金屬配線接合結構及其製法的製作方法

2024-02-16 00:47:15

本發明涉及金屬配線接合結構及其製法。

背景技術：

以往，作為柔性基板與印刷基板的接合結構，已知有通過軟釺焊將柔性基板上的接點圖案等的接點部分與印刷基板上的相對應的接點部分電連接的接合結構(例如專利文獻1)。將這樣的接合結構的一個例子示於圖15。柔性基板110中，在基板端去除覆蓋膜(coverlayfilm)112，從而以一定間距平行排列的銅箔圖案的端部作為接點圖案114而露出。而後，使接點圖案114與在印刷基板120上形成的接點圖案124重合，使預先附著於接點圖案114及接點圖案124中至少一方的表面的焊料熔融，從而電連接。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平5-90725號公報

技術實現要素：

發明要解決的課題

但是，在圖15的接合結構中，附著於接點圖案114和接點圖案124中至少一方的表面的焊料的量有時不夠充分。另外，在使焊料熔融時，有時熱無法遍及焊料整體，引起連接不良。

本發明為了解決上述課題而完成，其主要目的在於將具有第1接點部的第1構件與具有第2接點部的第2構件牢固地接合。

用於解決課題的手段

本發明的金屬配線接合結構為具備如下構件的金屬配線接合結構：

第1構件，其在樹脂制的第1支撐層與樹脂制的第1被覆層之間具有多個第1金屬配線，形成各第1金屬配線的端部的第1接點部從前述第1被覆層露出；

第2構件，其在樹脂制的第2支撐層的表面具有多個第2接點部，前述第2接點部與前述多個第1接點部分別對置地配置；以及

接合構件，其將前述第1接點部與前述第2接點部釺焊；

前述第1構件中，在前述第1支撐層中與設置有前述第1金屬配線的面相反一側的面上，在與前述多個第1接點部分別對置的位置具有金屬制的第1接點部對置連接盤，並且具有將前述第1接點部對置連接盤、前述第1支撐層以及前述第1接點部貫通的第1貫通孔，

前述接合構件被覆前述第1接點部對置連接盤的表面，並且填充於前述第1貫通孔的內部以及前述第1接點部與前述第2接點部之間的接合用空間。

在該金屬配線接合結構中，接合構件被覆第1接點部對置連接盤的表面，並且填充於第1貫通孔的內部以及第1接點部與前述第2接點部之間的接合用空間。在製作該金屬配線接合結構時，能夠將在第1接點部對置連接盤中熔融的釺焊材料經第1貫通孔向接合用空間供給。因此，與沒有第1接點部對置連接盤以及第1貫通孔的情況相比，更容易向接合用空間供給釺焊材料。其結果是，能夠避免接合用空間的釺焊材料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，如果將第1接點部對置連接盤進行加熱，則該熱介由第1支撐層傳導至接合用空間，並且熔融狀態的釺焊材料的熱也傳導至接合用空間。因此，接合用空間整體被高溫化。其結果是，供給於接合用空間的熔融狀態的釺焊材料容易均勻地在接合用空間內潤溼鋪展。這樣，可避免接合用空間的釺焊材料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況，並且由於釺焊材料均勻地在接合用空間內潤溼鋪展，因而第1接點部與第2接點部牢固地接合。

予以說明的是，「釺焊」是指軟釺焊(熔融溫度小於450℃)、硬釺焊(熔融溫度為450℃以上)。

在本發明的金屬配線接合結構中，前述第1貫通孔的橫截面可以是圓形、橢圓形或圓角長方形。如果這樣設定，則在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料能夠順暢地通過第1貫通孔。特別優選為橢圓形或圓角長方形。通常，俯視第1接點部時的形狀大多為長方形，因而如果按照使長徑朝向該長方形的長邊方向的方式設置截面橢圓形或截面圓角長方形的第1貫通孔，則能夠增大第1貫通孔的開口面積。其結果是，在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料更順暢地到達接合用空間。

在本發明的金屬配線接合結構中，前述第1貫通孔的內壁可以用金屬膜進行被覆。如果這樣設定，則在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料變得容易在第1貫通孔的內壁潤溼鋪展。

在本發明的金屬配線接合結構中，也可以相對於1個前述第1接點部設置有2個以上的前述第1貫通孔。如果這樣設定，則在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料高效地到達接合用空間。

在本發明的金屬配線接合結構中，前述第2接點部除了具有與前述第1接點部對置的基本面，還可以具有與將前述第1接點部假想地向前方延長而得到的假想延長部對置的延長面，前述接合構件可以被覆前述第1接點部對置連接盤的表面、前述第1構件的前端面以及前述第2接點部的延長面，並且填充於前述第1貫通孔的內部以及前述接合用空間。如果這樣設定，則由於可以從外部檢查接合構件中的被覆第1接點部對置連接盤的表面、第1構件的前端面的部分，因而能夠容易地確認連接狀況。

在本發明的金屬配線接合結構中，前述第1構件可以是柔性印刷基板(fpc)。如果這樣設定，則能夠牢固地接合fpc的第1接點部與第2構件的第2接點部。

在本發明的金屬配線接合結構中，前述第2構件是發揮加熱器作用的片狀加熱器，其配置於靜電卡盤與金屬制的支撐臺之間，前述第1構件可以插入於前述支撐臺的貫通孔而與前述第2構件接合。如果這樣設定，則在靜電卡盤與支撐臺之間配置片狀加熱器而得到的靜電卡盤加熱器中，能夠將第1構件的第1接點部與片狀加熱器的第2接點部牢固地接合。

本發明的金屬配線接合結構的製法包含如下工序：

(a)準備如下構件的工序：

第1構件，其在樹脂制的第1支撐層與樹脂制的第1被覆層之間具有多個第1金屬配線，形成各第1金屬配線的端部的第1接點部從前述第1被覆層露出，在前述第1支撐層中與設置有前述第1金屬配線的面相反一側的面上，在與前述多個第1接點部分別對置的位置具有金屬制的第1接點部對置連接盤，並且具有將前述第1接點部對置連接盤、前述第1支撐層以及前述第1接點部貫通的第1貫通孔；以及

第2構件，其在樹脂制的第2支撐層的表面具有多個第2接點部；

(b)在使前述第1接點部與前述第2接點部對置的狀態下，將釺焊材料貼著前述第1接點部對置連接盤進行加熱，使其熔融，使該熔融的釺焊材料從前述第1接點部對置連接盤經前述第1貫通孔供給於前述第1接點部與前述第2接點部之間的接合用空間，在預先用預備的釺焊材料將前述第1接點部與前述第2接點部進行了臨時固定的情況下利用傳熱使該預備的釺焊材料熔融的工序；

(c)使前述釺焊材料整體進行固化的工序。

該金屬配線接合結構的製法中，在使第1接點部與第2接點部對置的狀態下，將釺焊材料貼著第1接點部對置連接盤進行加熱，使其熔融。於是，在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料經第1貫通孔供給於接合用空間。因此，與沒有第1接點部對置連接盤以及第1貫通孔的情況相比，更容易向接合用空間供給釺焊材料。其結果是，能夠避免接合用空間的釺焊材料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，第1接點部對置連接盤也被加熱，該熱介由第1支撐層而傳導到接合用空間，並且熔融狀態的釺焊材料的熱也傳導到接合用空間。因此，接合用空間整體被高溫化。其結果是，供給於接合用空間的熔融狀態的釺焊材料容易均勻地在接合用空間內潤溼鋪展。予以說明的是，在預先用預備的釺焊材料將第1接點部與第2接點部進行了臨時固定的情況下，該預備的釺焊材料通過傳熱而熔融，與供給於接合用空間的熔融狀態的釺焊材料成為一體。其後，使熔融狀態的釺焊材料固化。作為固化後的釺焊材料的接合構件成為在被覆第1接點部對置連接盤的表面的同時填充於第1貫通孔的內部以及接合用空間的狀態。這樣，可避免接合用空間的釺焊材料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況，並且由於釺焊材料均勻地在接合用空間內潤溼鋪展，因而第1接點部與第2接點部可牢固地接合。

本發明的金屬配線接合結構的製法中，前述第1貫通孔的橫截面可以製成圓形、橢圓形或圓角長方形。如果這樣設定，則在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料能夠順暢地通過第1貫通孔。特別優選為橢圓形或圓角長方形。

本發明的金屬配線接合結構的製法中，前述第1貫通孔的內壁可以用金屬膜進行被覆。如果這樣設定，則在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料變得容易在第1貫通孔的內壁潤溼鋪展。

本發明的金屬配線接合結構的製法中，相對於1個前述第1接點部也可以設置2個以上的前述第1貫通孔。如果這樣設定，則在第1接點部對置連接盤熔融的釺焊材料高效地到達接合用空間。

本發明的金屬配線接合結構的製法中，前述第2接點部除了具有與前述第1接點部對置的基本面，還可以具有與將前述第1接點部假想地向前方延長而得到的假想延長部對置的延長面，在前述工序(b)中，也可以進一步使前述熔融的釺焊材料從前述第1接點部對置連接盤經前述第1構件的前端面以及前述第2接點部的前述延長面而到達前述第1接點部與前述第2接點部之間的接合用空間。如果這樣設定，則由於可以從外部檢查接合構件中的被覆第1接點部對置連接盤的表面、第1構件的前端面的部分，因而能夠容易地確認連接狀況。另外，將第1構件的第1接點部按照與第2構件的第2接點部對置的方式進行對位時，由於從第1構件的上方既看得見第2接點部的延長面也看得見第1接點部對置連接盤，因而如果利用它們則能夠容易地進行對位。

本發明的金屬配線接合結構的製法中，前述第1構件可以是柔性印刷基板(fpc)。另外，前述第2構件是發揮加熱器作用的片狀加熱器，其配置於靜電卡盤與金屬制的支撐臺之間，前述第1構件可以插入於前述支撐臺的貫通孔而與前述第2構件接合。

附圖說明

圖1是表示等離子體處理裝置10的概略構成的截面圖。

圖2是表示片狀加熱器30的內部結構的立體圖。

圖3是從片狀加熱器30的下表面30b觀察金屬配線接合結構100時的平面圖。

圖4是圖3的a-a截面圖。

圖5是表示金屬配線接合結構100的製造工序的說明圖。

圖6是表示連接用fpc75的製造工序的說明圖。

圖7是表示金屬配線接合結構100的其他製造工序的說明圖。

圖8是金屬配線接合結構100的變形例的截面圖。

圖9是將連接用fpc75與片狀加熱器30進行對位的工序的說明圖。

圖10是金屬配線接合結構100的變形例的截面圖。

圖11是金屬配線接合結構100的變形例的平面圖。

圖12是圖11的b-b截面圖。

圖13是金屬配線接合結構100的變形例的平面圖。

圖14是連接用fpc75的變形例的截面圖。

圖15是以往的金屬配線接合結構的立體圖。

具體實施方式

一邊參照附圖一邊在以下說明本發明的適合的實施方式。圖1是表示等離子體處理裝置10的概略構成的截面圖，圖2是表示片狀加熱器30的內部結構的立體圖。

如圖1所示，作為半導體製造裝置的等離子體處理裝置10具備真空腔室12、噴頭14以及靜電卡盤加熱器20。真空腔室12是利用鋁合金等而形成為箱狀的容器。噴頭14設置於真空腔室12的頂棚面。噴頭14將由氣體導入管16供給的工藝氣體從多個氣體噴射孔18向真空腔室12的內部釋放。另外，噴頭14發揮作為等離子體生成用的陰極板的作用。靜電卡盤加熱器20是將晶片w吸附保持於晶片載置面22a的裝置。以下，對靜電卡盤加熱器20進行詳細說明。

靜電卡盤加熱器20具備靜電卡盤22、片狀加熱器30以及支撐臺60。靜電卡盤22的下表面與片狀加熱器30的上表面30a介由第1接合片材81而相互粘接。支撐臺60的上表面與片狀加熱器30的下表面30b介由第2接合片材82而相互粘接。作為各接合片材81、82，可舉出在聚丙烯制的芯材的兩面具備丙烯酸系樹脂層的片材、在聚醯亞胺制的芯材的兩面具備有機矽樹脂層的片材、環氧樹脂單獨的片材等。

靜電卡盤22是圓板狀的構件，其是在陶瓷燒結體26中埋設有靜電電極24而成的構件。作為陶瓷燒結體26，可舉出例如氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體等。靜電卡盤22的上表面成為載置晶片w的晶片載置面22a。陶瓷燒結體26的厚度沒有特別限定，但優選為0.5～4mm。

片狀加熱器30是圓板狀的構件，其是在耐熱性的樹脂片材32中內置有修正加熱電極34、跳線36、接地電極40以及基準加熱電極44而成的構件。作為樹脂片材32的材質，可舉出例如聚醯亞胺樹脂、液晶聚合物等。片狀加熱器30具有與片狀加熱器30的上表面30a平行且高度不同的第1電極區域a1～第4電極區域a4(參照圖2)。

第1電極區域a1分為多個區z1(例如100區或者300區)。在各區z1中，修正加熱電極34按照一筆畫的要領以遍及該區z1整體的方式從一端34a配線至另一端34b。圖2中，在第1電極區域a1中劃出由虛線表示的假想線，將被該假想線包圍的部分作為區z1。該圖2中，為了方便，僅在1個區z1中示出了修正加熱電極34，但在其他的區z1也設置有同樣的修正加熱電極34。另外，用點劃線示出片狀加熱器30的外形。

在第2電極區域a2中設置有分別向多個修正加熱電極34供電的跳線36。因此，跳線36的數量與修正加熱電極34的數量一致。第2電極區域a2分為數量比區z1的數量少(例如6區或者8區)的區z2。圖2中，在第2電極區域a2中劃出由虛線表示的假想線，將被該假想線包圍的部分作為區z2。該圖2中，為了方便，僅在1個區z2中示出了跳線36(一部分)，但在其他的區z2也設置有同樣的跳線36。在本實施方式中，對在將一個區z2投影於第1電極區域a1時進入投影區域中的多個修正加熱電極34設為屬於同組的電極而進行說明。屬於一個組的修正加熱電極34的一端34a，介由在上下方向上將第1電極區域a1與第2電極區域a2之間貫穿的導通孔35(參照圖1)而連接於與該組對應的區z2內的跳線36的一端36a。該跳線36的另一端36b被拉出至設置在該區z2的外周區域38。其結果是，與屬於同組的修正加熱電極34連接的跳線36的另一端36b匯總配置在一個外周區域38。在將該外周區域38投影於片狀加熱器30的下表面30b而得到的區域x內，並列配置有介由導通孔41(參照圖1)與各跳線36的另一端36b連接的跳線盤(jumperland)46a。換言之，多個跳線盤46a以2個以上為一組並按照露出於外部的方式配置在相同區域x。予以說明的是，修正加熱電極34的電阻率優選設為跳線36的電阻率以上。

在第3電極區域a3中設置有多個修正加熱電極34共用的接地電極40。各修正加熱電極34介由從第1電極區域a1經第2電極區域a2到達第3電極區域a3的導通孔42(參照圖1)而與接地電極40連接。另外，接地電極40具有從外周向外側突出的突起40a。該突起40a設置於與各外周區域38的缺口39正對的位置。該突起40a介由導通孔43(參照圖1)而與設置在片狀加熱器30的下表面30b的接地連接盤46b連接。接地連接盤46b與跳線盤46a一同設置在片狀加熱器30的下表面30b的區域x內。

第4電極區域a4分為數量比設置於第1電極區域a1的修正加熱電極34的總數少(例如4區或者6區)的區z4。在各區z4中，輸出比修正加熱電極34高的基準加熱電極44按照一筆畫的要領以遍及該區z4整體的方式從一端44a配線至另一端44b。圖2中，在第4電極區域a4劃出由虛線表示的假想線，將被該假想線包圍的部分作為區z4。該圖2中，為了方便，僅在1個區z4中示出了基準加熱電極44，但在其他的區z4也設置有同樣的基準加熱電極44。各基準加熱電極44的兩端44a、44b介由從第4電極區域a4到達片狀加熱器30的下表面30b的未圖示的導通孔而與設置在片狀加熱器30的下表面30b的一對基準連接盤50a、50b連接。

如圖1所示，支撐臺60是由al或al合金等金屬製作的圓板狀的構件，在內部設置有製冷劑流路62。在製冷劑流路62的入口62a和出口62b連接有用於調整製冷劑溫度的冷卻器70。如果製冷劑從冷卻器70供給於製冷劑流路62的入口62a，則會通過按照遍及支撐臺60整體的方式設置的製冷劑流路62，並從製冷劑流路62的出口62b返回至冷卻器70，在冷卻器70內冷卻為設定溫度後，再次供給於製冷劑流路62的入口62a。支撐臺60具有在上下方向上將支撐臺60貫通的多種貫通孔64～67。貫通孔64是用於使靜電電極24的供電端子25露出於外部的孔。貫通孔65是用於使設置在片狀加熱器30的下表面30b的區域x中的連接盤組(跳線盤46a和接地連接盤46b，參照圖2)露出於外部的孔。貫通孔66、67是分別使基準加熱電極44的基準連接盤50a、50b露出於外部的孔。在貫通孔66、67中插入有電絕緣筒66a、67a。予以說明的是，除上述以外，雖沒有圖示但支撐臺60還具有用於使頂起晶片w的頂針上下移動的貫通孔等。

等離子體處理裝置10進一步具備靜電卡盤電源72、修正加熱器電源74、基準加熱器電源76以及rf電源79。靜電卡盤電源72是直流電源，其介由插入於貫通孔64的供電棒73而與靜電電極24的供電端子25連接。修正加熱器電源74是直流電源，其介由插入於貫通孔65且作為金屬配線集合體的連接用柔性印刷基板(連接用fpc)75而與修正加熱電極34的跳線盤46a以及接地連接盤46b連接。具體而言，圖2所示的屬於同組的跳線盤46a以及接地連接盤46b，由於並列設置在相同區域x，因而介由一個連接用fpc75而連接。連接用fpc75是將用樹脂皮膜覆蓋的金屬配線75a、75b束成帶狀而成的電纜，與區域x對置的端部的各金屬配線75a、76b露出。金屬配線75a是用於將跳線盤46a與修正加熱器電源74的正極連接的導線，金屬配線75b是用於將接地連接盤46b與修正加熱器電源74的負極連接的導線。基準加熱器電源76是交流電源，其介由插入於貫通孔66的電纜端子77而與基準加熱電極44的一個基準連接盤50a連接，並且介由插入於貫通孔67的電纜端子78而與基準加熱電極44的另一個基準連接盤50b連接。rf電源79是等離子體生成用的電源，按照將高頻電力供給於作為陽極板而發揮功能的支撐臺60的方式進行連接。予以說明的是，作為陰極板而發揮功能的噴頭14介由可變電阻而接地。

此處，使用圖3以及圖4對片狀加熱器30與連接用fpc75的金屬配線接合結構100進行說明。圖3為從片狀加熱器30的下表面30b觀察金屬配線接合結構100時的平面圖，圖4為圖3的a-a截面圖。予以說明的是，為了方便，跳線盤46a與接地連接盤46b不加以區分而僅稱為加熱器連接盤46；金屬配線75a、75b也不加以區分而稱為金屬配線750。片狀加熱器30具有露出於下表面30b的區域x(參照圖2)的多個加熱器連接盤46(46a、46b)。連接用fpc75是用樹脂被覆多個金屬配線750而得到的扁平的配線材料。具體而言，連接用fpc75在樹脂制的支撐層751與樹脂制的被覆層752之間具有多個金屬配線750。形成各金屬配線750的端部的接點部753從被覆層752露出。在支撐層751中與設置有金屬配線750的面相反一側的面上，在與多個接點部753分別對置的位置設置有金屬制的接點部對置連接盤754。連接用fpc75具有貫通孔755。予以說明的是，在該實例中設置有2個貫通孔755。貫通孔755貫通接點部對置連接盤754、支撐層751以及接點部753。另外，貫通孔755的橫截面(在水平面切斷的截面)成為圓形或大致圓形。焊料接合構件756被覆接點部對置連接盤754的表面，並且填充於貫通孔755的內部以及接點部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c。

使用圖5對這樣的金屬配線接合結構100的製法進行說明。圖5是表示金屬配線接合結構100的製造工序的說明圖。

首先，如圖5(a)所示，在片狀加熱器30的加熱器連接盤46上塗布預備焊料770。作為預備焊料770，可使用例如乳酪焊劑。

接著，如圖5(b)所示，準備連接用fpc75，按照各接點部753在與各加熱器連接盤46對置的狀態下與預備焊料770接觸的方式進行配置。連接用fpc75按照以下步驟進行準備。圖6是表示連接用fpc75的製造工序的說明圖。首先，準備在樹脂制的支撐層751的兩面貼附有銅箔761、762的雙面帶銅箔支撐層(參照圖6(a))。予以說明的是，也可以使用其他的金屬箔來替代銅箔761、762。接著，在銅箔761上圖案形成金屬配線750，並且在銅箔762上圖案形成接點部對置連接盤754(參照圖6(b))。作為圖案形成的方法，可以使用溼蝕刻法。接著，用樹脂制的被覆層752覆蓋金屬配線750。作為用被覆層752覆蓋的方法，可使用層壓法。但是，作為金屬配線750的前端部分的接點部753沒有用被覆層752覆蓋而露出於外部(參照圖6(c))。接著，利用鑽孔機、雷射器等形成在上下方向上將接點部對置連接盤754、支撐層751以及接點部753貫通的貫通孔755(參照圖6(d))。由此，獲得連接用fpc75。貫通孔755的直徑沒有特別限制，但優選為0.1mm以上。予以說明的是，通過將接點部對置連接盤754與接點部753製成相同形狀從而能夠容易地設置貫通孔755，但如果能夠設置貫通孔755，則不一定需要製成相同形狀。

接著，如圖5(c)所示，用點式加熱器780的熱風向預備焊料770賦予熱而使預備焊料770熔融，然後通過冷卻固化，從而將片狀加熱器30與連接用fpc75進行臨時固定。預備焊料770大多無法確保可以無間隙地填埋接點部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c的量，或者來自點式加熱器780的熱不能遍及整體而導致熔融不充分。因此，僅通過預備焊料770，無法將接點部753與加熱器連接盤46牢固地進行軟釺焊。

接著，如圖5(d)所示，一邊將焊條784按壓於接點部對置連接盤754的上表面，一邊用釺焊烙鐵782使焊條784熔融。於是，熔融焊料從接點部對置連接盤754進入貫通孔755，經貫通孔755而供給於接合用空間c。因此，與沒有接點部對置連接盤754以及貫通孔755的情況相比，更容易向接合用空間c供給熔融焊料。其結果是，能夠避免接合用空間c的焊料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，接點部對置連接盤754也被加熱，該熱介由支撐層751而傳導到接合用空間c，並且熔融焊料的熱也傳導到接合用空間c。因此，接合用空間c的整體被高溫化。其結果是，供給於接合用空間c的熔融焊料容易均勻地在接合用空間c內潤溼鋪展。另外，預備焊料770通過傳熱而熔融，與供給於接合用空間c的熔融焊料成為一體。其後，使熔融焊料固化而製成焊料接合構件756。作為固化後的釺焊材料的接合構件，成為在被覆第1接點部對置連接盤的表面的同時填充於第1貫通孔的內部以及接合用空間的狀態。焊料接合構件756成為在被覆接點部對置連接盤754的表面的同時填充於貫通孔755的內部以及接合用空間c的狀態。

接著，對這樣構成的等離子體處理裝置10的使用例進行說明。首先，在靜電卡盤22的晶片載置面22a載置晶片w。而後，通過真空泵對真空腔室12內進行減壓，調整為預定的真空度，對靜電卡盤22的靜電電極24施加直流電壓而產生庫侖力或約翰生·拉別克力，將晶片w吸附固定於靜電卡盤22的晶片載置面22a。接著，將真空腔室12內設為預定壓力(例如數十～數百pa)的工藝氣體氣氛。在該狀態下，對噴頭14與支撐臺60之間施加高頻電壓，產生等離子體。利用所產生的等離子體對晶片w的表面進行蝕刻。在此期間，未圖示的控制器進行控制以使得晶片w的溫度成為預先設定的目標溫度。具體而言，對於控制器，輸入來自用於測定晶片w溫度的測溫傳感器(沒有圖示)的檢測信號，按照使晶片w的測定溫度與目標溫度一致的方式，控制向各基準加熱電極44供給的電流、向各修正加熱電極34供給的電流、在製冷劑流路62中循環的製冷劑的溫度。特別是，為了不產生晶片w的溫度分布，控制器精細地控制向各修正加熱電極34供給的電流。予以說明的是，測溫傳感器可以埋設於樹脂片材32，也可以粘接於樹脂片材32的表面。

此處，明確本實施方式的構成要素與本發明的構成要素的對應關係。本實施方式的連接用fpc75相當於本發明的第1構件，片狀加熱器30相當於第2構件，焊料接合構件756相當於接合構件。另外，連接用fpc75的支撐層751相當於第1支撐層，被覆層752相當於第1被覆層，金屬配線750相當於第1金屬配線，接點部753相當於第1接點部，接點部對置連接盤754相當於第1接點部對置連接盤，貫通孔755相當於第1貫通孔。另外，片狀加熱器30的樹脂片材32相當於第2支撐層，加熱器連接盤46相當於第2接點部。

根據以上說明的金屬配線接合結構100，可避免接合用空間c的焊料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況，並且由於焊料均勻地在接合用空間c內潤溼鋪展，因而連接用fpc75的接點部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46牢固地接合。另外，通過相對於1個接點部753設置多個(此處是2個)貫通孔755，從而在接點部對置連接盤754熔融的焊料高效地到達接合用空間c。進一步，由於貫通孔755的截面是圓形，因而在接點部對置連接盤754熔融的焊料能夠順暢地通過於貫通孔755。

予以說明的是，自不用言，本發明不受上述實施方式的任何限定，只要屬於本發明的技術範圍就可以以各種方式實施。

上述實施方式中，用預備焊料770將連接用fpc75的接點部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46進行了臨時固定，但不需要特別利用預備焊料770進行臨時固定。將一個例子示於圖7。首先，如圖7(a)所示，預先使接合用空間c成為空隙。此時，優選預先利用膠帶、夾具(沒有圖示)等，按照使連接用fpc75的接點部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46在相互對置的位置上不發生偏離的方式進行固定。接著，如圖7(b)所示，可以一邊將焊條784按壓於接點部對置連接盤754的上表面，一邊用釺焊烙鐵782使焊條784熔融，從接點部對置連接盤754經貫通孔755向接合用空間c供給熔融的焊料。在該情況下，在接點部對置連接盤754熔融的焊料也經貫通孔755而供給於接合用空間c。因此，與沒有接點部對置連接盤754以及貫通孔755的情況相比，更容易向接合用空間c供給焊料。其結果是，能夠避免接合用空間c的焊料不足而導致接合變得不充分這樣的不良情況。另外，接點部對置連接盤754也被加熱，該熱介由支撐層751而傳導到接合用空間c，並且熔融焊料的熱也傳導到接合用空間c。因此，接合用空間c的整體被高溫化。其結果是，供給於接合用空間c的焊料容易均勻地在接合用空間c內潤溼鋪展。因此，與上述實施方式同樣地，接點部753與加熱器連接盤46牢固地接合。這樣操作，即使不用預備焊料770進行臨時固定，接點部753與加熱器連接盤46也可牢固地接合。

上述實施方式中，如圖8所示，也可以使加熱器連接盤46除了具有與接點部753對置的基本面461，還具有與將接點部753假想地向前方延長而得到的假想延長部753b對置的延長面462。而且，焊料接合構件756可以被覆接點部對置連接盤754的表面、連接用fpc75的前端面以及片狀加熱器30的加熱器連接盤46的延長面462，並且填充於貫通孔755的內部以及接點部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c。如果這樣設定，則由於可以從外部檢查(例如目視)焊料接合構件756中的被覆接點部對置連接盤754的表面、連接用fpc75的前端面的部分，因而能夠容易地確認連接狀況。另外，將連接用fpc75的接點部753按照與加熱器連接盤46對置的方式進行對位時，由於從連接用fpc75的上方既看得見加熱器連接盤46的延長面462也看得見連接用fpc75的接點部對置連接盤754，因而如果利用它們則能夠容易地進行對位。圖9示出如下情形：在使片狀加熱器30的下表面30b朝上的狀態下，相對於1個加熱器連接盤46從其上方將連接用fpc75的1個接點部753進行對位。予以說明的是，點劃線是將加熱器連接盤46分為基本面461和延長面462的假想線。在接合時，使片狀加熱器30與連接用fpc75從分離的狀態(參照圖9(a))相互靠近，以使得連接用fpc75的接點部對置連接盤754與露出於片狀加熱器30的下表面30b的加熱器連接盤46重疊(參照圖9(b))。接著，按照加熱器連接盤46的基本面461被接點部對置連接盤754覆蓋並隱藏的方式進行配置(參照圖9(c))。此時，按照接點部對置連接盤754的長方形與包圍加熱器連接盤46的延長面462的長方形緊挨著而形成一個長方形的方式進行配置。通過這樣設定，使得形成於接點部對置連接盤754的背側的接點部753與、大小與該接點部753相同的基本面461彼此相對。予以說明的是，如圖10所示，在加熱器連接盤46具有延長面462的情況下，也可以通過焊料接合構件756從接點部對置連接盤754經貫通孔755供給於接合用空間c並滲出於延長面462，從而確認焊料的連接狀況。

上述實施方式中，如圖11所示，也可以將貫通孔765的截面形狀(從上方觀察的形狀)設為橢圓形，利用焊料接合構件766將連接用fpc75與片狀加熱器30進行接合。通常，從上方觀察連接用fpc75的接點部753的形狀大多為長方形(長邊是金屬配線750的延伸方向)。因此，如果按照使長徑朝向該長方形的長邊方向的方式設置截面橢圓形的貫通孔765，則能夠增大貫通孔765的開口面積。其結果是，如圖12所示，在接點部對置連接盤754熔融的焊料高效地到達接點部753與加熱器連接盤46之間的接合用空間c。因此，連接用fpc75的接點部753與片狀加熱器30的加熱器連接盤46通過焊料接合構件766而更加牢固地接合。另外，也可以一邊確保開了貫通孔765後的接點部對置連接盤754的剩餘面積一邊確保貫通孔765的截面面積。或者，如圖13所示，也可以將貫通孔765的截面形狀(從上方觀察的形狀)設為圓角長方形。如果這樣設定，則由於能夠使貫通孔765的截面面積變得更大，因而焊料以及熱變得容易通過。

上述實施方式中，也可以將貫通孔755的內壁用金屬膜被覆。例如，對連接用fpc75進行加工時，也可以利用鑽孔機、雷射器等形成在上下方向上將接點部對置連接盤754、支撐層751以及接點部753貫通的貫通孔755(參照圖6(d))，其後，利用化學鍍、濺射、電鍍等在貫通孔755的內壁形成金屬層755a(參照圖14)。作為金屬層755a的材質，可以使用cu、ni、au、sn等。如果這樣設定，則在接點部對置連接盤754熔融的焊料變得容易在貫通孔755的內壁潤溼鋪展。

上述實施方式中，例示了連接用fpc75作為第1構件，片狀加熱器30作為第2構件，但不特別限定於該組合。例如，也可以使用扁平電纜作為第1構件，也可以使用印刷配線板作為第2構件。

本申請將在2016年3月29日申請的美國臨時申請第62/314,547號以及美國臨時申請第62/314,556號、在2016年6月29日申請的日本國專利申請第2016-128765號以及日本國專利申請第2016-128766號作為優先權主張的基礎，通過引用將其全部內容包含於本說明書中。