一種晶片堆疊熔接輔助裝置的製作方法
2023-07-11 19:59:36 1
專利名稱：一種晶片堆疊熔接輔助裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及元件表面貼裝技術領域，尤其涉及晶片堆疊熔接的輔助裝置。
背景技術：
隨著SMT貼片製造技術的發展，各種SMT工藝層出不窮，POP (元件堆疊技術)工藝也已大量運用在手機製造生產過程中。由於其要求兩個晶片貼裝在一起，必須用POP專用FEEDER (飛達)才能實現，但是POP FEEDER由於價格昂貴，不利於降低製造成本。
發明內容有鑑於此，本實用新型的目的就是為了解決以上問題，提供一種晶片堆疊熔接的輔助裝置，來替代價格昂貴的POP FEEDER。為實現上述目的，本實用新型採用以下技術方案:一種晶片堆疊熔接輔助裝置，包括方體材質，上底面或下底面面積分別大於四側面任意一側面積，方體材質在上底面開有至少一方形凹槽，凹槽的底部開有孔，凹槽底部高於所述下底面，凹槽的側壁構成的水平方向上的孔徑大於底部開孔的側壁構成的水平方向上的孔徑。優選地，方體材質為合成石。優選地，方形凹槽的側壁構成垂直於上底面或下底面的縱切面。優選地，方形凹槽側壁至少設有兩個向外水平方向延伸的相互對應的垂直側凹面。優選地，垂直側凹面設置在所述四個對角位置，和/或在四條對邊位置。優選地，垂直側凹面的側壁構成垂直於所述上底面或下底面的縱切面。進一步地，方形凹槽底部設為掛壁，用於託住晶片。優選地，掛壁高於所述下底面至少0.5毫米。優選地，孔設有四個與方形凹槽側壁對應的側壁。優選地，凹槽的側壁構成的水平方向上的孔徑大於底部開孔的側壁構成的水平方向上的孔徑至少0.5毫米。本實用新型的有益效果是結構簡單，可替代價格昂貴的POP FEEDER，有利於降低製造成本，有利於熔接工藝有效控制。
圖1示出本實用新型一較佳實施例的結構示意圖；圖2示出本實用新型一較佳實施例的細部；圖3示出圖2描述的細部使用的側面透視圖。
具體實施方式
[0019]為了使本領域相關技術人員更好地理解本實用新型的技術方案，下面將結合本實用新型較佳實施方式的附圖，對本實用新型實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施方式僅僅是本實用新型較佳實施方式，而不是全部的實施方式。本實用新型是為了替代價格昂貴的POP FEEDER而提出的晶片堆疊熔接技術。根據本實用新型的目的，示出一較佳實施例加以說明，在本實施例中，晶片堆疊熔接輔助裝置，包括:圓角方體合成石材質101，上底面111或下底面112面積分別大於四側面任意一側面積，方體材質在上底面111開有六個凹槽102，如圖1示出，結合參考圖2，在每個凹槽102的底部開有方形孔103，孔在俯視狀態下構成孔邊105。接著還是參考圖2結合圖3，凹槽102的形狀、大小根據晶片的輪廓定，由於一般的晶片的輪廓都是正方形，所以此凹槽102首先也設置為水平方向成方形邊緣的凹口 109。為了輕鬆取放堆疊晶片201於凹槽102，並且也保證堆疊晶片102在隨本實施方式的輔助裝置在移動過程中不過多地在凹槽102內位置移動或跳動。在本實施例中孔邊105與側壁104的水平距離為0.1毫米，即掛壁108的寬度為0.1毫米。此外，通常情況下，操作人員會用鑷子等工具取放堆疊晶片201於凹槽102。所以，本實施例較佳的方案，將凹槽102四側壁104對邊向外上設有兩組相互對應的第一圓弧側壁106，以及在四個對角上也設有四個第二圓弧側壁107。所構成的凹槽102的側壁104構成垂直於上底面111或下底面112的縱切面。掛壁108高於下底面112至少0.5毫米。以上僅表達了本實用新型的較佳實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本實用新型權利要求保護範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本實用新型的保護範圍。因此，本實用新型專利的保護範圍應以所附權利要求為準。
權利要求1.一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，包括一方體材質，上底面或下底面面積分別大於四側面任意一側面積，所述方體材質在上底面開有至少一方形凹槽，所述凹槽的底部開孔，所述凹槽底部高於所述下底面，所述凹槽的側壁構成的水平方向上的孔徑大於所述底部開孔的側壁構成的水平方向上的孔徑。
2.如權利要求1所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述方體材質為合成O
3.如權利要求1所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述方形凹槽的側壁構成垂直於所述上底面或下底面的縱切面。
4.如權利要求1所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述方形凹槽側壁設有至少兩個向外水平方向延伸的相互對應的垂直側凹面。
5.如權利要求4所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述垂直側凹面設置在四個對角位置，和/或在四條對邊位置。
6.如權利要求4或5所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述垂直側凹面的側壁構成垂直於所述上底面或下底面的縱切面。
7.如權利要求1所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述方形凹槽底部設為掛壁，用於託住晶片。
8.如權利要求1所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述孔設有四個與所述方形凹槽側壁對應的側壁。
9.如權利要 求7所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述掛壁高於所述下底面至少0.5毫米。
10.如權利要求1所述一種晶片堆疊熔接輔助裝置，其特徵在於，所述凹槽的側壁構成的水平方向上的孔徑大於所述底部開孔的側壁構成的水平方向上的孔徑至少0.5毫米。
專利摘要本實用新型涉及元件表面貼裝技術領域，尤其涉及晶片堆疊熔接的輔助裝置。本實用新型提供的一種晶片堆疊熔接輔助裝置，包括方體材質，上底面或下底面面積分別大於四側面任意一側面積，方體材質在上底面開有至少一方形凹槽，凹槽的底部開有孔，凹槽底部高於所述下底面，凹槽的側壁構成的水平方向上的孔徑大於底部開孔的側壁構成的水平方向上的孔徑。本實用新型結構簡單，有利於降低製造成本，有利於熔接工藝有效控制。
文檔編號H01L21/60GK203165866SQ20132004676
公開日2013年8月28日 申請日期2013年1月29日 優先權日2013年1月29日
發明者韓敏 申請人:上海斐訊數據通信技術有限公司