介質器件的製作方法
2023-12-05 08:37:11 2
專利名稱：介質器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及介質諧振器、及其構成的介質濾波器和雙工器等介質器件。
背景技術：
此種介質器件應用於準微波帶、微波帶、毫米波帶、子毫米波帶等高頻領域。更具體地適用於例如衛星通信設備、移動通信設備、無線通信設備、高頻通信設備以及上述通信設備的基地局。
以往，用於攜帶電話等的諧振器或介質濾波器，通常由多個在介質基片設置1個通孔的諧振器部分組合構成，諧振器的長度，通常為構成介質基片的材料的介電常數的平方根除以自由空間波長λ的1/4。
構成介質濾波器時，多個諧振器通過其它途徑準備的耦合電路被耦合，或者，從呈類似長方體的介質基片的一面在表面設置多個通孔，對除開放面以外的表面和通孔內部實施金屬噴鍍，各個通孔作為諧振器部分。
使用介質基片的介質濾波器，在諧振器部分加裝電容等附加素子，在開放面形成導體圖形，構成附加要素。且通過在介質基片自身上設置溝或凹部，控制電磁耦合分布的平衡，採用通過電和磁發生耦合的構造。
但是，以往的諧振器以及介質濾波器，為了小型化而縮短諧振器的長度時，如上所述，必須通過其他途徑構成負荷電容，且在諧振器加載附加部件，使部件增加、不能達成小型化。
而且，在諧振器的開放面通過導體圖形形成電容等的結構，在介質基片的開放面必須形成複雜、精密的導電圖形，隨著小型化、薄型化的進展，也帶來生產成本增加且成品率下降的不利影響。
發明內容
本發明的目的是提供適合小型化且薄型化的介質器件。
本發明的另外一個目的是提供可以表貼實裝的介質器件。
為了達成上述目的，本發明相關的介質器件，其特徵在於，包括介質基片和至少一個共振部。上述介質基片，在一面和其他表面具有外導體膜。
上述共振部包括第1孔和第2孔。上述第1孔，設置在上述介質基片上，一端在上述一面開口，從上述一面趨向相對的表面。上述第1孔，在內部具有第1內導體，上述第1內導體在上述一面通過間隙與上述外導體膜隔離。
上述第2孔，設置在上述介質基片上，一端在不與上述一面相對的表面開口，在上述介質基片的內部與上述第1孔的另一端連接。第2孔也在內部具有第2內導體。該第2內導體的一端在上述介質基片的內部與上述第1內導體連接，另一端與上述外導體膜連接。
如上所述，本發明相關的介質器件，可以得到的共振部(諧振腔)包括第1孔和第2孔，在開放端相反側的另一端，與第2孔交叉的新型孔結構。
該新型孔結構，在第1孔設置的第1內導體以及在第2孔設置的第2內導體相互連接。
第1孔的第1內導體，因為利用介質基片通過介質層與外導體膜相對，所以在第1內導體膜和外導體膜之間產生大的靜電電容。為此，本發明相關的介質器件，相對在第2孔的軸方向看到的介質基片的長度，自該電氣長度低頻共振。換句話說，為了得到預期的共振頻率縮短介質基片的長度，則可實現小型化和薄型化。
本發明相關的器件，可以擴展應用到諧振器、發振器、介質濾波器和雙工器(Duplexer、又被稱為天線共用器)等器件。其中，作為諧振器使用時，一個共振部即可。作為介質濾波器和雙工器使用時，共振部為多個。
作為介質濾波器和雙工器使用時，介質基片的長度尺寸，因為上述理由被縮短，另外在相鄰2個共振部，利用第1孔間的間隔，可以在相鄰共振部之間產生電容耦合。而且該電容耦合，在相鄰的2個共振部，通過調整第1孔間的間距，可以調整到預期的耦合度。而且，相鄰共振部之間的電耦合，可以通過削減第1內導體開口部近處的導體，或者增加開口部近處的導體進行調整。
而且，利用第1孔與設置在介質基片上的外導體膜之間的電容，在相鄰的2個共振部之間，可以產生實質性的感應耦合。該感應耦合，通過調整第1孔與設置在介質基片的外導體膜之間的間距，也可以調整到預期的感應耦合度。
而且，作為介質濾波器使用時，具有第1端子和第2端子，這些端子用於輸入輸出端子。第1端子，隔著介質基片的層被設置在與共振部一方的第1孔相對的位置。第2端子，隔著介質層被設置在與另一共振部的第1孔相對的位置。任意這些第1以及第2端子都與外導體絕緣。
利用上述結構，第1以及第2端子可以被表貼在實裝基片上。第1以及第2端子，即可設置在表面，也可設置在上述一面，橫跨相鄰的2個面設置也可以。
用於雙工器(天線共用器)時，至少具有3個共振部和第1至第3端子。第1至第3端子，分別設置在不同的共振部上，作為天線連接端子、接收側端子以及發送側端子使用。通過上述結構，第1至第3端子可以被貼裝在實裝基板上。
有關本發明的其它目的、結構以及優點，參照附圖，更詳細地說明。但是，本發明的技術範圍不僅僅限於這些圖示的實施例。
圖1是本發明相關的介質諧振器的斜視圖。
圖2是從背面觀察圖1所示介質諧振器的斜視圖。
圖3是圖1沿3-3線的剖面圖。
圖4是圖3沿4-4線的剖面圖。
圖5是本發明相關的介質諧振器其它實施例的斜視圖。
圖6是圖5沿6-6線放大的剖面圖。
圖7是本發明相關的介質諧振器又一其它實施例的斜視圖。
圖8是從底面觀察圖7所示介質諧振器的斜視圖。
圖9是圖7沿9-9線的剖面圖。
圖10是本發明相關的介質濾波器的斜視圖。
圖11是從背面觀察圖10所示介質濾波器的斜視圖。
圖12是圖10沿12-12線的剖面圖。
圖13是圖12沿13-13線的剖面圖。
圖14是本發明相關的介質濾波器其它實施例的斜視圖。
圖15是本發明相關的介質濾波器又一其它實施例的斜視圖。
圖16是圖15沿16-16線的剖面圖。
圖17是具有3個共振部的介質濾波器的斜視圖。
圖18是從背面觀察圖17所示介質濾波器的斜視圖。
圖19是圖17沿19-19線的剖面圖。
圖20是圖19沿20-20線的剖面圖。
圖21是圖17～圖20的實施例相關的具體例的帶通濾波器特性以及插入損耗特性的圖。
圖22是具有3個共振部的介質濾波器其它實施例的斜視圖。
圖23是圖22所示實施例與圖20對應的剖面24是圖22、圖23的實施例相關的具體例的帶通濾波器特性以及插入損耗特性的圖。
圖25是本發明相關的雙工器的斜視圖。
圖26是從背面觀察圖25所示雙工器的斜視圖。
圖27是圖25沿27-27線的剖面圖。
圖28是圖25～圖27所示的具體例相關的雙工器的頻率特性。
附圖符號的說明1介質基片21～26表面3外導體膜41～46第1孔51～56第2孔具體實施的方式圖1是本發明相關的介質諧振器的斜視圖，圖2是從背面觀察圖1所示介質諧振器的斜視圖，圖3是圖1沿3-3線的剖面圖，圖4是圖3沿4-4線的剖面圖。被圖示的介質諧振器，包括介質基片1和1個共振部Q1。介質基片1，使用眾所周知的陶瓷基片，形成具有面21～26的類似六面體的形狀，表面21～26的大部分被外導體膜3覆蓋。外導體膜3，一般使用銅和銀等作為主要成分，通過印刷、電鍍等手段形成。
共振部Q1，包括第1孔41和第2孔51。第1孔41被設置在介質基片1上，一端在面21上開口，從面21趨向其對面的表面22。第1孔41在內部具有第1內導體61。第1內導體61，通過使用與外導體膜3相同的材料以及手段形成，並作為電極膜。與此不同，也可以把第1內導體61填充埋入第1孔41的一部分或者全部。第1內導體61，在面21通過間隙g11，與外導體膜3隔離。
第2孔51也被設置在介質基片1上。第2孔51，一端在表面23開口，第2孔51從表面23趨向其對面的表面24，在介質基片1的內部與第1孔41連接。
第2孔51，在內部具有第2內導體81。該第2內導體81，在表面23開口的一端與外導體膜3連接，另一端與第1內導體61連接。第2內導體81，使用和第1內導體61相同的材料和手段形成。第2內導體81，也可被填充埋入第2孔51的一部分或全體。
圖示的實施例中，第2孔51實際上是內徑D2的圓形，第1孔41，從圖1看，橫方向的內徑D11比縱方向的內徑D12大，類似長方形形狀的孔形。橫方向的內徑D11也比第2孔51的內徑D2大。因此，第2孔51的另一端，在第1孔41的橫向與第1孔51連接。第1孔41的角部為圓弧狀較宜。
而且，實施例中，第1孔41，從與第2孔51連接的區域向內側方向突出距離為X1(參照圖3)。
而且，第2孔51開口的表面23與第1孔41的距離d0，比第2孔51相對的面24與第1孔41的距離d1長(參照圖3)。即，d0＞d1。
設置在第1孔41內側的第1內導體61，和設置在表面22、表面24～26的外導體膜3之間，存在厚度為d1～d4的介質層71～74(參照圖3、圖4)。而且，在表面22，與外導體膜3之間有間隙g21分隔，具有端子11。端子11通過介質層72，與第1內導體61通過靜電電容C02耦合。
如上所述，共振部Q1包括第1孔41和第2孔51。第1孔41，一端在面21開口，從面21趨向相對的表面22。第2孔51，一端在面21開口，從表面23趨向對面的表面24，另一端在介質基片1內部與第1孔41連接。即，可以得到一端位於面21的第1孔41，與第2孔51交叉的新型孔構造。
該新型孔結構，因為設置在第1孔41的第1內導體61和設置在第2孔51的第2內導體81相互連接，所以第1孔41和第2孔51構成一個電路。第1孔41的第1內導體61、通過介質基片1介於中間的介質層71～74，與表面22、表面24～26上的外導體膜3相對。因此，第1內導體61和外導體膜3之間發生電容耦合。
第1孔41也可以設置多個。此時，多個第1孔分別在不同的表面開口，分別設置的第1內導體，在介質基片1的內部與第2內導體81連接。例如，圖1～圖4所示的實施例中，從與第2孔51交叉的方向，設置1個或多個第1孔，與第2孔51的端部交叉，各個內導體，如圖1～圖4所示的狀態，與第2內導體81連接。圖1至圖4的實施例，因為使用六面體狀的介質基片1，利用表面21、22、24、25、26，可以實現上述第1孔的追加結構。
如上所述，第1孔41的第1內導體61，因為通過介質基片1介於中間的介質層71～74，與外導體膜3相對，所以第1內導體61和外導體膜3之間產生大的靜電電容C01、C03、C04(參照圖3和圖4)。因此，本發明相關的介質器件，從第2孔51的軸方向看介質基片1的長度L1，利用該電氣長低頻共振。換而言之，為得到預期的共振頻率而縮短介質基片1的長度L1，可以達成小型化以及薄型化。
而且，第2孔51開口的表面23與第1孔41的距離d0，比第2孔51相對的面24與第1孔41的距離(厚度)d1長，滿足d0＞d1的實施例，相應距離(厚度)d1的尺寸可以得到靜電電容C01。
接著，有關實施例所示的介質諧振器的小型化以及薄型化，舉具體例進行說明。圖1～圖4所示的結構中，介質基片1使用介電常數εr＝92的介質材料，形狀類似長方體。介質基片1的尺寸，面23的面積為(2mm×2mm)，長度L1為2.5mm。第2孔51的孔徑D2為0.5mm，第1孔41的孔徑D11為1mm。
該諧振器環路耦合(loop coupling)測定的共振頻率為2.02GHz。關於長度L1，因為現有共振頻率為2.02GHz的(1/4)波長諧振器，必須為3.5～4mm左右，所以本實施方案，可以縮短30％左右。
圖5是本發明相關的介質諧振器其它實施例的斜視圖，圖6是圖5沿6-6線放大的剖面圖。圖中與圖1至圖4所示結構相同的部分，附帶相同參照符號，儘量省略重複的說明。圖5以及圖6所示的實施例，第1孔41，一端在面21開口，另一端在與面21相對的表面22開口。設置在第1孔41內部的第1導體膜61，在面21上，通過間隙g11與外導體膜3分隔，在表面22上，通過間隙g01與外導體膜3分隔。
該實施例的場合，因為第1內導體61和設置在表面24～26的外導體膜3之間重疊(平行)面積增加，所以可以獲得增大的靜電電容C01、C03、C04(參照圖4)。
而且，圖5以及圖6所示的實施例，端子11設置在介質基片1的表面22，通過介質層，與第2內導體81發生電容耦合。端子11通過間隙g21與外導體膜3分隔。
圖5以及圖6所示實施例中的介質諧振器，也可以小型化和薄型化。
圖7是本發明相關的介質諧振器又一其它實施例的斜視圖，圖8是從底面觀察圖7所示介質諧振器的斜視圖，圖9是圖7沿9-9線的剖面圖。該實施例中，端子11橫跨表面22和作為底面的表面24形成。該實施例的場合，也可以實現介質諧振器的小型化和薄型化。
圖10是本發明相關的介質濾波器的斜視圖，圖11是從背面觀察圖10所示介質濾波器的斜視圖，圖12是圖10沿12-12線的剖面圖，圖13是圖12沿13-13線的剖面圖。這些圖所示的是具有2個共振部Q1、Q2的介質濾波器。共振部Q1、Q2分別共用介質基片1，通過介質基片1實現一體化。共振部Q1包括第1孔41和第2孔51。第1孔41和第2孔51，也可以採用前面圖示且說明的結構。採用圖1～圖4所示的構造時，第1孔41，一端在面21開口，從面21趨向其相對的表面22。第1孔41在內部設置第1內導體61。第1內導體61，在面21，通過間隙g11，與外導體膜3分隔。
而且，第2孔51，一端在與面21不相對的表面23開口，另一端在介質基片1的內部與第1孔41的另一端連接。第2孔51的第2內導體81，在表面23開口的一端與外導體膜3連接，另一端在介質基片1內部與第1內導體61連接。
共振部Q2，實質上與共振部Q1結構相同，包括第1孔42和第2孔52。第1孔42和第2孔52，可以採用圖1～圖9所示且說明的任意結構。採用圖1～圖4所示的構造時，第1孔42，一端在面21開口，從面21趨向其相對的表面22。第1孔42在內部設置第1內導體62。第1內導體62，在面21，通過間隙g12，與外導體膜3分隔。
而且，第2孔52，一端在面21相鄰的表面23開口，另一端在介質基片1的內部與第1孔42的另一端連接。第2孔52的第2內導體82，在表面23開口的一端與外導體膜3連接，另一端與第1內導體62連接。共振部Q1、Q2更加詳細的狀態，可參照圖1～圖9的說明，在此省略重複說明。
而且，實施例中，如果參照圖11～圖13，則在介質基片1的表面22，設置作為輸入輸出端子的第1端子11以及第2端子12。第1端子11，通過厚度d21的介質層72，設置在與第1孔41相對的位置，通過絕緣間隙g21與外導體膜3絕緣。
第2端子12，通過厚度d22的介質層75，設置在與第1孔42相對的位置，通過絕緣間隙g22與外導體膜3絕緣。
第1以及第2端子11、12和第1孔41、42的內導體61、62之間，產生由其間介質層的厚度、介電常數和面積決定的耦合電容。第1以及第2端子11、12，和第1孔41、42的內導體61、62不必完全重疊。即可部分相對，也可設置在並非相對的位置。而且，絕緣間隙g21、g22也可作為一個間隙連接。
共振部Q1和共振部Q2之間的耦合，是電容耦合還是感應耦合，與構成共振部Q1、Q2的第1孔41以及42的內導體61和62之間形成的電容C04，和第1孔41以及42的內導體61、62和外導體膜3之間形成的電容C01、C03、C06相互依存。前者強時，Q1、Q2以電容耦合為主，後者強時以感應耦合為主。
圖10至圖13所示的介質濾波器中，因為共振部Q2和共振部Q1結構相同，有關其作用和優點，共振部Q2也可以採用有關共振部Q1的說明。介質濾波器整體的作用，僅考慮共振部Q1和共振部Q2之間的耦合。
圖14是本發明相關的介質濾波器其它實施例的斜視圖。圖14所示的實施例的特徵是在介質基片1的表面23有凹部101。在凹部101的內部包括構成共振部Q1的第2孔51、52。
根據圖14的實施例，通過選定凹部101的尺寸，可以調整共振部Q1和共振部Q2之間的耦合特性及其共振頻率。
圖15是本發明相關的介質濾波器又一其它實施例的斜視圖，圖16是圖15沿16-16線的剖面圖。圖示的實施例中，第1孔41包括大徑部411和小徑部412。大徑部411在面21開口，小徑部412與大徑部411的下方連接。第1孔42也包括大徑部421和小徑部422。大徑部421在面21開口，小徑部422與大徑部421的下方連接。
圖15、圖16的實施例，第2孔51、52也包括大徑部511、521和小徑部512、522。大徑部511、521在表面23開口，小徑部512、522與大徑部511、521的下方連接。
圖15、圖16所示實施例的場合，通過選定大徑部(411、421)、(511、521)的孔徑，可以調整共振部Q1和共振部Q2之間的耦合特性及其共振頻率。
圖17是具有3個共振部的介質濾波器的斜視圖，圖18是從背面觀察圖17所示介質濾波器的斜視圖，圖19是圖17沿19-19線的剖面圖，圖20是圖19沿20-20線的剖面圖。
共振部Q1、Q2、Q3分別共用介質基片1，通過介質基片1實現一體化。介質基片1，除面21以外，表面大部分被外導體膜3覆蓋。
共振部Q1包括第1孔41和第2孔51。共振部Q2包括第1孔42和第2孔52。共振部Q3包括第1孔43和第2孔53。第1孔41～43以及第2孔51～53的分體結構以及相對關係如之前的說明。
圖示實施例的場合，分別設置在第1孔41～43內部的第1內導體61～63，與外導體膜3之間，通過介質層71、72、73、75、77和78有靜電電容C01、C02、C03、C05、C07和C08，共振部Q1和共振部Q2之間，通過介質層74有靜電電容C04，共振部Q2和共振部Q3之間，通過介質層76有靜電電容C06(參照圖19、圖20)。靜電電容C01～C08的值相應期望的特性適當設定。而且，也可使共振體Q1～Q3中各個介質層71的厚度d11～d13(參照圖17)不同，而使共振部Q1～Q3中各個靜電電容C01不同。
實施例中，位於共振部Q1、Q3之間的共振部Q2，第1孔42的深度比共振部Q1、Q3淺，而且，介質層71的厚度d12比共振部Q1、Q3中介質層71的厚度d11、d13大(參照圖17)。因而，共振部Q2的靜電電容C01比共振部Q1、Q3的靜電電容C01小。
第1端子11，在表面22與第1孔41相對的位置，通過絕緣間隙g21，配置成與外導體膜3絕緣的狀態。
第2端子12，在表面22與第1孔44相對的位置，通過絕緣間隙g22，配置成與外導體膜3絕緣的狀態。
如果使用圖17～圖20所示的實施例，除了可以得到與前面實施例相同的小型化和薄型化，還因為有更多的共振部Q1～Q3，使頻率選擇特性向上。
接著，關於圖17～圖20所示介質濾波器的頻率特性，舉具體例進行說明。圖17～圖20所示的實施例中，介質基片1使用介電常數εr＝92的介質材料，形狀類似長方體。介質基片1的形狀，面23的面積為(4.2mm×2mm)，長度L1為2.5mm。第2孔51～53的孔徑D2為0.7mm。因為與相鄰的第1孔41～43相對的面的距離較近，在該部分易產生大的電容。因此，相鄰共振部Q1～Q3顯示出電容耦合。
圖21所示是上述具體例的帶通濾波器特性L11以及插入損耗特性L21。圖中，橫軸為頻率(MHz)，左縱軸為帶通濾波器特性L11的衰減(dB)，右縱軸為插入損耗特性L21的插入損耗(dB)。
圖22是具有3個共振部Q1、Q2、Q3的介質濾波器其它實施例的斜視圖，圖23是對應圖22的剖面圖。圖22以及圖23所示實施例的基本構造，與圖17～圖20所示的實施例相同，共振部Q1～Q3的構造大致相同，不同點為，共振部Q1～Q3的第1孔41～43的相互間隔，比圖17～圖20的場合擴大，以及相當於共振部Q1～Q3的第1孔41～43與外導體膜3之間的距離的介質層71的厚度d11、d12、d13，比圖17～圖20的場合縮小。
接著，關於圖22、圖23所示的介質濾波器的頻率特性，舉具體例進行說明。圖22、圖23所示的實施例中，介質基片1使用介電常數εr＝92的介質材料，形狀類似長方體。介質基片1的形狀，面23的面積為(4.2mm×2mm)，長度L1為2.5mm。第2孔51～53的孔徑D2為0.7mm。
圖22、圖23所示實施例的場合，因為共振部Q1～Q3的第1孔41～43相互間的間距，比圖17～圖20的場合擴大，所以共振部Q1～Q3相互間產生的電容小。另一方面，因為共振部Q1～Q3的第1孔41～43和外導體膜3之間的距離(d11、d12、d13)，比圖17～圖20的場合縮小，所以該部分產生的電容比較大。為此，相鄰的共振部Q1～Q3相互顯示為感應耦合。此點，與圖17～圖20的實施例顯示為電容耦合不同。
圖24所示是圖22、圖23的實施例相關的具體例的帶通濾波器特性L11以及插入損耗特性L12。圖中，橫軸為頻率(MHz)，左縱軸為帶通濾波器特性L11的衰減(dB)，右縱軸為插入損耗特性L21的插入損耗(dB)。
本發明相關的介質器件，可以擴展應用於介質諧振器、介質濾波器和雙工器。其中，有關介質諧振器以及介質濾波器的說明，到此為止，已經參照圖1～圖24詳細說明。紙上關於上述的說明停留於此，但是明顯存在由被圖示且被說明的各實施例進行組合、具有更多共振部的多種情況。
接著，對本發明相關的介質器件的另一重要適用例的雙工器進行說明。
圖25是本發明相關的雙工器的斜視圖，圖26是從背面觀察圖25所示雙工器的斜視圖，圖27是圖25沿27-27線的剖面圖。圖示的雙工器有6個共振部Q1～Q6。各個共振部Q1～Q6分別共用介質基片1，通過介質基片1實現一體化。介質基片1，除作為開放面的面21以外，表面的大部分被外導體膜3覆蓋。
共振部Q1～Q6中，共振部Q1包括第1孔41和第2孔51的組合，共振部Q2包括第1孔42和第2孔52的組合，共振部Q3包括第1孔43和第2孔53的組合。共振部Q4包括第1孔44和第2孔54的組合，共振部Q5包括第1孔45和第2孔55的組合，共振部Q6包括第1孔46和第2孔56的組合。
第1孔(41～46)和第2孔(51～56)的分體結構及其相對關係，詳細參照圖1～圖20的說明。第1孔(41～46)具有第1內導體(61～66)，第2孔(51～56)具有第2內導體(81～86)。
因為雙工器作為天線共用器使用，共振部Q1～Q3以及共振部Q4～Q6的任意一方作為發送、另一方作為接收使用。由於發送頻率和接收頻率相互不同，所以共振部Q1～Q3的共振特性和共振部Q4～Q6的共振特性相互不同。
發送側的共振部Q1～Q3中，包含於共振部Q1的第1孔41，與設置在表面24的第1端子11，利用介質基片1通過介質層被耦合。
接收側的共振部Q4～Q6中，包含於共振部Q6的第1孔46，與設置在表面24的第3端子13，利用介質基片1通過介質層被耦合。該場合的電容耦合祥見以上說明。
而且，對應中間的共振部Q3、Q4的第1孔43、44，在表面24一側，天線連接用第2端子12被連接。
第1至第3端子11～13，在表面22，配置為通過絕緣間隙g21～g23與外導體膜3絕緣的狀態。第1至第3端子11～13可以用於表貼在實裝基板上。
共振部Q1～Q3，第1孔41～43縱向較長(圖25)，共振部Q4～Q6的第1孔44～46橫向較長。共振部Q1～Q3的第1孔41～43，比共振部Q4～Q6的第1孔44～46相對外導體膜3的距離小。因此，共振部Q1～Q3表現出感應耦合，共振部Q4～Q6表現出電容耦合。
省略圖示，關於雙工器當然也可以適用介質諧振器和介質濾波器中例示的各種構造(參照圖1至圖23)。
接著，對圖25～圖27所示雙工器的具體例進行說明。圖25～圖27所示實施例中，介質基片1使用介電常數εr＝92的介質材料，形狀類似長方體。介質基片1的形狀，面23的面積為(8.5mm×2mm)，長度L1為2.5mm。第2孔51～56的孔徑D2為0.6mm。
圖28是上述具體例有關的雙工器的頻率特性。圖中，橫軸為頻率(MHz)，左縱軸為帶通濾波器特性L11、L12的衰減(dB)，右縱軸為插入損耗特性L21、L22的插入損耗(dB)。帶通濾波器特性L11與共振部Q1～Q3有關，帶通濾波器特性L12與共振部Q4～Q6有關。插入損耗特性L21與共振部Q1～Q3的特性、插入損耗特性L22與共振部Q4～Q6的特性有關。
如上所述，因為共振部Q1～Q3表現出感應耦合、共振部Q4～Q6表現出電容耦合，所以可以得到一側的3個諧振器構成高頻帶通濾波器、另一側的3個諧振器構成低頻帶通濾波器、相互對應帶域衰減特性良好的雙工器。
本發明不僅僅限於上述實施例。形成多個共振部Q1～Q6的介質基片1，在面23以外的表面形成的第1孔41～46並非必須在同一側面形成。也可相應輸入輸出端子等調整的情況適當設置在適合的側面。第1孔41～46周圍沒有導體的部分，根據期望的電性能，即可利用導體分離，也可成為一體。第2孔51～56相鄰形成的其他共振部，也可在與面23相對的面24形成。
發明的效果如上所述，通過使用本發明，可以得到如下所述的效果。
(a)提供適合小型化以及薄型化的介質器件。
(b)提供可以表面貼裝的介質器件。
權利要求
1.一種介質器件，其特徵在於，包括介質基片和至少一個共振部；上述介質基片，在一面及其他的表面具有外導體膜；上述共振部包括第1孔和第2孔；上述第1孔，被設置在上述介質基片上，一端在上述一面開口，從上述一面趨向其對面，在內部具有第1內導體，上述第1內導體在上述一面通過間隙與上述外導體膜隔離；上述第2孔，被設置在上述介質基片上，在不與上述一面對面的表面開口，在上述介質基片的內部與上述第1孔連接，在內部具有第2內導體，上述第2內導體的一端在上述介質基片的內部與上述第1內導體連接，另一端與上述外導體膜連接。
2.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，包括端子；上述第1孔的另一端部，從與上述第2孔連接的區域，朝內部的方向突出；上述端子被設置在上述介質基片的上述表面，通過上述介質基片，與在上述第1孔具有的上述第1內導體進行電耦合。
3.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，包括端子；上述第1孔的另一端部，從與上述第2孔連接的區域，朝內部的方向突出；上述端子被設置在上述介質基片的上述表面，通過上述介質基片，與在上述第1孔的上述另一端部具有的上述第1內導體進行電耦合。
4.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，包括端子；具有多個上述第1孔，上述第1孔分別在上述介質基片的不同表面開口，分別設置的上述第1內導體，在上述介質基片的內部，與上述第2內導體連接；上述端子，被設置在上述介質基片的上述表面，通過上述介質基片，與上述第1內導體進行電耦合。
5.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，上述第1孔是多個，上述第1孔分別在上述介質基片的不同表面開口，在上述介質基片的內部與一個上述第2孔的端部交叉，分別設置的上述第1內導體，在上述介質基片的內部，與上述第2內導體連接。
6.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，包括端子；上述端子，被設置在介質基片上，與上述共振部進行電耦合。
7.根據權利要求6所述的器件，上述端子，被設置在上述介質基片的上述表面，通過上述介質基片，與上述第2內導體進行電耦合。
8.根據權利要求6所述的器件，上述端子，被設置在上述介質基片的上述表面，通過上述介質基片，與上述第1內導體進行電耦合。
9.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，上述第1孔是多個，分別設置的上述第1內導體在上述交叉部與上述第2內導體連接。
10.根據權利要求1所述的器件，上述第2孔開口的表面和第1孔的距離，比與上述第2孔對置的面和第1孔的距離長。
11.根據權利要求1所述的器件，其特徵在於，具有多個上述共振部，相鄰的共振部進行電耦合。
12.根據權利要求11的器件，其特徵在於，包括第1端子和第2端子；上述第1端子，被設置在上述介質基片上，至少與一個上述共振部進行電耦合；上述第2端子，被設置在上述介質基片上，至少與其它一個上述共振部進行電耦合。
13.根據權利要求12的器件，上述第1端子，被設置在上述介質基片上，通過上述介質基片，與上述第1內導體進行電耦合。
14.根據權利要求12的器件，上述第1端子，被設置在上述介質基片上，通過上述介質基片，與上述第2內導體進行電耦合。
15.根據權利要求12的器件，上述第2端子，被設置在上述介質基片上，通過上述介質基片，與上述第1內導體進行電耦合。
16.根據權利要求12的器件，上述第2端子，被設置在上述介質基片上，通過上述介質基片，與上述第2內導體進行電耦合。
17.根據權利要求11的器件，上述共振部中相鄰的2個發生電容耦合。
18.根據權利要求11的器件，上述共振部中相鄰的2個發生感應耦合。
19.根據權利要求11的器件，上述多個共振部，包括階梯狀凹部，上述凹部在上述第2孔開口的表面形成，在其內部共同包含多個上述第2孔。
20.根據權利要求1所述的器件，上述第1孔，包括大徑部和小徑部；上述大徑部在上述一面上開口，上述小徑部與上述大徑部的下方連接。
21.根據權利要求1所述的器件，上述第2孔，包括大徑部和小徑部；上述大徑部在上述第2孔開口的面上開口，上述小徑部與上述大徑部的下方連接。
22.根據權利要求1所述的器件，上述第1孔，比第2孔直徑大。
23.根據權利要求22的器件，上述第1孔，剖面圖的形狀為大致方形。
24.根據權利要求1所述的器件，是介質濾波器。
25.根據權利要求1所述的器件，是雙工器。
26.根據權利要求25的器件，其特徵在於，包括3個以上的共振部、以及第1至第3的端子；上述第1端子，至少與上述一個共振部進行電耦合；上述第2端子，至少與上述其它一個共振部進行電耦合；上述第3的端子，至少與上述剩餘的一個共振部進行電耦合。
全文摘要
本發明的目的是提供適於小型化以及薄型化、可以表貼實裝的介質器件。共振部Q1中，第1孔41被設置在介質基片1，從面21趨向其對面22，在面21上開口，在內部有第1內導體61。第2孔51被設置在介質基片1，在面21相鄰的面23上開口，從面23趨向其對面24，在介質基片1的內部與第1孔41連接。第2孔51在內部有第2內導體81，第2內導體81在介質基片1的內部與第1內導體61連接。
文檔編號H01P1/213GK1409434SQ0214309
公開日2003年4月9日 申請日期2002年9月28日 優先權日2001年9月28日
發明者遠藤謙二, 田代浩二, 田久保修 申請人:Tdk株式會社