溫度調變製作高效率三結基材型矽薄膜太陽能電池的製作方法
2023-08-08 03:53:41
專利名稱：溫度調變製作高效率三結基材型矽薄膜太陽能電池的製作方法
溫度調變製作高效率三結基材型矽薄膜太陽能電池技術領域
本發明關於一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，其目的 系將此設計充分吸收太陽光頻譜，以提升矽薄膜太陽能電池效率。
背景技術：
目前，在所有薄膜太陽能電池的開發中皆致力於提升太陽能電池的效率，以藉此降低薄膜太陽能電池的成本。業界關於矽薄膜太陽能電池的開發多為非晶矽薄膜，或是雙結串聯矽薄膜。其中非晶矽薄膜能隙為1.8電子伏特，雙結串聯矽薄膜則為能隙1.8電子伏特的非晶矽薄膜與能隙1.1電子伏特的微晶矽薄膜的串聯組合，但此兩者皆無法充份完全吸收太陽光頻譜。發明內容·
本發明提供一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，此技術包括玻璃、第一透明導電層、金屬背電極、第二透明導電層、高溫N型微晶矽薄膜、高溫I型微晶矽薄膜、高溫P型微晶矽薄膜、高溫N型非晶矽薄膜、高溫I型非晶矽薄膜、高溫P型非晶矽薄膜、低溫N型非晶矽薄膜、低溫I型非晶矽薄膜、低溫P型非晶矽薄膜、第三透明導電層、 金屬電極。本發明可以此設計結構充份吸收太陽光頻譜，進而提升矽薄膜太陽能效率。
茲將本發明配合附圖，詳細說明如下請參閱第一圖，為本發明之動作流程方塊示意圖。由圖中可知，首先在玻璃上沉積第一透明導電層、金屬背電極、第二透明導電層，接著沉積高溫N型微晶矽薄膜、高溫I型微晶矽薄膜、高溫P型微晶矽薄膜，再接著高溫N型非晶矽薄膜、高溫I型非晶矽薄膜、高溫P型非晶矽薄膜，再接著沉積低溫N型非晶矽薄膜、低溫I型非晶矽薄膜、低溫P型非晶矽薄膜，最後為沉積透明導電層三、金屬電極。
請參閱第二圖，第二圖是在玻璃上沉積第一透明導電層、金屬背電極、第二透明導電層之示意圖。在玻璃11上依續沉積第一透明導電層12、金屬背電極13與第二透明導電層14。
請參閱第三圖，第三圖是沉積高溫N型微晶矽薄膜、高溫I型微晶矽薄膜、高溫P 型微晶矽薄膜之示意圖。在第二透明導電層14上依續沉積高溫N型微晶矽薄膜21、高溫I 型微晶矽薄膜22、高溫P型微晶矽薄膜23。
請參閱第四圖，第四圖是沉積高溫N型非晶矽薄膜、高溫I型非晶矽薄膜、高溫P 型非晶矽薄膜之示意圖。在高溫P型微晶矽薄膜23上依續沉積高溫N型非晶矽薄膜31、高溫I型非晶矽薄膜32、高溫P型非晶矽薄膜33。
請參閱第五圖，第五圖是沉積低溫N型非晶矽薄膜、低溫I型非晶矽薄膜、低溫P 型非晶矽薄膜之示意圖。在高溫P型非晶矽薄膜33上依續沉積低溫N型非晶矽薄膜41、低溫I型非晶矽薄膜42、低溫P型非晶矽薄膜43。
請參閱第六圖，第六圖是沉積第三透明導電層、金屬電極之示意圖。在低溫P型非晶矽薄膜43上依續沉積第三透明導電層51、金屬電極52。
下面結合附圖與實施例對本發明進一步說明；第一圖是本發明之動作流程方塊示意圖；第二圖是在玻璃上沉積第一透明導電層、金屬背電極、第二透明導電層之示意圖； 第三圖是沉積高溫N型微晶矽薄膜、高溫I型微晶矽薄膜、高溫P型微晶矽薄膜之示意圖； 第四圖是沉積高溫N型非晶矽薄膜、高溫I型非晶矽薄膜、高溫P型非晶矽薄膜之示意圖； 第五圖是沉積低溫N型非晶矽薄膜、低溫I型非晶矽薄膜、低溫P型非晶矽薄膜之示意圖； 第六圖是沉積第三透明導電層、金屬電極之示意圖。
主要兀件符號說明11…玻璃12…第一透明導電層13…金屬背電極14… 第二透明導電層21…高溫N型微晶矽薄膜22…高溫I型微晶矽薄膜23…高溫P型微晶矽薄膜31…高溫N型非晶矽薄膜 32…高溫I型非晶矽薄膜33…高溫P型非晶矽薄膜41…低溫N型非晶矽薄膜42…低溫I型非晶矽薄膜43…低溫P型非晶矽薄膜51…第三透明導電層52…金屬電極。
權利要求
1.一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，此技術包括玻璃、第一透明導電層、金屬背電極、第二透明導電層、高溫N型微晶矽薄膜、高溫I型微晶矽薄膜、高溫P型微晶矽薄膜、高溫N型非晶矽薄膜、高溫I型非晶矽薄膜、高溫P型非晶矽薄膜、低溫N型非晶矽薄膜、低溫I型非晶矽薄膜、低溫P型非晶矽薄膜、第三透明導電層、金屬電極，本發明可以此設計結構充份吸收太陽光頻譜，進而提升矽薄膜太陽能效率。
2.根據權利要求1所述的一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，其中該第一透明導電層薄膜、第二透明導電層薄膜與第三透明導電層薄膜，薄膜材料涵蓋銦錫氧化物(Indium Tim Oxide)、招鋒氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化錫(Sn02:F)與嫁鋒氧化物(Gallium Zinc Oxide)。
3.根據權利要求1所述的一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，其中高溫I型微晶矽薄膜的能隙為1.1電子伏特。
4.根據權利要求1所述的一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，其中高溫I型非晶矽薄膜的能隙為1. 6電子伏特。
5.根據權利要求1所述的一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，其中低溫I型非晶矽薄膜的能隙為1. 8電子伏特。
全文摘要
本發明提供一種溫度調變製作高效率基材型三結矽薄膜太陽能電池，此技術包括玻璃、第一透明導電層、金屬背電極、第二透明導電層、高溫N型微晶矽薄膜、高溫I型微晶矽薄膜、高溫P型微晶矽薄膜、高溫N型非晶矽薄膜、高溫I型非晶矽薄膜、高溫P型非晶矽薄膜、低溫N型非晶矽薄膜、低溫I型非晶矽薄膜、低溫P型非晶矽薄膜、第三透明導電層、金屬電極，本發明可以此設計結構充份吸收太陽光頻譜，進而提升矽薄膜太陽能效率。
文檔編號H01L27/142GK103022061SQ20111029534
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月27日 優先權日2011年9月27日
發明者陳宏昌, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司