感應加熱裝置及感應加熱方法
2023-12-10 20:29:02 2
專利名稱：感應加熱裝置及感應加熱方法
技術領域：
本發明涉及感應加熱裝置及感應加熱方法，尤其涉及適合於進行被加熱物的均等加熱的情況的感應加熱裝置及感應加熱方法。
背景技術：
在半導體加熱的領域投入了感應加熱技術後，快速的晶片加熱不斷加速。近年來，成為加熱對象的晶片的大直徑化引人注目，在大的晶片中達到300φ的成為現狀。如專利文獻I所示，這種的大直徑晶片通常採用通過沿用於加熱晶片的發熱體即基座的面配置的感應加熱線圈一枚一枚地進行加熱的所謂的單片型的加熱方式。與之相對，為了實現熱處理的效率化，如圖11所示，理想是使用了螺線管線圈(solenoid coil)等側面配置型的感應加熱線圈2的採用所謂批量型(batch-type)的加熱方式的感應加熱裝置I。但是，在經由側面配置型的感應加熱線圈2加熱大型晶片時，通過表皮效果的影響，基座3外緣側的發熱量變多，中心部側的發熱量變少。因此，晶片4不能被均等加熱，難以實用化。另外，圖12是表示現有的感應加熱裝置I採用的基座(susceptor)的結構的圖，通過例如石墨等單一構件構成。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:特開2006-278150號公報
發明內容
發明要解決的課題如上所述，就單片型的加熱方式和批量型的加熱方式來說，兩者都具有優點和缺點。因此，在進行熱處理時，根據重視該熱處理的質量、還是重視效率而進行加熱裝置的選擇。但是，實質上難以將大型晶片用批量型的加熱方式進行熱處理。在本實施方式中，為解決上述問題，其目的在於提供這樣的感應加熱裝置及感應加熱方法，在大直徑化的晶片的加熱中採用批量型的加熱方式，且能夠進行高精度的均等加熱。用於解決課題的方案用於實現上述目的的本發明的感應加熱裝置，通過由螺線管線圈產生的磁通來加熱被感應加熱構件，通過該被感應加熱構件的發熱來加熱被加熱構件，其特徵在於，使多個被感應加熱構件散布配置成主面垂直於所述螺線管線圈的軸心方向上。另外，在具有所述特徵的感應加熱裝置中，優選在通過具備透磁性及熱傳遞性的構件構成的一個支架中容納所述被感應加熱構件而構成發熱體。通過具有這種特徵，在發熱體的板面上構成使從感應加熱線圈產生的磁通透過的通道。由此，即使在層疊配置了發熱體的情況下，也能夠使磁通到達發熱體的中央部附近。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，優選使所述被感應加熱構件為圓形，使其以所述支架的中心為基點放射狀地散布。通過具有這種特徵，能夠使發熱體的發熱分布穩定。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，優選越配置於所述支架的中心的被感應加熱構件，其直徑越大於配置於所述支架的外周側的被感應加熱構件的直徑。通過具有這種特徵，可通過對感應加熱線圈供給的電流的頻率的高低，使發熱體面內的發熱比率變化。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，優選越配置於所述支架的中心的被感應加熱構件，其厚度越厚於配置於所述支架的外周側的被感應加熱構件的厚度。通過具有這種特徵，可以改變發熱體面內的熱容量。因此，通過提高難以發熱的中心部的熱容量，有利於均等加熱。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，也可以在所述圓形的被感應加熱構件各自的中心部形成貫通孔，使各被感應加熱構件的形狀為環狀。通過具有這種特徵，能夠增加磁通的透過路徑。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，也可以在所述支架的中心配置圓形的被感應加熱構件，在該圓形的被感應加熱構件的周圍配置多個扇形的被感應加熱構件。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，也可以使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件，所述第I被感應加熱構件在向所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。另外，為實現所述目的，本發明的感應加熱裝置，其通過由螺線管線圈產生的磁通來加熱被感應加熱構件，通過該被感應加熱構件的輻射熱來加熱晶片，其特徵在於，使配置的被感應加熱構件配置成主面垂直於所述螺線管線圈的軸心方向，在該被感應加熱構件上形成薄壁部和厚壁部，在由具備透磁性及熱傳遞性的構件構成的支架中容納所述被感應加熱構件而構成發熱體。另外，在具有所述的特徵的感應加熱裝置中，優選在所述圍繞空間中平行地配置多個所述發熱體。另外，為實現所述目的的本發明的感應加熱方法，其向螺線管線圈輸入電流，加熱配置於所述螺線管線圈的圍繞區域的發熱體從而進行被加熱構件的加熱，其特徵在於，將可均等加熱所述發熱體的電流頻率作為基準頻率，在對所述螺線管線圈輸入了頻率低於所述基準頻率的電流的情況下加熱所述發熱體的中央，在對所述螺線管線圈輸入了頻率高於所述基準頻率的電流的情況下加熱所述發熱體的外周，並進行所述晶片的溫度控制。另外，在具有所述的特徵的感應加熱方法中，也可以在所述螺線管線圈的圍繞區域平行地配置多個所述發熱體，沿所述發熱體的配置方向分割所述螺線管線圈，使對所分割的各螺線管線圈輸入的電流的頻率及相位一致，控制對所述各螺線管線圈輸入的電流。根據具有這種特徵，可避免在鄰接配置的感應加熱線圈間產生的互感的影響，進行對感應加熱線圈的供給電流的控制。發明效果根據具有所述的特徵的感應加熱裝置及方法，即使在在大直徑化的晶片的加熱中採用了批量型的加熱方式的情況下，也能夠進行高精度的均等加熱。
圖1是表示第I實施方式的感應加熱裝置的正面結構的框圖。圖2是表示第I實施方式的感應加熱裝置採用的基座的結構的平面圖。圖3是表不基座的第I應用形態的平面圖。圖4是表不基座的第2應用形態的平面圖。圖5是表不基座的第3應用形態的平面圖。圖6是表不基座的第4應用形態的平面圖。圖7是表不第4應用形態的基座的平面圖。圖8是表示第2實施方式的感應加熱裝置的正面結構的框圖。圖9是用於說明第2實施方式的感應加熱裝置的電源部分的結構的圖。圖10是用於說明在第2實施方式的感應加熱裝置中，採用了串聯諧振逆變器作為逆變器的情況的例的圖。圖11是表示採用了現有的批量型的加熱方式的感應加熱裝置的結構的正面圖。圖12是表示現有的感應加熱裝置所採用的基座平面結構的圖。標號說明10.........感應加熱裝置、12.........基座、14 (14a，14b，14c).........被感
應加熱構件、16.........支架、18.........感應加熱線圈、20.........電源部分
具體實施例方式以下，參照附圖詳細地說明本發明的感應加熱裝置、以及感應加熱方法的實施方式。首先，參照圖1、圖2，對本發明的感應加熱裝置的第I實施方式，參照附圖並詳細地說明。這裡，圖1是表示本實施方式的感應加熱裝置的正面結構的框圖。另外，圖2是表示構成感應加熱裝置的基座的平面結構的圖。本實施方式的感應加熱裝置10至少具有作為發熱體的基座12、感應加熱線圈18及電源部分20。本實施方式的基座12為由被感應加熱構件14 (14a 14c)和支架16構成的圓形平板，載置被加熱物即半導體晶片(以下僅稱為晶片40)，通過熱傳遞、及熱傳導作用，承擔加熱所載置的晶片40的作用。被感應加熱構件14隻要是具備耐熱性、及導電性的電阻構件即可，例如為由石墨等構成的圓形平板。在本實施方式的情況下，通過被感應加熱構件14相比基座12由小徑的圓板構成，使其散布於支架16內，由此構成基座12。支架16隻要是具備耐熱性及透磁性的熱傳導率高的構件即可，例如由SiC等構成，通過塗敷散布配置的被感應加熱構件14而成為支架16的主體。SiC的熱傳導率高，因此，即使在散布了被感應加熱構件14的情況下，也不會發生起因於此的發熱分布的偏向。另外，各被感應加熱構件14被配置成主面相對於詳細後述的感應加熱線圈18的卷繞中心(軸心方向)正交。由此，磁通垂直地輸入被感應加熱構件14的主面，渦電流相對於被感應加熱構件14的板面平行地被激勵。因此，發熱效率良好。在本實施方式的情況下，如圖2所示，使用直徑不同的多個被感應加熱構件14構成基座12。具體而言，在具有大、中、小的三種直徑的被感應加熱構件14中，在中心配置直徑「大」的被感應加熱構件14a，在其周圍放射狀地配置直徑「中」的被感應加熱構件14b。進而在配置了直徑「中」的被感應加熱構件14b的外周放射狀地配置直徑「小」的被感應加熱構件14c。這裡，在使基座12的直徑為300(的情況下，例如可以使直徑「大」的被感應加熱構件14a的直徑為50tp，使直徑「中」的被感應加熱構件14b的直徑為30(p，使直徑「小」的被感應加熱構件14c的直徑為20(p等。被感應加熱構件14因電流浸透深度S或對感應加熱線圈18供給的電流值、及頻率而發熱量Q不同，一般而言，電流頻率越低，直徑大的被感應加熱構件的發熱效率(發熱密度)越高，電流頻率越高，直徑小的被感應加熱構件的發熱效率越高。因此，如上述，通過將直徑不同的被感應加熱構件從中心朝向外緣配置多個，根據電流頻率的設定，可選擇基座面內的有效加熱部位。另外，設為大、中、小的被感應加熱構件的數，以使配置了各被感應加熱構件的區域的發熱分布均等來決定各自的數量、配置均衡即可。另外，在本實施方式中，通過在層疊方向配置多個這樣構成的基座12，採用批量型的加熱方式。感應加熱線圈18在本實施方式的情況下，採用以圍繞上述層疊配置的多個基座12卷繞的、所謂的螺線管型的線圈。在採用了這樣配置的感應加熱線圈18的情況下，如圖1所示，通過對感應加熱線圈18供給電力而產生的磁通沿著基座12的層疊方向。由感應加熱線圈18產生的磁通通過透過構成基座的導電性電阻構件(例如石墨)時的電阻而衰減。因此，在使用了現有的基座的情況下，層疊配置的基座的中心附近的電磁感應的加熱不充分。與之相對，在本實施方式中，使通過導電性電阻構件構成的被感應加熱構件14散布在由透磁性構件構成的支架16內，因此，能夠在基座12的內部區域形成磁通的透過路徑。因此，散布於支架16內的被感應加熱構件14各自的外緣部分的加熱比率提高，作為結果，能夠改善層疊配置的基座12整體的面內發熱分布。作為實施方式的感應加熱線圈18的優選的形態，可以設為具備通過由具有耐熱性的導電性構件構成的外輪廓、可插通冷卻構件的內部空間的構件(例如空心銅管)。通過成為這種結構,通過由電磁感應在基座12中產生的熱的輻射，能夠防止感應加熱線圈18本身被過加熱。另外，優選在感應加熱線圈18的外周包覆耐熱性絕緣構件。通過這種結構，能夠防止意想不到的接觸造成的短路。電源部分20至少具有可進行供給電流的控制的逆變器(inverter)和對該逆變器供給電力的電源(對於逆變器和電源之間的關係，在第2實施方式中說明:參照圖9、圖10)。作為逆變器，也可以採用除了諧振型的逆變器之外的非諧振型的逆變器。列舉具體的實例時，作為諧振型的逆變器，可以列舉串聯諧振型逆變器。另外，作為非諧振型的逆變器，可以列舉PWM(Pulse Width Modulation ;脈寬調製)逆變器。作為電源，可採用交流電源。具體而言，可以列舉三相交流電源等。另外，採用了串聯諧振型逆變器作為逆變器的情況下，優選在電源和逆變器間設置轉換器及斬波器(chopper)。另外,轉換器(converter)承擔將從三相交流電源供給的交流電流整流為直流電流的功能。斬波器承擔調整通過轉換器整流的直流電流的電壓的功能。通過成為這種結構，在串聯諧振型逆變器中，只要承擔進行以預先規定的諧振頻率輸出的電流的調整的功能即可。另一方面，在採用了 PWM逆變器的情況下，在電源和逆變器之間，可以至少設置轉換器。這裡，與採用了串聯諧振型逆變器的情況下同樣，轉換器承擔進行從交流電流向直流電流的變換的功能。PWM逆變器承擔將從轉換器輸出的直流電流變換為交流電流，並對感應加熱線圈供給的功能。這裡，PWM逆變器通過將輸入的直流電流通過通/斷(ON.0FF)控制而構成交流電流，同時通過與作為指令頻率賦予的信號對應的正弦波狀地輸出由各脈衝寬度的佔空比確定的等效電壓，從而能夠調整頻率和電壓。另外，本實施方式中使用的PWM逆變器也可以進行電流調整。根據具有這種結構的感應加熱裝置10，即使在以批量型的加熱方式加熱大直徑化的晶片40的情況下，也能夠進行均等加熱。另外，在使用這種構成的感應加熱裝置10進行晶片40的加熱的情況下，也可以預先調查可均等加熱直徑「大」、直徑「中」、直徑「小」的被感應加熱構件14的電流頻率，將通過該調查獲得的電流的頻率作為基準頻率進行運轉。只要具有這種基準頻率，通過使對感應加熱線圈18輸入的電流的頻率低於基準頻率，就能夠提高基座12的中央部側的加熱比率。另一方面，通過使對感應加熱線圈18輸入的電流的頻率高於基準頻率，能夠提高基座12的外周部側的加熱比率，通過輸入的電流頻率的控制，可控制作為加熱對象的晶片40的面內溫度分布。另外，在上述實施方式中，構成基座的被感應加熱構件14的形態為圓板型。但是，如圖3所示，也可以使被感應加熱構件14d的結構為環狀。通過使被感應加熱構件14d的結構成為這樣的形狀來構成基座12a，由此增加來自感應加熱線圈18的磁通的透過路徑，能夠進一步抑制被感應加熱構件14d內的溫度分布的偏向。另外，在實施方式中，表示了被感應加熱構件14的厚度全部相等。但是，被感應加熱構件14的厚度也可以根據其類別變更。例如，從配置於中央部的大直徑的被感應加熱構件14a到配置於外緣側的小徑的被感應加熱構件14c，也可以使其厚度逐漸變薄那樣來構成。通過成為這種結構，能夠得到磁通難以到達的中央部的發熱量，能夠有助於作為基座12整體的均熱化。另外，理所當然，在單一的被感應加熱構件14內，也可以以具有厚壁部和薄壁部那樣來構成。在該情況下，可以使各被感應加熱構件14的中心為厚壁，使外周側為薄壁。另外，在上述實施方式中，支架16的形態為圓板型。與之相對,基座12b的外形形狀也可以是圖4所示的矩形形狀。在使基座12b為這種形態的情況下，有利於進行例如用於太陽能電池的晶片的矩形晶片的外延生長時的均等加熱。另外，在使基座12c的外觀形狀為矩形形狀的情況下，如圖5所示，也可以使配置於構成矩形的四角的被感應加熱構件He的平面形態為扇型。在感應加熱中，磁通有在邊緣部分集中的特性。因此，通過在矩形基座12c的四角上配置使邊緣朝向矩形的頂點部分的扇形的被感應加熱構件He，能夠抑制放熱量多的頂點部分(四角)的發熱降低。另外，作為基座的其它的參考形態，可以列舉圖6、圖7所示的結構。具體而言，在以基座12d同等大小構成的薄壁的被感應加熱構件14f (例如石墨)和與形成為該薄壁的被感應加熱構件Hf的晶片40載置面相反側的面上，配置上述的直徑「大」、直徑「中」、直徑「小」的厚壁的被感應加熱構件14a 14c。這裡，被感應加熱構件14f的厚度也可以減薄至不妨礙沿基座12d的層疊方向透過的磁通的流動的程度。即使在這種結構的情況下，也能夠獲得與上述實施方式記載的基座12同樣的效果。下面，參照圖8、圖9詳細地說明本發明的感應加熱裝置的第2實施方式。這裡，圖8是表示本實施方式的感應加熱裝置的正面結構的框圖，圖9是用於說明電源部分的具體的結構的框圖。本實施方式的感應加熱裝置IOa的基本結構與上述的第I實施方式的感應加熱裝置10是同樣的。因此，對該功能相同的部位，在圖面上附加同一標號而省略詳細的說明。作為與第I實施方式的感應加熱裝置10間的不同點，存在比第I實施方式的感應加熱裝置10又增加了基座12的層疊數這一點、及與基座12的層疊數增加相一致，增加圍繞該基座12的感應加熱線圈18的數這一點。在圖8、圖9所示的例子中，與基座12的層疊方向相一致，近接配置三個感應加熱線圈18a、18b、18c。換言之，本實施方式的感應加熱線圈18a、18b、18c可以說是將一個感應加熱線圈沿基座12的層疊方向分為三個的形態。這裡，在近接配置了多個感應加熱線圈18a、18b、18c的情況下，通過相鄰感應加熱線圈18a、18b、18c間的互感的影響，有時難以控制從電源部分20供給的電流。於是，在本實施方式的感應加熱裝置IOa中，在電源部分20具備相位控制部分28，並且，設為相對於各感應加熱線圈18a、18b、18c分別單獨地連接有逆變器26a、26b、26c的結構。另外，圖9所示的形態表示採用了 PWM逆變器作為逆變器26a、26b、26c時的例子。相位控制部分28檢出從逆變器26a、26b、26c向感應加熱線圈18a、18b、18c輸出的電流，使該電流的頻率一致，同時檢出該輸出電流的相位，承擔控制的功能，以使從各逆變器26a、26b、26c輸出的電流的相位差保持零或預先確定的相位差。另外，電流相位的調整隻要通過使輸出電流的頻率瞬時地變化來進行即可。通過成為這種結構，即使在增加基座12的層疊數的情況下，也能夠進行在層疊方向上分割的各感應加熱線圈18a、18b、18c的加熱區域單位的溫度分布控制。在上述實施方式中，對於逆變器26(26a、26b、26c)以PWM逆變器為主體進行了說明。與之相對，在使逆變器為串聯諧振型的情況下，只要是圖10所示的形態即可。S卩，對於各感應加熱線圈18a、18b、18c連接逆變器26al、26bl、26cl及斬波器27a、27b、27c。各斬波器27a、27b、27c進行連接，以使其對於連接到電源22的轉換器24為並聯。在各逆變器26al、26bl、26cl中，成為並聯地配置，以使諧振電容器32串聯連接，並通過開關30等可選擇性切換的結構，該諧振電容器使均等加熱用的基準頻率、外周部側加熱用的高頻率、以及與中央部加熱用的低頻率分別對應的頻率相匹配。通過成為這種結構，即使在將逆變器替換為PWM逆變器而成為串聯諧振型逆變器26al、26bl、26cl的情況下，也能夠具備同樣的效果。
權利要求
1.一種感應加熱裝置，通過由螺線管線圈產生的磁通來加熱被感應加熱構件，通過該被感應加熱構件的發熱來加熱被加熱構件，其特徵在於， 使多個被感應加熱構件散布配置成主面垂直於所述螺線管線圈的軸心方向。
2.如權利要求1所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在由具備透磁性及熱傳遞性的構件構成的一個支架中容納所述被感應加熱構件而構成發熱體。
3.如權利要求2所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使所述被感應加熱構件為圓形，使其以所述支架的中心為基點放射狀地散布。
4.如權利要求3所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 越配置於所述支架的中心的被感應加熱構件，其直徑越大於配置於所述支架的外周側的被感應加熱構件的直徑。
5.如權利要求3 所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 越配置於所述支架的中心的被感應加熱構件，其厚度越厚於配置於所述支架的外周側的被感應加熱構件的厚度。
6.如權利要求4所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 越配置於所述支架的中心的被感應加熱構件，其厚度越厚於配置於所述支架的外周側的被感應加熱構件的厚度。
7.如權利要求3所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在所述圓形的被感應加熱構件各自的中心部形成貫通孔，使各被感應加熱構件的形狀為環狀。
8.如權利要求4所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在所述圓形的被感應加熱構件各自的中心部形成貫通孔，使各被感應加熱構件的形狀為環狀。
9.如權利要求5所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在所述圓形的被感應加熱構件各自的中心部形成貫通孔，使各被感應加熱構件的形狀為環狀。
10.如權利要求6所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在所述圓形的被感應加熱構件各自的中心部形成貫通孔，使各被感應加熱構件的形狀為環狀。
11.如權利要求2所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在所述支架的中心配置圓形的被感應加熱構件，在該圓形的被感應加熱構件的周圍配置多個扇形的被感應加熱構件。
12.如權利要求3所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
13.如權利要求4所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
14.如權利要求5所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感 應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
15.如權利要求6所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
16.如權利要求7所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
17.如權利要求8所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
18.如權利要求9所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率時，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
19.如權利要求10所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率的情況下，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
20.如權利要求11所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 使配置於所述發熱體的中心側的被感應加熱構件為第I被感應加熱構件，使配置於所述發熱體的外周側的被感應加熱構件為第2被感應加熱構件， 所述第I被感應加熱構件在對所述螺線管線圈輸入的電流頻率低於所述第2被感應加熱構件的電流頻率時，能夠獲得高於所述第2被感應加熱構件的發熱密度。
21.—種感應加熱裝置，其通過由螺線管線圈產生的磁通來加熱被感應加熱構件，通過該被感應加熱構件的輻射熱來加熱晶片，其特徵在於， 使配置的被感應加熱構件配置成主面垂直於所述螺線管線圈的軸心方向， 在該被感應加熱構件上形成薄壁部和厚壁部， 在由具備透磁性及熱傳遞性的構件構成的支架中容納所述被感應加熱構件而構成發熱體。
22.如權利要求2 權利要求21中任一項所述的感應加熱裝置，其特徵在於， 在所述圍繞空間中平行地配置多個所述發熱體。
23.—種感應加熱方法，其向螺線管線圈輸入電流，加熱配置於所述螺線管線圈的圍繞區域的發熱體從而進行被加熱構件的加熱，其特徵在於， 將可均等加熱所述發熱體的電流頻率作為基準頻率， 在對所述螺線管線圈輸入了頻率低於所述基準頻率的電流的情況下加熱所述發熱體的中央，在對所述螺線管線圈輸入了頻率高於所述基準頻率的電流的情況下加熱所述發熱體的外周， 並進行所述晶片的溫度控制。
24.如權利要求23所述的感應加熱方法，其特徵在於， 在所述螺線管線圈的圍繞區域平行地配置多個所述發熱體， 沿所述發熱體的配置方向分割所述螺線管線圈， 使對所分割的各螺線管線圈輸入的電流的頻率及相位一致， 控制對所述各螺線管線圈輸入的電流。
全文摘要
本發明提供感應加熱裝置，其在大直徑化的晶片的加熱中採用批量型的加熱方式，且能夠進行高精度的均等加熱。感應加熱裝置(10)，其通過由螺線管型的感應加熱線圈(18)產生的磁通來加熱被感應加熱構件，通過該被感應加熱構件的發熱來加熱晶片(40)，其特徵在於，使多個被感應加熱構件(14(14a、14b、14c))散布配置成主面垂直於感應加熱線圈(18)的軸心方向。在具有這種特徵的感應加熱裝置(10)中，在由具備透磁性及熱傳遞性的構件構成的一個支架(16)中容納被感應加熱構件(14)而構成基座(12)。
文檔編號H05B6/36GK103155698SQ201180046429
公開日2013年6月12日 申請日期2011年8月31日 優先權日2010年12月24日
發明者內田直喜 申請人:三井造船株式會社