垂直導通式發光二極體及其製造方法

2023-12-03 14:21:51

專利名稱：垂直導通式發光二極體及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種固態發光元件及其製造方法，特別是涉及一種垂直導通式發光 二極體及其製造方法。
背景技術：
發光二極體依施加電能後電流擴散的方式做區分，可分成將電流視為「水平擴 散J的水平導通式發光二極體，以及電流視為「垂直注入」的垂直導通式發光二極 管二種。
參閱圖1，就目前的垂直導通式發光二極體1來說，其結構包括一±央板狀的基材
11、 一±央與該基材11接合(bounding)並可以光電效應產生光的量子單元12，及一 片與該量子單元12形成歐姆接觸的電極13。
該基材11以可導電的金屬或是合金為材料構成，並與該量子單元12形成歐姆 接觸作為電極使用，而可配合該片電極13配合共同對該量子單元12提供電能使其 以光電效應發光。
該量子單元12具有一層以透明並可供電流橫向擴散流通的材料形成且與該基材 11接合的電流擴散層121、 一層連接在該電流擴散層121上的第二型披覆層122 (即 p-type cladding layer)、 一層與第二型披覆層122相間隔並該電極連接的第一型披覆 層123 (即n-type cladding layer)，及一層夾設在該第一、二型披覆層123、 122之 間的活性層124 (active layer)，該第一、二型披覆層123、 122相對該活性層124 形成量子能障而可當電流通過時以光電效應產生光。
當自該電極13以及作為另一電極使用的基材11配合施加電能時，電流經過該 電流擴散層121橫向擴散後垂直、M過該第一、二型披覆層123、 122與活性層124， 而以光電效應產生光子，進而使該垂直導通式發光二極體1向外發光。
為了提升垂直導通式發光二極體1的整體發光亮度，會例如在量子單元12中形 成可增加光取出對light extraction efficiency)的窗口層(window layer)，或是於基材
ll上設計增加可反射光的反射層(反射鏡)等結構，由於它們結構多半己為業界所 周知，故在此不再多加詳細贅述，圖中也未示出它們結構。
整體說來，目前的垂直導通式發光二極體l,由於該量子單元12產生的光自該
第一型披覆層123頂面向外射出時，會因為部分光行進角度的限制而再全反射回元
件內部，所以會造成內熱，而導致元件壽命減少，另外，也會呈現出發光亮度不夠
的缺點。
雖然，已有多篇技術文獻提出例如粗化光欲行進射出的表面，進而提升光向外 發散的比率，以提升發光亮度，並同時減少產生全內反射的光的比率，以減少內熱
的產生；但是，它們粗化方式雖然確實可以提升內部產生的光向外發散的比率，但 是穿出頂面的光卻仍是成多方向的不規則^亍進，因此就元件而言，發光亮度雖然有 所提升，但是發光亮度不夠均勻、發光不夠集中的缺點卻仍然存在。 因此，目前的垂直導通式發光二極體1仍有待改善。

發明內容
本發明的目的是在提供一種發光均勻且集中的垂直導通式發光二極體。本發明 的另一 目的是在提供一種發光均勻且集中的垂直導通式發光二極體的製造方法。 於是，本發明高亮度發光二極體包括一±央板狀基材、 一層量子單元，及一片電極。
該塊板狀基材可導電。
該層量子單元與該i央SI反接合併可以光電效應產生光，具有相間隔的一層第一 型披覆層與一層第二型披覆層，及一層形成在該第一、二型披覆層之間的活性層， 該第一、二型披覆層相對該活性層形成量子能障，該第一型披覆層包括一層與該活 性層連接的蝕亥,止部，及一層具有多辦艮自該蝕刻停止部一體凸伸出且高度介於 次 尺度的光修正柱的柱叢部，該柱叢部的多數根光修正柱與周遭介質的折射系 ,使該量子單元產生的光在行進間發生翻寸的機率增加，進而實質正向向外行進。
該片電極與該量子單元相毆姆接觸，且可與該基板共同對該量子單元提供電能 使該量子單元發光。
本發明的垂直導通式發光二極體的製造方法，包括以下步驟。
首先在一塊磊晶基板上形成一層量子單元，該量子單元依序具有一層第一型披 覆層、 一層活性層，及一層第二型披覆層，且該第一、二型披覆層相對該活性層成 量子能障而以光電效應產生光。
同時，可備制一±央可導電的基材。
然後將形成有量子單元的磊晶基板的量子單元與備制好的該基材彼此加壓接 合；再移除該磊晶基板。
接著自移除磊晶 後的半成品所裸露出的頂面向下蝕刻，而使該第一型披覆 層留存的結構成一層與該活性層連接的蝕刻停止部，及一層包括多數根一體自該蝕 亥,止部頂面延伸出且高度屬於次微米尺度的光修正柱的柱叢部。
最後，移除該柱叢部預定區塊中的多數根光修正柱，並在該區塊中以導電材料 形成一片電極，完成該垂直導通式發光二極體的製作。
本發明的有益效果在於深蝕刻第一型披覆層以形成出多數根高度屬次微米尺 度的光修正柱，藉由它們光修正柱與周遭介質的相配合可增加光行進時產生散射的 次數以改變光的行進方向，使元件產生向外發散行進的光的行進方向被改變而實質 正向向上行進，進而使元件的發光集中且均勻。


圖1是一剖視示意圖，說明現有的垂直導通式發光二極體的結構；
圖2是一剖視示意圖，說明本發明垂直導通式發光二極體的一較佳實施例的結
構；
圖3是一局部放大圖，說明圖2的垂直導通式發光二極體的多數光修正柱修正 光的行進方向；
圖4是一流程圖，說明圖2的垂直導通式發光二極體的一較佳實施例的製造方
法；
圖5是一流程圖，說明圖4的製造方法中，實施步驟62的次步驟過程； 圖6是一流程圖，說明圖4的製造方法中，實施步驟65的次步驟過禾呈。
具體實施例方式
下面結合附圖及實施例對本發明進行詳細說明
參閱圖2、圖3，本發明垂直導通式發光二極體2的一較佳實施例，是包括有一 土央矩形板狀的基材3、 一層接合(bonding)在該基材3上的量子單元4，及一片與該 量子單元4形成歐姆接觸的電極5 。
該塊基材3主要是以可導電的金屬或是合金為材料構成，並與該量子單元4形 成M接觸以作為電極使用，以同時配合該片電極5共同對該量子單元4提供電能
使其以光電效應發光。
該± 材3具有一層以可導電且可導熱的材料構成的基底層31 ，及一層以可導 電且可導熱並具有高折射係數的材料構成而與該基底層31連接的反射層32，該基底 層31又包括一層中央層體311，及分別形成在該中央層體311相反兩界面上的多數 個堆覆膜體312，該反射層32則由至少一層反射膜體321堆疊組成；較佳地，該中 央層體311魏自矽、銅、鋁、碳、鑽石、氮化鋁、氮化鎂，或是它們的組合構成， 該堆覆膜體312、反射膜體321則是分別選自鉻、鈀、鉑、鈦、鎳、銅、鋅、鎂、鋁、 銀、金，或它們的組合為材料所構成，藉由它們不同厚度、元素種類所形成的多數 金屬^/或合金膜體而可與該量子單元4穩固地接合，並可導電、導熱，以及反射該 量子單元4發出且朝向該基材3方向行進的光，增加該垂直導通式發光二極體2向 上的離發光率。在本例中，貝U是以銅為材料構成中央層體311，再依序以鉻、鉬、 金為材料在其上界面上形成厚度分別是鄰OA、 400A、 20000A的三層堆覆膜體312， 以及依序以鉻、鎳、金為材料在下界面形成厚度分別是300A、 IOOOOA、 50A的三層 堆覆膜體312，構成該層基底層31，並依序以鉻、鋁、鑰、鈦、金錫、金為材料， 在該基底層31上形成厚度分別是100A、 2000A、 2000A、 600A、 20000A、 IOOA的 六層反射膜體321構成該層反射層32，進而組成該±央基材3為例說明。
該層量子單元4具有一層以透明且可供電流橫向擴散流通的材料(例如銦錫氧 化物)形成而與該基材3的反射層32相接觸地接合的電流擴散層41 、 一層連接在該 電流擴散層41上的第二型披覆層42 (g卩p-type cladding layer)、 一層與該第二型披 覆層42相間隔並該電極5連接的第一型披覆層43 (即n-type cladding layer)、 一層 夾設在該第一、二型披覆層43、 42之間的活性層44，及一層形成在該第一、二型披 覆層43、 42與活性層44偵啁面以限審恍漏射的遮覆膜45，該第一、二型披覆層43、 42相對該活性層44形成量子能P章而可當電流通過時以光電效應產生光子，該遮覆膜 45是以氧化矽(Si02)為材料，厚度在100A ~ 10000A以防止側周面的漏光，進而 增加元件整體的向外發光效率。
該第一型披覆層43包括一層與該活性層44連接的蝕刻停止部431 ，及一層具有 多數根自該蝕刻停止部431 —體向上凸伸且高度介於次微米尺度(約在 1000A 20000A)的光修正柱432的柱叢部433，該柱叢部433是經由深蝕刻所成型 (製造方法請容後再續)，而藉由該多M光修正柱432與周遭介質(此時是空氣) 的折射係數差形成類似于波導共振腔腔體與路徑的效果，使該量子單元4以光電效
應產生並對應穿出第一型披覆層43頂面的光發生翻寸的機率增加，進而實質向上正
向行進，以提升元件的發光亮度。
該片電極5設置在該第一型披覆層43的蝕刻停止部431上並與該第一型披覆層 43相i^l接觸，是由鉑、金、鉻、鋁、鈦、鎳等金屬元素所成的金屬，或是合金膜 體堆疊構成，且厚度在IOA至30000A之間，而可與該基材3共同配合對該量子單 元4跑共電能；在此，是以鉻、鈾、金三種金屬材料，由下至上依序以400A、 400A、 20000A的厚度形成的三層金屬膜體51堆疊構成為例說明。
當自電極5與基材3施加電能時，電流經過該電流擴散層41橫向分散^U1後垂 直箭iil過該第一、二型披覆層43、 42與活性層44而以光電效應產生光；其中朝向 該基材3方向行進的光，被該基材3的反射層32反射而朝向電極5方向行進；部分 向該量子單元4側周面方向行進的光，貝U由遮覆膜36限制而不向外洩漏，進而可在 元件內部經過多數次內反射與折射後朝向電極5方向行進；部分直接朝向該電極5 方向行進的光，以及被反射、折射而朝向該電極5方向行進的光，則藉由該多數根 光修正柱432與周遭空氣介質形成類似于波導共振腔腔體與路徑的效果，使它們光 遵循光的反射折射原理而在此腔體與路徑中不斷地修正改變入射角與反射角，而以 增加翻t次數的過程，進而實質向上正向射出，以提升發光二極體的發光亮度。
同時，光在元件內部行進及經過多次反射、折射行進而轉化成的內熱，則經過 該基材3的反射層32、基底層31直掛傳導散逸至外界，而以高散熱效率進而提高電 子電洞的結合效率，提升整體的發光效率。
上述本發明的垂直導通式發光二極體的較佳實施例，在經過以下的第i臘方法的 說明後，當可更加清楚的明白。
參閱圖4，上述的垂直導通式發光二極體的製作，是先進行步驟61，選用晶格
常數與氮化鎵系半導體材料相匹配的藍寶石材料作為磊晶用的磊晶基板，依序向上 磊晶成長該層第一型披覆層43 (即n型披覆層)、活性層44，及第一型披覆層42 (即p型披覆層)，接著在不大於8Xl(T3Torr的真空環境壓力下，且在預定含氧比 例的氣氛中，禾擁例如蒸鍍或、鵬度或是準分子雷射鍍膜等方式以銦錫氧化物為材料 在第二型披覆層42上形成該層電流擴散層41 ，且在形成該層電流擴散層41後，隨 即在真空環境壓力下，且在選自由惰性氣體的組合的氣氛中，以高溫進行該層電流 擴散層41表面晶粒的改貢；然後，接著以例如蒸鍍或濺鍍方式以氧化矽為材料形成 該層遮覆膜45，完成該量子單元4的製備。
配合參閱圖5，而在進行步驟61的同時，可以同步進行步驟62備制該塊可導電 的基材3;此步驟62是依序先進行次步驟71，選稱剛乍為該層中央層體311，然後 進行次步驟72，分別選擇鉻、鉑、金為材料在該層中央層體311的上界面上以蒸鍍 或是領搬方式形成厚度分別是400A、 400A、 20000A的三層堆覆膜體312，以及鉻、 鎳、金為材料在該層中央層體311的下界面，同樣以蒸鍍或是濺鍍方式形成厚度分 別是300A、 10000A、 50A的三層堆覆膜體312，構成該基底層31，接著再進行次步 驟73，依序以鉻、鋁、鉑、鈦、金/錫、金為材料，在該層^底層31上以蒸鍍或是 、Hl度方式形成厚度分別是IOOA、 2000A、 2000A、 600A、 20000A、 IOOA的六層反 射膜體321構成該層反射層32後，進行次步驟74，在選自鈍性氣體的組合的氣氛中， 以訓。C 800。C的^g作用0.5~80射中，使該等堆覆膜體311、反射膜體321的構 成材料進行融合，完成該i央基材3的製備。
參閱圖4，然後進行步驟63，將該步驟61製得的成品，以量子單元4的電流擴 散層41 ，與該步驟62備制的基材3的反射層32相接觸地彼此加壓接合。
在此要另夕卜加以說明的是，為了讓該基材3與該量子單元4接合的更加穩固， 在備制基材3的過程中，也可以將構成該反射層321的某些層反射膜體321形成在 該量子單元4的電流擴散層41上，再加壓接合兩者，由於它們以蒸鍍、領楚度或是其 它鍍覆膜體的方式，堆疊的對象變化、種類方式眾多，在此不一一舉例說明詳述。
接著繼續進行步驟64，將該步驟63製得的成品的磊晶基板移除，而將該量子單 元4的第一型披覆層43底面裸露出來；此步驟實施的方式可以採用化學蝕刻、溼蝕 刻、幹蝕刻，甚至是機械5開磨等，在此是採用化學蝕刻方式移除該磊晶基板，避免 破壞該第一型披覆層43的結構。
接魏行步驟65，自該步驟64製得的成品移除該磊晶基板後的表面向下深蝕 刻，而使該第一型批覆層43留存的結構成該層蝕刻停止部431，及該層包括多數根 光修正柱432的柱叢部433。
配合參閱圖6，此步驟65是先進行次步驟81，先在移除磊晶 後的該第一型 披覆層43表面，以氧化物為材料形成一層蝕刻保護層；接著以次步驟82自該蝕刻 保護層向下深蝕刻，且深度需達到自該第一型披覆層43表面起向下1000A 2000A， 而成型出該層蝕刻停止部431 ，及該層包括多數根光修正柱432的柱叢部433。
較佳地，進行次步驟81形成蝕刻保護層的氧化物可以是例如二氧化矽、氧化鈦、 氧化鎳，及銦錫氧化物等，用以作為後續進行深蝕刻時2的保護層；次步驟82則可
應用例如離子蝕刻技術、感應耦合式電漿技術或感應離子技術的幹蝕刻方式，並通
入氮氣(N2)、氨氣(CH4)、氬氣(Ar)、氯氣(Cl2)、氯化硼(BC13)、氟化 碳(CF4)、氟化硫(SF6)等氣體W或上述依不同比例的混合氣體為蝕亥愾體進行; ^用溼蝕刻方式以氫氯酸(HC1)、硝酸(HN03)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化 鈉(NaOH)、硫酸(H2S04)、磷酸(H3P04) ^/或上述依不同比例的混合溶液進 行。
參閱圖4，然後再進行步驟66，移除對應形成該電極5的區域的光修正柱，並 在該區域中依序形成20000A金的金屬膜體51 、 200A鉑的金屬膜體51與200A鉻的 金屬膜體51而堆疊構成該電極5，完成本發明的該垂直導通式發光二極體2的較佳 實施例的製作。
由上述說明可知，本發明主要是提出一種垂直導通式發光二極體2，藉由深蝕刻 形成的多數光修正柱432與周遭空氣介質形成對以于波導共振腔腔體與路徑的效果， 而可修正所發出的光行進的入射角與反射角，增加散射的次數，使光實質向上正向 行進，進而相對提升垂直導通式發光二極體2的發光亮度；此外，並同時藉由構成 該基材3的基底層31、反射層32等結構，而可多次將光內折射、內反射後導向正向 向外發射，以輔助提升元件的發光效率；再者，在導引光進行多次內折射、內反射 所產生的內熱，也可藉由基材3而直接傳導散逸至外界，進而使元件得以高散熱的 效率提高電子電洞的結合效率，而提升整體的發光效率。
再由本發明製造方法的說明中可知，本發明垂直導通式發光二極體2的光修正 柱432，必須是以氧化物，特別是例如二氧化矽、氧化鈦、氧化鎳，及銦錫氧化物作 為第一型披覆層43進fi^罙蝕刻時的保護層，才能在不損傷第一型披覆層43的結構 下深蝕亥侄次楝妹尺度而成型出的結果，並非是目前諸多文獻所提出的簡單隨機蝕 刻粗化的結果；另外，再藉由完整的基材製作以及與量子單元接合的過程，而可同
步解決一般垂直導K:發光二極體1在作動時常見的散熱以及電流擴散問題，進而
有效提升元件的內部發光效率。
綜上所述，本發明主要是提出一種具有可以增加光翻寸機率的光修正柱432的 垂直導通式發光二極體2，以及該垂直導通式發光二極體2的製造方法，而可確實改 善目前垂直導通式發光二極體1的發光亮度不夠均勻、發光不夠集中的缺點，達到 本發明的創作目的。
權利要求
1. 一種垂直導通式發光二極體，包括一塊可導電的板狀基材、一層與該基板接 合併可以光電效應產生光的量子單元，及一片與該量子單元相毆姆接觸且可與 該基板共同對該量子單元提供電能使該量子單元發光的電極，該量子單元還具 有相間隔的一層第一型披覆層與一層第二型披覆層，及一層形成在該第一、二 型披覆層之間的活性層，該第一、二型披覆層並相對該活性層形成量子能障； 其特徵在於該第一型披覆層包括一層與該活性層連接的蝕刻停止部，及一層具有多數根 自該蝕刻停止部底面一體凸伸出且高度介於次微米尺度的光修正柱的柱叢部，該 柱叢部的多數根光修正柱與周遭介質的折射係數差使該量子單元產生的光在行 進間發生散射的機率增加。
2. 如權利要求l所述的垂直導通式發光二極體，其特徵在於該i據材還具有一層 以可導電且可導熱的材料構成的基底層，及一層以可導電且可導熱並具有高折 射係數的材料構成而與該基底層連接的反射層。
3. 如權禾腰彩所述的垂直導3K發光二極體，其特徵在於該基底層包括一層中 央層體，及分別形成在該中央層體相反兩界面上的多數個堆覆膜體，該反射層 包括至少一層反射膜體，且該中央層體的構成材料是選自於矽、銅、鋁、碳、 鑽石、氮化鋁、氮化鎂，及它們的組合，該多數個堆覆膜體的構成材料是選自 於鉻、鈀、鈾、鈦、鎳、銅、鋅、鎂、鋁、銀、金，及它們的組合，該反射膜 體的構成材料是選自於鉻、鈀、鉬、鈦、鎳、銅、鋅、鎂、鋁、銀、金，及它 們的組合。
4. 如權利要^3所述的垂直導通式發光二極體，其特徵在於該量子單元還具有一 層以透明且可供電流橫向擴散流通的材料構成並形成在該第二型披覆層上而與 該基材相連接的電流擴散層。
5. 如權利要求4所述的垂直導通式發光二極體，其特徵在於該量子單元還具有一 層形成在側周面上以防止漏光的遮覆膜。
6. —種垂直導通式發光二極體的製造方法；其特徵在於 該製造方飽括(一)在一i央磊晶基板上形成一層量子單元，該量子單元依序具有一層第一型披覆層、 一層活性層，及一層第二型披覆層，且該第一、二型披覆層相 對該活性層成量子能障而以光電效應產生光， (二) 備制一塊可導電的基材，(三) 將該步驟(一)製得的成品的量子單元與該步驟(二)備制的基材彼此 加壓接合，(四) 移除該步驟(三)製得的成品的磊晶基板。(五) 自該步驟(四)製得的成品的移除該磊晶基板後的量子單元表面向下蝕 亥U，而使該第一型披覆層留存的結構成一層與該活性層連接的蝕刻停止 部，及一層包括多數根一體自該蝕刻停止部頂面延伸出且高度屬於次微 米尺度的光修正柱的柱叢部，(六) 移除該柱叢部預定區塊中的多數根光修正柱，並在該區塊中以導電材料 形成一片電極，製得該垂直導通式發光二極體。
7. 如權利要求6所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其特徵在於該步驟(一) 形成的量子單元還具有一層以透明且可供電流橫向擴散流通的材料形成 在該第二型披覆層上的電流擴散層。
8. 如權禾腰求6或7所述的垂直導通式發光二極體的審隨方法，其特徵在於該步 驟(一)形成的量子單元還具有一層以氧化矽為材料形成在該第一、二型披覆 層與活性層側周面以防止漏光的遮覆膜。
9. 如權利要求6所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其特徵在於該步驟(二) 還具有以下次步驟(二之一)選擇矽、銅、鋁、碳、鑽石、氮化鋁、氮化鎂，或它們的組合作為材 料構成該中央層體，(二之二)選 、鈀、鉑、鈦、鎳、銅、鋅、鎂、鋁、銀、金，及它們的組合 作為材料，在該中央層體相反兩面分別形成至少一層堆覆層體，使該 中央層體與該等堆覆層體構成一層基底層，(二G)選鄉、鈀、鈾、鈦、鎳、銅、鋅、鎂、鋁、銀、金，及它們的組合 為材料作為材料，在該基底層其中一表面上形成至少一層反射膜體， 並使該至少一層反射膜體構成一層反射層，進而i吏得該基底層與該反 射層構成一塊可導電、導熱並可以反射光的基材。
10. 如權利要求9所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其特徵在於該步驟(二)還具有一個次步驟(二之四)在選自鈍性氣體的組合的氣氛中，以100'C 80(TC的溫度作用0.5 80 分鐘，使該等堆覆層體、反射膜體的構成材料進行融合。
11. 如權利要求6所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其1f徵在於該步驟(六)魏自於鈾/金、鉻/歡鉻/金、鉻/鋁/敏金、鉻/鋁/衞金、鉻/鋁/鈾/金，及 它們的組合作為材料形成該電極。
12. 如權禾腰求6所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其特徵在於其中，該 步驟(五)還具有以下次步驟(五之一)在該第一型披覆層表面以氧化物形成一層蝕刻保護層；及 (五之二)自該蝕刻保護層表面向下蝕刻，且深度為自該第一型披覆層表面起向下1000A 20000A，而使該第一型披覆層留存的結構成一層與該活性層連接的蝕刻停止部，及一層包括多數根光修正柱的柱叢部。
13. 如權利要求12所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其年寺徵在於形成的該蝕刻保護層厚度是介於500 10000 A。
14. 如權利要求13所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其糹寺徵在於該氧化物是選自於二氧化矽、氧化鈦、氧化鎳，及銦錫氧化物。
15. 如權利要求12所述的垂直導通式發光二極體的帝l臘方法，其特徵在於該次步驟(五之二)是以感應耦合式電漿技術，並通入選自於氮、氨、氬、氯、氯化硼、氟化碳、氟化硫，及它們的組^4行。
16. 如權利要求12所述的垂直導通式發光二極體的製造方法，其特徵在於該次步驟(五之二)魏自氫氯酸、硝酸、氫氧化鉀、氫氧化鈉、硫酸、磷酸、王水， 及它們的組合進行蝕刻。
全文摘要
本發明公開了一種垂直導通式發光二極體，包括一塊作為電極的板狀基材、一塊接合在基材上並可以光電效應產生光的量子單元，及一片與量子單元相毆姆接觸且可與基板共同對量子單元提供電能使其發光的電極，特別的是，量子單元的n型披覆層包括一層由深蝕刻形成而具有多數根高度介於次微米尺度的光修正柱的柱叢部，藉由柱叢部的多數根光修正柱與周遭介質的折射係數差，可以使量子單元產生的光在行進間發生散射的機率增加，進而提升元件的發光亮度。此外，本發明還揭示此種垂直導通式發光二極體的製造方法。
文檔編號H01L33/00GK101364623SQ20071014321
公開日2009年2月11日 申請日期2007年8月7日 優先權日2007年8月7日
發明者徐智魁, 徐海文, 鍾寬仁 申請人:新世紀光電股份有限公司