均勻電流分布led的製作方法

2023-08-02 02:31:46

均勻電流分布led的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種均勻電流分布LED，它包括位於底層的基底、位於基底上方的CBL層、覆蓋於基底與CBL層上的ITO層、以及位於ITO層上的金屬電極，CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應，ITO層上通過注入形成有氧離子區域，氧離子區域位於金屬電極周圍。由於採用上述技術方案，通過電極周圍區域用離子注入的方式注入氧離子，從而提高了電極周圍區域的電阻，從而幫助電流向電流擴展層的電阻阻值低的區域擴展，從而使得電流在整個TCL層上得到更好的擴展。同時，增加的氧可以提高電極周圍區域的透光度，從而提高了亮度。
【專利說明】均勻電流分布LED
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種均勻電流分布LED。
【背景技術】
[0002]為了提高LED晶片的出光效率，人們想了許多辦法。如，當前市場上出現了許多亮度較高的ITO晶片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作為P型電極晶片的亮度要比採用通用電極的晶片高20% — 30%。在眾多可作為透明電極(TCL)的材料中，ITOdndium Tin Oxide氧化銦錫)是被最廣泛應用的一種，ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，通常有兩個性能指標:電阻率和透光率，由於ITO可同時具有低電阻率及高光穿透率的特性，符合了導電性及透光性良好的要求。與其它透明的半導體導電薄膜相比，ITO具有良好的化學穩定性和熱穩定性。對襯底具有良好的附著性和圖形加工特性。ITO為一種N型氧化物半導體，作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線及遠紅外線。
[0003]現有技術中的LED晶片，首先是在外延片上沉積一層CBL,然後再沉積一層ITO作發光層。這樣做可以減少電極下的電流密度，但不能保證電極外，尤其是遠離電極處的電流的均勻性，造成的結果是LED晶片發光的不均勻。

【發明內容】

[0004]本發明的目的是解決現有技術中LED晶片發光不均勻的技術問題，提供一種在發光面積內均勻出光的LED晶片。
[0005]為了達到上述技術目的，本發明提供了 一種均勻電流分布LED，它包括位於底層的基底、位於所述的基底上方的CBL層、覆蓋於所述的基底與CBL層上的ITO層、以及位於所述的ITO層上的金屬電極,所述的CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應,所述的ITO層上通過注入形成有氧離子區域，所述的氧離子區域位於所述的金屬電極周圍。
[0006]優選地，所述的氧離子區域的氧離子濃度從中心向外側逐漸增高。
[0007]優選地，所述的基底為P-GaN層。
[0008]由於採用上述技術方案，通過電極周圍區域用離子注入的方式注入氧離子，從而提高了電極周圍區域的電阻，從而幫助電流向電流擴展層的電阻阻值低的區域擴展，從而使得電流在整個TCL層上得到更好的擴展。同時，增加的氧可以提高電極周圍區域的透光度，從而提聞了売度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]附圖1為根據本發明的均勻電流分布LED的結構示意圖；
附圖2為根據本發明的均勻電流分布LED的生產加工流程示意圖。
【具體實施方式】[0010]下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特徵能更易於被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護範圍做出更為清楚明確的界定。
[0011]附圖1為根據本發明的均勻電流分布LED的結構示意圖，附圖2為根據本發明的均勻電流分布LED的生產加工流程示意圖。
[0012]如附圖1所示，本實施例中的均勻電流分布LED，它包括位於底層的基底、位於基底上方的CBL層、覆蓋於基底與CBL層上的ITO層、以及位於ITO層上的金屬電極，CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應，ITO層上通過注入形成有氧離子區域，氧離子區域位於金屬電極周圍，其中，基底為P-GaN層。
[0013]參見附圖2所示，首先在P-GaN基層上沉積CBL層，之後在有CBL層的外延片上沉積ITO層，然後在預做電極區域包括周圍一定範圍內的區域暴露，其他區域用光掩模掩蔽起來，用離子注入的方式對暴露區域進行氧離子注入；然後去除掩模、退火，然後製作晶片其他部分即可。這樣，通過電極周圍區域用離子注入的方式注入氧離子，從而提高了電極周圍區域的電阻，從而幫助電流向電流擴展層的電阻阻值低的區域擴展，從而使得電流在整個TCL層上得到更好的擴展。同時，增加的氧離子可以提高電極周圍區域的透光度，從而提高了亮度。
[0014]需要指出的是，作為一種可選擇的方案，氧離子區域的氧離子濃度可以從中心向外側逐漸增高，例如通過多次的曝光、注入製程，形成具有一定濃度梯度的氧離子區域，從而使得ITO層的電阻從中心到外側逐漸降低，以實現更加均勻的電流分布的效果。
[0015]以上實施方式只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此項技術的人了解本發明的內容並加以實施，並不能以此限制本發明的保護範圍，凡根據本發明精神實質所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護範圍內。
【權利要求】
1.一種均勻電流分布LED，它包括位於底層的基底、位於所述的基底上方的CBL層、覆蓋於所述的基底與CBL層上的ITO層、以及位於所述的ITO層上的金屬電極，所述的CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應，其特徵在於:所述的ITO層上通過注入形成有氧離子區域，所述的氧離子區域位於所述的金屬電極周圍。
2.根據權利要求1所述的均勻電流分布LED，其特徵在於:所述的氧離子區域的氧離子濃度從中心向外側逐漸增高。
3.根據權利要求1所述的均勻電流分布LED，其特徵在於:所述的基底為P-GaN層。
【文檔編號】H01L33/42GK103824918SQ201110458272
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2011年12月31日 優先權日:2011年12月31日
【發明者】魏臻 申請人:聚燦光電科技(蘇州)有限公司