鎳鉑合金系金屬除去用組合物的製作方法

2023-05-01 07:47:01 3

專利名稱：鎳鉑合金系金屬除去用組合物的製作方法
技術領域：
本發明涉及鎳鉬合金系金屬除去用組合物。本發明特別是涉及能夠不侵害矽系材料並選擇性地除去鎳鉬合金系金屬的金屬除去用組合物。
背景技術：
在半導體器件中，為了 MOS型電晶體的微細化、省電化和高速化，進行將柵極、源極、漏極等的電極矽化物化而減低接觸電阻的處理。以往，作為被用於電極的金屬，使用著鎳、鈷、鈦、鶴的矽化物。近年，為了進一步降低電極的接觸電阻，控制耐熱性和過剩生長等， 例如，實行了使用向鎳添加了數原子％的鉬的合金來形成鎳鉬矽化物的方法。
迄今為止，在使用不含鉬的鎳矽化物的情況下，作為一例，採用了下述方法在多晶娃表面制膜形成鎳薄膜，通過熱處理自對準(self aligning)地形成鎳娃化物(salicide process,自對準娃化物工藝),通過RCA洗漆中經常使用的SPM (硫酸過氧化氫(硫酸/過氧化氫))或HPM (鹽酸過氧化氫(鹽酸/過氧化氫))處理來除去剩餘的鎳。
但是，在使用鎳鉬矽化物的器件的製作方面，上述的方法是不充分的。鉬是耐蝕性非常強的金屬，如果利用在鎳等的除去中通常使用的試劑、SPM或HPM進行處理，則產生在半導體器件基板表面上殘留主要由鉬構成的殘渣的問題。這樣的殘渣，在半導體器件的電特性、可靠性、成品率上引起問題。
另外，如果為除去鉬的殘渣，利用具有強力的溶解能力的蝕刻液、例如王水進行處理，則表面上容易產生粗糙和/或膜厚的變化，同樣對半導體器件的特性產生惡劣影響。
因此，不對矽化物造成損傷並選擇性地除去鎳鉬的方法正在被研討。專利文獻I 中公開了下述方法首先利用SPM除去大部分的鎳，接著為了保護鎳鉬矽化物，用含有與含氨水和/或氰化物的水溶液等的鎳具有配位的性質的物質的化學品處理後，用王水將鉬溶解除去。但是，該方法由於使用具有強力的腐蝕性的王水和/或有害的氰化物等，因此操作困難。
另外，專利文獻2中公開了下述方法通過使用SPM、HPM或APM (氨過氧化氫(氨 /過氧化氫))在71 150°C附近的高溫下進行處理來除去鎳和鉬，並且不對鎳鉬矽化物造成損傷地洗淨。但是，該方法由於成分中含有過氧化氫，因此在液體調製時和加熱時高度發泡，也缺乏液體的穩定性。
另一方面，專利文獻3中公開了下述方法通過向含有氯化物離子的水溶液中添加有機酸，從形成了鎳矽化物的部位除去剩餘的鎳。作為代表性的組成，例如，列舉包含草酸、鹽酸、過氧化氫和氟硼酸的組合物。但是，專利文獻3中僅以不含鉬的鎳薄膜作為除去對象，並未記載能夠除去鎳鉬合金。另外，其組成中實質上添加有氧化劑和含氟化合物。由於含氟化合物有對SiO2進行蝕刻的可能性，過氧化氫缺乏穩定性，因此適用於使用矽系基板材料的半導體裝置的製造時有困難。
現有技術文獻
專利文獻1:日本特開2009-176818號公報
專利文獻2 :日本特開2008-118088號公報
專利文獻3 日本特表2008-547202號公報發明內容
本發明是為解決上述的課題而完成的，其目的是提供一種金屬除去用組合物，上述金屬除去用組合物能夠不對矽系基板材料造成損傷並選擇性地除去鎳鉬合金系金屬。
本發明者們對於具有不侵害矽系材料並除去鎳鉬合金的功能的金屬除去用組合物專心研討的結果，發現通過含有酸、螯合劑和陰離子性表面活性劑，不含有含氟化合物和過氧化氫，且pH彡I的水系組合物，能夠不對鎳矽化物、S1、Si3N4和SiO2等的矽系材料造成損傷並選擇性地除去鎳鉬合金，從而完成了本發明。即，本發明包含下述事項。
[I] 一種鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其特徵在於，含有3 55質量％的選自鹽酸、氫溴酸和硝酸中的至少一種；0. 5 20質量％的將草酸除外的螯合劑；0.1 4質量％ 的陰離子性表面活性劑；和水，不含有含氟化合物和過氧化氫，PH值為I以下。
[2]根據[I]所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，僅含有選自鹽酸、氫溴酸和硝酸中的至少一種；將草酸除外的螯合劑；陰離子性表面活性劑；和水。
[3]根據[I]或[2]所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，上述螯合劑是選自檸檬酸、乙二胺四乙酸、兒茶酚、乙醯丙酮和它們的鹽中的至少一種。
[4]根據[I] [3]的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，上述陰離子性表面活性劑，是選自具有碳原子數為8 20的直鏈烷基的、硫酸酯、磺酸、羧酸和磷酸酯以及它們的衍生物和鹽中的至少一種。
[5]根據[I] [4]的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，上述鎳鉬合金系金屬含有85 99. 5原子％的鎳和O. 5 15原子％的鉬。
[6]根據[I] [5]的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其不侵蝕矽、 Si02、Si3N4和鎳矽化物。
[7]根據[I] [6]的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其除去在由矽系材料構成的基板的一部分上形成的鎳鉬合金系金屬。
[8] 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括在由矽系材料構成的基板的一部分上形成鎳鉬合金膜的工序；和使用[I] [7]的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物不對上述矽系材料造成損傷並選擇性地除去鎳鉬合金膜的至少一部分的工序。
[9]根據[8]所述的半導體裝置的製造方法，上述矽系材料是矽、SiO2, Si3N4和鎳矽化物中的任一種。
[10] 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括在由矽系材料構成的基板的至少一部分上，依次制膜形成多晶矽、鎳鉬合金薄膜作為電極材料的的工序；通過熱處理自對準地形成鎳鉬矽化物的工序；和使用權利要求1 7的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用 組合物選擇性地除去未反應的鎳鉬合金的工序。
本發明的金屬除去用組合物，能夠不對矽系材料造成損傷並選擇性地除去鎳鉬合金，對MOS型電晶體等的半導體器件的製造極其有效。


圖1是表示使用具有本發明的實施例1的組成的金屬除去用組合物對矽基板、帶有SiO2膜的矽基板和帶有Si3N4膜的矽基板的每個基板在50°C下處理30分鐘後的各個表面的SEM像的平面圖。
具體實施方式
以下，詳細說明本發明的優選實施方式。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其特徵在於，是含有選自鹽酸、氫溴酸和硝酸中的至少一種；將草酸除外的螯合劑；陰離子性表面活性劑；和水，不含有含氟化合物和過氧化氫的酸性溶液，對矽系材料具有鎳鉬合金系金屬的選擇除去性。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，通過酸主要將鎳鉬合金中的鎳溶解，通過螯合劑的效果防止金屬成分向半導體晶片表面的再附著。並且，由於不含有過氧化氫那樣的不穩定成分，因此能夠穩定地使用和保存。另外，由於不含有含氟化合物，因此對S1、 SiO2, Si3N4和矽化物等的矽系材料的損傷小。另外，對從鎳鉬合金脫離分散了的鉬原子、主要由鉬組成的凝聚體，通過螯合劑和陰離子性表面活性劑在其表面上配位或靜電吸附而修飾表面，來抑制向半導體晶片表面的附著。通過使用這樣的金屬除去用組合物，能夠提供對利用自對準矽化物工藝的半導體器件形成方法有效的加工手段。並且，本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其特徵在於，能夠通過將組成最佳化，使利用該組合物處理過的基板表面，達到鎳和鉬的殘留物非常少的狀態。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物所使用的酸，含有鹽酸、氫溴酸和硝酸之中的至少一種，從適用於半導體製造工序的高純度的製品容易獲取、廉價來看，優選鹽酸或硝酸。酸在金屬除去用組合物中優選配合3 55質量％，更優選配合3 48質量％。因為如果酸的配合濃度低於3質量％，則有助於金屬除去的成分的濃度低，不能效率良好地除去金屬。另外，即使在酸的配合濃度高於55質量％的情況下，除去能力也不會大幅上升。如果上述鹽酸、氫溴酸和硝酸的濃度為規定的濃度範圍則也可以並用其他的酸。酸的添加方法，可以原樣地使用上述酸，也可以通過對於具有想要添加的酸的陰離子的鹽，添加任意的酸使其在溶液中產生。例如，通過對鎳蝕刻性差的硫酸、和與鹽酸具有共同的陰離子的氯化銨的混合，結果生成鹽酸，通過醋酸、和與氫溴酸具有共同的陰離子的溴化銨的混合，結果生成氫溴酸也體現同樣的性能，因此包含在本發明的範圍內。另外，也可以將上述列舉的酸組合多種添加。
螯合劑，是為溶解了的金屬離子的螯合效果所引起的捕集、和對未溶解的金屬的凝聚體表面的修飾所引起的對基板表面的附著防止、矽系材料的保護而被使用的。作為螯合劑，具體列舉乙二胺四乙酸(EDTA)、兒茶酚、檸檬酸、乙醯丙酮、亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸(NTA)、乙二胺、六亞甲基二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸(DTPA)、1，2-環己二胺四乙酸(CyDTA)、雙(2-氨乙基)乙二醇四乙酸(EGTA)、雙(2-羥乙基)甘氨酸、乙二胺二丙酸、硫脲、尿素、喹啉、氨、硫氰酸、氰酸、焦性沒食子酸(pyrogal Iol )、間苯二酹、醋酸、丙酸、 丁酸、蟻酸、乳酸、抗壞血酸、酒石酸、琥珀酸、丙二酸、蘋果酸、馬來酸、穀氨酸、1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸、肌酸、肌酸酐、氨基磺酸、縮二脲、乙醇胺、丁二酮肟(dimethylglyoxime)、 雙硫腙、硫代乙酸、硫代蘋果酸、半胱氨酸、甘氨酸(glycine)、丙氨酸、環糊精和它們的衍生物等。在它們之中優 選乙二胺四乙酸(EDTA)、兒茶酚、檸檬酸、乙醯丙酮，從對環境的安全性的觀點來看，更優選使用檸檬酸。這些螯合劑也可以以鹽的形式添加。從用於半導體器件的觀點來看，優選銨鹽或四甲基銨鹽。螯合劑的配合濃度，因其化學種類而不同故不能一概而論，但優選O. 5 20質量％，更優選2 10質量％。如果螯合劑的配合濃度低於O. 5質量％，則不能良好地除去鎳和未溶解的金屬。另外，由於即使在配合濃度多於20質量％的情況下除去性能也沒有大的差異，根據螯合劑的種類不能充分溶解，有在溶液中沉澱或在電子器件基板上產生殘渣之虞，因此並不優選。再者，由於如果使用草酸作為螯合劑則鎳的除去性能差，因此不優選。
陰離子性表面活性劑，出於除去金屬和其他的殘渣以及保護矽系材料的目的而被使用。作為陰離子性表面活性劑的種類可列舉具有碳原子數為8 20的直鏈烷基的、a) 硫酸酯、b)磺酸、c)羧酸、d)磷酸酯、和上述a) d)的衍生物、上述a) d)的鹽。例如在具有碳原子數為12的直鏈烷基的情況下，更具體地列舉十二烷基硫酸銨、十二烷基硫酸三乙醇胺、十二烷基苯磺酸、十二烷基磺酸、十二烷基二苯基醚二磺酸，如果是陰離子性表面活性劑，則其種類並沒有特別的制約。這些陰離子性表面活性劑也可以以鹽的形式添加。其添加濃度因化合物而不同故不能一概而論，但優選添加O.1 4質量％，更優選添加O.4 4質量％。如果表面活性劑的添加濃度低於O.1質量％則不能充分地除去鎳鉬合金。 即使在表面活性劑的添加濃度高於4質量％的情況下也可以使用，但沒有大幅改善除去效果。另外，可以同時添加顯示消泡作用的聚氧化烯烷基醚衍生物等的非離子表面活性劑。
本發明的金屬除去用組合物，一般作為水溶液使用，根據需要也可以添加由乙腈、 丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇所代表的與水混合的有機溶劑。有機溶劑如果對除去性能等不造成影響則不限定於此。另外，利用本發明的金屬除去用組合物進行處理後，為了從基板上除去螯合劑的殘渣等的目的可以利用這些有機溶劑進行後洗滌。
在本發明中所謂「鎳鉬合金系金屬」，是指含有鎳和鉬作為主成分的合金，作為代表是指含有85 99. 5原子％的鎳、O. 5 15原子％的鉬的合金。並且，作為合金的鉬含量的一部分，在上述的範圍含有鉬以外的金屬，例如金、鈀、銥、釕、銠等的貴金屬，鉭和鉿等的耐蝕性金屬，其他一般的金屬，以及這些金屬的氮化物和氧化物，在對金屬進行加工、精煉、 制膜時防止混入但不可避免的雜質成分的物質，也包含在能夠利用本發明的金屬除去用組合物處理的金屬的範圍中。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，能夠用於除去在基板上形成的鎳鉬合金系金屬膜。本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，由於不侵害娃、Si02、Si3N4、鎳娃化物等的矽系材料，因此能夠很好地用於除去在由這些矽系材料構成的基板上形成的鎳鉬合金系金屬膜。鎳鉬合金系金屬膜對於基板的成膜方法，並沒有特別限定，濺射、CVD (Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積)、ALD (Atomic Layer Deposition,原子層沉積)、真空蒸鍍、電鍍等任一種方法都可以使用，另外成膜條件和熱處理條件也沒有限定。
使用本發明的鎳鉬 合金系金屬除去用組合物處理的形成有鎳鉬合金系金屬的矽系材料之中，矽、SiO2, Si3N4，可以混合有鍺，也可以摻雜有硼、氮、磷、砷、鎵、銻等。另外，鎳矽化物，代表性地包含鎳矽化物、鎳鉬矽化物(鎳和鎳鉬的矽化物)，由於它們在製造半導體器件時通過熱處理，其原子的組成和分布在半導體器件表面上發生變化，因此它們也包含在利用本發明的金屬除去用組合物處理的物質中。
使用本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物製造半導體裝置時，通過在對矽系基板材料等的部位不造成損傷的程度進行多次處理，用超純水等進行後洗滌，能夠進一步提高除去性能。在本發明的實施例和比較例中，以1. OX IO14原子/cm2作為基準判斷了金屬除去性，在根據適用的半導體裝置要求更加嚴格的除去性的情況下，在不對矽系材料造成損傷的程度延長處理時間和/或處理溫度等即可。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，為了與金屬薄膜的形成條件和膜厚等對應，將選擇性和除去性最佳化，可以任意地設定使用的液量、處理次數和處理溫度。通過在液溫優選在I 100°c，更優選在15 80°C下進行處理，可得到優異的金屬除去性、金屬選擇性和液體壽命。在比這低的溫度下使用的情況下，有時發生金屬除去性的降低和成分的沉澱。在比這高的溫度下使用的情況下，優選留意由成分的分解和液體的成分的揮髮帶來的濃度變化，進行加溫。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，由於不含有含氟化合物，因此能夠不對鎳矽化物、S1、SiO2, Si3N4等的矽系材料造成損傷，從這些材質的基板上選擇性地除去鎳鉬I=1-Wl O
使用本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物製造半導體裝置時，通常具有採用分批法(batch method)將半導體晶片在鎳鉬合金系金屬除去用組合物中浸潰處理的工序。另外也可以通過採用單片法(single wafer method)向半導體晶片表面供給金屬除去用組合物進行處理。這些處理也可以一邊施加攪拌、搖動和超聲波一邊進行。另外，如果是使用鎳鉬合金作為材料的器件，則也可以用於MOS型電晶體以外的電子器件。
本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，以上述組成在實際的半導體裝置的製造時使用，但從輸送和調合的難易度的觀點來看，也可以作為將水以外的各成分按等比率增加的濃縮溶液進行製造、運輸和儲藏。該溶液在使用時通過超純水稀釋，在本發明中公開的濃度範圍內使用。
在使用本發明的鎳鉬合金系金屬除去用組合物製造半導體裝置的一例中，包括以下的工序。即，其製造方法包括在上述矽系基板的至少一部分上形成鎳鉬合金膜的工序， 和使用本發明的金屬除去用組合物不對上述矽系基板造成損傷並選擇性地除去鎳鉬合金膜的至少一部分的工序。該方法可以適用於例如依次制膜形成多晶矽、鎳鉬合金薄膜作為電極材料，通過熱處理自對準地形成鎳鉬矽化物，使用本發明的金屬除去用組合物除去未反應的鎳鉬合金的工序(自對準矽化物形成工序)。
實施例
通過以下的實施例和比較例對本發明進行更加詳細的說明，但本發明並不限定於此。
(鎳和鉬的除去性評價)
為了評價將帶有鎳鉬合金膜的基板浸潰於金屬除去用組合物中時的鎳和鉬的除去性效果，進行了以下的操作。在矽基板上通過濺射形成由90原子 ％的鎳、10原子％的鉬構成的合金組成的薄膜。膜厚為15nm。將該基板切出2X Icm見方得到金屬除去性評價用的樣品片。金屬除去用組合物的調製，通過以成為表I 3所示的各實施例和比較例的組成的方式，對水添加各成分進行調製，將調製出的組合物IOmL投入聚乙烯容器中。將上述樣品片投入其中靜置，使用恆溫槽在50°C保溫30分鐘。接著，將樣品片從容器中取出，使用超純水進行樣品片整體的洗滌。超純水使用Mill1-Q水製造裝置(Millipore制，電導率:18.2ΜΩ )進行製造。酸為35質量％鹽酸、98質量％硫酸、60質量％硝酸(均為今 '> 夕'化學制，電子材料用)，48質量％氫溴酸(和光純藥制，特級)，螯合劑為50質量％檸檬酸水溶液(小松屋制，高純度品)、草酸二水合物、乙二胺四乙酸(均為々 夕'化學制)，陰離子性表面活性劑為40質量％十二烷基硫酸三乙醇胺水溶液(和光純藥制，以下省略為十二烷基硫酸鹽)， 90質量％十二烷基苯磺酸(關東化學制)，作為其它的試劑使用30質量％過氧化氫水(々V 夕'' 化學制，電子材料用)。表3中使用的HPM使用了以35質量％鹽酸30質量％過氧化氫水=1:1、SPM使用了以97質量％硫酸30質量％過氧化氫水=1:1、王水使用了以35質量％ 鹽酸60質量％硝酸=3:1的比率(均為體積比)混合了的組成。另外，調製時混合順序與得到的液體的特性無關。金屬除去用組合物中的水由超純水和試劑中所含有的水分組成。
接著，對於利用各組成的金屬除去用組合物處理過的樣品片，使用由王水和氫氟酸構成的金屬回收液將樣品片表面的殘留金屬進行回收，通過ICP質量分析裝置進行分析。將下述的金屬回收液僅在樣品片的存在金屬薄膜的表面側沒有遺漏地以O. 25mL各滴下4次,放置約3分鐘後,將所有的回收液合起來。金屬回收液，使用按王水氫氟酸超純水=1:1:4 (體積比)的比率混合了的液體時調製使用。如果將金屬回收液在樣品片上滴下，則由於氫氟酸成分，不僅金屬成分，娃表面的氧化物也被蝕刻，樣品片表層變為疏水性， 液滴從表面被排斥(不浸潤)，因此不僅樣品片表層，其內部的一部分也溶解而可以回收金屬成分。此外通過由王水成分使鉬溶解，能夠效率良好地回收在樣品片表面殘留的金屬成分。王水使用將60質量％硝酸(關東化學制，超純級)、35質量％鹽酸(關東化學制，超純級) 按硝酸鹽酸=1:3的比率混合了的組成。氫氟酸使用38質量％氫氟酸(關東化學制，超純級)。接著，使用微量滴管(miCTopipette)將金屬回收液移至^ 7 口 > (註冊商標)制容器中，加熱至200°C使其蒸發乾燥固化。在該^ 7 口 > (註冊商標)制容器中加入王水(1+19) 再次溶解，定容至2ml。針對該測定液使用ICP質量分析裝置(七4 - 一 4^ >卜制，SPQ-8000H)進行Ni和Pt的濃度分析，計算出在樣品片上殘留的金屬原子數。通過該值評價了金屬除去能力。將該結果作為Ni和Pt的殘留原子數(原子/cm2)，示於表I 3。 再者，使用的^ 7 口 > (註冊商標)制容器、微量滴管的小片(chip)，為防止汙染全部採用稀王水和超純水進行預先洗滌。
(矽系材料的損傷評價)
首先為了評價將帶有鎳矽化物膜的基板浸潰於金屬除去用組合物中時的損傷，進行了以下的操作。在矽基板上採用濺射制膜形成由鎳矽化物(NiSi2)構成的薄膜。膜厚採用50nm的膜厚。將該基板切出2X0. 5cm見方，通過薄膜電阻計測定處理前的薄膜電阻值 (sheet resistance value)。接著,與評價鎳和鉬的除去性的情況同樣地使用本發明的金屬除去用組合物進行處理，將基板自然乾燥。再次進行處理後的薄膜電阻值的測定，評價了嚴格的膜厚的變化。如果膜厚減少，則可在膜中流通的電流量減少，因此薄膜電阻值增大。 薄膜電阻值的測定，通過四探針式低電阻計進行5次測定，將該值平均作為處理前後的值， 以處理前後的測定值的差進行評價。其結果示於表3。接著，進行對矽、SiO2和Si3N4的殘渣有無和損傷的評價。對於矽原樣地使用矽晶片，對於SiO2和Si3N4使用在矽晶片上通過濺射以50nm的膜厚制膜的基板。處理使用作為本發明的金屬除去用組合物中代表性的組成的表I 的實施例1的組成在50°C下進行30分鐘，採用超純水衝洗後進行自然乾燥。對於處理後的基板，為了評價3102和5「隊的膜厚的變化採用幹涉型膜厚計(大日本7 ^ 'J
制，VM-2000)進行了評價。此外，釆用SEM (日立制，S-5000)進行表面形狀和殘渣的評價。 釆用SEM的觀察，在加速電壓為5kV、倍率為2萬倍下進行。將其結果示於圖1。
權利要求
1.一種鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其特徵在於，含有3 55質量％的選自鹽酸、 氫溴酸和硝酸中的至少一種；0. 5 20質量％的將草酸除外的螯合劑；0.1 4質量％的陰離子性表面活性劑；和水，不含有含氟化合物和過氧化氫，PH值為I以下。
2.根據權利要求1所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，僅含有選自鹽酸、氫溴酸和硝酸中的至少一種；將草酸除外的螯合劑；陰離子性表面活性劑；和水。
3.根據權利要求1或2所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，所述螯合劑是選自檸檬酸、乙二胺四乙酸、兒茶酚、乙醯丙酮和它們的鹽中的至少一種。
4.根據權利要求1 3的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，所述陰離子性表面活性劑，是選自具有碳原子數為8 20的直鏈烷基的、硫酸酯、磺酸、羧酸和磷酸酯以及它們的衍生物和鹽中的至少一種。
5.根據權利要求1 4的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，所述鎳鉬合金系金屬含有85 99. 5原子％的鎳和O. 5 15原子％的鉬。
6.根據權利要求1 5的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其不侵蝕矽、 Si02、Si3N4和鎳矽化物。
7.根據權利要求1 6的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物，其除去在由矽系材料構成的基板的一部分上形成的鎳鉬合金系金屬。
8.一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括在由矽系材料構成的基板的一部分上形成鎳鉬合金膜的工序；和使用權利要求1 7的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物不對所述矽系材料造成損傷並選擇性地除去鎳鉬合金膜的至少一部分的工序。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置的製造方法，所述矽系材料是矽、Si02、Si3N4和鎳矽化物中的任一種。
10.一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括在由矽系材料構成的基板的至少一部分上，依次制膜形成多晶矽、鎳鉬合金薄膜作為電極材料的工序；通過熱處理自對準地形成鎳鉬矽化物的工序；和使用權利要求1 7的任一項所述的鎳鉬合金系金屬除去用組合物選擇性地除去未反應的鎳鉬合金的工序。
全文摘要
一種鎳鉑合金系金屬除去用組合物，其特徵在於，含有3～55質量%的選自鹽酸、氫溴酸和硝酸中的至少一種；0.5～20質量%的將草酸除外的螯合劑；0.1～4質量%的陰離子性表面活性劑；和水，不含有含氟化合物和過氧化氫，pH值為1以下。能夠不對矽系基板材料造成損傷並選擇性地除去鎳鉑合金系金屬。
文檔編號H01L21/304GK103069548SQ201180038560
公開日2013年4月24日 申請日期2011年7月19日 優先權日2010年8月5日
發明者佐藤冬樹, 齊藤康夫 申請人:昭和電工株式會社