薄膜電晶體及其製造方法與應用其的液晶顯示面板的製作方法

2023-05-26 06:13:41

專利名稱：薄膜電晶體及其製造方法與應用其的液晶顯示面板的製作方法
技術領域：
本發明是有關於一種薄膜電晶體及其製造方法與應用其的液晶顯示面板， 且特別是有關於一種具有多層結構的源極及漏極金屬化層的薄膜電晶體及其 製造方法與應用其的液晶顯示面板。
背景技術：
隨著液晶顯示面板(Liquid Crystal Display p匿l， 1XD p譜l)製作 技術快速的進步，以及其具有重量輕、體積小、低耗電量及低幅射線等優點， 使得液晶顯示面板大量地被應用於個人數位助理器(Personal Digital Assistant, PDA)、筆記型電腦、數位相機、行動電話、電腦屏幕及平面電視 等各式電子產品中。再加上業界積極的投入研發以及採用大型化的生產設備， 使液晶顯示面板的品質不斷提升，且價格持續下降，因此使得液晶顯示面板的 應用領域迅速擴大。
傳統應用薄膜電晶體的液晶顯示面板是利用五道光罩製程製造。首先，利 用第一道光罩製程形成柵極於玻璃基板上。接著，利用第二道光罩製程形成柵 極絕緣層、矽半導體層及n+摻雜矽層覆蓋於柵極上。其次，於第三道光罩製程 中形成源極區及漏極區。再者，執行第四道光罩製程以形成保護層於覆蓋於0+ 摻雜矽層及矽半導體層上。最後，執行第五道光罩製程形成像素電極於保護層 上，像素電極藉由保護層的接觸孔(contact hole)電性接觸漏極區。
一般而言，形成源極區及漏極區的製程步驟中，是將單層或多層結構的金 屬層沉積於n+摻雜矽層上，並且利用溼式蝕刻方式，依照光阻層的圖案溼式蝕 刻金屬層，接著再利用乾式蝕刻將半導體層蝕刻出通道區，同時形成源極區及 漏極區於通道區的兩側。請參照圖l ，其繪示傳統製程中依照光阻層的圖案 蝕刻出通道區後的薄膜電晶體的剖面圖。薄膜電晶體10包括柵極12、柵極絕 緣層13、矽半導體層14、 n+摻雜矽層15及金屬層16。柵極12是設置於且部
分覆蓋於玻璃基板11上，柵極絕緣層13設置於玻璃基板11上且覆蓋於柵極
12。矽半導體層14、 n+摻雜矽層15及金屬層16是依序設置於柵極絕緣層13 上。在製程中進行蝕刻步驟時，首先是形成光阻層PR於金屬層16上，光阻層 PR具有開口W，此開口W具有寬度DO。 一般而言此寬度D0實質上即為欲得到 的通道寬度。然而，由於溼式蝕刻為等向性(isotropic)的蝕刻方式，在蝕 刻金屬層16時容易在光阻層PR下方發生底切(undercutting)的現象，使得 金屬層16蝕刻後形成的開口寬度大於光阻層PR的開口 W的寬度D0，進一步導 致乾式蝕刻n+摻雜矽層15及矽半導體層14所形成的通道區寬度失真。如圖1 所示，蝕刻後通道區的寬度D1大於光阻層PR開口 W的寬度D0。較寬的通道區 是導致薄膜電晶體漏電流值增加、開/關電流比降低等問題，此外更降低了開 關響應時間，並且增加了顯示畫面雜訊，整體來說影響了液晶顯示面板的顯示 品質。

發明內容
本發明是為了克服現有技術存在的上述問題而提供的一種可於製程中有 效控制薄膜電晶體的通道寬度、進一步維持薄膜電晶體的製程品質的、並使制 造成本降低的薄膜電晶體及其製造方法與應用其的液晶顯示面板。
根據本發明的一方面，提出一種薄膜電晶體，包括一柵極、 一柵極絕緣層、 一半導體層以及一源極及漏極金屬化層。柵極設置於一基板上，柵極絕緣層設 置於基板上且覆蓋柵極。半導體層設置於柵極絕緣層上並且包括一矽層 (silicon layer)及一摻雜層。矽層位於柵極絕緣層上，摻雜層位於矽層上 的兩側，且摻雜層的下表面與矽層接觸。位於矽層兩側的摻雜層的側面是兩兩 相對。源極及漏極金屬化層位於半導體層的兩側，並且包括一第一導體層、一 第二導體層及一第三導體層。第一導體層設置於摻雜層上，且第一導體層的下 表面與摻雜層上表面完全接觸無暴露處。第二導體層設置於第一導體層上，且 第一導體層的上表面部分暴露出第二導體層。第三導體層設置於第二導體層 上，且第三導體層的下表面與第二導體層的上表面完全接觸無暴露處。
根據本發明的另一方面，提出一種薄膜電晶體的製造方法。首先，依序形 成一柵極及一柵極絕緣層於一基板上，柵極絕緣層是覆蓋柵極。其次，形成一
半導體層覆蓋於柵極絕緣層上。接著，形成一具三層結構的源極及漏極金屬化 層覆蓋於半導體層上。再來，依照一圖案溼式蝕刻部分源極及漏極金屬化層。 然後，依照所述圖案乾式蝕刻剩餘的源極及漏極金屬化層以及部分的半導體 層。
根據本發明的再一方面，提出一種液晶顯示面板，包括多條掃瞄線、多條 數據線以及陣列式排列的多個薄膜電晶體。每一薄膜電晶體包括一柵極、 一柵 極絕緣層、 一半導體層及一源極及漏極金屬化層。柵極設置於基板上且電性連 接於其中一條掃瞄線，柵極絕緣層設置於基板上且覆蓋柵極。半導體層設置於
柵極絕緣層上並且包括一矽層及一摻雜層。矽層於柵極絕緣層上，摻雜層位於 矽層上的兩側，且摻雜層的下表面與矽層接觸。位於矽層兩側的摻雜層的側面 是兩兩相對。源極及漏極金屬化層位於半導體層的兩側， 一側的源極及漏極金 屬化層是電性連接於其中一條數據線。源極及漏極金屬化層包括一第一、 一第 二及一第三導體層。第一導體層設置於半導體層上，且其下表面與摻雜層的上 表面完全接觸無暴露處。第二導體層設置於第一導體層上，且其上表面部分暴 露出第二導體層。第三導體層設置於第二導體層上，且其下表面與第二導體層 的上表面完全接觸無暴露處。
本發明由於採用了以上的技術方案，利用不同方式蝕刻多層結構的源極及 漏極金屬化層，因此，在不顯著增加成本的條件下，可於製程中有效控制薄膜 電晶體的通道寬度，進一步維持薄膜電晶體的製程品質，並且具有不需增購制 程設備、可相容於傳統製程的優點。


為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳的實施例，並配合所 附圖式，作詳細說明如下
圖1 繪示是傳統製程中依照光阻層的圖案蝕刻出通道區後的薄膜晶體 管的剖面圖2繪示是依照本發明較佳實施例的液晶顯示面板的部分示意圖； 圖3繪示是圖2中一薄膜電晶體的剖面圖4繪示是依照本發明較佳實施例的薄膜電晶體的製造方法的流程圖5A繪示是柵極及柵極絕緣層形成於基板上的示意圖； 圖5B繪示是半導體層形成於圖5A的柵極絕緣層上的示意圖； 圖5C繪示是源極及漏極金屬化層形成於圖5B的半導體層上的示意圖； 圖5D繪示是光阻層形成於圖5C的源極及漏極金屬化層上的示意圖； 圖5E繪示是溼式蝕刻圖5D的源極及漏極金屬化層後的示意圖；以及 圖5F繪示是乾式蝕刻圖5E的源極及漏極金屬化層以及半導體層後的 示意圖。
圖中主要元件符號說明如下 10、 100:薄膜電晶體 11:玻璃基板
12、 17:柵極
13、 19:柵極絕緣層 14:矽半導體層
15: n+摻雜矽層 16:金屬層 20:半導體層 22:矽層 24:摻雜層
24a: —側的摻雜層
24b:另一側的摻雜層
30:源極及漏極金屬化層
30a: —側的源極及漏極金屬化層
30b:另一側的源極及漏極金屬化層
32:第一導體層
34:第二導體層
36:第三導體層
100:薄膜電晶體
110:基板
130:掃瞄線 150:數據線 170:像素電極 200:液晶顯示面板 C:通道區 D0、 Dl:寬度 P:像素區域 PR:光阻層 W:開口
具體實施例方式
請參照圖2，其繪示依照本發明較佳實施例的液晶顯示面板的部分示意圖。
液晶顯示面板200包括一基板110、多條掃瞄線130、多條數據線150以及陣 列式排列的多個薄膜電晶體100。這些掃瞄線130及這些數據線150均設置於 基板110上，且這些數據線150實質上正交於這些掃瞄線130。請同時參照圖 3，其繪示圖2中一薄膜電晶體的剖面圖。每一薄膜電晶體100包括一柵極17、 一柵極絕緣層19、 一半導體層20及一源極及漏極金屬化層(source/drain metallization layer) 30。柵極17設置於基板110上且電性連接於一條掃瞄 線130 (如圖2所繪示)。柵極絕緣層19設置於基板110上且覆蓋柵極17。 半導體層20設置於柵極絕緣層19上，並且具有一通道區C實質上對應於柵極 17上方。半導體層20包括一矽層22 (silicon layer)及一摻雜層24。矽層 22於柵極絕緣層19上，摻雜層24位於矽層22上的兩側，摻雜層24的下表面 與矽層22接觸，且位於矽層22兩側的摻雜層24的側面是兩兩相對。源極及 漏極金屬化層30位於半導體層20的兩側， 一側的源極及漏極金屬化層30a是 電性連接於一條數據線150 (如圖2所繪示)。源極及漏極金屬化層30包括一 第一導體層32、 一第二導體層34及一第三導體層36。第一導體層32設置於 摻雜層24上，第一導體層32的下表面與摻雜層24的上表面完全接觸無暴露 處。第二導體層34設置於第一導體層32上，第一導體層32的上表面是部分 暴露出第二導體層34。第三導體層36設置於第二導體層34上，第三導體層 36的下表面與第二導體層34的上表面完全接觸無暴露處。
更進一步來說，每兩相鄰的掃瞄線130及每兩相鄰的數據線150間是形成
一像素區域P，而每一薄膜電晶體IOO是位於對應的像素區域P中。另外，液 晶顯示面板更包括多個像素電極170，每一像素電極170亦位於對應的像素區 域P中。且每一薄膜電晶體100中另一側的源極及漏極金屬化層30b是電性連 接於同一像素區域P內的像素電極170。於液晶顯示面板200中，這些掃瞄線 130依序致能位於同一橫列的薄膜電晶體100，並且由這些數據線150輸入數 據電壓予薄膜電晶體100來進行畫面的顯示。
這些薄膜電晶體100是依照本發明較佳實施例的薄膜電晶體的製造方法形 成。以下是以形成一個薄膜電晶體100的製造方法為例，輔以圖4及圖5A至 圖5F進行說明。圖4繪示依照本發明較佳實施例的薄膜電晶體的製造方法的 流程圖；圖5A繪示柵極及柵極絕緣層形成於基板上的示意圖；圖5B繪示半導 體層形成於圖5A的柵極絕緣層上的示意圖；圖5C繪示源極及漏極金屬化層形 成於圖5B的半導體層上的示意圖；圖5D繪示光阻層形成於圖5C的源極及漏 極金屬化層上的示意圖；圖5E繪示溼式蝕刻圖5D的源極及漏極金屬化層後的 示意圖；圖5F繪示乾式蝕刻圖5E的源極及漏極金屬化層以及半導體層後的示 意圖。
本實施例的製造方法首先進行形成柵極17及柵極絕緣層19的步驟。如步 驟410以及圖5A所示，依序形成柵極17及柵極絕緣層19於基板110上，柵 極17僅覆蓋部分的基板110，而柵極絕緣層19是覆蓋於柵極17上。柵極17 常見的材質例如是鋁或銅等單一導電金屬結構，然而本實施例中柵極17亦可 採用多層結構，例如鈦/鋁/鈦的多層金屬結構。其次，柵極絕緣層19常見的 材質例如是氮化矽(silicon nitride)，其他現有的高介電常數材料均可應 用於此。
其次，如步驟430所示，形成半導體層20於柵極絕緣層19上。本實施例 中，半導體層20包括一矽層22及一摻雜層(doping layer) 24，如圖5B所 示。矽層22例如是一非晶矽層(amorphous silicon layer)，且覆蓋於柵極 絕緣層19上，摻雜層24例如是一n+摻雜矽層，其是覆蓋於矽層22上。
接著進行步驟450，形成源極及漏極金屬化層30覆蓋於半導體層20上。 本實施例中，形成源極及漏極金屬化層30的步驟更包括下述步驟。首先，形
成第一導體層32覆蓋於半導體層20上。於本實施例中，此第一導體層32是 沉積於摻雜層24上，且沉積的厚度例如為大約250 A (angstrom)，其材質例 如包括鈦(titanium)、氮化鈦(titanium nitride)或鴿(tungsten)。其 是用以提供源極及漏極金屬化層30於半導體層20上良好的黏附性。其次，形 成第二導體層34於第一導體層32上。本實施例中第二導體層34的厚度例如 為大約1500 5000 A，其材質例如包括銅(c叩per)或鋁(aluminum)，利用 材質的良好導電性來降低薄膜電晶體100的RC時間延遲。然後，形成第三導 體層36於第二導體層34上。本實施例中第三導體層36的厚度例如為大約350 A，其材質例如包括鉬(molybdenum)，使得源極及漏極金屬化層30與後方制 程的半導體材質間形成良好的歐姆接觸面(ohmic contact)。
實際應用上，形成前述的源極及漏極金屬化層30之後，接著於源極及漏 極金屬化層30上形成具有一圖案(pattern)的一光阻層PR。如圖5D所示， 此光阻層具有一開口 W實質上對應於柵極17上方。
依照本實施例的薄膜電晶體的製造方法接著進行步驟470，依照光阻層PR 的圖案溼式蝕刻(wet etching)部分源極及漏極金屬化層30。如圖5E所示， 於本實施例的溼式蝕刻步驟中，是將第一導體層32作為蝕刻終點進行蝕刻， 移去位於開口 W下方的第三導體層36及第二導體層34。進行溼式蝕刻之後， 第三導體層36的下表面與第二導體層34的上表面完全接觸無暴露處。
完成溼式蝕刻的步驟後，接著執行步驟490，依照此圖案乾式蝕刻(dry etching)剩餘的源極及漏極金屬化層30，並且接著乾式蝕刻部分半導體層20。 如圖5F所示，本實施例的乾式蝕刻步驟中，是將對應於開口 W處的第一導體 層32移除，同時移除對應於開口 W處的摻雜層24以及部分的矽層22，如此一 來是可確保對應於開口 W兩側的摻雜層24相互隔開。經過乾式蝕刻之後，第 一導體層32的上表面部分暴露出第二導體層34外，且第一導體層32的下表 面與摻雜層24的上表面完全接觸無暴露處。本實施例中，步驟490是可利用 傳統乾式蝕刻半導體層20的機臺進行，不需新增蝕刻機臺。再者，由於第一 導體層32具有此些導體層32、 34及36中的最小厚度，是可降低第一導體層 32對於半導體層20蝕刻率的影響。
進行前述兩蝕刻步驟之後，對應於開口 W兩側的摻雜層24a及24b是形成
薄膜電晶體100的源極區以及漏極區，而對應於開口 W兩側的源極及漏極金屬
化層30a及30b則分別形成源極電極層以及漏極電極層。再者，對應兩側摻雜 層24a及24b的間的矽層22是形成通道區C。由於第一導體層32未進行溼式 蝕刻，且其覆蓋於摻雜層24上，是可避免通道區C長度受到溼式蝕刻第三及 第二導體層36及34時，因底切現象(undercutting)導致蝕刻精確度降低的 影響，使得半導體層20蝕刻的寬度實質上相等於開口 W的寬度，確保了薄膜 電晶體IOO具有預定的通道區C長度。
另外，於本實施例中，第三導體層36及第二導體層34是利用溼式蝕刻的 方式移除，第一導體層32是利用乾式蝕刻的方式移除。然於另一實施例中， 第三導體層36是利用溼式蝕刻的方式移除，第二導體層34及第一導體層32 是利用乾式蝕刻的方式移除。凡利用不同蝕刻方式蝕刻源極及漏極金屬化層30 中的多個材料層的方式，均為本發明所包含的範圍。
於上述步驟490之後，本實施例的製造方法更包括移除光阻層PR的步驟， 以便進行後方的製程步驟。移除光阻層PR後即完成如圖3所繪示，依照本發 明較佳實施例的薄膜電晶體100。
上述依照本發明較佳實施例所揭露的薄膜電晶體及其製造方法與應用其 的液晶顯示面板，利用溼式蝕刻的方式蝕刻第三及第二導體層，並且利用第一 導體層覆蓋於半導體層上的方式，依照光阻層的圖案進行乾式蝕刻。如此一來， 即便溼式蝕刻第三及第二導體層時因側向蝕刻發生底切的現象，仍可確保蝕刻 半導體層形成通道區時的精確度，提升了製程的品質。其次，藉由在製程中良 好地控制通道區的寬度，可避免因通道長度增加導致各種電晶體品質下降的問 題。再者，由於本實施例中的溼式蝕刻及乾式蝕刻步驟是利用原有製程中的溼 式及乾式蝕刻機臺進行，不需另行添購額外的蝕刻機臺，除了不會增加製程成 本外，更不需大幅改變製程步驟，且亦可相容於原有的薄膜電晶體結構以及制 程技術。
綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本 發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍 內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護範圍以權利要求書中範圍 所界定的為準。
權利要求
1. 一種薄膜電晶體，其特徵在於，包括一柵極，設置於一基板上；一柵極絕緣層，設置於所述基板上且覆蓋所述柵極；一半導體層，設置於所述柵極絕緣層上，所述半導體層包括一矽層，設於所述柵極絕緣層上；及一摻雜層，位於所述矽層上的兩側，其中所述摻雜層的下表面與所述矽層接觸，位於所述矽層兩側的所述摻雜層的側面是兩兩相對；以及一源極及漏極金屬化層，位於所述半導體層的兩側，並且包括一第一導體層，設置於所述摻雜層上，所述第一導體層的下表面與所述摻雜層上表面完全接觸無暴露處；一第二導體層，設置於所述第一導體層上，所述第一導體層的上表面部分暴露出所述第二導體層；及一第三導體層，設置於所述第二導體層上，所述第三導體層的下表面與所述第二導體層的上表面完全接觸無暴露處。
2. 如權利要求1所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第二導體層的厚 度及所述第三導體層的厚度均大於所述第一導體層的厚度。
3. 如權利要求2所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一導體層的厚 度大約為250 A。
4. 如權利要求2所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第二導體層的厚 度大約為1500 5000 A。
5. 如權利要求2所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第三導體層的厚 度大約為350 A。
6. 如權利要求1所述的薄膜電晶體，其特徵在於，所述第一導體層的材 質包括鈦、氮化鈦或鎢，所述第二導體層的材質包括鋁或銅，所述第三導體層 的材質包括鉬。
7. —種薄膜電晶體的製造方法，其特徵在於，包括 依序形成一柵極及一柵極絕緣層於一基板上，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；形成一半導體層覆蓋於所述柵極絕緣層上；形成一源極及漏極金屬化層覆蓋於所述半導體層上，所述源極及漏極金屬化層具三層結構；依照一圖案溼式蝕刻部分所述源極及漏極金屬化層；以及 依照所述圖案乾式蝕刻剩餘的所述源極及漏極金屬化層及部分的所述半導體層。
8. 如權利要求7所述的製造方法，其特徵在於，形成所述源極及漏極金 屬化層的步驟還包括形成一第一導體層於所述半導體層上，所述第一導體層的材質包括鈦、氮 化鈦或鎢；形成一第二導體層於所述第一導體層上，所述第二導體層的材質包括銅或 鋁；及形成一第三導體層於所述第二導體層上，所述第三導體層的材質包括鉬。
9. 如權利要求8所述的製造方法，其特徵在於，形成所述半導體層的步 驟還包括形成一矽層覆蓋於所述柵極絕緣層上；及 形成一摻雜層覆蓋於所述矽層上。
10. 如權利要求9所述的製造方法，其特徵在於，於溼式蝕刻的步驟中是 依照所述圖案蝕刻所述第三導體層及所述第二導體層。
11. 如權利要求10所述的製造方法，其特徵在於，於乾式蝕刻的步驟中 是依照所述圖案蝕刻所述第一導體層、所述摻雜層及部分的所述矽層。
12. 如權利要求9所述的製造方法，其特徵在於，於溼式蝕刻的步驟中是 依照所述圖案蝕刻所述第三導體層。
13. 如權利要求12所述的製造方法，其特徵在於，於乾式蝕刻的步驟中 是依照所述圖案蝕刻所述第二導體層、所述第一導體層、所述摻雜層及部分的 所述矽層。
14. 如權利要求7所述的製造方法，其特徵在於，於形成所述源極及漏極 金屬化層的步驟後，所述方法還包括形成一光阻層於所述源極及漏極金屬化層上，所述光阻層具有所述圖案。
15. 如權利要求14所述的製造方法，其特徵在於，於乾式蝕刻的步驟後， 所述方法還包括移除所述光阻層。
16. —種液晶顯示面板，其特徵在於，包括 一基板；數條掃瞄線，設置於所述基板上；數條數據線，設置於所述基板上且實質上正交於所述各掃瞄線；以及 陣列式排列的數個薄膜電晶體，各所述薄膜電晶體包括一柵極，設置於所述基板上且電性連接於所述各掃瞄線中的一條； 一柵極絕緣層，設置於所述基板上且覆蓋所述柵極； 一半導體層，設置於所述柵極絕緣層上，所述半導體層包括 一矽層於所述柵極絕緣層上；及一摻雜層，位於所述矽層上的兩側，所述摻雜層的下表面與所述 矽層接觸，位於所述矽層兩側的所述摻雜層的側面是兩兩相對；及一源極及漏極金屬化層，位於所述半導體層的兩側， 一側的所述源極 及漏極金屬化層是電性連接於所述各數據線中的一條，所述源極及漏極金屬化 層包括一第一導體層，設置於所述摻雜層上，所述第一導體層的下表面 與所述摻雜層的上表面完全接觸無暴露處；一第二導體層，設置於所述第一導體層上，所述第一導體層的上 表面部分暴露出所述第二導體層；及一第三導體層，設置於所述第二導體層上，所述第三導體層的下 表面與所述第二導體層的上表面完全接觸無暴露處。
17. 如權利要求16所述的液晶顯示面板，其特徵在於，所述第二導體層 的厚度及所述第三導體層的厚度均大於所述第一導體層的厚度。
18. 如權利要求17所述的液晶顯示面板，其特徵在於，所述第一導體層 的厚度大約為250 A。
19. 如權利要求17所述的液晶顯示面板，其特徵在於，所述第二導體層 的厚度大約為1500 5000 A。
20. 如權利要求17所述的液晶顯示面板，其特徵在於，所述第三導體層 的厚度大約為350 A。
21. 如權利要求16所述的液晶顯示面板，其特徵在於，所述第一導體層 的材質包括鈦、氮化鈦或鎢，所述第二導體層的材質包括鋁或銅，所述第三導 體層的材質包括鉬。
全文摘要
本發明公開了一種薄膜電晶體及其製造方法與應用其的液晶顯示面板。薄膜電晶體包括一柵極、一柵極絕緣層、一半導體層以及一源極及漏極金屬化層。柵極及柵極絕緣層設置於一基板上，柵極絕緣層是覆蓋柵極。半導體層設置於柵極絕緣層上。源極及漏極金屬化層位於半導體層兩側，並且包括一第一導體層、一第二導體層及一第三導體層，各導體層依序設置於半導體層上。第一導體層的下表面與半導體層上表面完全接觸無暴露處。第一導體層的上表面部分暴露出第二導體層。第三導體層的下表面與第二導體層的上表面完全接觸無暴露處。可於製程中有效控制薄膜電晶體的通道寬度，進一步維持薄膜電晶體的製程品質，並具有不需增購製程設備、可相容於傳統製程的優點。
文檔編號H01L29/423GK101388413SQ20071015424
公開日2009年3月18日 申請日期2007年9月10日 優先權日2007年9月10日
發明者蔡桂澤, 許博文 申請人:奇美電子股份有限公司