一種肖特基二極體的封裝結構的製作方法

2023-08-13 02:04:46

專利名稱：一種肖特基二極體的封裝結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種肖特基二極體的封裝結構。
背景技術：
目前，肖特基二極體的封裝是關係到肖特基二極體性能的重要步驟，而現在的封裝結構簡單且不合理，尤其是散熱性能差，這也影響到了肖特基二極體的使用壽命。而且在高溫焊接晶片時，晶片容易發生旋轉，增加了焊接難度。跳線在晶片上方的定位精度也不高，這些影響著產品的生產效率和質量。

發明內容
為解決以上技術上的不足，本發明提供了一種散熱好、質量高的肖特基二極體的封裝結構。本發明是通過以下措施實現的:
本發明一種肖特基二極體的封裝結構，包括晶片、跳線和金屬框架，所述金屬框架包括間隔相對的一個基部金屬框架和兩個引出金屬框架，所述晶片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，晶片上表面焊接跳線的一端，跳線的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，所述基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及晶片、跳線的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，並且基部金屬框架和引出金屬框架均延伸有位於塑封體外的引腳。上述基部金屬框架的上表面設置有網格狀的防移溝。上述引出金屬框架上表面設置有卡槽，所述跳線的端部設置有與卡槽相配合的凸塊。上述基部金屬框架和引出金屬框架相對的側壁均為梯級形狀且之間填充塑封體。上述塑封體的長、寬、厚分別為5.4mm、4.0mm和1.1mm。上述若干金屬框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個基部金屬框架，每個基部金屬框架相對設置有兩個引出金屬框架。本發明的有益效果是:
結構設計合理，具有較高的散熱效率，提高了可靠性，延長了使用壽命；體積縮小，減少了佔用空間；有效避免了高溫焊接時的晶片在基部金屬框架上的旋轉，提升跳線在晶片上方的定位精度，提聞了質量。


圖1為本發明的正面結構示意圖。圖2為本發明的反面結構示意圖。圖3為本發明剖視結構示意圖。圖4為本發明在生產中連為一體的金屬框架。
其中:1塑封體，2基部金屬框架，3引出金屬框架，4引腳，5跳線，6晶片，7卡槽，8凸塊。
具體實施例方式如圖1、2、3、4所示，本發明一種肖特基二極體的封裝結構，包括芯
片、跳線5和金屬框架，金屬框架包括間隔相對的一個基部金屬框架2和兩個引出金屬框架3，晶片6的下表面與基部金屬框架2的上表面相焊接，晶片6上表面焊接跳線5的一端，跳線5的另一端焊接在引出金屬框架3的上表面，基部金屬框架2、引出金屬框架3之間和上方以及晶片6、跳線5的上方和外圍均包覆有塑封體1，基部金屬框架2和引出金屬框架3的下表面暴露在塑封體I外，並且基部金屬框架2和引出金屬框架3均延伸有位於塑封體I外的引腳4。由於基部金屬框架2和引出金屬框架3的下表面暴露在塑封體I外，所以提高了晶片6的散熱效率，延長了晶片6的使用壽命。同時塑封體I的長、寬、厚分別為
5.4mm、4.0mm和1.1mm。封裝的佔位面積僅為26 mm2,較SMC封裝小41% ;高度只有1.1mm,僅為DPAK (T0252)封裝的一半。減少佔用空間。基部金屬框架2的上表面設置有網格狀的防移溝。可有效避免高溫焊接時的晶片6在基部金屬框架2上的旋轉。引出金屬框架3上表面設置有卡槽7，跳線5的端部設置有與卡槽7相配合的凸塊8。將跳線5的凸塊8卡在卡槽7內再焊接，提升跳線5在晶片6上方的定位精度。基部金屬框架2和引出金屬框架3相對的側壁均為梯級形狀且之間填充塑封體I。有利於金屬框架與塑封體I的結合，連接更加牢固。在生產過程中，一般先加工出連為一體的金屬框架，這些金屬框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個基部金屬框架2，每個基部金屬框架2相對設置有兩個引出金屬框架3。這樣有效節省塑封時的黑膠用量，而且方便進行自動化生產方式。然後再進行自動印刷錫膏、自動固晶、自動點錫膏等工藝，最後將引腳4切斷，成為一個一個的產品O以上所述僅是本專利的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本專利的保護範圍。
權利要求
1.一種肖特基二極體的封裝結構，包括晶片、跳線和金屬框架，所述金屬框架包括間隔相對的一個基部金屬框架和兩個引出金屬框架，所述晶片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，晶片上表面焊接跳線的一端，跳線的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，其特徵在於:所述基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及晶片、跳線的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，並且基部金屬框架和弓I出金屬框架均延伸有位於塑封體外的引腳。
2.根據權利要求1所述肖特基二極體的封裝結構，其特徵在於:所述基部金屬框架的上表面設置有網格狀的防移溝。
3.根據權利要求1所述肖特基二極體的封裝結構，其特徵在於:所述引出金屬框架上表面設置有卡槽，所述跳線的端部設置有與卡槽相配合的凸塊。
4.根據權利要求1所述肖特基二極體的封裝結構，其特徵在於:所述基部金屬框架和引出金屬框架相對的側壁均為梯級形狀且之間填充塑封體。
5.根據權利要求1所述肖特基二極體的封裝結構，其特徵在於:所述塑封體的長、寬、厚分別為 5.4mm、4.0mm 和 1.1mm。
6.根據權利要求1所述肖特基二極體的封裝結構，其特徵在於:若干金屬 框架矩陣式排列連接為一體，包括20排，每排包括8個基部金屬框架，每個基部金屬框架相對設置有兩個弓I出金屬框架。
全文摘要
本發明一種肖特基二極體的封裝結構，包括晶片、跳線和金屬框架，金屬框架包括間隔相對的一個基部金屬框架和兩個引出金屬框架，晶片的下表面與基部金屬框架的上表面相焊接，晶片上表面焊接跳線的一端，跳線的另一端焊接在引出金屬框架的上表面，基部金屬框架、引出金屬框架之間和上方以及晶片、跳線的上方和外圍均包覆有塑封體，基部金屬框架和引出金屬框架的下表面暴露在塑封體外，並且基部金屬框架和引出金屬框架均延伸有位於塑封體外的引腳。本發明的有益效果是具有較高的散熱效率，提高了可靠性，延長了使用壽命，提高了質量。
文檔編號H01L23/495GK103187383SQ20131005977
公開日2013年7月3日 申請日期2013年2月26日 優先權日2013年2月26日
發明者陳鋼全 申請人:山東迪一電子科技有限公司