用於有機電致發光器件的材料的製作方法

2023-12-05 16:26:46 2

專利名稱：用於有機電致發光器件的材料的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種摻合物，該摻合物包含a)至少一種聚合物或共聚物或者多種聚合物和/或共聚物的混合物，其包含主鏈和側鏈，其中至少一種側鏈含有下式(I)的結構單元
權利要求
1.一種摻合物，所述摻合物包含: a)至少一種聚合物或共聚物或者多種聚合物和/或共聚物的混合物，其中所述至少一種聚合物或共聚物在側鏈中含有至少一種下式(I)的結構單元
2.根據權利要求1所述的摻合物，其特徵在於 Q選自-X(=0)- ;1，3，5-亞三嗪基,和/或來源於如下物質的基團:苯、萘、蒽、苯並蒽、菲、苯並菲、芘、慈、茈、熒蒽、苯並熒蒽、並四苯、並五苯、苯並芘、聯苯、偶苯、三聯苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反式茚並芴、順式或反式單苯並茚並芴、順式或反式二苯並茚並芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯並_5，6-喹啉、苯並-6，7-喹啉、苯並-7，8-喹啉、吩噻嗪、吩_嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑、吡啶並咪唑、吡嗪並咪唑、喹喔啉並咪唑、瞟唑、苯並嗯唑、萘並_唑、蒽並嗯I唑、菲並_唑、異曝唑、1，2-噻唑、1，3-噻唑、苯並噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹喔啉、1，5- 二氮雜蒽、2，7- 二氮雜芘、2，3- 二氮雜芘、1，6- 二氮雜芘、1，8- 二氮雜芘、4，5- 二氮雜芘、4，5，9，10-四氮雜茈、吡嗪、吩嗪、吩嗯I嗪、吩噻嗪、熒紅環、萘啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、菲咯啉、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、苯並三唑、1，2，3-嗯二唑、1，2，4-,曝二唑、1，2，5-.曝二唑、1，3，4-.曝二唑、1，2，3-噻二唑、I, 2，4-噻二唑、I, 2，5-噻二唑、I, 3，4-噻二唑、I, 3，5-三嗪、1，2，4-三嗪、I, 2，3-三嗪、四唑、1，2，4，5-四嗪、1，2，3，4-四嗪、1，2，3，5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯並噻二唑，其中所述1，3，5-亞三嗪基或所述基團中的每個可以在任何希望的位置被一個或多個基團R1、! 2和/或R3取代，和/或可以經由任何希望的位置與所述芳族或雜芳族環系連接；並且 s:在Q=-X (=0)-的情況下，s是I ;在Q=I, 3, 5-亞二嗪基的情況下，s是I或2 ;或者，在Q選自上文所指出基團的情況下，s是1、2、3、4或5。
3.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於Ar1或Ar2或者Ar1和Ar2在每次出現時彼此獨立地選自來源於如下物質的基團:苯、萘、蒽、苯並蒽、菲、苯並菲、芘、靈、茈、熒蒽、苯並熒蒽、並四苯、並五苯、苯並芘、聯苯、偶苯、三聯苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反式茚並芴、順式或反式單苯並茚並芴、順式或反式二苯並茚並芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯並-5，6-喹啉、苯並-6，7-喹啉、苯並-7，8-喹啉、吩噻嗪、吩曝I嗪、吡挫、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑、吡啶並咪唑、吡嗪並咪唑、喹喔啉並咪唑、疇唑、苯並.曝挫、萘並_挫、蒽並_挫、菲並嗯I挫、異寒挫、1，2-噻唑、1，3-噻唑、苯並噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹喔啉、1，5- 二氮雜蒽、2，7- 二氮雜芘、2，3- 二氮雜芘、1，6- 二氮雜芘、1，8-二氮雜芘、4，5-二氮雜芘、4，5,9, 10-四氮雜茈、吡嗪、吩嗪、吩嗯I嗪、吩噻嗪、突紅環、萘啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、菲咯啉、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、苯並三唑、1，2，3-.曝二唑、I, 2，4-曝二唑、I, 2，5-.曝二唑、1，3，4-.嗯二 唑、I, 2，3-噻二 唑、I, 2，4-噻二 唑、I,2，5-噻二唑、I, 3，4-噻二唑、I, 3，5-三嗪、I, 2，4-三嗪、I, 2，3-三嗪、四唑、I, 2，4，5-四嗪、1，2，3，4-四嗪、1，2，3，5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯並噻二唑，所述基團中的每個可以在任何希望的位置被一個或多個基團R1、R2和/或R3取代，和/或可以經由任何希望的位置與所述芳族或雜芳族環系連接。
4.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於所述式(I)的結構單元選自 a)如下通式(II)和/或(III)的具有電子傳輸取代基的結構單元
5.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於 a)具有電子傳輸取代基的結構單元選自如下的結構單元:
6.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於，除了含有式(I)結構單元的側鏈外，它還包括至少一種含有其它結構單元的其它側鏈。
7.根據前述權利要求所述的摻合物，其中所述的其它結構單元是下式(VI)的單元
8.根據兩項前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於其它結構單元是下式(VII)的單元
9.根據權利要求6至8中的一項或多項所述的摻合物，其特徵在於其它結構單元是下式(VIII)的單元
10.根據權利要求6至9中的一項或多項所述的摻合物，其特徵在於其它結構單元是下式(IX)的單元
11.根據權利要求6至10中的一項或多項所述的摻合物，其特徵在於其它結構單元是下式(XI)的單元
12.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於所述至少一種主體分子選自 a)通式(XIII)的咔唑化合物
13.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於 a)所述至少一種主體分子具有電子傳輸官能團並且選自以下描繪的化合物
14.根據前述權利要求中的一項或多項所述的摻合物，其特徵在於所述發光體分子是式(21)至(24)的化合物，
15.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於所述發光體分子在所述混合物中的比例為0.1至40重量％。
16.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於a)在所述至少一種聚合物或共聚物的側鏈中的結構單元具有電子傳輸官能團，並且所述至少一種主體分子具有空穴傳輸官能團，或者 b)在所述至少一種聚合物或共聚物的側鏈中的結構單元具有空穴傳輸官能團，並且所述至少一種主體分子具有電子傳輸官能團。
17.根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，其特徵在於所述聚合物主鏈為聚乙烯結構。
18.一種製劑，所述製劑包含根據前述權利要求中的一項所述的摻合物，和至少一種其它組分。
19.根據前述權利要求所述的製劑，其特徵在於所述至少一種其它組分選自溶劑、光穩定劑、UV穩定劑、阻燃劑、填料和其組合，其中在所述至少一種其它組分選自溶劑的情況下，所述製劑優選處於溶液、分散體、懸浮體或漿體的形式。
20.下式(Ia)的化合物
21.一種電子器件，其包括陽極、陰極和布置在陽極和陰極之間的層，所述層包含根據權利要求1至17中的一項所述的摻合物或根據權利要求18至19中的一項所述的製劑。
22.根據前述權利要求所述的電子器件，其包括布置在所述陰極和包含所述摻合物的層之間的層，該層包含導電聚合物，特別是PEDOT: PSS。
23.根據前述權利要求所述的電子器件，其包括布置在所述導電聚合物和包含所述摻合物的層之間的空穴注入層，所述空穴注入層特別是包含芳基胺聚合物。
24.根據權利要求22至23中的一項所述的電子器件，其特徵在於 a)所述陰極由半導體混合氧化物特別是ITO(氧化銦錫)形成，和/或 b)所述陽極由金屬特別是鋇、鋁和/或其組合或合金形成。
25.根據權利要求21、22至24中的一項所述的電子器件，其特徵在於 a)將所述陽極施加至基底上，特別是施加至玻璃或塑料基底上，所述基底設置在所述陽極的背對所述包含所述摻合物的層的一側上，和/或 b)所述陰極設置有覆蓋玻璃或透明塑料，該覆蓋玻璃或透明塑料布置在所述陰極的背對所述包含所述摻合物的層的一側上。
26.根據權利要求22至25中的一項所述的電子器件，其特徵在於 a)包含所述摻合物的層的層厚度為10至lOOOnm，優選30至300nm，特別優選50至IlOnm ； b)所述陰極的層厚度為3至300nm,優選3至160nm； c)包含所述導電聚合物的層的層厚度為10至500nm，優選20至200nm，特別優選60至80nm,和/或 d)所述空穴注入層的層厚度為5至500nm，優選10至lOOnm，特別優選10至30nm。
27.根據權利要求22至26中的一項所述的電子器件，其特徵在於所述電子器件選自有機電致發光器件，特別是OLED或PLED，有機集成電路(0-1C)，有機場效應電晶體(0-FET)，有機薄膜電晶體(O-TFT)，有機發光電晶體(O-LET)，有機太陽能電池(O-SC),有機光學檢測器，有機光感受器，有機場粹熄器件(O-FQD),有機發光電化學電池(OEC)或有機雷射二極體(Ο-laser )。
28.根據權利要求1至17中的一項所述的摻合物和/或根據權利要求18至19中的一項所述的製劑用於電子器件的用途，所述電子器件特別是選自有機電致發光器件，特別是OLED或PLED，有機集成電路(O-1C)，有機場效應電晶體(O-FET)，有機薄膜電晶體(O-TFT)，有機發光電晶體(0-LET)，有機太陽能電池(0-SC)，有機光學檢測器，有機光感受器，有機場猝熄器件( O-FQD)，有機發光電化學電池(OEC)或有機雷射二極體(0-laser)。
全文摘要
本發明涉及一種摻合物，該摻合物包含a)至少一種聚合物或共聚物或者多種聚合物和/或共聚物的混合物，其包含主鏈和側鏈，其中至少一種側鏈含有下式(I)的結構單元，使用的符號和標記另外限定如下；b)至少一種具有電子傳輸或空穴傳輸官能團的主體分子，和c)至少一種發光體分子。
文檔編號C09K11/06GK103228759SQ201180049769
公開日2013年7月31日 申請日期2011年10月14日 優先權日2010年10月14日
發明者哈特姆特·克魯格, 哈明·韋德爾, 比阿特麗斯·賽樂爾特, 史蒂芬尼·克賴斯爾, 曼紐爾·特森, 雷米·安米安, 託馬斯·埃伯利 申請人:弗朗霍夫應用科學研究促進協會, 默克專利有限公司