一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法
2023-07-16 09:23:21
一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法
【專利摘要】本發明涉及一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法，本發明屬於植物栽培技術、園林植物與觀賞園藝領域。採用一定比例的草炭土，珍珠巖和蛭石混合，組成千葉蘭莖段扦插繁殖的培養基質，通過調節合適的基質酸鹼度，把培養基質放入育秧盤中，並將待扦插的千葉蘭莖段進行消毒處理後插入其中，提供合適的培養溫度和溼度，當被扦插的千葉蘭莖段上長出新根芽後移栽，按照常規種植辦法種植即可。本發明通過扦插繁殖，使千葉蘭莖段處於優良的生長環境，能有效提高千葉蘭莖段的分化生長與繁殖率。
【專利說明】一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法。本發明屬於植物栽培技術、園林植物與觀賞園藝領域。
【背景技術】
[0002]千葉蘭(Muehlewbeckia complera)寥科千葉蘭屬，又名千葉吊蘭,鐵線蘭,多年生常綠藤本植物。原產紐西蘭，適應性強，喜溫暖溼潤的環境，在陽光充足和半陰處都能正常生長，具有較強的耐寒性，可耐0°C左右的低溫，莖細長，呈現紅色或褐色，葉小且互生，葉片通常情況下呈心形或圓形，花小，自然生長狀態下莖葉自然下垂，適合作為庭院和室內的盆栽觀賞植物，養護方法簡單易行，觀賞性極強，經濟價值極大，市場前景廣闊。
[0003]扦插繁殖方法具有操作簡單，成活率高，生產成本低的優點，容易被市場所接受並產生較好的技術效果，該方法非常適合推廣應用。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在於針對現有技術的不足，提供一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法，簡便實用，成本低廉、便於大規模人工栽培，能快速有效地大量生產千葉蘭幼苗。
[0005]為實現這樣的目的，本發明的技術方案中，採用一定比例的草炭土，珍珠巖和蛭石混合，組成千葉蘭莖段扦插繁殖的培養基質，通過調節合適的基質酸鹼度、提供合適的培養溫度和溼度等技術條件手段，提高千葉蘭莖段扦插分化生長與繁殖率。
[0006]本發明的目的通過以下技術方案予以實現。
[0007]1、培養基質的配製:取乾燥的草`炭土，珍珠巖和蛭石按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30-40分鐘，待已滅菌的培養基質乾燥後，在培養基質中加入0.2% -0.5%的生根粉溶液使之溼潤，調節培養基質pH在6.5-7.0之間，然後將培養基質倒入育秧盤中備用。調節培養基質PH值時可用I摩爾每升的稀磷酸、氫氧化鉀溶液。
[0008]2、母株莖段的切割和消毒:取生長茂盛的千葉蘭母株，清洗乾淨並分株，從頂芽到根部使母株的莖完全伸展，使用手術剪，將母株的莖剪為5-6釐米長的莖段，並確保每部分莖段均帶有2-3片千葉蘭母株葉片。然後將這些剪好的莖段在稀釋500-800倍的多菌靈中浸泡20-40分鐘消毒，然後取出莖段待插。
[0009]3、莖段的扦插定植:將消毒的莖段插入育秧盤中的培養基質內，株行間距3X3釐米，將千葉蘭莖段插入培養基質1-2釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養50-60天，期間保持環境溼度在70%左右，並待每次培養基質乾燥後澆透水。
[0010]4、小苗的移植:當被扦插的千葉蘭莖段上長出新根和新芽後移栽，按常規管理方法進行練苗處理後即可進行花房溫室定植。
[0011]本發明的一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法操作簡便，通過優化扦插繁殖的培養基質，使千葉蘭莖段處於優良的生長環境，能有效提高扦插的千葉蘭莖段的分化生長與繁殖率。
[0012]本發明方法成活率高，能快速有效地大量生產優質千葉蘭種苗，為廣大花卉生產企業提供一種簡便實用的生產千葉蘭種苗的技術。
【具體實施方式】
[0013]以下通過的實施例對本發明的技術方案作進一步描述。以下實施例不構成對本發明的限定。
[0014]實施例1
[0015]1、培養基質的配製:取乾燥的草炭土，珍珠巖和蛭石按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30分鐘，待已滅菌的培養基質乾燥後，在培養基質中加入0.2%的生根粉溶液使之溼潤，調節培養基質pH在6.5，然後將培養基質倒入育秧盤中備用。調節培養基質PH值時可用I摩爾每升的稀磷酸、氫氧化鉀溶液。
[0016]2、母株莖段的切割和消毒:取生長茂盛的千葉蘭母株，清洗乾淨並分株，從頂芽到根部使母株的莖完全伸展，使用手術剪，將母株的莖剪為5-6釐米長的莖段，並確保每部分莖段均帶有2-3片千葉蘭母株葉片。然後將這些剪好的莖段在稀釋800倍的多菌靈中浸泡40分鐘消毒，然後取出莖段待插。
[0017]3、莖段的扦插定植:將消毒的莖段插入育秧盤中的培養基質內，株行間距3X3釐米，將千葉蘭莖段插入培養基質1-2釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養50-60天，期間保持環境溼度在70%左右，並待每次培養基質乾燥後澆透水。
[0018]4、小苗的移植:當被扦插的千葉蘭莖段上長出新根和新芽後移栽，按常規管理方法進行練苗處理後即可進行花房·溫室定植。
[0019]實施例2
[0020]重複實施例1，有以下不同點:培養基質的配製，取乾燥的草炭土，珍珠巖和蛭石按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌40分鐘，待已滅菌的培養基質乾燥後，在培養基質中加入0.5%的生根粉溶液使之溼潤，調節培養基質PH在6.7，然後將培養基質倒入育秧盤中備用。
[0021]實施例3
[0022]重複實施例1，有以下不同點:將剪好的莖段在稀釋500倍的多菌靈中浸泡20分鐘消毒，然後取出莖段待插。
【權利要求】
1.一種千葉蘭莖段扦插繁殖方法，其特徵在於包括下列步驟: 1)培養基質的配製:取乾燥的草炭土，珍珠巖和蛭石按照3: I: I混合成培養基質，然後放在高壓滅菌鍋中在121°C條件下滅菌30-40分鐘，待已滅菌的培養基質乾燥後，在培養基質中加入0.2% -0.5%的生根粉溶液使之溼潤，調節培養基質pH在6.5-7.0之間，然後將培養基質倒入育秧盤中備用，調節培養基質PH值時可用I摩爾每升的稀磷酸、氫氧化鉀溶液； 2)母株莖段的切割和消毒:取生長茂盛的千葉蘭母株，清洗乾淨並分株，從頂芽到根部使母株的莖完全伸展，使用手術剪，將母株的莖剪為5-6釐米長的莖段，並確保每部分莖段均帶有2-3片千葉蘭母株葉片，然後將這些剪好的莖段在稀釋500-800倍的多菌靈中浸泡20-40分鐘消毒，然後取出莖段待插； 3)莖段的扦插定植:將消毒的莖段插入育秧盤中的培養基質內，株行間距3X3釐米，將千葉蘭莖段插入培養基質1-2釐米深，置於22-25°C的陰暗條件下培養50-60天，期間保持環境溼度在70%左右，並待每次培養基質乾燥後澆透水； 4)小苗的移植:當被扦插的千葉蘭莖段上長出新根和新芽後移栽，按常規管理方法進行練苗處理後即可進行花房溫室定植 。
【文檔編號】A01G1/00GK103843539SQ201210496557
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月29日 優先權日:2012年11月29日
【發明者】崔金騰, 張克中, 王全, 王傑 申請人:北京農學院