加熱矽料的坩堝的製作方法

2023-08-11 18:13:46 3

加熱矽料的坩堝的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種加熱矽料的坩堝，包括坩堝體和護套，該護套設在該坩堝體的上邊緣處。在傳統坩堝上邊緣增加了一個保護套，片狀矽料的投入量會相比之前加大，融化之後，也會達到坩堝的允許最大刻度線。投料量增加-投料量相對加大25%；矽錠質量提高-可提高3%以上；降低能耗-相對單公斤矽料耗電量下降25%；少子壽命-紅邊區減少，整體少子壽命提高。
【專利說明】加熱矽料的坩堝
【技術領域】
[0001]本發明涉及矽片加工【技術領域】，尤其是一種加熱矽料的坩堝。
【背景技術】
[0002]在矽片加工過程中，需要將固體矽片原料堆入坩堝進行加熱處理，片狀的物料在坩堝中互相疊層，會用縫隙，所以每次投入相對的滿料之後，經過加熱融化之後，搭聯的縫隙會被液體充滿，液面會低於坩堝的最大刻度線，這就導致現有坩堝投料量為520kg，周期時間為83小時左右，單公斤矽料用電量11度，平均成品率為65%左右，導致成品子錠減少，輔料增加。
【發明內容】

[0003]本發明針對現有技術的不足，提出一種加熱矽料的坩堝，投料量大，周期短。
[0004]為了實現上述發明目的，本發明提供以下技術方案:一種加熱矽料的坩堝，包括坩堝體和護套，該護套設在該坩堝體的上邊緣處。
[0005]進一步地，該護套為圓筒狀，架設在該坩堝體的上邊緣上。
[0006]進一步地，該護套的內徑小於該坩堝體的開口內徑。
[0007]與現有技術相比，本發明具有以下優點:在傳統坩堝上邊緣增加了一個保護套，片狀矽料的投入量會相比之前加大，融化之後，也會達到坩堝的允許最大刻度線。投料量增加-投料量相對加大25% ;矽錠質量提高-可提高3%以上；降低能耗-相對單公斤矽料耗電量下降25% ;少子壽命-紅邊區減少，整體少子壽命提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發明的結構示意圖；
圖2為圖1的局部放大圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結合附圖對本發明進行詳細描述，本部分的描述僅是示範性和解釋性，不應對本發明的保護範圍有任何的限制作用。
[0010]如圖1和2所示的一種加熱矽料的坩堝，包括坩堝體I和護套2，該護套2設在該坩堝體I的上邊緣處。該護套2為圓筒狀，架設在該坩堝體I的上邊緣上。該護套2的內徑小於該坩堝體I的開口內徑。
[0011]增加陶瓷坩堝護套，使投料量增至650kg，單爐工藝周期時間為85小時左右；單公斤用電量在9度，因投料量增加至成品率高達69%以上，成品子錠有效長度增加，輔料減少，使整體生產成本降低。投料量增加-投料量相對加大25%;矽錠質量提高-可提高3%以上；降低能耗-相對單公斤矽料耗電量下降25% ;少子壽命-紅邊區減少，整體少子壽命提高。
【權利要求】
1.一種加熱矽料的坩堝，其特徵在於:包括坩堝體和護套，該護套設在該坩堝體的上邊緣處。
2.如權利要求1所述加熱矽料的坩堝，其特徵在於:該護套為圓筒狀，架設在該坩堝體的上邊緣上。
3.如權利要求2所述加熱矽料的坩堝，其特徵在於:該護套的內徑小於該坩堝體的開口內徑。
【文檔編號】C30B35/00GK103556232SQ201310543197
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月6日 優先權日:2013年11月6日
【發明者】劉耀峰, 潘振東 申請人:無錫榮能半導體材料有限公司