半導體器件製備過程中光阻的去除方法
2023-06-12 17:46:56 1
專利名稱：半導體器件製備過程中光阻的去除方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件製備過程中光阻的去除方法。
背景技術：
在半導體器件製備過程中，需要提供光阻(Photo Resistor，PR)，以便在晶片製造時進行離子注入(implant)工藝。離子注入完成後，去除光阻，然後進行後續步驟。請參閱圖1，現有技術的半導體器件製備過程中光阻的去除方法包括如下步驟提供一襯底11 ； 在所述襯底11的表面形成柵氧化層(gate oxidation) 12 ；在所述柵氧化層12的表面形成光阻圖案13 ；以所述光阻圖案13為掩膜向所述襯底11內注入離子，所述襯底11內形成離子注入區14 ；採用等離子體灰化(plasma ashing)的方法清洗所述光阻圖案13 ；溼法剝離 (wet strip)所述光阻圖案13。然而，在採用等離子體灰化的方式清洗所述光阻圖案13的同時，也會對所述柵氧化層12造成破壞，從而影響半導體器件的性能。
發明內容
本發明的目的在於提供一種半導體器件製備過程中能夠避免柵介電層損壞的光阻的去除方法。一種半導體器件製備過程中光阻的去除方法，包括如下步驟提供一襯底；在所述襯底的表面形成柵介電層；在所述柵介電層的表面形成光阻圖案；以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內注入離子；採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗；溼法剝離所述光阻圖案。上述方法優選的一種技術方案，所述稀釋溶劑包括丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯。上述方法優選的一種技術方案，所述稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的過程在紫外光光阻顯影機中進行。上述方法優選的一種技術方案，剝離所述光阻圖案後，在所述柵介電層的表面形成多晶矽柵極。上述方法優選的一種技術方案，所述柵介電層為二氧化矽層。上述方法優選的一種技術方案，所述異甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇異甲基醚酯的體積比為7 3。上述方法優選的一種技術方案，採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的時間長度為1分鐘。與現有技術相比，本發明的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，在向襯底離子注入後，採用稀釋溶劑對光阻圖案進行溼法清洗，從而避免傳統的等離子體灰化光阻過程中對柵介電層造成的破壞，有利於提高半導體器件的性能。
圖1是現有技術的半導體器件製備過程中向襯底離子注入的示意圖。圖2是本發明的半導體器件製備過程中光阻的去除方法的流程圖。
具體實施方式
本發明的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，在向襯底離子注入後，採用稀釋溶劑(thinner solvent)對光阻圖案進行清洗，從而避免因採用等離子體灰化的方式清洗光阻圖案而造成的柵介電層的破壞，有利於提高半導體器件的性能。為使本發明的目的、 技術方案和優點更加清楚，下面結合附圖對本發明作進一步的詳細描述。請參閱圖2，圖2是本發明的半導體器件製備過程中光阻的去除方法的流程圖。本發明的半導體器件製備過程中光阻的去除方法包括如下步驟提供一襯底。所述襯底可以是N型襯底或者P型襯底或者其他任何本領域公知類型的襯底。在所述襯底的表面形成柵介電層。所述柵介電層可以為二氧化矽層或者其他任何本領域公知類型的柵介電層。優選的，在形成所述柵介質層前，可以先對所述襯底進行預清洗(Pre-Clean)。在所述柵介電層的表面形成光阻圖案。可以採用現有技術的方法形成所述光阻圖案，如光阻塗覆(coating)、微影(Lithography)、顯影(Developing)、光刻等步驟，在此不再贅述。以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內注入離子。優選的，可以通過向所述襯底內注入離子，改變半導體器件溝道的摻雜濃度，從而達到調整閾值電壓的目的。優選的，所述注入的離子可以為硼離子。採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行溼法清洗。優選的，所述稀釋溶劑包括異甲基醚丙二醇(methyl ether propylene glycol)和乙酸丙二醇異甲基醚酯(Acetic propanediol methyl ether ester)，所述異甲基醚丙二醇與所述乙酸丙二醇異甲基醚酯的體積比為7 3。優選的，採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行溼法清洗的時間為1分鐘。該清洗過程可以在紫外光光阻顯影機中進行，如在深紫外光光阻顯影機(DUV track tool)或者中紫外光光阻顯影機(MUV track tool)中進行。所述稀釋溶劑也可以為晶邊清洗(EBR) 過程中使用的洗邊劑。溼法剝離所述光阻圖案。該過程可以採用現有技術的光阻剝離方法，在此不再贅述。在所述柵介電層的表面形成多晶矽柵極。優選的，在形成所述多晶矽柵極前，對所述柵介電層表面進行預清洗。與現有技術相比，本發明的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，在向襯底離子注入後，採用稀釋溶劑對光阻圖案進行溼法清洗，從而避免傳統的等離子體灰化光阻過程中對柵介電層造成的破壞，有利於提高半導體器件的性能。在不偏離本發明的精神和範圍的情況下還可以構成許多有很大差別的實施例。應當理解，除了如所附的權利要求所限定的，本發明並不限於在說明書中所述的具體實施例。
權利要求
1.一種半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，包括如下步驟提供一襯底；在所述襯底的表面形成柵介電層；在所述柵介電層的表面形成光阻圖案；以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內注入離子；採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗；溼法剝離所述光阻圖案。
2.如權利要求1所述的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，所述稀釋溶劑包括異甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇異甲基醚酯。
3.如權利要求2所述的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，所述異甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇異甲基醚酯的體積比為7 3。
4.如權利要求1所述的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的時間長度為1分鐘。
5.如權利要求1所述的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗的過程在紫外光光阻顯影機中進行。
6.如權利要求1所述的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，剝離所述光阻圖案後，在所述柵介電層的表面形成多晶矽柵極。
7.如權利要求1所述的半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，所述柵介電層為二氧化矽層。
全文摘要
本發明涉及一種半導體器件製備過程中光阻的去除方法，其特徵在於，包括如下步驟提供一襯底；在所述襯底的表面形成柵介電層；在所述柵介電層的表面形成光阻圖案；以所述光阻圖案為掩膜向所述襯底內注入離子；採用稀釋溶劑對所述光阻圖案進行清洗；溼法剝離所述光阻圖案。本發明的光阻的去除方法，能夠避免光阻去除過程中對柵介電層造成的破壞，有利於提高半導體器件的性能。
文檔編號H01L21/3105GK102254810SQ201110187080
公開日2011年11月23日 申請日期2011年7月5日 優先權日2011年7月5日
發明者倪紅松, 孫賢波, 胡學清 申請人:上海宏力半導體製造有限公司