格材料的內部光柵周期的測量裝置。
【背景技術】
[0002]非線性極化率受到周期性調製的人工晶體被稱為光學超晶格,其在雷射變頻技術方面有著重要作用。雷射變頻技術屬於非線性光學效應。雷射變頻過程中的位相失配可以通過晶體非線性極化率的周期性調製來補償,從而使光的非線性變化得以高效完成。
[0003]在雷射變頻過程中,要想得到一定頻率的光,首先要根據為相匹配中的動量守恆
算出所需的倒格矢Δk = k2M-2kM = Gm,而晶體的周期與倒格矢關係是
【權利要求】
1.一種介電超晶格材料周期測量儀,其特徵在於:包括雷射光源(I)、屏幕(7)和刻度裝置(3 ),待測介電超晶格材料放置於雷射光源(I)和刻度裝置(3 )之間,所述雷射光源(I)垂直於待測介電超晶格材料表面,所述屏幕(7)平行於待測介電超晶格材料表面,所述刻度裝置(3)置於屏幕(7)上。
2.根據權利要求1所述的一種介電超晶格材料周期測量儀,其特徵在於:所述雷射光源(I)的光束口徑為0.1~I謹,波長λ為400~800nm。
3.根據權利要求1所述的一種介電超晶格材料周期測量儀,其特徵在於:所述待測介電超晶格材料放置於載物臺(2)內,所述載物臺(2)上設置有位移微調裝置。
4.根據權利要求1所述的一種介電超晶格材料周期測量儀,其特徵在於:所述刻度裝置(3 )包含標準標尺軸和對應級數標尺軸,所述標準標尺軸上刻有標準刻度,所述對應級數標尺軸按照如下方法標註:設定波長為λ、刻度裝置(3)與待測介電超晶格材料之間的距 離為D時,基於公式
5.根據權利要求3所述的一種介電超晶格材料周期測量儀,其特徵在於:所述待測介電超晶格材料放置於載物臺(2 )內的平臺(5 )上,所述平臺(5 )透明。
6.根據權利要求 4所述的一種介電超晶格材料周期測量儀,其特徵在於:所述刻度裝置(3)具有中心轉軸,且標準標尺軸和對應級數標尺軸的零點均重合於中心轉軸處。
7.一種介電超晶格材料周期測量儀的使用方法,其特徵在於:選擇雷射波長為設定的波長λ,打開雷射光源(1),發射出波長λ的雷射垂直照射至待測介電超晶格材料表面,刻度裝置(3 )的零點對準雷射光源(I),保持刻度裝置(3 )與待測介電超晶格材料之間的距離為D不變,觀察衍射條紋,在對應級數標尺軸上找出所對應級數的衍射條紋的位置,並讀取對應級數標尺軸在該位置處標註的周期d。
【文檔編號】G01N21/45GK103674895SQ201310680682
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月12日 優先權日:2013年12月12日
【發明者】呂新傑, 劉奕辰, 蔣旭東, 居盼盼, 趙剛, 祝世寧 申請人:南京大學