帶有薄膜的透明襯底和使用這類帶有薄膜的透明襯底用於製造帶有電路圖案的透明襯底...的製作方法

2023-08-08 01:43:31 2

專利名稱：：帶有薄膜的透明襯底和使用這類帶有薄膜的透明襯底用於製造帶有電路圖案的透明襯底...的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種帶有薄膜的透明襯底和一種利用其用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，所述薄膜含有氧化錫作為主要組分。
背景技術：
：由其上帶有由薄膜形狀的金屬或絕緣體製成的電路圖案的襯底組成的電子電路襯底已經被用於計算機、通訊、信息家用電器、各種顯示設備等。此外，近些年來對於平板顯示器(FPD)如等離子顯示器和液晶顯示器的需求一直在增長，需要形成透明薄膜電極電路圖案。為形成這類電路圖案，通常使用一種利用光刻/蝕刻工藝的方法。在該方法中，在襯底的全部或部分表面上形成用於形成電路圖案的薄膜。之後施加/乾燥抗蝕劑以形成抗蝕層。將該抗蝕層暴露於穿過掩模的光下並且顯影以形成與所述電路圖案相反的電路圖案(翻轉電路圖案)。此後，所述方法包括蝕刻並且除去抗蝕層以形成所需的電路圖案。該方法在適用於大規模生產方面表現優異，因為它具有令人滿意的圖形成精確度以使得相同的圖可以被重複生產許多次，並且因為可以在相同的襯底上形成兩個或多個電路圖案。然而，使用光刻/蝕刻工藝的該方法是一種其中通常要重複進行許多步驟以完成電路的方法。具體地說，在襯底上形成金屬薄膜，然後之後形成抗蝕層，隨後是曝光、顯影、蝕刻和除去抗蝕層。此外，在形成絕緣層後，進行抗蝕層的形成、曝光、顯影、蝕刻和除去抗蝕層。因此，每次當形成由金屬薄膜和絕緣層構成的電路圖案時，所述方法需要極其大量的步驟，包括形成薄膜、施加抗蝕劑、乾燥、曝光、顯影、蝕刻和除去抗蝕層。因此，存在使用所述方法會導致非常高的生產成本的問題。此外，在該方法中，各組這類多個步驟將使用大量的顯影液、化學品如蝕刻劑和洗漆液。這不但會導致較差的產率和生產成本的顯著增加，而且會造成如下問題，即該方法產生沉重的環境負擔，例如近來已經引起了嚴重關注的廢液處理事宜。此外，根據用於所述金屬薄膜等的材料的種類，使用蝕刻劑等進行的蝕刻是困難的。因此，適用於所述光刻/蝕刻工藝的材料已經被限制在對蝕刻具有優異適應性的特定材料。具有這些不同問題的常規方法的實例包括使用專利文獻1和2所述的雷射製圖的下列方法。專利文獻l公開了一種形成薄膜圖的方法，所述方法使得可無誤地進行製圖且不使用溼處理，並因此實現薄膜電路圖案的精製，縮短並簡化了所述處理。該形成薄膜圖的方法的特徵在於在襯底表面形成圖樣的模板，然後將所要形成的薄膜沉積於帶有所述模板的襯底上，用能量束從所述襯底的背面輻照並且除去所述模板以在所述薄膜上製圖。專利文獻2公開了一種用於生產液晶顯示器元件的方法，所述方法包括進行抗蝕薄膜的顯影，除去殘餘的抗蝕劑，並且各自通過完全的幹處理來處理金屬薄膜或半導體薄膜或絕緣體薄膜。該生產方法的特徵在於在玻璃襯底上施加由含有氨基甲酸乙酯鍵和/或脲鍵的聚合物材料構成的抗蝕劑薄膜，所述玻璃襯底上含有用於構成液晶顯示器元件的選自金屬薄膜、絕緣介質薄膜和半導體薄膜的薄膜或含有由這類薄膜組成的部分圖案化的和多層的多層薄膜；用穿過具有給定鏤空圖案的掩模的準分子雷射輻照抗蝕薄膜，以通過燒蝕現象除去所述抗蝕薄膜的輻照過的區域並且從而形成抗蝕薄膜電路圖案，其中所述薄膜是根據所述掩模的鏤空圖案來曝光的；蝕刻並除去在所述抗蝕薄膜圖案中曝光的薄膜；然後用準分子雷射輻照殘餘的抗蝕薄膜以通過燒蝕現象來除去所述抗蝕薄膜。專利文獻l:JP-A-6-13356專利文獻2:JP-A-10-20509
發明內容本發明要解決的問題在利用這種使用雷射的圖案化方法來形成用於FPD等的透明薄膜電極的電路圖案的情況下，可以使用氧化錫作為用於所述透明薄膜電極的材料。然而，當在透明襯底上形成含有氧化錫作為主要組分的薄膜並且使用常用的波長1,064nm的YAG雷射(在下文中，術語"YAG雷射"總是指波長為l，064nm的那些)輻照以圖案化所述薄膜時，通常存在的問題是所述雷射大部分都穿過了所述薄膜，使得不能進行有效的具有令人滿意的再現性的圖案化。此外，存在的問題在於，如果為進行加工而增加雷射能量，則所述透明襯底如玻璃會被損壞。這些問題的原因如下所述。氧化錫薄膜對波長1,064nm的雷射具有低吸收率，因此含有高汽化能並且幾乎不能產生燒蝕現象。此外，所述非常低的吸收率容易波動且這會降低再現性。通常，不能將含有氧化錫作為主要組分的薄膜從所述透明襯底上除去並且以令人滿意的再現性進行圖案化，除非使用高能量的雷射長時間輻照所述薄膜。因此，本發明的一個目標是提供帶有透明導電薄膜的電路圖案的透明襯底，特別是含有氧化錫作為主要組分的薄膜，其中所述透明襯底例如玻璃幾乎沒有受損。另一個目標是提供一種用於製造帶有所述電路圖案的透明襯底的方法。用於解決問題的方法本發明的發明人進行了深入研究以實現這些目標。結果，人們發現當使用具有透明導電薄膜的附著有薄膜的透明襯底，特別是含有氧化錫作為主要組分的薄膜時，所述薄膜的載流子濃度不低於一個特定值並且是在所述襯底的表面上形成的，然後可以通過使用YAG雷射輻照以便以令人滿意的再現性來圖案化所述透明導電薄膜，同時不會損壞所述透明襯底。艮口，本發明提供下述的(1)至(11)。(1)一種附著有薄膜的透明襯底，其包括這樣的透明襯底，所述透明襯底其上帶有載流子濃度為5xl0,cn^或更高的透明導電膜。(2)如上文(1)中所述的附著有薄膜的透明襯底，其中所述透明導電膜為含有氧化錫作為主要組分的薄膜。(3)如上文(1)或(2)中所述的附著有薄膜的透明襯底，其中所述透明導電膜的厚度為50-500nm。(4)如上文(1)至(3)中任一項所述的附著有薄膜的透明襯底，其中所述透明導電膜可以用波長1，064nm的雷射圖案化。(5)—種用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，包括使用波長1，064nm的雷射輻照上文(1)至(4)中任一項所述的附著有薄膜的透明襯底，以在所述透明襯底上形成電路圖案。(6)上文(5)中所述的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，其中通過在透明襯底上形成透明導電薄膜、然後進行退火處理而獲得所述附著有薄膜的透明襯底。(7)通過上文(5)或(6)中所述的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法製造的帶有電路圖案的透明襯底。(8)—種使用上文(1)至(4)和(7)中任一項所述的附著有薄膜的透明襯底的電子電路設備。(9)一種使用上文(1)至(4)和(7)中任一項所述的附著有薄膜的透明襯底的等離子顯示板。(10)—種用於製造電子電路設備的方法，包括通過上文(5)或(6)中所述的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法製造所述設備。(11)一種用於製造等離子顯示板的方法，包括通過上文(5)或(6)中所述的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法製造所述顯示板。本發明的優勢與所述光刻/蝕刻方法等相比，本發明具有下述優勢。可以減少步驟的數量以實現生產成本的降低。不需要使用大量的顯影液、化學品例如蝕刻劑或清潔劑，由此實現生產成本和環境負擔的降低。可以使用難以用蝕刻劑等蝕刻的材料並且圖案化。此外，不需要高雷射輸出用於圖案化。因此，在減少由YAG雷射輻照導致的對透明襯底的損壞的同時可以進行圖案化。在本發明中，表述"可以被圖案化"和"可以圖案化"以及任何同義短語是指，當使用YAG雷射輻照將含有氧化錫作為主要組分並在透明襯底上形成的薄膜從所述透明襯底上部分除去以形成圖案時，那麼使用顯微鏡(放大150倍放大率)可以將含有氧化錫作為主要組分的薄膜的那些使用YAG雷射輻照過的區域與未輻照過的薄膜區域區別開。特別是，在形成用於等離子顯示器的電極圖案的情況下，這些表述是指電極線間的絕緣性為5MQ或更高。圖l是表示本發明的實施例和比較例中的載流子濃度的示意圖。圖2是本發明實施例中所用的雷射器的基本結構的簡圖。圖3(a)是實施例l的附著有薄膜的透明襯底的俯視圖(顯微照片)。圖3(b)是實施例2的附著有薄膜的透明襯底的俯視圖(顯微照片)。圖3(c)是實施例3的附著有薄膜的透明襯底的俯視圖(顯微照片)。圖3(d)是實施例4的附著有薄膜的透明襯底的俯視圖(顯微照片)。圖3(e)是實施例5的附著有薄膜的透明襯底的俯視圖(顯微照片)。圖4是本發明的實施例8(比較例)的附著有薄膜的透明襯底的俯視圖(顯微照片)。附圖標記的說明1:振蕩器2:光束整形器3:均化器4:投影掩模5:鏡子6:投影透鏡7:樣品具體實施例方式本發明提供了一種用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，包括使用波長1,064nm的雷射輻照附著有薄膜的透明襯底以在所述透明襯底上形成電路圖案，所述附著有薄膜的襯底包括其上帶有透明導電薄膜、特別是含有氧化錫作為主要組分的薄膜的透明襯底，所述薄膜的載流子濃度為5xlO,cr^或更高。這一製造方法以下也稱為"本發明的方法"。包括其上帶有載流子濃度為5xl019/cm3或更高的薄膜的透明襯底的附著有薄膜的透明襯底以下也稱為"本發明的附著有薄膜的透明襯底"。此外，所述含有氧化錫作為主要組分的薄膜以下也稱為"氧化錫薄膜"。首先，說明本發明的附著有薄膜的透明襯底。在本發明的附著有薄膜的透明襯底中，載流子濃度是指所述透明導電膜(特別是氧化錫薄膜)中自由電子的濃度。所述濃度是使用下述方程式(1)計算的值(n)。所述透明導電膜的實例包括氧化錫薄膜和ITO薄膜。n:l/0卞.e)(1)n:載流子濃度(l/cm3)p:電阻率(fi'cm)M:遷移率(cm2/V-s)e:電荷(電量)在方程(l)中，電阻率的值是通過VanderPauw四端法測得的值(參見L.J.VanderPauw，PhilipsTech,20,220(1958/1959))。遷移率的值是通過Hall效應測量法測得的值。在本發明的附著有薄膜的透明襯底中，通過這種方法測得所述透明襯底上氧化錫薄膜的載流子濃度為5xl019/cm3。優選該載流子濃度為lxl02(Vcm3或更高。在所述氧化錫薄膜的載流子濃度處於該範圍的情況下，所述氧化錫薄膜在1,064rim處具有升高的雷射吸收率，這是YAG雷射的振蕩波長。因此，甚至當短時間(例如使用脈衝持續時間為IO納秒或更長的一次或多次脈衝；優選一次脈衝的脈衝持續時間為40納秒)使用具有低能量密度(例如30J/cn^或更低)的脈衝YAG雷射輻照時，所述氧化錫薄膜經歷燒蝕現象並且因此可以被圖案化。此外，只要是使用這類雷射，對所述透明襯底的損壞會特別小。此外，雷射的波長不限於1，064nm且所述雷射沒有特別限制，只要它是紅外線的。所述透明導電膜(氧化錫薄膜)中的載流子(傳導)電子對所述薄膜在紅外區中的表現起到重要作用。即，紅外線會與傳導電子相互作用，並因此在對應於所述載流子(傳導)電子密度的波長處發生共振吸收。隨著載流子電子密度的增加，該吸收的峰會向較短波長側移動。這種現象在下文中有詳細的說明。假設導體處於由離子和自由電子所構成的一種等離子態中。根據通常用於處理電場中的離子極化和自由電子運動的Dmde的討論(參見JapanSocietyforPromotionofScientificResearch,The166thCommitteeonPhotonicandElectronicOxideed.,T5meiD5denmakuNoGijutsu，Ohm-sha，Ltd.(1999))，該導體的復介電常數e為q-iQ,其中q=sc-(ne2/s0m*)(t2/co2"C2+1)(i)s2=(ne2/s0m*)(t/co(w2t2+1))(ii)其中k為離子場的介電常數；"為真空的介電常數；111*為自由電子的有效質量；w為入射電磁波的頻率；且T為弛豫時間並且由m*ju/e表示。當所述入射電磁波co的頻率為wp且ei為0時，則在該頻率wP(=2nc/入P)下發生電磁波的共振吸收。S卩，所述導體的吸收峰位於下述入射光波長處入p=2nc(ne2/￡0￡Cm*-(l/t)2)_1/2(iii)其中c為光速。根據方程式(iii)應該理解的是吸收峰入p的變化與載流子濃度n的-l/2次冪成正比。在氧化錫薄膜中，所述峰位於約2/mi或更長的波長處。所述YAG雷射波長對應於所述吸收峰的底部。因此在使用YAG雷射以令人滿意的再現性進行圖案化時，需要優化氧化錫薄膜的吸收特徵，以便在成功除去所述氧化錫薄膜的同時防止所述透明襯底被損壞。人們發現可以通過使用方程式(iii)優化膜中的載流子濃度來實現這一點。所述氧化錫薄膜的厚度優選為50-500/mi，且更優選為230-300nm，因為這一厚度可有效地獲得令人滿意的反射性能。當所述氧化錫薄膜的厚度處於這一範圍中時，不但可以抑制該氧化錫薄膜在1,064nm處的反射，這是YAG雷射的振蕩波長，而且可以有效地吸收所述雷射。因此，甚至當使用具有低能量密度的YAG雷射輻照時，所述氧化錫薄膜也可以被圖案化。因此，通過優化所述氧化錫薄膜的載流子濃度並且優化其厚度，可以提供具有氧化錫薄膜的透明襯底，所述氧化錫薄膜能夠被有效地成功雷射圖案化；這是本發明的一個目標。所述氧化錫薄膜為含有氧化錫作為主要組分的薄膜。術語"主要組分"是指所述氧化錫薄膜含有基於所述膜為85質量％或更大的Sn02形式的錫。例如可以通過螢光X-射線分析或通過將氧化錫薄膜溶解到溶液中並且使用等離子發射等來檢驗所得溶液來確定該含量。優選地，所述氧化錫薄膜基於所述膜含有3-15質量％的Ta20s形式的鉭。更優選地，該含量為5-10質量％。當鉭的含量在這一範圍內時，所述氧化錫薄膜的載流子濃度傾向於處於所述優選範圍內。優選地，所述氧化錫薄膜基於所述膜也含有3-15質量％的Sb205形式的銻。更優選地，這一含量為4-10質量％。當銻的含量在這一範圍內時，所述氧化錫薄膜的載流子濃度傾向於處於所述優選範圍內。此外，優選所述氧化錫薄膜基於所述膜含有0.01-4mol。/。的氟。當氟的含量在這一範圍內時，所述氧化錫薄膜的載流子濃度傾向於處於所述優選範圍內。如上所述，所述氧化錫薄膜含有氧化錫作為主要組分，並且優選地含有鉭、銻、氟及其化合物(氧化物等)。所述薄膜可以含有其他成分，只要提供了本發明的效果。例如，五價氧化物形式的元素例如鈮，M20s的含量基於所述膜可以最高達約5質量％的(M為五價氧化物形式的元素)。本發明的附著有薄膜的透明襯底為包括其上含有上文所述氧化錫薄膜的透明襯底的附著有薄膜的透明襯底。該透明襯底沒有特別限制，只要它是由可以傳導YAG雷射的材料構成的(透光率為80&或更高的材料)。其實例包括玻璃襯底。其厚度和大小也沒有特別限制。例如約1-3mm的玻璃襯底可以被有利地用於等離子顯示板(PDP)。在本發明的方法中，下文說明了用於製造本發明的附著有薄膜的透明襯底的方法。在本發明的方法中，用於製造本發明的附著有薄膜的透明襯底的方法沒有特別限制，並且可以使用普通的方法。其優選的實例包括氣相沉積法。所述氣相沉積法包括物理氣相沉積(PVD)，其實例包括真空氣相沉積、離子鍍、濺射和雷射燒蝕。化學氣相沉積(CVD)的實例包括熱CVD和等離子輔助的CVD。在這些中，優選濺射和離子鍍，因為這些技術能夠以令人滿意的精確度來控制膜厚度。例如，在通過濺射在透明襯底上形成氧化錫薄膜的情況下，可用的方法的實例包括一種方法，所述方法包括將錫或氧化錫靶沉積到陰極側，在約l-10—2Pa的反應氣體中在電極間引起輝光放電以離子化所述反應氣體並且從耙中驅除錫等，以及將氧化錫塗層沉積到沉積在陽極側的透明襯底上。在待沉積含有鉭和銻的氧化錫薄膜的情況下，可以通過將這些元素或其氧化物與所述靶混合來實現這一點。所述反應氣體可以是惰性氣體如氬或與氧混合的氣體。主要通過調節所述靶的氧化程度、用於濺射的反應氣體中的氧濃度(局部氧壓力)、薄膜形成速率(沉積速率)和襯底溫度，可以改變形成於所述透明襯底上的氧化錫薄膜的氧化程度並且還可改變其載流子濃度。優選地，本發明的附著有薄膜的透明襯底是通過退火來製造的。更優選地，所述附著有薄膜的透明襯底是通過氣相沉積和隨後的退火來製造的。當退火是在製造本發明的附著有薄膜的透明襯底的過程中進行時，形成於所述透明襯底上的氧化錫薄膜的氧化程度和載流子濃度會發生變化。因此，可以優化1,064nm處的雷射吸收率，這是YAG雷射的振蕩波長，並且可以高再現性極有效地圖案化。用於退火的特定方法實例包括一種方法，其中所述附著有薄膜的透明薄板是在空氣中或者在氮氣或氧氣中加熱至30(TC-55(TC退火的。在本發明的方法中，按照上文所述方法製造的本發明的附著有薄膜的透明襯底是通過使用波長1,064nm的YAG雷射輻照來圖案化的。用於使用YAG雷射輻照本發明的附著有薄膜的透明襯底以形成本發明方法中的圖案的方法沒有特別的限制。可以使用一種方法，其中使用穿過具有任何所需開口的掩模的波長1，064nm並且具有任何所需能量的YAG雷射，來輻照本發明的附著有薄膜的透明襯底的主表面。所要使用YAG雷射輻照的一側可以是所述透明襯底的任一側，在其上或其相對的一側附著有所述薄膜。將所述氧化錫薄膜的一部分從使用YAG雷射輻照的透明襯底上除去，從而可以在所述透明襯底上形成具有與所述掩模的開口形狀相同的圖案。在用於製造具有電路圖案的透明襯底的常規方法中，不能以令人滿意的再現性來進行使用YAG雷射輻照的圖案化，因為所述氧化錫薄膜的性質主要是通過調節可見光透光率和電阻率來控制的。需要較高的雷射功率，因此存在所述透明襯底(例如玻璃)被損壞的情況。另一方面，在利用本發明的方法製造帶有電路圖案的透明襯底時，可以使用低雷射功率以令人滿意的再現性來對所述透明導電膜進行有效地圖案化，因為可以優化並控制所述膜的載流子濃度，該載流子濃度是直接確定雷射吸收性質的參數。因此，本發明的方法具有優勢，例如，由過高的雷射功率輻照導致的對透明襯底的損壞可以被極大地減少。在本發明的方法中，本發明的附著有薄膜的透明襯底的優選實施方案的實例包括，包括其上具有氧化錫薄膜且載流子濃度為5xl019/cm3或更高且厚度為50-500nm的透明襯底的那些，所述氧化錫薄膜含有3-15質量％的Ta205形式的鉭。其實例進一步包括，包括其上具有氧化錫薄膜且載流子濃度為5xl0"/cr^或更高且厚度為50-500nm的透明襯底的那些，所述氧化錫薄膜含有3-15質量％的Sb203形式的銻。實施例通過參考下述實施例可以更加詳細地闡述本發明，但是本發明不應被解釋為限於下述實施例。此外，實施例l至5為本發明的實施例，實施例6至9為比較例。<樣品〉(實施例1至4和實施例6至9)製備40mn^且厚度為2.8mm的玻璃襯底(PD200，由AsahiGlassCo.,Ltd.製造)。通過下述方法在所述襯底的表面上形成氧化錫薄膜。氧化錫薄膜的膜形成是通過離子鍍來實施的，其使用不含鉭或銻或氟的Sn02燒結礦或含有佔總量5質量％的丁&205的Sn02燒結礦作為粗氣相沉積材料，同時在膜形成過程中改變氧氣分壓和薄膜形成速率。所形成的薄膜具有與所述燒結礦相同的組成。(實施例5)製備40mm2且厚度為2.8mm的玻璃襯底(PD200，由AsahiGlassCo.，Ltd.製造)。通過下述方法在所述襯底的表面上形成ITO薄膜。膜的形成是通過濺射來實施的，使用由氧化銦組成的ITO燒結礦耙，並且向其中加入佔總量10質量％的Sn02。所形成的薄膜具有與所述燒結礦相同的組成。表l中示出了實施例l至9的每個樣品的膜厚度(D[mn])，膜形成過程中的氧氣分壓/膜形成速率(Po2/DR[Pa/(A/SeC)])、載流子濃度(n[l/cm3])和雷射能量(E[J/cm2])。此外，膜形成過程中的氧氣分壓/膜形成速率(PQ2/DR)是指膜形成過程中氧氣分壓與膜形成速率的比值。使用方程式(1)，由利用Hall效應測量法測量的遷移率數值確定所述載流子濃度。圖1中示出了本發明的各個實施例和比較例中膜形成過程中的氧氣分壓值/膜形成速率與載流子濃度之間的關係。圖1中用圓圈圈出的各個點是指能夠形成圖案的膜的數據。使用A02雷射器(振蕩波長1,064nm)和SL401雷射器(振蕩波長1，064nm)對利用上文所述的方法通過膜形成獲得的樣品進行圖案化，所述A02雷射器是由Powerlase製造的Nd:YAG雷射器，所述SL401雷射器是由Spectron製造的Nd:YAG雷射器。實施例1至4和實施例6至9中所用的脈衝持續時間為84納秒，而實施例5中的脈衝持續時間為40納秒。圖2中示出了所述雷射器的基本構成。由振蕩器l發出的雷射經由光速整形器2、均化器3、投影掩模4、鏡子5和投影鏡頭6直接打在樣品7上。所述投影掩模4已經被部分切成T棒型，所述形狀適用於加工形狀的評估並且被用於等離子顯示器中。表1tableseeoriginaldocumentpage18<實施例1至5〉如表1所示，實施例1至4是包括其上帶有載流子濃度為5xl0,cn^或更高的氧化錫薄膜的透明襯底的附著有薄膜的透明襯底，其可以使用具有約10J/cn^的相對低的能量的雷射來加工(表1中，需要用於圖案化的雷射能量的閾值(J/cm勺在"加工結果"一欄中示出)。圖3中示出了這些圖案的俯視圖(顯微圖)。實施例1的俯視圖為圖3(a)，實施例2的俯視圖為圖3(b)且實施例3的俯視圖為圖3(c)。此外，實施例4的俯視圖為圖3(d)，實施例5的俯視圖為圖3(e)。當使用實施例1至5中的附著有薄膜的透明襯底作為電極生產PDP時，沒有產生問題。<實施例6至9〉如表1中所示，實施例6至9是包括其上帶有載流子濃度低於5xl019/cm3的氧化錫薄膜的透明襯底的附著有薄膜的透明襯底，其不可以用能量為10J/cm2或更低的雷射來加工，特別是即使用能量為30J/cn^或更低的雷射(在表1中用"X"表示)。圖4中示出了這些圖案的俯視圖(顯微圖)。實施例9的俯視圖為圖4。雖然參照了其特定的實施方案具體地描述了本發明，但對本領域技術人員來說顯而易見的是，可以對本發明進行各種變化和修改而不會背離本發明的精神和範圍。本申請基於2005年10月28日提交的申請號為2005-314139的日本專利申請，其內容通過引用的方式納入本說明書。工業實用性如本發明的實施例所示，可以使用低能量雷射來對所形成的具有高載流子濃度的所述透明導電膜進行圖案化並且因此使其有用。權利要求1.一種附著有薄膜的透明襯底，其包括上面帶有透明導電膜的透明襯底，所述透明導電膜的載流子濃度為5×1019/cm3或更高。2.如權利要求1的附著有薄膜的透明襯底，其中所述透明導電膜為含有氧化錫作為主要組分的薄膜。3.如權利要求1或2的附著有薄膜的透明襯底，其中所述透明導電膜的厚度為50-500nm。4.如權利要求1至3任一項的附著有薄膜的透明襯底，其中所述透明導電膜可以用波長1,064nm的雷射來圖案化。5.—種用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，包括使用波長1,064nm的雷射輻照權利要求1至4任一項的附著有薄膜的透明襯底，以在所述透明襯底上形成電路圖案。6.如權利要求5的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，其中所述附著有薄膜的透明襯底是通過在透明襯底上形成透明導電膜、然後進行退火處理而獲得的。7.—種通過權利要求5或6的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法製造的帶有電路圖案的透明襯底。8.—種使用權利要求1至4和7任一項所述的附著有薄膜的透明襯底的電子電路設備。9.一種使用權利要求1至4和7任一項所述的附著有薄膜的透明襯底的等離子顯示板。10.—種用於製造電子電路設備的方法，包括通過權利要求5或6所述的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法製造所述設備。11.一種用於製造等離子顯示板的方法，包括通過權利要求5或6的用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法製造所述顯示板。全文摘要本發明的目標是提供一種用於製造帶有氧化錫薄膜的透明襯底的方法，即使通過低能量雷射來輻照所述氧化錫薄膜也可以令人滿意地圖案化，因為由此會發生燒蝕現象。本發明涉及一種用於製造帶有電路圖案的透明襯底的方法，包括使用波長1,064nm的雷射輻照附著有薄膜的透明襯底以在所述透明襯底上形成電路圖案，所述附著有薄膜的透明襯底包括上面帶有透明導電膜的透明襯底，所述透明導電膜的載流子濃度為5×1019/cm3或更高。文檔編號H01J11/22GK101297380SQ20068004030公開日2008年10月29日申請日期2006年10月25日優先權日2005年10月28日發明者中川浩司,佐藤了平,坂本寬,森永英二,江畑研一,田中健治,磯野貴充,臼井玲大,高木悟申請人:旭硝子株式會社