一種mosfet管驅動電路的製作方法
2023-07-12 13:56:41 1
專利名稱：一種mosfet管驅動電路的製作方法
技術領域：
—種MOSFET管驅動電路本實用新型涉及開關電源，尤其涉及一種MOSFET管驅動電路。如圖I所示，目前廣泛使用的電源晶片大多既有開通迴路，也有放電迴路，都是通過2個三極體形成的圖騰柱的方式來實現的。圖I所示電路的基本原理是，電源晶片驅動端OUT輸出一個方波信號，由三極體Ql 與Q2組成圖騰柱，，三極體Ql與Q2用來驅動MOSFET管Q3，三極體Ql為MOSFET管Q3的開通迴路，三極體Q2為MOSFET管Q3的放電迴路。電源晶片內部也是有一個圖騰柱的形式的電路。但這種有圖騰柱形式電路的晶片價格較高，目前的低價格晶片像TL494和KA7500等是沒有圖騰柱驅動的，只有一個三極體做開通迴路，無法與上述的驅動電路相匹配。本實用新型要解決的技術問題是提供一種結構簡單，能與沒有放電迴路電源晶片匹配的MOSFET管驅動電路。為了解決上述技術問題，本實用新型採用的技術方案是，一種MOSFET管驅動電路，包括驅動晶片、三極體、基極下拉電阻和受控MOSFET管，所述的三極體是PNP三極體，驅動晶片的控制信號輸出端接三極體的基極；基極下拉電阻的一端接地，另一端接三極體的基極；受控MOSFET管的控制端接三極體的發射極，輸出端接地，三極體的集電極接地。以上所述的MOSFET管驅動電路，包括保護二極體，所述的保護二極體的陽極接三極體的基極，陰極接三極體的發射極。以上所述的MOSFET管驅動電路，包括基極限流電阻，驅動晶片的控制信號輸出端通過基極限流電阻接三極體的基極。以上所述的MOSFET管驅動電路，包括三極體限流電阻，三極體的集電極通過所述的三極體限流電阻接地。本實用新型MOSFET管驅動電路結構簡單，能與沒有放電迴路的電源晶片匹配組成MOSFET管驅動電路，可以降低開關電源的總成本。
以下結合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。圖I是現有技術MOSFET管驅動電路的原理圖。圖2是本實用新型實施例MOSFET管驅動電路的原理圖。如圖2所示，本實用新型MOSFET管驅動電路的實施例中，包括驅動晶片TL494或 KA7500、PNP三極體Q1、基極下拉電阻R3、基極限流電阻R6、保護二極體D1、三極體限流電阻R4和受控MOSFET管Q2。驅動晶片的控制信號輸出端引腳10通過基極限流電阻R6接三極體Ql的基極；基極下拉電阻R3的一端接地，另一端接三極體Ql的基極；保護二極體Dl的陽極接三極體Ql 的基極，陰極接三極體Ql的發射極；三極體Ql的集電極通過三極體限流電阻R4接地；受控 MOSFET管Q2的控制端接三極體Ql的發射極，輸出端接地。當晶片TL494或KA7500內部發出高電平信號時，晶片內部驅動三極體導通，驅動輸出腳10輸出高電平，高電平信號通過基極限流電阻R6及三極體Ql基極、發射極保護二極體Dl加至受控MOSFET管Q2的基極，形成開通迴路，觸發受控MOSFET管Q2導通；當晶片內部發出低電平時，晶片內部三極體截止，驅動輸出腳10為懸空狀態，基極下拉電阻R3將三極體Ql的基極接地，三極體Ql導通，受控MOSFET管Q2原來的高電平驅動信號經過三極體Ql放大後經電阻R4形成主要放電迴路，受控MOSFET管Q2截止。通過電路實驗，本實用新型以上實施例的電路能夠有效實現形成開通及放電迴路來驅動MOSFET管。通過此電路應用能實現驅動可靠並降低成本的效果。本實用新型電路應用要點如下(I)放電三極體Ql的基極下拉電阻R3為放電迴路提供低電平觸發導通信號(2)電路加入基極限流電阻R6、二極體Dl形成開通迴路(3)電路加入防損壞放電三極體的二極體D1。(4)電路加入防損壞放電三極體的限流電阻R4。以上對本實用新型所提供的一種針對沒有放電迴路電源晶片的MOSFET管驅動電路進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述， 以上實施例的說明只是用於幫助理解本實用新型的核心思想；同時，對於本領域的一般技術人員，依據本實用新型的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。
權利要求1.一種MOSFET管驅動電路，其特徵在於，包括驅動晶片、三極體、基極下拉電阻和受控 MOSFET管，所述的三極體是PNP三極體，驅動晶片的控制信號輸出端接三極體的基極；基極下拉電阻的一端接地，另一端接三極體的基極；受控MOSFET管的控制端接三極體的發射極，輸出端接地，三極體的集電極接地。
2.根據權利要求I所述的MOSFET管驅動電路，其特徵在於，包括保護二極體，所述的保護二極體的陽極接三極體的基極，陰極接三極體的發射極。
3.根據權利要求I所述的MOSFET管驅動電路，其特徵在於，包括基極限流電阻，驅動晶片的控制信號輸出端通過基極限流電阻接三極體的基極。
4.根據權利要求I所述的MOSFET管驅動電路，其特徵在於，包括三極體限流電阻，三極體的集電極通過所述的三極體限流電阻接地。
專利摘要本實用新型公開了一種MOSFET管驅動電路，包括驅動晶片、三極體、基極下拉電阻和受控MOSFET管，所述的三極體是PNP三極體，驅動晶片的控制信號輸出端接三極體的基極；基極下拉電阻的一端接地，另一端接三極體的基極；受控MOSFET管的控制端接三極體的發射極，輸出端接地，三極體的集電極接地。本實用新型電路結構簡單，能與沒有放電迴路的電源晶片匹配組成MOSFET管驅動電路，可以降低開關電源的總成本。
文檔編號H02M1/08GK202309495SQ201120374710
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月28日 優先權日2011年9月28日
發明者詹星 申請人:深圳麥格米特電氣股份有限公司