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一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置製造方法

2023-12-08 12:24:56

一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置,包括用於發出振蕩信號並放大穩壓的驅動電路、用於控制輸出電壓的功率電路、用於檢測電流信號和氣壓信號的保護電路、用於處理信號並顯示故障信息的控制顯示電路,所述控制顯示電路包括ATMEGA8L型的處理晶片U1、數碼管顯示電路和報警蜂鳴器。ATMEGA8L型的處理晶片U1配合驅動電路和功率電路,能夠精密的控制輸出電壓信號。保護電路能實時檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號,當電流信號和氣壓信號發生異常時,ATMEGA8L型的處理晶片U1啟動數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,以便及時報警,使噴塗操作更安全。
【專利說明】
一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置

【技術領域】
[0001]本發明涉及等離子噴塗【技術領域】,尤其涉及一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置。

【背景技術】
[0002]等離子噴塗是繼火焰噴塗之後出現的又一種新型、多用途的精密噴塗方法。該方法使用電能將氬、氫或氦等混合氣體轉變為高溫等離子體並在陽極內形成等離子氣體流,再利用高溫和高速等離子氣體流將金屬或金屬氧化物、金屬碳化物噴射到工件的表面,以形成塗層。等離子噴塗方法適用於高熔點材料的噴塗,噴射粒子的速度高,塗層緻密,粘結強度大,且由於使用惰性氣體作為工作氣體,噴塗材料不易氧化。因此大多工業上的大氣等離子噴塗設備都偏向於選擇這種噴塗方法。不過,等離子噴塗方法中等離子氣體流的產生主要依賴於產生等離子氣體流的控制電路,如何使控制電路的輸出電壓信號更穩定,並使其噴塗操作更安全,成為了工程師普遍關心的問題。


【發明內容】

[0003]本發明的目的在於提出一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置,能精密控制輸出電壓信號,並實時監控控制電路的電流信號和等離子氣體流的氣壓信號,當電流信號和氣壓信號發生異常時及時報警。
[0004]為達此目的,本發明採用以下技術方案:
[0005]第一方面,提供一種等離子噴塗裝置的控制電路,包括用於發出振蕩信號並放大穩壓的驅動電路、用於控制輸出電壓的功率電路、用於檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號的保護電路、用於處理信號並顯示故障信息的控制顯示電路,所述控制顯示電路的信號輸出端連接驅動電路的信號輸入端,所述驅動電路的信號輸出端連接功率電路的信號輸入端,所述功率電路的信號輸出端連接保護電路的信號輸入端,所述保護電路的信號輸出端連接所述控制顯示電路的信號輸入端,所述控制顯示電路包括ATMEGA8L型的處理晶片U1、數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,所述數碼管顯示電路和報警蜂鳴器分別與處理晶片Ul連接。
[0006]其中,所述控制顯示電路還包括SPI串口、二極體D3、二極體D2、電感L1、電容C5、極性電容C4、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電容C3、電阻R12、串口 UARTl,
[0007]所述處理晶片Ul的第I引腳、第2引腳、第9引腳、第10引腳、第26引腳、第27引腳、第28引腳、第30引腳、第31引腳、第32引腳分別連接數碼管顯示電路,所述處理晶片Ul的第3引腳接地,所述處理晶片Ul的第4引腳分別連接模擬5V電壓輸入端、處理晶片Ul的第6引腳,所述處理晶片Ul的第5引腳接地,所述處理晶片Ul的第15引腳連接SPI串口的MOSI端,所述處理晶片Ul的第16引腳分別連接SPI串口的MISO端、二極體D3的正極,二極體D3的負極連接報警蜂鳴器的一端,報警蜂鳴器的另一端接地,所述處理晶片Ul的第17引腳分別連接SPI串口的SCK端、二極體D2的負極,二極體D2的正極連接HT BACK端,
[0008]所述處理晶片Ul的第18引腳分別連接電感LI的一端、電容C5的一端,電感LI的另一端連接模擬5V電壓輸入端,所述處理晶片Ul的第20引腳連接極性電容C4的正極,極性電容C4的負極、處理晶片Ul的第21引腳、電容C5的另一端均接地,
[0009]所述處理晶片Ul的第23引腳分別連接電阻R13的一端、啟動信號輸入端,啟動信號輸出端連接VCC電源輸入端,所述處理晶片Ul的第24引腳分別連接電阻R15的一端、檢測的氣壓信號的信號輸入端,檢測的氣壓信號的信號輸出端接地,所述處理晶片Ul的第25引腳分別連接電阻R14的一端、檢測的電流信號的信號輸入端,檢測的電流信號的信號輸出端接地,電阻R13的另一端、電阻R14的另一端、電阻R15的另一端均接地,
[0010]所述處理晶片Ul的第29引腳分別連接電容C3的一端、電阻R12的一端,電阻R12的另一端連接模擬5V電壓輸入端,電容C3的另一端接地,所述處理晶片Ul的第30引腳還連接串口 UARTl的第4端,所述處理晶片Ul的第31引腳還連接串口 UARTl的第3端,串口UARTl的第2端接地,串口 UARTl的第I端連接模擬5V電壓輸入端。
[0011]其中,所述數碼管顯示電路包括由發光二極體LED1、發光二極體LED2、發光二極體LED3和發光二極體LED4相互並聯構成的顯像管LED-DSl、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R9、電阻R10、電阻Rll、8550型的三極體Ql、8550型的三極體Q2、8550型的三極體Q3,
[0012]所述顯像管LED-DSl的第11引腳連接電阻Rl的一端,電阻Rl的另一端連接所述處理晶片Ul的第30引腳,所述顯像管LED-DSl的第7引腳連接電阻R2的一端,電阻R2的另一端連接所述處理晶片Ul的第31引腳,所述顯像管LED-DSl的第4引腳連接電阻R3的一端,電阻R3的另一端連接所述處理晶片Ul的第32引腳,所述顯像管LED-DSl的第2引腳連接電阻R4的一端,電阻R4的另一端連接所述處理晶片Ul的第I引腳,所述顯像管LED-DSl的第I引腳連接電阻R5的一端,電阻R5的另一端連接所述處理晶片Ul的第2引腳,所述顯像管LED-DSl的第10引腳連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接所述處理晶片Ul的第10引腳,所述顯像管LED-DSl的第5引腳連接電阻R7的一端,電阻R7的另一端連接所述處理晶片Ul的第9引腳,
[0013]所述顯像管LED-DSl的第12引腳接地,所述顯像管LED-DSl的第9引腳連接三極體Ql的集電極,三極體Ql的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Ql的基極連接電阻R9的一端,電阻R9的另一端連接所述處理晶片Ul的第26引腳,所述顯像管LED-DSl的第8引腳連接三極體Q2的集電極,三極體Q2的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Q2的基極連接電阻RlO的一端,電阻RlO的另一端連接所述處理晶片Ul的第27引腳,所述顯像管LED-DSl的第6引腳連接三極體Q3的集電極,三極體Q3的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Q3的基極連接電阻Rll的一端,電阻Rll的另一端連接所述處理晶片Ul的第28引腳。
[0014]其中,所述功率電路包括電容C64、變壓器LF61、電容C63、變壓器LF62、保險絲F61、電流互感器T61、電流互感器T62、水銀電阻R65、二極體Q63、繞線電阻R62、由四個二極體首尾相接形成的橋式整流電路DB61、由四個二極體首尾相接形成的橋式整流電路DB62、電阻R61、發光二極體D61、電阻R64、電阻R67、極性電容C61、極性電容C66、電阻R69、電容C65、電容 C62、電容 C67、80N60 型的 MOS 管 Q61、80N60 型的 MOS 管 Q62、80N60 型的 MOS 管Q64.80N60型的MOS管Q65、電阻R66、電阻R610、鐵芯電感L61、鐵芯電感L62、電阻R63、電阻 R68,
[0015]電源輸入端CNl分別連接電容C64的一端、變壓器LF61的第一感應線圈的一端,電源輸入端CM分別連接電容C64的另一端、變壓器LF61的第二感應線圈的一端,變壓器LF61的第一感應線圈的另一端分別連接電容C63的一端、變壓器LF62的第一感應線圈的一端,變壓器LF61的第二感應線圈的另一端分別連接電容C63的另一端、變壓器LF62的第二感應線圈的一端,變壓器LF62的第一感應線圈的另一端分別連接水銀電阻R65的一端、二極體Q63的負極、電流互感器T61的第一感應線圈的一端,電流互感器T61的第一感應線圈的另一端連接繞線電阻R62的一端,繞線電阻R62的另一端連接二極體Q63的負極,電阻R65的另一端分別連接二極體Q63的正極、橋式整流電路DB61的第2端、橋式整流電路DB62的第2端,
[0016]變壓器LF62的第二感應線圈的另一端連接保險絲F61的一端,保險絲F61的另一端連接電流互感器T62的第一感應線圈的一端,電流互感器T62的第一感應線圈的另一端分別連接橋式整流電路DB62的第3端、橋式整流電路DB61的第3端,電流互感器T62的第二感應線圈的一端連接檢測的電流信號的信號輸入端,檢測的電流信號的信號輸出端連接電流互感器T62的第二感應線圈的另一端,橋式整流電路DB61的第4端和橋式整流電路DB62的第4端連接,橋式整流電路DB61的第I端和橋式整流電路DB62的第I端連接,
[0017]橋式整流電路DB61的第I端還分別連接電阻R61的一端、電阻R64的一端、極性電容C61的正極、電容C62的一端、MOS管Q61的源極、MOS管Q62的源極,
[0018]橋式整流電路DB62的第I端還分別連接發光二極體D61的負極、電阻R67的一端、極性電容C66的負極、電容C67的一端、MOS管Q64的漏極、MOS管Q65的漏極、電阻R610的一端、脈衝信號JA2端,
[0019]所述電阻R61的另一端連接發光二極體D61的正極,電阻R64的另一端分別連接電阻R67的另一端、極性電容C61的負極、極性電容C66的正極、電源輸出端CN2的一端、電阻R69的一端,電源輸出端CN2的另一端也連接電阻R69的一端,電阻R69的另一端連接電容C65的一端,電容C65的另一端連接電源輸出端CN3的一端、電源輸出端CN3的另一端,電源輸出端CN3的另一端還分別連接電容C62的另一端、電容C67的另一端、MOS管Q61的漏極、MOS管Q64的源極、MOS管Q62的漏極、MOS管Q65的源極、電阻R66的一端、脈衝信號JB2 端,
[0020]電阻R66的另一端分別連接MOS管Q61的柵極、MOS管Q62的柵極、鐵芯電感L61的一端,電阻R610的另一端分別連接MOS管Q64的柵極、MOS管Q65的柵極、鐵芯電感L62的一端,鐵芯電感L61的另一端連接電阻R63的一端,電阻R63的另一端連接脈衝信號JBl端,鐵芯電感L62的另一端連接電阻R68的一端,電阻R68的另一端連接脈衝信號JAl端。
[0021]其中,所述驅動電路包括TL494型的脈寬調製晶片U2、電阻R725、電容C718、電容C719、電阻R729、電容C720、電阻R733、可調電阻RW72、電阻R734、電阻R732、電容C721、電容C717、電容C716、鐵芯電感L71、電阻R720、電阻R721、8550型的三極體Q78、8050型的三極體Q76、電阻R716、IN4148型的二極體D77、IN4148型的二極體D710、IN4148型的二極體D78、IN4148型的二極體D711、8050型的三極體Q75、8550型的三極體Q77、電阻R717、電阻R722、電阻R723、電阻R714、電阻R711、8550型的三極體Q73、8050型的三極體Q72、IN4148型的二極體D72、IN4148型的二極體D74、IN4148型的二極體D73、IN4148型的二極體D75、8050型的三極體Q71、8550型的三極體Q74、電阻R710、電阻R713,
[0022]所述脈寬調製晶片U2的第I引腳連接電阻R725的一端,所述脈寬調製晶片U2的第2引腳分別連接電容C718的一端、脈寬調製晶片U2的第13引腳、脈寬調製晶片U2的第14引腳、脈寬調製晶片U2的第16引腳、電容C719的一端,所述脈寬調製晶片U2的第3引腳分別連接電阻R732的一端、電容C721的一端,電阻R732的另一端接地,電容C721的另一端接地,所述脈寬調製晶片U2的第4引腳分別連接電容C719的另一端、電阻R729的一端,所述脈寬調製晶片U2的第5引腳連接電容C720的一端,所述脈寬調製晶片U2的第6引腳連接電阻R733的一端,電阻R733的另一端分別連接可調電阻RW72的固定3端、電阻R734的一端,脈寬調製晶片U2的第7引腳、電阻R725的另一端、電容C718的另一端、電阻R729的另一端、電容C720的另一端、可調電阻RW72的固定I端、可調電阻RW72的可調2端、電阻R734的另一端均接地,所述脈寬調製晶片U2的第8引腳分別連接脈寬調製晶片U2的第11引腳、脈寬調製晶片U2的第12引腳、電容C717的一端、電容C716的一端、鐵芯電感L71的一端,電容C717的另一端接地,電容C716的另一端接地,鐵芯電感L71的另一端連接模擬15V電壓輸入端,所述脈寬調製晶片U2的第9引腳連接電阻R723的一端,所述脈寬調製晶片U2的第10引腳連接電阻R720的一端,
[0023]電阻R720的另一端分別連接三極體Q76的基極、三極體Q78的基極、電阻R721的一端、三極體Q72的基極、三極體Q73的基極、電阻R714的一端,三極體Q76的集電極連接電阻R716的一端,電阻R716的另一端分別連接二極體D77的負極、模擬15V電壓輸入端、二極體D78的負極、電阻R717的一端,三極體Q76的發射極分別連接三極體Q78的發射極、二極體D77的正極、二極體D710的負極、電壓信號LBl端,三極體Q75的集電極連接電阻R717的另一端,三極體Q75的發射極分別連接三極體Q77的發射極、電壓信號LB2端、二極體D78的正極、二極體D711的負極,所述電阻R721的另一端、三極體Q78的集電極、二極體D710的正極、二極體D711的正極、三極體Q77的集電極、電阻R722的一端均接地,
[0024]三極體Q72的集電極連接電阻R711的一端,電阻R711的另一端分別連接二極體D72的負極、模擬15V電壓輸入端、二極體D73的負極、電阻R710的一端,三極體Q72的發射極分別連接三極體Q73的發射極、二極體D74的正極、二極體D72的負極、電壓信號LAl端,三極體Q71的集電極連接電阻R710的另一端,三極體Q71的發射極分別連接三極體Q74的發射極、電壓信號LA2端、二極體D73的正極、二極體D75的負極,所述電阻R714的另一端、三極體Q73的集電極、二極體D74的正極、二極體D75的正極、三極體Q74的集電極、電阻R713的一端均接地,
[0025]所述電阻R723的另一端分別連接電阻R722的另一端、三極體Q75的基極、三極體Q77的基極、三極體Q71的基極、三極體Q74的基極、電阻R713的另一端。
[0026]其中,所述保護電路包括電流互感器P81、電容C82、電阻R84、DB107型的整流橋D81、極性電容C81、可調電阻RW81、電阻R83、電阻R88、極性電容C83、極性電容C85、電阻R89、電阻R86、電阻R85、電阻R81、電容C86、電容C84、LM393型的比較器U81B、LM393型的比較器U81A、電阻R87、電阻R82、
[0027]電流互感器P81的一端分別連接電容C82的一端、電阻R84的一端、整流橋D81的第I引腳,電流互感器P81的另一端分別連接電容C82的另一端、電阻R84的另一端、整流橋D81的第3引腳,整流橋D81的第4引腳分別連接極性電容C81的正極、可調電阻RW81的固定I端,整流橋D81的第6引腳、極性電容C81的負極、可調電阻RW81的固定3端、極性電容C83的負極、電阻R85的一端、電容C84的一端均接地,可調電阻RW81的可調2端分別連接電阻R83的一端、電阻R88的一端,電阻R83的另一端分別連接極性電容C83的正極、比較器U81A的輸入3端,比較器U81A的輸入2端分別連接電阻R81的一端、電阻R85的另一端、電容C84的另一端,電阻R81的另一端連接5V電壓輸入端,比較器U81A的輸入8端連接5V電壓輸入端,比較器U81A的輸出4端接地,比較器U81A的輸出I端分別連接電阻R82的一端、所述控制顯示電路的檢測的電流信號的信號輸入端,電阻R82的另一端連接5V電壓輸入端,所述控制顯示電路的檢測的電流信號的信號輸出端接地,
[0028]電阻R88的另一端分別連接極性電容C85的正極、比較器U81B的輸入5端,比較器U81B的輸入6端分別連接電阻R86的一端、電阻R89的一端、電容C86的一端,極性電容C85的負極、電阻R89的另一端、電容C86的另一端均接地,電阻R86的另一端連接5V電壓輸入端,比較器U81B的輸出7端分別連接電阻R87的一端、所述控制顯示電路的檢測的氣壓信號的信號輸入端,電阻R87的另一端連接5V電壓輸入端,所述控制顯示電路的檢測的氣壓信號的信號輸出端接地。
[0029]其中,所述保護電路還包括接氣壓感應器埠 J94、電阻R928、電阻R924、IN4148型的二極體D912、電阻R927、電阻R930、電阻R931、8050型的三極體Q910,
[0030]接氣壓感應器埠 J94的一端連接所述處理晶片Ul的第11引腳,接氣壓感應器埠 J94的另一端連接電阻R928的一端,電阻R928的另一端分別連接電阻R931的一端、三極體Q910的基極,三極體Q910的集電極分別連接電阻R930的一端、二極體D912的正極、電阻R924的一端,二極體D912的負極連接電阻R927的一端,電阻R927的另一端連接所述脈寬調製晶片U2的第4引腳,電阻R924的另一端連接模擬15V電壓輸入端,電阻R931的另一端、三極體Q910的發射極、電阻R930的另一端均接地。
[0031]第二方面,提供一種等離子噴塗裝置,包括高頻電壓器和上述的等離子噴塗裝置的控制電路,所述高頻電壓器的電壓輸入端和所述等離子噴塗裝置的控制電路的電源輸出端連接。
[0032]其中,所述等離子噴塗裝置為等離子噴槍。
[0033]本發明的有益效果在於:一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置,包括用於發出振蕩信號並放大穩壓的驅動電路、用於控制輸出電壓的功率電路、用於檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號的保護電路、用於處理信號並顯示故障信息的控制顯示電路,所述控制顯示電路的信號輸出端連接驅動電路的信號輸入端,所述驅動電路的信號輸出端連接功率電路的信號輸入端,所述功率電路的信號輸出端連接保護電路的信號輸入端,所述保護電路的信號輸出端連接所述控制顯示電路的信號輸入端,所述控制顯示電路包括ATMEGA8L型的處理晶片U1、數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,所述數碼管顯示電路和報警蜂鳴器分別與處理晶片Ul連接。ATMEGA8L型的處理晶片Ul配合驅動電路和功率電路,能夠精密的控制輸出電壓信號,相對於無控制晶片的傳統控制電路而言,使該控制電路的輸出電壓信號更穩定。保護電路能實時檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號,當電流信號和氣壓信號發生異常時,ATMEGA8L型的處理晶片Ul啟動數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,以便及時報警,使噴塗操作更安全。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對本發明實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對於本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據本發明實施例的內容和這些附圖獲得其他的附圖。
[0035]圖1是本發明實施例提供的等離子噴塗裝置的控制電路的結構方框圖。
[0036]圖2是本發明實施例提供的控制顯示電路的連接電路圖。
[0037]圖3是本發明實施例提供的數碼管顯示電路的連接電路圖。
[0038]圖4是本發明實施例提供的功率電路的連接電路圖。
[0039]圖5是本發明實施例提供的驅動電路的連接電路圖。
[0040]圖6是本發明實施例提供的保護電路的第一部分的連接電路圖。
[0041]圖7是本發明實施例提供的保護電路的第二部分的連接電路圖。

【具體實施方式】
[0042]為使本發明解決的技術問題、採用的技術方案和達到的技術效果更加清楚,下面將結合附圖對本發明實施例的技術方案作進一步的詳細描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例,本領域技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本發明保護的範圍。
[0043]請參考圖1,其是本發明實施例提供的等離子噴塗裝置的控制電路的結構方框圖,該等離子噴塗裝置的控制電路可應用於各類等離子噴塗設備。
[0044]一種等離子噴塗裝置的控制電路,包括用於發出振蕩信號並放大穩壓的驅動電路、用於控制輸出電壓的功率電路、用於檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號的保護電路、用於處理信號並顯示故障信息的控制顯示電路,所述控制顯示電路的信號輸出端連接驅動電路的信號輸入端,所述驅動電路的信號輸出端連接功率電路的信號輸入端,所述功率電路的信號輸出端連接保護電路的信號輸入端,所述保護電路的信號輸出端連接所述控制顯示電路的信號輸入端,所述控制顯示電路包括ATMEGA8L型的處理晶片U1、數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,所述數碼管顯示電路和報警蜂鳴器分別與處理晶片Ul連接。
[0045]所述控制顯示電路配合驅動電路,控制功率電路的輸入電壓的波形,該電壓信號經功率電路的整流濾波後輸入至外接的等離子噴塗裝置,以便精密控制外接的等離子噴塗裝置的電壓信號。保護電路實時監測外接的等離子噴塗裝置的電流信號和氣壓信號,並把該信號輸入至控制顯示電路,以便在該信號處於非正常狀態時,控制顯示電路能及時啟動報警蜂鳴器和數碼管顯示電路,發出報警信號。
[0046]請參考圖2,其是本發明實施例提供的控制顯示電路的連接電路圖。
[0047]其中,所述控制顯示電路還包括SPI串口、二極體D3、二極體D2、電感L1、電容C5、極性電容C4、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電容C3、電阻R12、串口 UARTl,
[0048]所述處理晶片Ul的第I引腳、第2引腳、第9引腳、第10引腳、第26引腳、第27引腳、第28引腳、第30引腳、第31引腳、第32引腳分別連接數碼管顯示電路,所述處理晶片Ul的第3引腳接地,所述處理晶片Ul的第4引腳分別連接模擬5V電壓輸入端、處理晶片Ul的第6引腳,所述處理晶片Ul的第5引腳接地,所述處理晶片Ul的第15引腳連接SPI串口的MOSI端,所述處理晶片Ul的第16引腳分別連接SPI串口的MISO端、二極體D3的正極,二極體D3的負極連接報警蜂鳴器的一端,報警蜂鳴器的另一端接地,所述處理晶片Ul的第17引腳分別連接SPI串口的SCK端、二極體D2的負極,二極體D2的正極連接HT BACK端,
[0049]所述處理晶片Ul的第18引腳分別連接電感LI的一端、電容C5的一端,電感LI的另一端連接模擬5V電壓輸入端,所述處理晶片Ul的第20引腳連接極性電容C4的正極,極性電容C4的負極、處理晶片Ul的第21引腳、電容C5的另一端均接地,
[0050]所述處理晶片Ul的第23引腳分別連接電阻R13的一端、啟動信號輸入端,啟動信號輸出端連接VCC電源輸入端,所述處理晶片Ul的第24引腳分別連接電阻R15的一端、檢測的氣壓信號的信號輸入端,檢測的氣壓信號的信號輸出端接地,所述處理晶片Ul的第25引腳分別連接電阻R14的一端、檢測的電流信號的信號輸入端,檢測的電流信號的信號輸出端接地,電阻R13的另一端、電阻R14的另一端、電阻R15的另一端均接地,
[0051]所述處理晶片Ul的第29引腳分別連接電容C3的一端、電阻R12的一端,電阻R12的另一端連接模擬5V電壓輸入端,電容C3的另一端接地,所述處理晶片Ul的第30引腳還連接串口 UARTl的第4端,所述處理晶片Ul的第31引腳還連接串口 UARTl的第3端,串口UARTl的第2端接地,串口 UARTl的第I端連接模擬5V電壓輸入端。
[0052]ATMEGA8L型的處理晶片Ul是一款新型AVR高檔單片機,它內部集成了較大容量的存儲器和豐富強大的硬體接口電路,具備AVR高檔單片機MEGE系列的全部性能和特點,且採用了小引腳封裝(為DIP28和TQFP/MLF32),集成度高,再加上AVR單片機的系統內可編程特性,使得無需配合昂貴的仿真器和編程器也可進行單片機嵌入式系統的設計和開發。
[0053]ATMEGA8L型的處理晶片Ul承襲了 AT90系列晶片所具有的特點,並在AT90系列晶片(如AT9058515、AT9058535)的基礎上,增加了更多的接口功能,相對AT90系列晶片具備更好的省電性、穩定性、抗幹擾性以及靈活性。
[0054]ATMEGA8L型的處理晶片Ul是採用低功耗CMOS工藝生產的基於AVR RISC結構的8位單片機。AVR單片機的核心是將32個工作寄存器和豐富的指令集聯結在一起,所有的工作寄存器都與ALU(算術邏輯單元)直接相連,實現了在一個時鐘周期內執行的一條指令同時訪問(讀寫)兩個獨立寄存器的操作。這種結構提高了代碼效率,使得大部分指令的執行時間僅為一個時鐘周期。因此,ATMEGA8L型的處理晶片Ul可以達到接近lMIPS/MHz的性能,運行速度比普通CISC單片機高出10倍。
[0055]本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路,利用ATMEGA8L型的處理晶片Ul配合驅動電路和功率電路,能夠精密的控制輸出電壓信號,相對於無控制晶片的傳統控制電路而言,使該控制電路的輸出電壓信號更穩定。保護電路能實時檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號,當電流信號和氣壓信號發生異常時,ATMEGA8L型的處理晶片Ul啟動數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,以便及時報警,使噴塗操作更安全。
[0056]請參考圖3,其是本發明實施例提供的數碼管顯示電路的連接電路圖。
[0057]其中,所述數碼管顯示電路包括由發光二極體LED1、發光二極體LED2、發光二極體LED3和發光二極體LED4相互並聯構成的顯像管LED-DSl、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R9、電阻R10、電阻Rll、8550型的三極體Ql、8550型的三極體Q2、8550型的三極體Q3,
[0058]所述顯像管LED-DSl的第11引腳連接電阻Rl的一端,電阻Rl的另一端連接所述處理晶片Ul的第30引腳,所述顯像管LED-DSl的第7引腳連接電阻R2的一端,電阻R2的另一端連接所述處理晶片Ul的第31引腳,所述顯像管LED-DSl的第4引腳連接電阻R3的一端,電阻R3的另一端連接所述處理晶片Ul的第32引腳,所述顯像管LED-DSl的第2引腳連接電阻R4的一端,電阻R4的另一端連接所述處理晶片Ul的第I引腳,所述顯像管LED-DSl的第I引腳連接電阻R5的一端,電阻R5的另一端連接所述處理晶片Ul的第2引腳,所述顯像管LED-DSl的第10引腳連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接所述處理晶片Ul的第10引腳,所述顯像管LED-DSl的第5引腳連接電阻R7的一端,電阻R7的另一端連接所述處理晶片Ul的第9引腳,
[0059]所述顯像管LED-DSl的第12引腳接地,所述顯像管LED-DSl的第9引腳連接三極體Ql的集電極,三極體Ql的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Ql的基極連接電阻R9的一端,電阻R9的另一端連接所述處理晶片Ul的第26引腳,所述顯像管LED-DSl的第8引腳連接三極體Q2的集電極,三極體Q2的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Q2的基極連接電阻RlO的一端,電阻RlO的另一端連接所述處理晶片Ul的第27引腳,所述顯像管LED-DSl的第6引腳連接三極體Q3的集電極,三極體Q3的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Q3的基極連接電阻Rll的一端,電阻Rll的另一端連接所述處理晶片Ul的第28引腳。
[0060]保護電路實時檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號,電流信號和氣壓信號處於正常範圍時,數碼管顯示電路不顯示報錯信息,當電流信號和氣壓信號處於非正常範圍時,ATMEGA8L型的處理晶片Ul啟動數碼管顯示電路,以顯示報錯信息。如顯像管LED-DSl顯示0101,則表示等離子噴塗裝置的控制電路出現電流過載現象、顯像管LED-DSl顯示0103,則表示等離子噴塗裝置的控制電路出現氣壓異常現象。顯示的報錯信息和故障類型的對應關係,預先設置於控制顯示電路的ATMEGA8L型的處理晶片Ul程序中。
[0061]請參考圖4,其是本發明實施例提供的功率電路的連接電路圖。
[0062]其中,所述功率電路包括電容C64、變壓器LF61、電容C63、變壓器LF62、保險絲F61、電流互感器T61、電流互感器T62、水銀電阻R65、二極體Q63、繞線電阻R62、由四個二極體首尾相接形成的橋式整流電路DB61、由四個二極體首尾相接形成的橋式整流電路DB62、電阻R61、發光二極體D61、電阻R64、電阻R67、極性電容C61、極性電容C66、電阻R69、電容C65、電容 C62、電容 C67、80N60 型的 MOS 管 Q61、80N60 型的 MOS 管 Q62、80N60 型的 MOS 管Q64.80N60型的MOS管Q65、電阻R66、電阻R610、鐵芯電感L61、鐵芯電感L62、電阻R63、電阻 R68,
[0063]電源輸入端CNl分別連接電容C64的一端、變壓器LF61的第一感應線圈的一端,電源輸入端CM分別連接電容C64的另一端、變壓器LF61的第二感應線圈的一端,變壓器LF61的第一感應線圈的另一端分別連接電容C63的一端、變壓器LF62的第一感應線圈的一端,變壓器LF61的第二感應線圈的另一端分別連接電容C63的另一端、變壓器LF62的第二感應線圈的一端,變壓器LF62的第一感應線圈的另一端分別連接水銀電阻R65的一端、二極體Q63的負極、電流互感器T61的第一感應線圈的一端,電流互感器T61的第一感應線圈的另一端連接繞線電阻R62的一端,繞線電阻R62的另一端連接二極體Q63的負極,電阻R65的另一端分別連接二極體Q63的正極、橋式整流電路DB61的第2端、橋式整流電路DB62的第2端,
[0064]變壓器LF62的第二感應線圈的另一端連接保險絲F61的一端,保險絲F61的另一端連接電流互感器T62的第一感應線圈的一端,電流互感器T62的第一感應線圈的另一端分別連接橋式整流電路DB62的第3端、橋式整流電路DB61的第3端,電流互感器T62的第二感應線圈的一端連接檢測的電流信號的信號輸入端,檢測的電流信號的信號輸出端連接電流互感器T62的第二感應線圈的另一端,橋式整流電路DB61的第4端和橋式整流電路DB62的第4端連接,橋式整流電路DB61的第I端和橋式整流電路DB62的第I端連接,
[0065]橋式整流電路DB61的第I端還分別連接電阻R61的一端、電阻R64的一端、極性電容C61的正極、電容C62的一端、MOS管Q61的源極、MOS管Q62的源極,
[0066]橋式整流電路DB62的第I端還分別連接發光二極體D61的負極、電阻R67的一端、極性電容C66的負極、電容C67的一端、MOS管Q64的漏極、MOS管Q65的漏極、電阻R610的一端、脈衝信號JA2端,
[0067]所述電阻R61的另一端連接發光二極體D61的正極,電阻R64的另一端分別連接電阻R67的另一端、極性電容C61的負極、極性電容C66的正極、電源輸出端CN2的一端、電阻R69的一端,電源輸出端CN2的另一端也連接電阻R69的一端,電阻R69的另一端連接電容C65的一端,電容C65的另一端連接電源輸出端CN3的一端、電源輸出端CN3的另一端,電源輸出端CN3的另一端還分別連接電容C62的另一端、電容C67的另一端、MOS管Q61的漏極、MOS管Q64的源極、MOS管Q62的漏極、MOS管Q65的源極、電阻R66的一端、脈衝信號JB2 端,
[0068]電阻R66的另一端分別連接MOS管Q61的柵極、MOS管Q62的柵極、鐵芯電感L61的一端,電阻R610的另一端分別連接MOS管Q64的柵極、MOS管Q65的柵極、鐵芯電感L62的一端,鐵芯電感L61的另一端連接電阻R63的一端,電阻R63的另一端連接脈衝信號JBl端,鐵芯電感L62的另一端連接電阻R68的一端,電阻R68的另一端連接脈衝信號JAl端。
[0069]功率電路的電源輸入端CNl和電源輸入端CM輸入220V電源,經過整流濾波,在驅動電路的脈衝信號的控制下,由電源輸出端CN2和電源輸出端CN3輸出150V-20KHZ的電壓信號,以便對等離子噴塗裝置的電壓進行控制。
[0070]請參考圖5,其是本發明實施例提供的驅動電路的連接電路圖。
[0071]其中,所述驅動電路包括TL494型的脈寬調製晶片U2、電阻R725、電容C718、電容C719、電阻R729、電容C720、電阻R733、可調電阻RW72、電阻R734、電阻R732、電容C721、電容C717、電容C716、鐵芯電感L71、電阻R720、電阻R721、8550型的三極體Q78、8050型的三極體Q76、電阻R716、IN4148型的二極體D77、IN4148型的二極體D710、IN4148型的二極體D78、IN4148型的二極體D711、8050型的三極體Q75、8550型的三極體Q77、電阻R717、電阻R722、電阻R723、電阻R714、電阻R711、8550型的三極體Q73、8050型的三極體Q72、IN4148型的二極體D72、IN4148型的二極體D74、IN4148型的二極體D73、IN4148型的二極體D75、8050型的三極體Q71、8550型的三極體Q74、電阻R710、電阻R713,
[0072]所述脈寬調製晶片U2的第I引腳連接電阻R725的一端,所述脈寬調製晶片U2的第2引腳分別連接電容C718的一端、脈寬調製晶片U2的第13引腳、脈寬調製晶片U2的第14引腳、脈寬調製晶片U2的第16引腳、電容C719的一端,所述脈寬調製晶片U2的第3引腳分別連接電阻R732的一端、電容C721的一端,電阻R732的另一端接地,電容C721的另一端接地,所述脈寬調製晶片U2的第4引腳分別連接電容C719的另一端、電阻R729的一端,所述脈寬調製晶片U2的第5引腳連接電容C720的一端,所述脈寬調製晶片U2的第6引腳連接電阻R733的一端,電阻R733的另一端分別連接可調電阻RW72的固定3端、電阻R734的一端,脈寬調製晶片U2的第7引腳、電阻R725的另一端、電容C718的另一端、電阻R729的另一端、電容C720的另一端、可調電阻RW72的固定I端、可調電阻RW72的可調2端、電阻R734的另一端均接地,所述脈寬調製晶片U2的第8引腳分別連接脈寬調製晶片U2的第11引腳、脈寬調製晶片U2的第12引腳、電容C717的一端、電容C716的一端、鐵芯電感L71的一端,電容C717的另一端接地,電容C716的另一端接地,鐵芯電感L71的另一端連接模擬15V電壓輸入端,所述脈寬調製晶片U2的第9引腳連接電阻R723的一端,所述脈寬調製晶片U2的第10引腳連接電阻R720的一端,
[0073]電阻R720的另一端分別連接三極體Q76的基極、三極體Q78的基極、電阻R721的一端、三極體Q72的基極、三極體Q73的基極、電阻R714的一端,三極體Q76的集電極連接電阻R716的一端,電阻R716的另一端分別連接二極體D77的負極、模擬15V電壓輸入端、二極體D78的負極、電阻R717的一端,三極體Q76的發射極分別連接三極體Q78的發射極、二極體D77的正極、二極體D710的負極、電壓信號LBl端,三極體Q75的集電極連接電阻R717的另一端,三極體Q75的發射極分別連接三極體Q77的發射極、電壓信號LB2端、二極體D78的正極、二極體D711的負極,所述電阻R721的另一端、三極體Q78的集電極、二極體D710的正極、二極體D711的正極、三極體Q77的集電極、電阻R722的一端均接地,
[0074]三極體Q72的集電極連接電阻R711的一端,電阻R711的另一端分別連接二極體D72的負極、模擬15V電壓輸入端、二極體D73的負極、電阻R710的一端,三極體Q72的發射極分別連接三極體Q73的發射極、二極體D74的正極、二極體D72的負極、電壓信號LAl端,三極體Q71的集電極連接電阻R710的另一端,三極體Q71的發射極分別連接三極體Q74的發射極、電壓信號LA2端、二極體D73的正極、二極體D75的負極,所述電阻R714的另一端、三極體Q73的集電極、二極體D74的正極、二極體D75的正極、三極體Q74的集電極、電阻R713的一端均接地,
[0075]所述電阻R723的另一端分別連接電阻R722的另一端、三極體Q75的基極、三極體Q77的基極、三極體Q71的基極、三極體Q74的基極、電阻R713的另一端。
[0076]TL494型的脈寬調製晶片U2是一種固定頻率脈寬調製晶片,它包含了開關電源控制所需的全部功能,廣泛應用於單端正激雙管式、半橋式、全橋式開關電源。該晶片有S0-16和roip-16兩種封裝形式,以適應不同場合的要求。
[0077]TL494型的脈寬調製晶片U2集成了全部的脈寬調製電路,片內置線性鋸齒波振蕩器、誤差放大器、5V參考基準電壓源和功率電晶體。內置的功率電晶體可提供500mA的驅動能力。TL494型的脈寬調製晶片U2內置一個5.0V的基準電壓源,使用外置偏置電路時,可提供高達1mA的負載電流,在典型的O — 70°C溫度範圍50mV溫漂條件下,該基準電壓源能提供±5%的精確度。外置振蕩兀件僅兩個(一個電阻和一個電容)。TL494型的脈寬調製晶片U2的振蕩頻率可通過外部的一個電阻和一個電容進行調節。輸出脈衝的寬度是通過電容CT上的正極性鋸齒波電壓與另外兩個控制信號進行比較來實現。
[0078]傳統的等離子噴塗裝置的控制電路通常使用雙向IGBT封裝在一起,如出現單向擊穿時則無法修復,存在浪費資源的問題。本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路,把雙向IGBT分為兩個單向IBGT聯接,克服了上述問題。
[0079]請參考圖6,其是本發明實施例提供的保護電路的第一部分的連接電路圖。
[0080]其中,所述保護電路包括電流互感器P81、電容C82、電阻R84、DB107型的整流橋D81、極性電容C81、可調電阻RW81、電阻R83、電阻R88、極性電容C83、極性電容C85、電阻R89、電阻R86、電阻R85、電阻R81、電容C86、電容C84、LM393型的比較器U81B、LM393型的比較器U81A、電阻R87、電阻R82、
[0081]電流互感器P81的一端分別連接電容C82的一端、電阻R84的一端、整流橋D81的第I引腳,電流互感器P81的另一端分別連接電容C82的另一端、電阻R84的另一端、整流橋D81的第3引腳,整流橋D81的第4引腳分別連接極性電容C81的正極、可調電阻RW81的固定I端,整流橋D81的第6引腳、極性電容C81的負極、可調電阻RW81的固定3端、極性電容C83的負極、電阻R85的一端、電容C84的一端均接地,可調電阻RW81的可調2端分別連接電阻R83的一端、電阻R88的一端,電阻R83的另一端分別連接極性電容C83的正極、比較器U81A的輸入3端,比較器U81A的輸入2端分別連接電阻R81的一端、電阻R85的另一端、電容C84的另一端,電阻R81的另一端連接5V電壓輸入端,比較器U81A的輸入8端連接5V電壓輸入端,比較器U81A的輸出4端接地,比較器U81A的輸出I端分別連接電阻R82的一端、所述控制顯示電路的檢測的電流信號的信號輸入端,電阻R82的另一端連接5V電壓輸入端,所述控制顯示電路的檢測的電流信號的信號輸出端接地,
[0082]電阻R88的另一端分別連接極性電容C85的正極、比較器U81B的輸入5端,比較器U81B的輸入6端分別連接電阻R86的一端、電阻R89的一端、電容C86的一端,極性電容C85的負極、電阻R89的另一端、電容C86的另一端均接地,電阻R86的另一端連接5V電壓輸入端,比較器U81B的輸出7端分別連接電阻R87的一端、所述控制顯示電路的檢測的氣壓信號的信號輸入端,電阻R87的另一端連接5V電壓輸入端,所述控制顯示電路的檢測的氣壓信號的信號輸出端接地。
[0083]電流互感器是根據電磁感應原理而製造的,它的一次線圈匝數很少,通常採用單匝線圈,即一根銅棒或一根銅排。二次線圈主要接測量儀表或繼電器的線圈。電流互感器的二次側不能開路運行,當二次側開路時,一次側的電流主要用於激磁,這樣會在二次側感應出很高的電壓,從而危及二次設備和人身的安全,也會造成電流互感器燒毀。電流互感器可以將很大的一次電流轉變為標準的5安培,為測量裝置和繼電保護的線圈提供電流,對一次設備和二次設備進行隔離。
[0084]請參考圖7,其是本發明實施例提供的保護電路的第二部分的連接電路圖。
[0085]其中,所述保護電路還包括接氣壓感應器埠 J94、電阻R928、電阻R924、IN4148型的二極體D912、電阻R927、電阻R930、電阻R931、8050型的三極體Q910,
[0086]接氣壓感應器埠 J94的一端連接所述處理晶片Ul的第11引腳,接氣壓感應器埠 J94的另一端連接電阻R928的一端,電阻R928的另一端分別連接電阻R931的一端、三極體Q910的基極,三極體Q910的集電極分別連接電阻R930的一端、二極體D912的正極、電阻R924的一端,二極體D912的負極連接電阻R927的一端,電阻R927的另一端連接所述脈寬調製晶片U2的第4引腳,電阻R924的另一端連接模擬15V電壓輸入端,電阻R931的另一端、三極體Q910的發射極、電阻R930的另一端均接地。
[0087]傳統的等離子噴塗裝置的控制電路產生等離子信號時會產生高頻高壓電,對人體安全有一定的威脅。本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路,在負載檢測上有所改進,增加了保護電路,當絕緣層出現損壞的情況下,能夠及時報警,以避免對人身造成危害。
[0088]本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路,增加了故障狀態顯示功能,有助於客戶在進行等離子噴塗的過程中,及時發現故障,找出故障原因並儘快解決。
[0089]本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路,增加了負載狀態顯示功能,有助於客戶在進行等離子噴塗的過程中,實時讀取負載的各種數據,保證等離子噴塗過程的正常進行。該功能可以把控制顯示電路和LED顯示屏集成以實現,所述LED顯示屏也可以為顯像管LED-DS1。控制顯示電路和LED顯示屏集成為現有技術,此處不作贅述。
[0090]本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路,控制顯示電路可採用程序來控制,方便快捷的檢測整個控制電路的運行情況,通過程序來處理所有數據,從而輸出到每一執行功能塊。在程序中可增加了軟啟動功能,避免了高頻高壓電在啟動切換時對控制電路造成衝擊,使其工作不穩定。
[0091]本發明提供的等離子噴塗裝置的控制電路的各元器件規格參數,如電阻、電容、電感等都可參見附圖標識,此處不作贅述。當然,本領域技術人員還可以根據公知常識,在本技術方案的技術背景下,選用其他形式的驅動電路、功率電路、保護電路與控制顯示電路,以實現其各自對應的功能,此處也不再舉例贅述。
[0092]本發明還提供一種等離子噴塗裝置,包括高頻電壓器和上述的等離子噴塗裝置的控制電路,所述高頻電壓器的電壓輸入端和所述等離子噴塗裝置的控制電路的電源輸出端連接。
[0093]其中,所述等離子噴塗裝置為等離子噴槍。
[0094]一種等離子噴塗裝置的控制電路和等離子噴塗裝置,能精密控制輸出電壓信號,並實時監控控制電路的電流信號和等離子氣體流的氣壓信號,當電流信號和氣壓信號發生異常時及時報警。
[0095]以上內容僅為本發明的較佳實施例,對於本領域的普通技術人員,依據本發明的思想,在【具體實施方式】及應用範圍上均會有改變之處,本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
【權利要求】
1.一種等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於:包括用於發出振蕩信號並放大穩壓的驅動電路、用於控制輸出電壓的功率電路、用於檢測電流信號和等離子噴塗裝置噴出的等離子氣體流的氣壓信號的保護電路、用於處理信號並顯示故障信息的控制顯示電路,所述控制顯示電路的信號輸出端連接驅動電路的信號輸入端,所述驅動電路的信號輸出端連接功率電路的信號輸入端,所述功率電路的信號輸出端連接保護電路的信號輸入端,所述保護電路的信號輸出端連接所述控制顯示電路的信號輸入端,所述控制顯示電路包括ATMEGA8L型的處理晶片U1、數碼管顯示電路和報警蜂鳴器,所述數碼管顯示電路和報警蜂鳴器分別與處理晶片Ul連接。
2.根據權利要求1所述的等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於,所述控制顯示電路還包括SPI串口、二極體D3、二極體D2、電感L1、電容C5、極性電容C4、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電容C3、電阻R12、串口 UARTl, 所述處理晶片Ul的第I引腳、第2引腳、第9引腳、第10引腳、第26引腳、第27引腳、第28引腳、第30引腳、第31引腳、第32引腳分別連接數碼管顯示電路,所述處理晶片Ul的第3引腳接地,所述處理晶片Ul的第4引腳分別連接模擬5V電壓輸入端、處理晶片Ul的第6引腳,所述處理晶片Ul的第5引腳接地,所述處理晶片Ul的第15引腳連接SPI串口的MOSI端,所述處理晶片Ul的第16引腳分別連接SPI串口的MISO端、二極體D3的正極,二極體D3的負極連接報警蜂鳴器的一端,報警蜂鳴器的另一端接地,所述處理晶片Ul的第17引腳分別連接SPI串口的SCK端、二極體D2的負極,二極體D2的正極連接HT BACK端, 所述處理晶片Ul的第18引腳分別連接電感LI的一端、電容C5的一端,電感LI的另一端連接模擬5V電壓輸入端,所述處理晶片Ul的第20引腳連接極性電容C4的正極,極性電容C4的負極、處理晶片Ul的第21引腳、電容C5的另一端均接地, 所述處理晶片Ul的第23引腳分別連接電阻R13的一端、啟動信號輸入端,啟動信號輸出端連接VCC電源輸入端,所述處理晶片Ul的第24引腳分別連接電阻R15的一端、檢測的氣壓信號的信號輸入端,檢測的氣壓信號的信號輸出端接地,所述處理晶片Ul的第25引腳分別連接電阻R14的一端、檢測的電流信號的信號輸入端,檢測的電流信號的信號輸出端接地,電阻R13的另一端、電阻R14的另一端、電阻R15的另一端均接地, 所述處理晶片Ul的第29引腳分別連接電容C3的一端、電阻R12的一端,電阻R12的另一端連接模擬5V電壓輸入端,電容C3的另一端接地,所述處理晶片Ul的第30引腳還連接串口 UARTl的第4端,所述處理晶片Ul的第31引腳還連接串口 UARTl的第3端,串口UARTl的第2端接地,串口 UARTl的第I端連接模擬5V電壓輸入端。
3.根據權利要求2所述的等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於,所述數碼管顯示電路包括由發光二極體LED1、發光二極體LED2、發光二極體LED3和發光二極體LED4相互並聯構成的顯像管LED-DSl、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R9、電阻RlO、電阻Rl1、8550型的三極體Ql、8550型的三極體Q2、8550型的三極體Q3, 所述顯像管LED-DSl的第11引腳連接電阻Rl的一端,電阻Rl的另一端連接所述處理晶片Ul的第30引腳,所述顯像管LED-DSl的第7引腳連接電阻R2的一端,電阻R2的另一端連接所述處理晶片Ul的第31引腳,所述顯像管LED-DSl的第4引腳連接電阻R3的一端,電阻R3的另一端連接所述處理晶片Ul的第32引腳,所述顯像管LED-DSl的第2引腳連接電阻R4的一端,電阻R4的另一端連接所述處理晶片Ul的第I引腳,所述顯像管LED-DSl的第I引腳連接電阻R5的一端,電阻R5的另一端連接所述處理晶片Ul的第2引腳,所述顯像管LED-DSl的第10引腳連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接所述處理晶片Ul的第10引腳,所述顯像管LED-DSl的第5引腳連接電阻R7的一端,電阻R7的另一端連接所述處理晶片Ul的第9引腳, 所述顯像管LED-DSl的第12引腳接地,所述顯像管LED-DSl的第9引腳連接三極體Ql的集電極,三極體Ql的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Ql的基極連接電阻R9的一端,電阻R9的另一端連接所述處理晶片Ul的第26引腳,所述顯像管LED-DSl的第8引腳連接三極體Q2的集電極,三極體Q2的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Q2的基極連接電阻RlO的一端,電阻RlO的另一端連接所述處理晶片Ul的第27引腳,所述顯像管LED-DSl的第6引腳連接三極體Q3的集電極,三極體Q3的發射極連接模擬5V電壓輸入端,三極體Q3的基極連接電阻Rll的一端,電阻Rll的另一端連接所述處理晶片Ul的第28引腳。
4.根據權利要求1所述的等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於,所述功率電路包括電容C64、變壓器LF61、電容C63、變壓器LF62、保險絲F61、電流互感器T61、電流互感器T62、水銀電阻R65、二極體Q63、繞線電阻R62、由四個二極體首尾相接形成的橋式整流電路DB61、由四個二極體首尾相接形成的橋式整流電路DB62、電阻R61、發光二極體D61、電阻R64、電阻R67、極性電容C61、極性電容C66、電阻R69、電容C65、電容C62、電容C67、80N60型的 MOS 管 Q61、80N60 型的 MOS 管 Q62、80N60 型的 MOS 管 Q64、80N60 型的 MOS 管 Q65、電阻R66、電阻R610、鐵芯電感L61、鐵芯電感L62、電阻R63、電阻R68, 電源輸入端CNl分別連接電容C64的一端、變壓器LF61的第一感應線圈的一端,電源輸入端CM分別連接電容C64的另一端、變壓器LF61的第二感應線圈的一端,變壓器LF61的第一感應線圈的另一端分別連接電容C63的一端、變壓器LF62的第一感應線圈的一端,變壓器LF61的第二感應線圈的另一端分別連接電容C63的另一端、變壓器LF62的第二感應線圈的一端,變壓器LF62的第一感應線圈的另一端分別連接水銀電阻R65的一端、二極體Q63的負極、電流互感器T61的第一感應線圈的一端,電流互感器T61的第一感應線圈的另一端連接繞線電阻R62的一端,繞線電阻R62的另一端連接二極體Q63的負極,電阻R65的另一端分別連接二極體Q63的正極、橋式整流電路DB61的第2端、橋式整流電路DB62的第2端, 變壓器LF62的第二感應線圈的另一端連接保險絲F61的一端,保險絲F61的另一端連接電流互感器T62的第一感應線圈的一端,電流互感器T62的第一感應線圈的另一端分別連接橋式整流電路DB62的第3端、橋式整流電路DB61的第3端,電流互感器T62的第二感應線圈的一端連接檢測的電流信號的信號輸入端,檢測的電流信號的信號輸出端連接電流互感器T62的第二感應線圈的另一端,橋式整流電路DB61的第4端和橋式整流電路DB62的第4端連接,橋式整流電路DB61的第I端和橋式整流電路DB62的第I端連接, 橋式整流電路DB61的第I端還分別連接電阻R61的一端、電阻R64的一端、極性電容C61的正極、電容C62的一端、MOS管Q61的源極、MOS管Q62的源極, 橋式整流電路DB62的第I端還分別連接發光二極體D61的負極、電阻R67的一端、極性電容C66的負極、電容C67的一端、MOS管Q64的漏極、MOS管Q65的漏極、電阻R610的一端、脈衝信號JA2端, 所述電阻R61的另一端連接發光二極體D61的正極,電阻R64的另一端分別連接電阻R67的另一端、極性電容C61的負極、極性電容C66的正極、電源輸出端CN2的一端、電阻R69的一端,電源輸出端CN2的另一端也連接電阻R69的一端,電阻R69的另一端連接電容C65的一端,電容C65的另一端連接電源輸出端CN3的一端、電源輸出端CN3的另一端,電源輸出端CN3的另一端還分別連接電容C62的另一端、電容C67的另一端、MOS管Q61的漏極、MOS管Q64的源極、MOS管Q62的漏極、MOS管Q65的源極、電阻R66的一端、脈衝信號JB2端, 電阻R66的另一端分別連接MOS管Q61的柵極、MOS管Q62的柵極、鐵芯電感L61的一端,電阻R610的另一端分別連接MOS管Q64的柵極、MOS管Q65的柵極、鐵芯電感L62的一端,鐵芯電感L61的另一端連接電阻R63的一端,電阻R63的另一端連接脈衝信號JBl端,鐵芯電感L62的另一端連接電阻R68的一端,電阻R68的另一端連接脈衝信號JAl端。
5.根據權利要求1所述的等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於,所述驅動電路包括TL494型的脈寬調製晶片U2、電阻R725、電容C718、電容C719、電阻R729、電容C720、電阻R733、可調電阻RW72、電阻R734、電阻R732、電容C721、電容C717、電容C716、鐵芯電感L71、電阻R720、電阻R721、8550型的三極體Q78、8050型的三極體Q76、電阻R716、IN4148型的二極體D77、IN4148型的二極體D710、IN4148型的二極體D78、IN4148型的二極體D711、8050型的三極體Q75、8550型的三極體Q77、電阻R717、電阻R722、電阻R723、電阻R714、電阻R711、8550型的三極體Q73、8050型的三極體Q72、IN4148型的二極體D72、IN4148型的二極體D74、IN4148型的二極體D73、IN4148型的二極體D75、8050型的三極體Q71、8550型的三極體Q74、電阻R710、電阻R713, 所述脈寬調製晶片U2的第I引腳連接電阻R725的一端,所述脈寬調製晶片U2的第2引腳分別連接電容C718的一端、脈寬調製晶片U2的第13引腳、脈寬調製晶片U2的第14引腳、脈寬調製晶片U2的第16引腳、電容C719的一端,所述脈寬調製晶片U2的第3引腳分別連接電阻R732的一端、電容C721的一端,電阻R732的另一端接地,電容C721的另一端接地,所述脈寬調製晶片U2的第4引腳分別連接電容C719的另一端、電阻R729的一端,所述脈寬調製晶片U2的第5引腳連接電容C720的一端,所述脈寬調製晶片U2的第6引腳連接電阻R733的一端,電阻R733的另一端分別連接可調電阻RW72的固定3端、電阻R734的一端,脈寬調製晶片U2的第7引腳、電阻R725的另一端、電容C718的另一端、電阻R729的另一端、電容C720的另一端、可調電阻RW72的固定I端、可調電阻RW72的可調2端、電阻R734的另一端均接地,所述脈寬調製晶片U2的第8引腳分別連接脈寬調製晶片U2的第11引腳、脈寬調製晶片U2的第12引腳、電容C717的一端、電容C716的一端、鐵芯電感L71的一端,電容C717的另一端接地,電容C716的另一端接地,鐵芯電感L71的另一端連接模擬15V電壓輸入端,所述脈寬調製晶片U2的第9引腳連接電阻R723的一端,所述脈寬調製晶片U2的第10引腳連接電阻R720的一端, 電阻R720的另一端分別連接三極體Q76的基極、三極體Q78的基極、電阻R721的一端、三極體Q72的基極、三極體Q73的基極、電阻R714的一端,三極體Q76的集電極連接電阻R716的一端,電阻R716的另一端分別連接二極體D77的負極、模擬15V電壓輸入端、二極體D78的負極、電阻R717的一端,三極體Q76的發射極分別連接三極體Q78的發射極、二極體D77的正極、二極體D710的負極、電壓信號LBl端,三極體Q75的集電極連接電阻R717的另一端,三極體Q75的發射極分別連接三極體Q77的發射極、電壓信號LB2端、二極體D78的正極、二極體D711的負極,所述電阻R721的另一端、三極體Q78的集電極、二極體D710的正極、二極體D711的正極、三極體Q77的集電極、電阻R722的一端均接地, 三極體Q72的集電極連接電阻R711的一端,電阻R711的另一端分別連接二極體D72的負極、模擬15V電壓輸入端、二極體D73的負極、電阻R710的一端,三極體Q72的發射極分別連接三極體Q73的發射極、二極體D74的正極、二極體D72的負極、電壓信號LAl端,三極體Q71的集電極連接電阻R710的另一端,三極體Q71的發射極分別連接三極體Q74的發射極、電壓信號LA2端、二極體D73的正極、二極體D75的負極,所述電阻R714的另一端、三極體Q73的集電極、二極體D74的正極、二極體D75的正極、三極體Q74的集電極、電阻R713的一端均接地, 所述電阻R723的另一端分別連接電阻R722的另一端、三極體Q75的基極、三極體Q77的基極、三極體Q71的基極、三極體Q74的基極、電阻R713的另一端。
6.根據權利要求5所述的等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於,所述保護電路包括電流互感器P81、電容C82、電阻R84、DB107型的整流橋D81、極性電容C81、可調電阻Rff8K電阻R83、電阻R88、極性電容C83、極性電容C85、電阻R89、電阻R86、電阻R85、電阻R81、電容C86、電容C84、LM393型的比較器U81B、LM393型的比較器U81A、電阻R87、電阻R82、 電流互感器P81的一端分別連接電容C82的一端、電阻R84的一端、整流橋D81的第I引腳,電流互感器P81的另一端分別連接電容C82的另一端、電阻R84的另一端、整流橋D81的第3引腳,整流橋D81的第4引腳分別連接極性電容C81的正極、可調電阻RW81的固定I端,整流橋D81的第6引腳、極性電容C81的負極、可調電阻RW81的固定3端、極性電容C83的負極、電阻R85的一端、電容C84的一端均接地,可調電阻RW81的可調2端分別連接電阻R83的一端、電阻R88的一端,電阻R83的另一端分別連接極性電容C83的正極、比較器U81A的輸入3端,比較器U81A的輸入2端分別連接電阻R81的一端、電阻R85的另一端、電容C84的另一端,電阻R81的另一端連接5V電壓輸入端,比較器U81A的輸入8端連接5V電壓輸入端,比較器U81A的輸出4端接地,比較器U81A的輸出I端分別連接電阻R82的一端、所述控制顯示電路的檢測的電流信號的信號輸入端,電阻R82的另一端連接5V電壓輸入端,所述控制顯示電路的檢測的電流信號的信號輸出端接地, 電阻R88的另一端分別連接極性電容C85的正極、比較器U81B的輸入5端,比較器U81B的輸入6端分別連接電阻R86的一端、電阻R89的一端、電容C86的一端,極性電容C85的負極、電阻R89的另一端、電容C86的另一端均接地,電阻R86的另一端連接5V電壓輸入端,比較器U81B的輸出7端分別連接電阻R87的一端、所述控制顯示電路的檢測的氣壓信號的信號輸入端,電阻R87的另一端連接5V電壓輸入端,所述控制顯示電路的檢測的氣壓信號的信號輸出端接地。
7.根據權利要求6所述的等離子噴塗裝置的控制電路,其特徵在於,所述保護電路還包括接氣壓感應器埠 J94、電阻R928、電阻R924、IN4148型的二極體D912、電阻R927、電阻R930、電阻R931、8050型的三極體Q910, 接氣壓感應器埠 J94的一端連接所述處理晶片Ul的第11引腳,接氣壓感應器埠J94的另一端連接電阻R928的一端,電阻R928的另一端分別連接電阻R931的一端、三極體Q910的基極,三極體Q910的集電極分別連接電阻R930的一端、二極體D912的正極、電阻R924的一端,二極體D912的負極連接電阻R927的一端,電阻R927的另一端連接所述脈寬調製晶片U2的第4引腳,電阻R924的另一端連接模擬15V電壓輸入端,電阻R931的另一端、三極體Q910的發射極、電阻R930的另一端均接地。
8.一種等離子噴塗裝置,其特徵在於,包括高頻電壓器和如權利要求1-7任意一項所述的等離子噴塗裝置的控制電路,所述高頻電壓器的電壓輸入端和所述等離子噴塗裝置的控制電路的電源輸出端連接。
9.根據權利要求8所述的等離子噴塗裝置,其特徵在於,所述等離子噴塗裝置為等離子噴槍。
【文檔編號】G05B19/042GK104238407SQ201410427782
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年8月27日 優先權日:2014年8月27日
【發明者】門光輝, 呂繼明, 崔學剛, 李澤輝, 周落彬 申請人:佛山市韋達爾自動化設備有限公司

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