具有增益變化補償的電晶體的製作方法

2023-12-04 18:17:41 1

專利名稱：具有增益變化補償的電晶體的製作方法
技術領域：
本發明公開總體上涉及集成電路，且更具體地，涉及具有其中成形有柵極的 MOSFET電晶體的集成電路。
背景技術：
電路設計基於特定電路設計中所使用的元件的電學特性。在電晶體的情況下，重 要特性其中之一是針對給定條件的電流流量。這可以被認為是柵極的有效寬長比。由於工 藝和光刻技術變量，所以各個電晶體尤其是各個晶片的電流量或有效寬長比有所不同，而 對於同一晶片甚或是同一集成電路，也會如此。有效寬長比的這樣的變化令電路設計更加 困難。這樣的有效寬長比的變化的減小可以得到具有諸如增加的操作速度、提高的操作可 靠性以及降低的功耗的改進性能的電路設計。當然，一直在努力改進位造工藝，包括光刻， 但隨著這些方面的改進所帶來的是電晶體尺寸的減小，而其則具有保留有效寬長比變化的 效果。因而，一直需要對控制有效寬長比變化進行改進。


本發明是通過示例的方式示出的且不受附圖限制，附圖中，相同的附圖標記表示 相似的元件。圖中的元件僅為了簡明清楚而示出且未必按照比例繪製。圖1是根據實施例的半導體器件的頂視圖；圖2是圖1的半導體器件的第一橫截面；圖3是圖2的半導體器件的第二橫截面；圖4是對於得到圖1的半導體器件有用的物理設計或掩模生成階段的布圖；以及圖5是對於得到圖1的半導體器件的變體有用的圖4的布圖的變體。
具體實施例方式在一個方面中，半導體器件具有橫跨有源區與隔離區之間的兩個邊界的柵極。在 柵極下面存在對應的溝道。有源區與隔離區之間的柵極橫跨的兩個邊界中每一個邊界處的 柵極長度比兩個位置之間的中間區域中的柵極長度長。結果，柵極的有效寬長比發生減少 的變化。這裡所描述的半導體襯底可以是任一半導體材料或者材料的組合，例如，砷化鎵、 鍺化矽、絕緣體上矽(SOI)、矽、單晶矽等以及其中至少頂部是半導體材料且可以被認為是 半導體層的以上各項的組合。圖1中示出的是半導體器件10，所述半導體器件10具有形成在半導體襯底中的有 源區12、包圍有源區12的隔離區14以及橫跨在有源區12之上的柵極導體16。圖1中示 出的還有經過柵極16的中間的中心線18。中心線16也可以被認為是垂直向下延伸進入 半導體10的平面。在有源區12與隔離區14之間具有邊界32。圖1左側示出的是作為邊界32的第一部分的邊界部分34，其為有源區12與隔離區14之間的柵極導體16所橫跨的 區域。圖1右側示出的是作為邊界32的第二部分的邊界部分36，其為有源區12與隔離區 14之間的柵極導體16所橫跨的區域。沿中心線18在邊界部分34與邊界部分36之間的中 間是最小柵極長度，其由柵極導體16的從中心線18到圖1中示出為上部邊線的第一邊緣 的尺寸20和柵極導體16的從中心線到圖1中示出為下部邊線的第二邊緣的尺寸22組成。 尺寸20和尺寸22相等。中心線18被定義為在柵極寬度的方向上並且經過邊界部分34和 36之間的中點而使得尺寸20和22相等。沿邊界部分34從中心線18到柵極導體16的上 部邊線為尺寸對。沿邊界部分34從中心線18到柵極導體16的下部邊線為尺寸沈。沿邊 界部分36從中心線18到柵極導體16的上部邊線為尺寸28。沿邊界部分36從中心線18 到柵極導體16的下部邊線為尺寸30。在此示例中，尺寸對和觀均大於尺寸20，並且尺寸沈和30均大於尺寸22。同 樣，在此對稱示例中，尺寸M等於尺寸觀，並且尺寸沈等於尺寸30。然而，並非要求柵極 導體16關於邊界部分34和36的對稱性。因而，尺寸M無需等於尺寸觀，尺寸沈無需等 於尺寸30。一般而言，將會期望中心線18位於使得尺寸M和沈相等並且尺寸觀和30相 等的位置，但這不是必須情況。例如，尺寸22 J6和30可以相等並且尺寸M和28將均超 過尺寸20。要求尺寸M和沈之和以及尺寸28和30之和必須均超過尺寸20和22之和。 結果，有源區與隔離區之間的各個邊界處的溝道長度大於邊界之間的溝道的中間部分的溝 道長度。因而，可以優選對稱，可以採用不對稱。此外，對稱可以是諸如右對稱且左對稱但 左右彼此不對稱的按側(by side)對稱。隨著柵極尺寸持續縮小，沿有源區與隔離區之間的邊界的短溝道效應相對於溝道 的整個寬度而變得更加嚴重。由於短溝道效應，因而對於柵極長度的給定物理改變，沿有源 區與隔離區之間的邊界的有效柵極寬長比的變化比溝道中間的有效柵極寬長比變化更接 近指數狀。通過增加沿有源/隔離邊界的柵極的長度，極大地減小短溝道效應的影響。結 果，柵極長度的變化致使總體有效柵極寬長比的較少改變。當接觸件(contact)太靠近柵極時，溝道一側的柵極長度出現意外且不想要的增 加。有源區域外的柵極導體的擴寬致使僅柵極一側上的有源/隔離邊界處的柵極長度增 加。這已經被認為是不期望的並且是要避免的。設計規則要求柵極接觸件離有源區足夠遠， 以確保不會在有源/隔離邊界處發生此柵極擴寬。圖2中示出的是沿圖1中所示的2-2截取的橫截面中的半導體器件10。圖2示出 了通過柵極導體16中間的中心線18。還示出了尺寸20和22，其從中心線18橫向延伸到 柵極導體16的邊線並且作為有源區12的在源/漏區40與源/漏區42之間的部分之上的 柵極長度。側壁間隔件44被示出為圍繞柵極導體16。如圖2中所示的半導體器件10是 具有在源/漏區40和源/漏區42之間的溝道區的功能性電晶體。如圖所示，源/漏40和 42與柵極導體16的邊線對齊，但源/漏區40和42將可能由於在使用柵極導體16作為掩 膜的注入步驟之後的所需加熱步驟而在柵極導體16下方稍微延伸。側壁間隔件44可以是 多層側壁間隔件以及一個或多個襯墊。圖3示出的是沿圖1中所示的非常靠近其中柵極導體具有尺寸M和沈的柵極長 度的邊界部分34的3-3截取的橫截面中的半導體器件10。圖3示出了通過柵極導體16中 間的中心線18。還示出了尺寸25和27，其從中心線18橫向延伸到柵極導體16的邊線並且作為有源區12的在源/漏區40與源/漏區42之間的部分之上的柵極長度。尺寸25非常 接近於尺寸對，且尺寸27非常接近於尺寸26。側壁間隔件44被示出為圍繞柵極導體16。 如圖所示，源/漏40和42與柵極導體16的邊線對齊，從而示出了靠近邊界部分34的橫截 面3-3處的溝道長度對應於此位置處的柵極長度，即，尺寸25加上尺寸27。圖4中示出的是可以用於形成半導體器件10的布圖11。布圖11也可以被視為重 疊的若干掩模，其被重疊在一起以圖示在用以獲得圖1的半導體器件10的處理中將什麼通 過光刻施加到光致抗蝕劑。在此情況下，具有對應於柵極導體16的柵極特徵116。柵極特 徵116包括左上方的凸出部分(jog) 124、左下方的凸出部分126、右上方的凸出部分1 和 右下方的凸出部分130。將凸出部分124、126、1 和130添加到柵極特徵116上，以導致如 圖1中所示的柵極16的形狀。如圖所示，凸出部分IM、口6、1觀和130的形狀相同並且與 表示有源區12的有源特徵112的距離相同，以生成圖1中所示的柵極導體16的對稱形狀。 此對稱是優選的，但可以刪除凸出部分1 和126其中之一和/或凸出部分1 和130其中 之一，並且仍然獲得有效柵極寬長比變化的減小。凸出部分1 被示出為與表示有源區12 的有源區112的左邊線相距尺寸52。凸出部分IM具有尺寸50的寬度和尺寸48的長度。 凸出部分1 具有尺寸M的長度、尺寸56的寬度，並且與有源區112的距離為尺寸58。凸 出部分1 具有尺寸60的長度、尺寸62的寬度，並且與有源區112的距離為尺寸64。凸出 部分130具有尺寸66的長度、尺寸68的寬度，並且與有源區112的距離為尺寸70。通過處理，凸出部分124、126、128和124具有使有源區12之上的柵極導體16的 柵極長度增加的作用。圖4中所示的各種尺寸可以通過針對為了實現柵極導體16的最佳 可能形狀而將要實施的特定工藝和光刻技術進行實驗而最佳推導出。此外，也可以使用具 有與柵極特徵116的凸出部分對齊的凸出部分的柵極特徵116—側或兩側的平行導體特徵 來成形柵極導體16。所添加的具有對齊的凸出部分的平行導體特徵將傾向於使有源/隔 離邊界處的所添加的柵極長度的量增加，也傾向於使柵極長度增加移至更靠近有源/隔離 邊界之間的中心區域。減小尺寸52、58、64和66也可以使柵極長度增加移至更靠近有源/ 隔離邊界之間的中心區域。增加尺寸50、56、62和68使柵極長度增加的間隔(breath)和 幅度增大。增加尺寸48、54、64和70通常會使柵極長度增加的幅度增大，但在尺寸52、58、 64和66沒有相應地增加的情況下會受到限制。對於有益地利用凸出部分來增加邊界部分 處的柵極長度的一般效果，代表性尺寸為從邊界部分34和36向內朝向有源區12之上的 柵極導體16的中間區域大約最初的30至50納米。對於P溝道，最初的30納米是最為重 要的。對於N溝道，重要性延伸至大約50納米。儘管低於這些量仍會有效。這樣，方法是，形成圍繞有源區12的隔離區12，之後形成柵極電介質，然後沉積諸 如多晶矽或金屬的一層柵極材料。根據柵極特徵116以及具有與柵極特徵116的凸出部分 對齊或幾乎對齊的凸出部分的其他可能平行線，來沉積和構圖一層光致抗蝕劑。然後，將構 圖後的光致抗蝕劑用作掩膜，同時蝕刻該層柵極材料。光致抗蝕劑構圖以及隨後的蝕刻的 結果是柵極狀柵極導體16，其中，有源/隔離界面處的柵極長度比有源/隔離界面之間的區 域中的柵極長度長。將柵極導體用作掩膜，同時進行源/漏區注入。形成側壁間隔件，並且 在用於形成源/漏區的注入過程中將其用作掩膜。圖5中示出的是布圖13，其也可以被認為是針對圖4所描述的掩膜，作為圖4的 布圖11的變體。凸出部分1 和1 其目的只在於成形柵極導體16，但通過增加尺寸62和68，圖4的凸出部分1 和130可以成為用於形成接觸區的接觸特徵74，所述接觸區用 於與柵極導體16形成電接觸。這可以是既實現柵極所需接觸同時又能增加有源/隔離邊 界處的柵極長度的有效方式。這是其中左側對稱且右側對稱但左右將彼此不對稱的結果的 示例。對於布圖11，所使用的實際尺寸將取決於特定工藝和光刻技術。然而，原則是，柵極 特徵上的凸出部分可以用於成形柵極導體，這些凸出部分可以與平行於柵極特徵的、具有 與柵極特徵的凸出部分對齊或幾乎對齊的線組合使用，從而在有源區與隔離區之間的柵極 橫跨的兩個邊界部分上，柵極長度大於這兩個邊界部分之間的中間區域中的柵極長度。到目前為止，應予以理解的是，已經提供了一種具有有源區、隔離區和經構圖的柵 極材料的半導體器件。所述隔離區與所述有源器件區形成邊界。所述經構圖的柵極材料位 於所述邊界的第一和第二部分之間的所述有源區之上，並且用於定義所述有源器件區內的 溝道。經構圖的柵極材料具有沿所述經構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的 柵極長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二部分的柵極長度尺寸比介於邊界的第一和第二 部分之間的柵極長度尺寸大。所述半導體器件的進一步特徵在於，所述溝道包括緊接所述 邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，所述溝道的進一 步特徵在於，柵極長度尺寸在溝道兩端漸縮。所述半導體器件的進一步特徵在於，緊接所述 第一部分的、垂直於所述中心線的柵極長度尺寸關於所述中心線對稱。所述半導體器件的 進一步特徵在於，緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的柵極長度尺寸關於所述中心 線不對稱。所述半導體器件的進一步特徵在於，緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線的 柵極長度尺寸關於所述中心線對稱。所述半導體器件的進一步特徵在於，緊接所述第二部 分的、垂直於所述中心線的柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱。所述半導體器件的進一 步特徵在於，(i)緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的柵極長度尺寸關於所述中心線 對稱，並且(ii)緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線的柵極長度尺寸關於所述中心線 對稱。所述半導體器件的進一步特徵在於，(i)緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的 柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱，並且(ii)緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線 的柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱。所述半導體器件的進一步特徵在於，所述隔離區 包括淺溝槽隔離區。所述半導體器件的進一步特徵在於，所述經構圖的柵極材料包括由多 晶矽和金屬構成組中的一種。所述半導體器件的進一步特徵在於，響應於在所述溝道的端 處的較大柵極長度尺寸，與介於所述邊界的所述第一和第二部分之間的短溝道效應相比， 緊接所述邊界的所述第一和第二部分的短溝道效應被減小。所述半導體器件的進一步特徵 在於，所述溝道包括在所述邊界的所述第一和第二部分之間的溝道寬度，並且其中，不期望 的電流密度幅值效應從所述溝道的至少一端向內延伸所述溝道寬度的三十至五十百分比 (30 50%)之間的量級上的最大距離。所述半導體器件的進一步特徵在於，所述溝道寬度 為大約lOOnm，並且不期望的電流密度幅值效應從所述溝道的至少一端向內延伸大約30 50nmo還描述了一種具有有源區、隔離區和經構圖的柵極材料的半導體器件。所述隔離 區與所述有源器件區形成邊界。所述經構圖的柵極材料位於所述邊界的第一和第二部分之 間的所述有源器件區之上，用於定義所述有源器件區內的溝道。所述經構圖的柵極材料具 有沿所述經構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊 界的第一和第二部分的所述柵極長度尺寸比介於所述邊界的第一和第二部分之間的所述柵極長度尺寸大。所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的 所述第二部分的第二端，所述溝道的進一步特徵在於，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端上 漸縮。緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱 或不對稱。緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線 對稱或不對稱。此外，描述了一種用於製作半導體器件的方法。所述方法包括形成圍繞有源器件 區的隔離區。所述方法進一步包括對位於所述隔離和有源器件區之上的柵極材料構圖，其 中，構圖包括對所述柵極材料構圖，以得到具有至少位於邊界的第一和第二部分之間的所 述有源器件區之上的主要尺寸的、定義所述有源器件區內的溝道的經構圖的柵極材料，所 述經構圖的柵極材料具有與沿所述經構圖的柵極材料的主要尺寸的中心線相垂直的柵極 長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二部分的所述柵極長度尺寸比介於所述邊界的第一和 第二部分之間的所述柵極長度尺寸長。所述方法的進一步特徵在於，對所述柵極材料構圖 可以進一步包括提供具有柵極形狀漸縮特徵的掩模，所述具有柵極形狀漸縮特徵的掩模， 被配置用以響應於使用所述掩膜對位於所述有源器件區之上的所述柵極材料進行光刻處 理，而形成沿所述經構圖的柵極材料的主要尺寸的柵極長度尺寸。所述方法的進一步特徵 在於，提供所述具有柵極形狀漸縮特徵的掩模包括在光學鄰近校正處理之前並且在掩模 製造之前，在所述半導體器件的器件布圖內提供柵極漸縮調製特徵。所述方法的進一步特 徵在於，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二 部分的第二端，所述溝道的進一步特徵在於，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端處漸縮。所述 方法的進一步特徵在於，緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的所述柵極長度尺寸關 於所述中心線對稱或不對稱，並且其中，緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線的所述柵 極長度尺寸關於所述中心線對稱或不對稱。所述方法的進一步特徵在於，所述隔離區包括 淺溝槽隔離區，並且其中所述柵極材料包括由多晶矽和金屬構成的組中的一種。雖然已經參照具體導電類型或電勢極性描述了本發明，但是本領域技術人員應認 識到可以將導電類型和電勢極性反轉。而且，說明書和權利要求書中的術語「前」、「後」、「頂部」、「底部」 「之上」、「下面」、 「左」、「右」、「上」、「下」等，如果有，則是用於描述性目的而未必用於描述永久的相對位置。 應予以理解的是，這樣使用的術語在適當的環境下可以互換，使得這裡所描述的本發明的 實施例例如能夠以除例示出或者在這裡以其他方式描述的方位以外的其他方位來操作。雖然在這裡已參照具體實施例描述了本發明，但是在不脫離所附的權利要求書所 闡述的本發明的範圍的情況下，可以做出各種修改和變化。例如，布圖本身可以不具有凸出 部分，並且可以在掩模級添加它們。相應地，說明書和附圖將被認為是示例性的而非限制性 的，並且旨在將所有這樣的修改都包括在本發明的範圍內。在這裡參照具體實施例所描述 的任何益處、優點或解決問題的方案並非意圖被解釋為任一或所有權利要求的關鍵的、必 需的或必不可少的特徵或要素。此外，這裡所使用的不定冠詞「a」或「an」被定義為一個或者多於一個。而且，在權 利要求中使用諸如「至少一個」和「一個或多個」的引入性短語，不應當被解釋為隱含表示 通過不定冠詞「a」或「an」引入另一權利要求要素將包含如此引入的權利要求要素的任何 具體權利要求限制為只包含一個這樣的要素的發明，即使該同一權利要求包括引入性短語「一個或多個」或者「至少一個」以及諸如「a」或「an」的不定冠詞。這對於定冠詞的使用同
樣適用。 除非以其他方式聲明，否則諸如「第一」、「第二」這樣的術語用以在這樣的術語所 描述的要素之間進行任意區分。因而，這些術語並非意圖表明這些要素在時間上或者其他 方面的優選順序。
權利要求
1.一種半導體器件，包括有源器件區；隔離區，其中所述隔離區與所述有源器件區形成邊界；和經構圖的柵極材料，所述經構圖的柵極材料位於所述邊界的第一和第二部分之間的所 述有源器件區之上，用於定義所述有源器件區內的溝道，並且所述經構圖的柵極材料具有 沿所述經構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界 的第一和第二部分的柵極長度尺寸比介於所述邊界的第一和第二部分之間的柵極長度尺 寸大。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一 部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，所述溝道的進一步特徵在於，柵 極長度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線 的所述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線 的所述柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線 的所述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線 的所述柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，(i)緊接所述第一部分的、垂直於所述中 心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱，並且(ii)緊接所述第二部分的、垂直於所 述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱。
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，(i)緊接所述第一部分的、垂直於所述中 心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱，並且(ii)緊接所述第二部分的、垂直於 所述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線不對稱。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述隔離區包括淺溝槽隔離區。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述經構圖的柵極材料包括由多晶矽和 金屬構成組中的一種。
11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，響應於所述溝道的端處的較大的柵極長 度尺寸，與介於所述邊界的所述第一和第二部分之間的短溝道效應相比，緊接所述邊界的 所述第一和第二部分的短溝道效應減小。
12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述溝道包括在所述邊界的所述第一部 分和第二部分之間的溝道寬度，並且其中，不期望的電流密度幅值效應從所述溝道的至少 一端向內延伸所述溝道寬度的三十至五十百分比(30 50% )之間的量級上的最大距離。
13.根據權利要求12所述的半導體器件，進一步，其中，所述溝道寬度為大約lOOnm，並 且不期望的電流密度幅值效應從所述溝道的至少一端向內延伸大約30 50nm。
14.一種半導體器件，包括有源器件區；隔離區，其中所述隔離區與所述有源器件區形成邊界；和經構圖的柵極材料，所述經構圖的柵極材料位於所述邊界的第一和第二部分之間的所 述有源器件區之上，用於定義所述有源器件區內的溝道，並且所述經構圖的柵極材料具有 沿柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二 部分的柵極長度尺寸比介於所述邊界的第一和第二部分之間的柵極長度尺寸大，其中，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第 二部分的第二端，所述溝道的進一步特徵在於，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮，其中，緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線 對稱或不對稱，並且其中，緊接所述第二部分的、垂直於所述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線 對稱或不對稱。
15.一種用於製造半導體器件的方法，包括形成圍繞有源器件區的隔離區；以及對位於所述隔離區和有源器件區之上的柵極材料構圖，其中，構圖包括對所述柵極材 料構圖，以得到具有至少位於邊界的第一和第二部分之間的所述有源器件區之上的主要尺 寸的、定義所述有源器件區內的溝道的經構圖的柵極材料，所述經構圖的柵極材料具有沿 所述經構圖的柵極材料的主要尺寸的、與中心線相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界的 第一和第二部分的所述柵極長度尺寸比介於所述邊界的第一和第二部分之間的所述柵極 長度尺寸大。
16.根據權利要求15所述的方法，其中，對所述柵極材料構圖進一步包括提供具有柵 極形狀漸縮特徵的掩模，所述具有柵極形狀漸縮特徵的掩模被配置用以響應於使用所述 掩膜對位於所述有源器件區之上的柵極材料進行光刻處理而生成沿所述經構圖的柵極材 料的主要尺寸的柵極長度尺寸。
17.根據權利要求16所述的方法，進一步，其中，提供具有柵極形狀漸縮特徵的掩模包 括在光學鄰近校正處理之前並且在掩模製造之前，在所述半導體器件的器件布圖內提供 柵極漸縮調製特徵。
18.根據權利要求15所述的方法，其中，所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分 的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，所述溝道的進一步特徵在於，柵極長 度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮。
19.根據權利要求15所述的方法，其中，緊接所述第一部分的、垂直於所述中心線的所 述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱或不對稱，並且其中，緊接所述第二部分的、垂直於所 述中心線的所述柵極長度尺寸關於所述中心線對稱或不對稱。
20.根據權利要求15所述的方法，其中，所述隔離區包括淺溝槽隔離區，並且其中所述 柵極材料包括由多晶矽和金屬構成組中的一種。
全文摘要
一種半導體器件(10)及製作方法包括提供有源器件區(12)以及與所述有源器件區形成邊界(32)的隔離區(14)。經構圖的柵極材料(16)位於所述邊界的第一(34)和第二(36)部分之間的有源器件區之上。經構圖的柵極材料定義所述有源器件區內的溝道，並且具有沿柵極材料的主要尺寸的、與中心線(18)相垂直的柵極長度尺寸，緊接所述邊界的第一和第二部分的柵極長度尺寸(24+26、28+30)比介於所述邊界的第一和第二部分之間的柵極長度尺寸(20+22)長。所述溝道包括緊接所述邊界的所述第一部分的第一端和緊接所述邊界的所述第二部分的第二端，並且進一步特徵在於，柵極長度尺寸在所述溝道的兩端上漸縮。
文檔編號H01L21/336GK102124548SQ200980132363
公開日2011年7月13日 申請日期2009年6月25日 優先權日2008年8月19日
發明者利昂內爾·J·裡維埃-卡佐 申請人:飛思卡爾半導體公司