一種洗滌器機臺之噴頭裝置製造方法

2023-12-06 05:06:56 2

一種洗滌器機臺之噴頭裝置製造方法
【專利摘要】一種洗滌器機臺之噴頭裝置，包括：N2流量管，呈型設計，且N2流量管之主進氣管與分別設置在主進氣管兩側的第一分支氣管和第二分支氣管連通設置；去離子水滴頭，設置在N2流量管之第一分支氣管的端部；N2噴頭，設置在N2流量管之第二分支氣管的端部。本發明通過設置呈型設計的N2流量管，並在所述N2流量管之主進氣管兩側分別設置相互連通的第一分支氣管和第二分支氣管，在所述N2流量管之第一分支氣管的端部設置去離子水滴頭，在所述N2流量管之第二分支氣管的端部設置N2噴頭，不僅可提高去離子水與待清洗矽片表面交界處水的流速，增強去顆粒缺陷能力，同時避免了高寬比及脆弱圖形的損傷，增加了清洗窗口。
【專利說明】一種洗滌器機臺之噴頭裝置

【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體【技術領域】，尤其涉及一種洗滌器機臺之噴頭裝置。

【背景技術】
[0002] 隨著集成電路技術節點越來越小，工藝對顆粒缺陷（Particle)的要求也越來越 嚴苛。在65nm以下節點，小尺寸的顆粒缺陷（〈0.5 μ m)成為阻礙晶片良率提高的主要原因 之一。同時，傳統的槽式清洗，隨著技術節點尺寸的縮減，為了減少酸液對相關薄膜的刻蝕， 越來越稀釋化，這就大大減低了酸液利用化學作用去除顆粒尺寸的能力，使得單純要槽式 清洗不能滿足先進位程對顆粒缺陷的要求。
[0003] 洗滌器機臺其良好的去顆粒缺陷能力有效滿足了先進位程的需求，使得其經常同 槽式清洗一起使用。現有的洗滌器機臺通過物理作用清洗晶片表面，具體原理是在噴頭口 吹入N 2, N2會使噴頭口的去粒子水形成液滴，到達晶片表面。增加 N2流量，則增加了液滴到 達晶片表面的速率，從而提高洗滌器機臺之去顆粒缺陷的能力。但是，所述洗滌器機臺在去 除高寬比或者脆弱圖形時，增加 N2流量，高速的液滴很容易損傷圖形，例如在多晶矽刻蝕後 的清洗，會造成多晶連線的斷裂，造成器件良率損失；減少N 2流量，則清洗能力不足。
[0004] 故針對現有技術存在的問題，本案設計人憑藉從事此行業多年的經驗，積極研究 改良，於是有了本發明一種洗滌器機臺之噴頭裝置。


【發明內容】

[0005] 本發明是針對現有技術中，傳統的洗滌器機臺在去除高寬比或者脆弱圖形時，增 加 N2流量，高速的液滴很容易損傷圖形，造成器件良率損失；減少N2流量，則清洗能力不足 等缺陷提供一種洗滌器機臺之噴頭裝置。
[0006] 為了解決上述問題，本發明提供一種洗滌器機臺之噴頭裝置，所述洗滌器機臺之 噴頭裝置，包括：n 2流量管，呈"=〇=，，型設計，且所述隊流量管之主進氣管與分別設置在所述主 進氣管兩側的第一分支氣管和第二分支氣管連通設置；去離子水滴頭，設置在所述N 2流量 管之第一分支氣管的端部，並與待清洗之矽片垂直設置；N2噴頭，設置在所述N2流量管之第 二分支氣管的端部，並與所述待清洗之矽片垂直設置。
[0007] 可選地，所述去離子水滴頭和所述N2噴頭間隔設置，且所述間隔距離L > 5cm。
[0008] 綜上所述，本發明洗滌器機臺之噴射裝置通過設置呈"也，型設計的N2流量管，並在 所述N 2流量管之主進氣管兩側分別設置相互連通的第一分支氣管和第二分支氣管，在所述 N2流量管之第一分支氣管的端部設置去離子水滴頭，在所述N2流量管之第二分支氣管的端 部設置N 2噴頭，不僅可提高去離子水與待清洗矽片表面交界處水的流速，增強去顆粒缺陷 能力，同時避免了高寬比及脆弱圖形的損傷，增加了清洗窗口。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1所示為本發明洗滌器機臺之噴頭裝置的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0010] 為詳細說明本發明創造的技術內容、構造特徵、所達成目的及功效，下面將結合實 施例並配合附圖予以詳細說明。
[0011] 請參閱圖1，圖1所示為本發明洗滌器機臺之噴頭裝置的結構示意圖。在本發明 中，所述洗滌器機臺之噴頭裝置1用於提高所述洗滌器機臺清洗高寬比及脆弱圖形的能 力。所述洗滌器機臺之噴頭裝置1，包括：N2流量管11，所述V流量管11呈"=0=，，型設計，且 所述N 2流量管11之主進氣管111與分別設置在所述主進氣管111兩側的第一分支氣管112 和第二分支氣管113連通設置；去離子水滴頭12,所述去離子水滴頭12設置在所述N 2流量 管11之第一分支氣管112的端部，並與待清洗之矽片2垂直設置；N2噴頭13,所述N 2噴頭 13設置在所述N2流量管11之第二分支氣管113的端部，並與所述待清洗之矽片2垂直設 置。
[0012] 為了更直觀的揭露本發明之技術方案，凸顯本發明之有益效果，現結合具體的實 施方式進行闡述。為了更好的實施本發明之技術方案，作為具體地實施方式，優選地，所述 去尚子水滴頭12和所述N 2噴頭13間隔設置，且所述間隔距尚L > 5cm。
[0013] 請繼續參閱圖1，在矽片2的清洗過程中，當N2通過所述噴頭裝置1之N2流量管 11的主進氣管111進入，便向位於所述主進氣管111兩側的第一分支氣管112和第二分支 氣管113分流。其中，由所述主進氣管111分流進入所述第一分支氣管112的N 2對去離子 水3進行載流，以噴射到待清洗的矽片2上；由所述主進氣管111分流進入所述第二分支氣 管113的N 2噴射到所述待清洗的矽片2上，並使得噴射在所述矽片2上的去離子水3之流 速增加，提高去顆粒缺陷能力。
[0014] 作為本領域技術人員，容易理解地，本發明所述洗滌器機臺之噴射裝置1較現有 洗滌器機臺，在相同N 2流量下，本發明所述洗滌器機臺之噴射裝置1可有效提高去離子水 3與待清洗矽片2表面交界處水的流速，增強去顆粒缺陷能力，同時避免了高寬比及脆弱圖 形的損傷，增加了清洗窗口。
[0015] 綜上所述，本發明洗滌器機臺之噴射裝置通過設置呈"4"型設計的隊流量管，並在 所述N 2流量管之主進氣管兩側分別設置相互連通的第一分支氣管和第二分支氣管，在所述 N2流量管之第一分支氣管的端部設置去離子水滴頭，在所述N2流量管之第二分支氣管的端 部設置N 2噴頭，不僅可提高去離子水與待清洗矽片表面交界處水的流速，增強去顆粒缺陷 能力，同時避免了高寬比及脆弱圖形的損傷，增加了清洗窗口。
[0016] 本領域技術人員均應了解，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發 明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權利要求書及等同物的保護 範圍內時，認為本發明涵蓋這些修改和變型。
【權利要求】
1. 一種洗滌器機臺之噴頭裝置，其特徵在於，所述洗滌器機臺之噴頭裝置，包括： n2流量管，呈_〇!=，，型設計，且所述N2流量管之主進氣管與分別設置在所述主進氣管兩側 的第一分支氣管和第二分支氣管連通設置； 去離子水滴頭，設置在所述N2流量管之第一分支氣管的端部，並與待清洗之矽片垂直 設置； N2噴頭，設置在所述N2流量管之第二分支氣管的端部，並與所述待清洗之矽片垂直設 置。
2. 如權利要求1所述的洗滌器機臺之噴頭裝置，其特徵在於，所述去離子水滴頭和所 述N2噴頭間隔設置，且所述間隔距離L > 5cm。
【文檔編號】H01L21/02GK104091756SQ201410340168
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月17日 優先權日:2014年7月17日
【發明者】宋振偉 申請人:上海華力微電子有限公司