晶片點反裝置的製作方法
2023-05-26 12:27:26
專利名稱:晶片點反裝置的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及對晶片在加工過程中的點反操作進行改進的裝置。
背景技術:
光伏二極體採用肖特基晶片製作,此種晶片對潔淨度要求較高,若有沾汙會對材料的波形曲線產生不良影響。目前的作業方式塑封站開模時開石墨船的下模,作業員將石墨船翻轉過來之後,將下模取下,焊接件留在上模中。在取走下模的過程中,散落的石墨粉會落到晶粒的N面,實驗證明石墨粉等雜質落到N面不會對材料波形造成不良影響,而P面沾汙則會造成材料波形不良。
實用新型內容本實用新型針對以上問題,提供了一種可以直接在石墨船的下模中將晶片取走的簡單、實用的晶片點反裝置。本實用新型的技術方案是包括具有支腳的石墨船,在石墨船表面開設有若干垂直貫穿所述石墨船本體的引線孔,還包括活動墊板,所述活動墊板設於所述石墨船本體的下部;所述活動墊板的兩端設斜坡,在所述活動墊板表面開設有若干道引線導料槽;所述引線導料槽與所述引線孔的位置對應,使得所述引線穿出所述引線孔後的底面能置於所述引線導料槽內。所述引線孔的上段孔徑大於下段孔徑,上段孔和下段孔之間錐面過渡。所述引線釘頭截面呈梯形,所述梯形長邊與所述引線孔大徑一致。本實用新型在石墨船下部增加了活動墊板,且在活動墊板上設置了引線導料槽, 使得引線能夠伴隨著墊板的左右移動而上下運動,這樣可以避免晶片碰著石墨船,同時保證了晶片可以焊接在釘頭中央,提高了工作效率,保證了產品質量,提高了成品率。
圖1是本實用新型的結構示意圖,圖2是圖1中3的俯視圖,圖3是本實用新型的工作狀態圖;圖中1是石墨船,11是支腳,12是引線孔,2是引線,21是引線釘頭,3是活動墊板, 31是引線導料槽。
具體實施方式
本實用新型如圖廣3所示,包括具有支腳11的石墨船1,在石墨船1表面開設有若干垂直貫穿所述石墨船1本體的引線孔12,還包括活動墊板3,所述活動墊板3設於所述石墨船本體的下部;所述活動墊板3的兩端設斜坡,在所述活動墊板3表面開設有若干道引線導料槽31 ;所述引線導料槽31與所述引線孔12的位置對應,使得所述引線2穿出所述引線孔12後的底面能置於所述引線導料槽31內。引線導料槽31是設在活動墊板3的頂面和兩個坡面,沿著活動墊板的軸向開設的。所述引線孔12的上段孔徑大於下段孔徑,上段孔和下段孔之間錐面過渡。所述引線釘頭21截面呈梯形,所述梯形長邊與所述引線孔12大徑一致。引線釘頭21截面設為梯形,避免了晶片與石墨船1接觸,保證了材料的性能。
權利要求1.晶片點反裝置,包括具有支腳的石墨船,在石墨船表面開設有若干垂直貫穿所述石墨船本體的引線孔,其特徵在於,還包括活動墊板,所述活動墊板設於所述石墨船本體的下部;所述活動墊板的兩端設斜坡,在所述活動墊板表面開設有若干道引線導料槽;所述引線導料槽與所述引線孔的位置對應,使得所述引線穿出所述引線孔後的底面能置於所述引線導料槽內。
2.根據權利要求1所述的晶片點反裝置,其特徵在於,所述引線孔的上段孔徑大於下段孔徑,上段孔和下段孔之間錐面過渡。
3.根據權利要求1或2的晶片點反裝置,其特徵在於,所述引線釘頭截面呈梯形,所述梯形長邊與所述引線孔大徑一致。
專利摘要晶片點反裝置。涉及對晶片在加工過程中的點反操作進行改進的裝置。提供了一種可以直接在石墨船的下模中將晶片取走的簡單、實用的晶片點反裝置。包括具有支腳的石墨船,在石墨船表面開設有若干垂直貫穿所述石墨船本體的引線孔,還包括活動墊板,所述活動墊板設於所述石墨船本體的下部;所述活動墊板的兩端設斜坡,在所述活動墊板表面開設有若干道引線導料槽;所述引線導料槽與所述引線孔的位置對應,使得所述引線穿出所述引線孔後的底面能置於所述引線導料槽內。在石墨船下部增加了活動墊板,且在活動墊板上設置了引線導料槽,使得引線能夠伴隨著墊板的左右移動而上下運動,保證了晶片可以焊接在釘頭中央,提高了工作效率,提高了成品率。
文檔編號H01L21/67GK202332806SQ20112045280
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月16日 優先權日2011年11月16日
發明者陳小華 申請人:揚州揚傑電子科技股份有限公司