利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法

2023-08-11 01:33:06 2

專利名稱：利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法
CN 102540241 A
權利要求
1.一種利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，該方法包括(1)將多個表面塗硼的半導體探測器設置於電路板上，組成一維陣列，再將此一維陣列置於金屬管中，構成半導體陣列管；(2)將三根半導體陣列管按兩兩垂直的方式插入慢化體中；(3)根據粒子的輸運理論得到中子入射前的能量；將各個探測器獲得的中子入射前的能量合併得到中子的能譜；(4)將每個半導體探測器測量的計數經轉化後得到中子注量；將中子注量值乘以相應能量的注量劑量轉換係數，得到需要的中子輻射場劑量當量。
2.如權利要求1所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特徵在於步驟 (3)中，通過如下公式計算中子入射前的能量
3.如權利要求1或2所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特徵在於 步驟中，半導體探測器的計數和中子注量的關係如下
4.如權利要求1所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特徵在於步驟(1)中所述的金屬管為不鏽鋼管或銅管或鋼管。
5.如權利要求1所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特徵在於步驟(2)中所述的慢化體為聚乙烯慢化體。
6.如權利要求5所述的利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法，其特徵在於所述的聚乙烯慢化體為球形或圓柱形。
全文摘要
本發明涉及一種中子劑量當量的測量方法，具體涉及一種利用半導體陣列測量中子劑量當量的方法。該方法將三根半導體陣列管按三維坐標軸的方式插入聚乙烯慢化體中，所有半導體探測器的計數之和就是入射中子的注量；由於每個半導體探測器的慢化距離都不相同，因此可以反推得到入射中子的能譜；結合注量和能譜，經計算就可得到中子的劑量當量。本發明測量結果的不確定度遠小於巡測型儀表；同時，由於採用三根半導體陣列管的結構，所以又保留了巡測型儀表重量輕、體積小的優點。
文檔編號G01T3/08GK102540241SQ201010609100
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月17日 優先權日2010年12月17日
發明者劉倍, 劉建忠, 劉惠英, 周彥坤, 姚小麗, 徐園, 楊亞鵬, 王勇, 王曉東, 陳法國, 靳根 申請人:中國輻射防護研究院