一種生化測試片的製備工藝的製作方法

2023-07-25 04:59:21

本發明生化測試技術領域，具體涉及一種生化測試片的製備工藝。

背景技術：

目前一般使用絲網印刷法的生化測試片的精準度只能達到20％，很難達成ISO15197：2013規範的15％精度要求，而且絲印法的批次一致性不佳、產品長時間的穩定性也不好。另外，也有廠商在高階的生化試片，使用黃金鍍層當導電層與反應層電極，試片可以達到精度要求，也具備高穩定性與一致性，但是黃金電極的靶材極其昂貴，而且不容易蝕刻，一般常用雷射雕刻出線路，生產效率較低，黃金鍍層也無法回收，其他也有使用Lift-off製程，雖然可以回收部分黃金，但是經過貼膜、UV光照、脫膜後的基材，表面再進行黃金濺鍍，其金鍍層附著力就會大大降低。

要達成高精度、低成本的要求，一定要在材料上使用低價的金屬電極、製程上運用精度高的光蝕刻製程，來提高試片製作精度、降低金屬電極的成本、同時也提高量產的效率。本發明由此而來。

技術實現要素：

本發明的目的在於提供一種生化測試片的製備工藝，可以在低成本的情況下達成高精度的要求，並且具有阻止測試液擴散的中隔層，可以更精準的控制反應液體量。

為實現上述發明目的，本發明採用了如下技術方案：

提供一生化測試片原材，所述生化測試片原材包括：

一基材；

一金屬氧化物反應層，其附著於所述基材的表面；

一金屬電極層，其附著於所述金屬氧化物反應層上；

所述製備工藝包括如下步驟：

步驟一，利用黃光蝕刻製程工藝在所述生化測試片原材表面貼合幹膜，經過曝光、顯影、蝕刻和剝膜工藝，製備出所述金屬電極層的圖案；

步驟二，利用黃光蝕刻製程工藝在所述金屬電極層上貼合幹膜，經過曝光、顯影、蝕刻和剝膜工藝，製備出所述金屬氧化物反應層的圖案；

步驟三，在所述金屬電極層和金屬氧化物反應層上貼合幹膜，經過曝光、顯影和剝膜工藝，製備出所述中隔層的圖案，所述中隔層由曝光的幹膜構成，用於防止測試液擴散，更精準的控制反應液體量。

進一步的，所述黃光蝕刻製程工藝具體包括：1、在所需要製備圖案的層上貼合幹膜；2、曝光所需製備圖案區域的幹膜；3、清洗和剝除未曝光的幹膜；4、利用蝕刻液蝕刻出所需製備的圖案；5、清洗和剝除剩餘的幹膜。

優選的，所述基材的材質包括PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)，厚度為0.2mm～0.4mm。

優選的，所述金屬氧化物反應層的材質包括ITO(氧化銦錫)，厚度為0.01μm～0.04μm。

優選的，所述金屬電極層的材質包括銅或者銅鎳合金或者銅鎳鈦合金，厚度為0.1μm～0.4μm，導電率為0.1Ω/□～1Ω/□。

利用上述製備工藝製備出的所述生化測試片的結構：

一基材；

一金屬氧化物反應層，其附著於所述基材的表明；

一金屬電極層，其設置於所述金屬氧化物反應層上；

一中隔層，其部分覆蓋於所述金屬電極層上，所述中隔層為厭水性幹膜光阻材料，用於防止測試液擴散，更精準的控制反應液體量。

本發明使用先進的卷對卷黃光製程製作出精密的生化測試片，可以符合ISO15197：2013從2016年6月起的新要求。反應區材料穩定，不會隨儲存時間拉長而產生變異，造成量測不準確。使用全線黃光製程，產能大、效率高。中隔層以黃光製程慣用的厭水性幹膜光阻製作，省去大量人工進行裁切、對位、貼合費用，降低成本，提高產品良率與量測精度。產品一致性高，免用Code Key，降低成本，使用者操作便利，防止因不當操作造成量測誤差。

有益效果：

本發明所述生化測試片的製備工藝，完全使用黃光蝕刻製程來製作生化測試片中對精度要求較高的區域，可以在低成本的情況下達成高精度的要求，並且具有阻止測試液擴散的中隔層，可以更精準的控制反應液體量，導線材料使用低價的金屬電極，來降低黃金電極的成本，反應區材料使用穩定的金屬氧化物電極，可以提升電極的長期穩定性，不會隨時間拉長而產生變異，造成量測不準。而且中隔層以黃光製程慣用的厭水性幹膜光阻製作，省去大量人工進行裁切、對位、貼合費用，降低成本，提高產品良率與量測精度。

附圖說明

圖1為本發明所述生化測試片的剖面結構示意圖；

圖2為本發明所述生化測試片的金屬電極層的製備流程圖；

圖3為本發明所述生化測試片的金屬氧化物反應層的製備流程圖；

圖4為本發明所述生化測試片的中隔層的製備流程圖；

其中，1、基材，2、金屬氧化物反應層，3、金屬電極層、4、中隔層。

具體實施方式

以下實施例對本發明的技術方案作進一步的說明。

實施例1：

一種生化測試片的製備工藝，包括如下步驟：

如圖2所示：

S1、金屬電極層圖案的製備流程：

S11：所述生化測試片原材表面貼合幹膜；

S12：對幹膜進行曝光和顯影，剝除未曝光的幹膜；

S13：利用蝕刻液在金屬電極層蝕刻出導線圖案；

S14：剝除剩餘的幹膜並清洗；

如圖3所示：

S2、金屬氧化物反應層圖案的製備流程

S21：所述金屬電極層表面貼合幹膜；

S22：對幹膜進行曝光和顯影，剝除未曝光的幹膜；

S23：利用蝕刻液在金屬氧化物反應層蝕刻出反應區圖案；

S24：剝除剩餘的幹膜並清洗；

如圖4所示：

S3、中隔層圖案的製備流程

S31：所述金屬電極層和金屬氧化物反應層表面貼合幹膜；

S32：對幹膜進行曝光和顯影，剝除未曝光的幹膜並清洗，剩餘的已曝光的幹膜構成中隔層的圖案。

優選的，所述基材的材質包括PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)，厚度為0.2mm～0.4mm。

優選的，所述金屬氧化物反應層的材質包括ITO(氧化銦錫)，厚度為0.01μm～0.04μm。

優選的，所述金屬電極層的材質包括銅或者銅鎳合金或者銅鎳鈦合金，厚度為0.1μm～0.4μm，導電率為0.1Ω/□～1Ω/□。。

如圖1所示，利用上述製備工藝製備所得的所述生化測試片的結構包括：

一基材1；

一金屬氧化物反應層2，其附著於所述基材1的表面；

一金屬電極層3，其設置於所述金屬氧化反應層2上；

一中隔層4，其部分覆蓋於所述金屬電極層3上.

需要指出的是，以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。