去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻的製作方法

2023-06-11 11:29:36 3

專利名稱：去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻的製作方法
技術領域：
去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻技術領域[0001]本實用新型涉及矽晶太陽能電池片領域，具體來說涉及去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻。
背景技術：
[0002]「PSG」 (磷矽玻璃)的形成是在擴散過程中發生如下反應後得到的[0003]P0C13 (三氯氧磷)分解產生的P205澱積在矽片表面，P205與Si反應成Si02和磷原子，這樣就在矽片表面形成一層含有磷元素的Si02，稱之為磷矽玻璃。[0004]去除PSG的目的[0005]1、磷矽玻璃的存在使得矽片在空氣中容易受潮，導致電流的降低和功率的衰減。[0006]2、死層的存在大大增加了發射區電子的複合會導致少子壽命的降低，進而降低了 VOC 禾口 ISC[0007]3、磷矽玻璃的存在使得PECVD後產生色差。[0008]去PSG是利用氫氟酸能夠溶解二氧化矽與矽和矽化合物的特性去除的，[0009]氫氟酸能夠溶解二氧化矽是因為氫氟酸能與二氧化矽作用生成易揮發的四氟化矽氣體。反應方程式為Si02+4HFSiF4丨+2H20[0010]若氫氟酸過量，反應生成的四氟化矽會進一步與氫氟酸反應生成可溶性的絡和物六氟矽酸。[0011]總反應式為Si&+6HF— H2[SiF6]+2H20[0012]參見圖1，「方塊電阻」是指N型矽區域100中單位面積上的阻值。N型矽區域100 與P型矽區域200所連接的點稱為PN結300。在N型矽區域100的外表面設置有磷矽玻璃層400。PN結越深方塊電阻越低，反之則越高。現有的方塊電阻比較低，方塊電阻低於正常值的7 8個歐姆(去磷矽玻璃前)，低於工藝所要求的範圍之外，在去磷矽玻璃時，返工比例較高。實用新型內容[0013]本實用新型的目的在於提供一種去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻，以降低返工比例。[0014]為了實現上述目的，本實用新型的技術方案如下[0015]去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻，包括設置在P型矽區域和磷矽玻璃層之間的N型矽區域，其特徵在於，所述N型矽區域的厚度彡lum。[0016]進一步，所述N型矽區域的厚度為0.7um。[0017]與現有技術相比，本實用新型的方塊電阻值提高，有利於解決由於返工片引起的效率偏低的問題。降低生產成本，更加高效利用去磷矽玻璃清洗液。[0018]本實用新型的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。


[0019]圖1為本實用新型的示意圖。
具體實施方式
[0020]為了使本實用新型實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結合具體實施例進一步闡述本實用新型。[0021]如圖1所示，去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻，包括設置在P型矽區域200和磷矽玻璃層400之間的N型矽區域100，N型矽區域100的彡lum。[0022]進一步，在本實施例中，N型矽區域的厚度為0. 7um。[0023]與現有技術相比，本實用新型的方塊電阻值提高，有利於解決由於返工片引起的效率偏低的問題。降低生產成本，更加高效利用去磷矽玻璃清洗液。[0024]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特徵和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和範圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型的範圍內。本實用新型要求的保護範圍由所附的權利要求書及其等同物界定。
權利要求1.去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻，包括設置在P型矽區域和磷矽玻璃層之間的N型矽區域，其特徵在於，所述N型矽區域的厚度彡lum。
2.根據權利要求1所述的去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻，其特徵在於，所述N型矽區域的厚度為0. 7um。
專利摘要本實用新型公開了一種去磷矽玻璃控制擴散方塊電阻，包括設置在P型矽區域和磷矽玻璃層之間的N型矽區域，所述N型矽區域的厚度≤1μm；與現有技術相比，本實用新型的方塊電阻值提高，有利於解決由於返工片引起的效率偏低的問題。降低生產成本，更加高效利用去磷矽玻璃清洗液。
文檔編號H01L31/0352GK202307915SQ201120424859
公開日2012年7月4日 申請日期2011年10月31日 優先權日2011年10月31日
發明者黃興 申請人:上海索日新能源科技有限公司