雙面塗覆的壓敏粘合片及其使用方法
2023-05-01 00:27:21 4
專利名稱：雙面塗覆的壓敏粘合片及其使用方法
技術領域：
本發明涉及一種雙面塗覆的壓敏粘合片。更具體地說，本發明涉及一種雙面塗覆的壓敏粘合片，用於加工或保護臨時固定在硬板上的易碎工件。
近年來，IC卡得到推廣應用，因此需要降低其厚度。目前需要將半導體晶片的厚度從通常的約350微米降至50-100微米或更薄。
通常在晶片表面形成電路圖案後研磨晶片的背面。在研磨晶片背面時在電路表面粘附壓敏粘合片，以便保護電路表面並固定晶片。在這種用途中通常使用包括塗覆壓敏粘合劑的軟基片的壓敏粘合片。但是，在這種基於軟基片的壓敏粘合片中，粘合時所施加的張力以殘留的應力積聚。當晶片具有大的直徑或被研磨成很小的厚度時，壓敏粘合片的殘留應力超過晶片的強度，結果消除該殘留應力所產生的力使晶片變形。另外，研磨後，當用軟基片固定晶片時，晶片容易破碎的性能導致在搬運過程中晶片碎裂。因此，研製了將晶片固定在硬物(如石英板或丙烯酸板)上並研磨晶片的方法。
為了將易碎的硬物(如列印頭、玻璃/環氧樹脂板、玻璃或陶瓷)切割成小晶片，將該易碎的硬物固定在硬的承載材料上進行切割。使用雙面塗覆的壓敏粘合片將這種切割件固定在硬的承載材料上。但是，用常規雙面塗覆的壓敏粘合片粘合在一起的兩層硬物難以分開。當粘附很脆的材料(如晶片)時，無損傷地將其分開是不可能的。
因此，需要開發一種雙面塗覆的壓敏粘合片，它適用於將任何半導體晶片或上述各種切割件固定在硬材料上。
另外，在半導體晶片的加工中，在背面研磨和切割過程中均需要表面保護片和用於固定晶片的壓敏粘合片。從工藝控制的觀點看這是繁瑣的。此外，在上述兩個步驟之間搬運晶片，由於晶片的易碎性會導致晶片碎裂。
因此，還需要開發一種方法，它能在同一狀態(configuration)下實施一系列加工步驟(包括上述晶片背面研磨、切割和搬運)，能便於工藝控制並能防止晶片碎裂。
根據現有技術的上述狀況提出了本發明。本發明的目的是提供一種雙面塗覆的壓敏粘合片，它使工件能以高精度有效地進行加工，尤其提供一種雙面塗覆的壓敏粘合片，它通過降低變形並減少搬運碎裂(這種變形和碎裂是極薄或大直徑矽晶片的研磨中常發生的)使之適用於高產率高厚度精度的IC晶片的製造方法，並能在同一狀態下進行背面研磨和切割。本發明的另一個目的是提供一種高可靠性半導體的製造方法，在該方法中使用上述雙面塗覆的壓敏粘合片。
本發明雙面塗覆的壓敏粘合片包括一片可收縮的基片和施塗在其兩個側面上的壓敏粘合劑層，至少一層壓敏粘合劑層是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。
在本發明中最好兩層壓敏粘合劑層均是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。另外，所述可收縮的基片最好帶有許多微小的切割線(即凹線)。本發明雙面塗覆的壓敏粘合片最好在臨時固定在硬板上的工件的加工過程中用於固定或保護該工件。
也就是說，本發明雙面塗覆的壓敏粘合片最好用於依次包括下列步驟的方法中將要加工的工件粘附在上述雙面塗覆的壓敏粘合片的一層可能量輻照固化的壓敏粘合劑層上，並將另一層壓敏粘合劑層粘附在硬板上，從而將該工件固定在該硬板上；加工該工件；用能量輻照該可能量輻照固化的壓敏粘合劑層，以固化該壓敏粘合劑同時收縮所述可收縮的基片；以及從已輻照並固化的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層上剝離經加工的工件。
在上述使用方法中，最好兩層壓敏粘合劑層均是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。另外，所述可收縮的基片最好帶有許多微小的切割線。
在上述使用方法中，所述工件最好是表面帶有電路圖案的半導體晶片，並且所述加工是研磨晶片的背面。
所述工件可以是表面帶有電路圖案的半導體晶片，並且所述加工可以是將所述晶片切割成元件晶片。
另外，所述工件可以是表面帶有電路圖案的半導體晶片，所述加工可以是研磨該晶片的背面並將該晶片切割成元件晶片，並且加工次序可以是任意的次序。
本發明雙面塗覆的壓敏粘合片能將各種工件臨時固定在硬板上，從而在加工過程中對該工件進行固定和保護。同時，在進行所需的加工和保護後，本發明雙面塗覆的壓敏粘合片能通過簡單操作容易從硬板上剝離工件。因此，即使將雙面塗覆的壓敏粘合片用於研磨例如極薄或大直徑的半導體晶片的背面，也可提高晶片的厚度精度，從而降低晶片的變形。另外，可防止晶片搬運過程中的碎裂。結果，本發明雙面塗覆的壓敏粘合片能以高產率製造各種電子元件和半導體晶片。
此外，可在相同的本發明晶片狀態下實施一系列包括加工和搬運的步驟，從而可便於工藝控制。
圖1是本發明雙面塗覆的壓敏粘合片的剖面圖；圖2是將工件粘附在本發明雙面塗覆的壓敏粘合片上的示意圖；圖3是將帶有粘附的工件的雙面塗覆的壓敏粘合片固定在硬板上的示意圖；圖4是已加工工件的示意圖；圖5是能量輻照並且基片收縮後複合物狀態的示意圖；圖6是基片帶有切割線的雙面塗覆的壓敏粘合片使用方式的示意圖；圖7是將半導體晶片粘附在本發明雙面塗覆的壓敏粘合片上的示意圖；圖8是將帶粘附的半導體晶片的雙面塗覆的壓敏粘合片固定在硬板上的示意圖；圖9是半導體晶片背面研磨後複合物狀態示意圖；以及圖10是能量輻照並且基片收縮後複合物狀態示意圖。
下面參照附圖對本發明作詳細說明。
現在參照附圖1，本發明雙面塗覆的壓敏粘合片10包括可收縮的基片1，以及施塗在該基片兩個側面上的壓敏粘合劑層2a和2b。
儘管所述可收縮的基片無特別的限制，但是它最好是可熱收縮的膜。
用於本發明中的可收縮膜的收縮比較好為10-90％，最好為20-80％。
可收縮膜的收縮比(SR)可根據收縮前的尺寸和收縮後的尺寸用下式算得SR＝[(收縮前的尺寸)-(收縮後的尺寸)]/(收縮前的尺寸)×100當使用熱收縮膜時，上述收縮比的數據是由在120℃加熱前後測得的膜尺寸算得的數據。
已知有各種收縮膜。一般來說本發明可使用各種收縮膜，只要對工件無不利影響(例如離子汙染)即可。合適的收縮膜的例子包括單軸或雙軸取向的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚乙烯膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯膜、尼龍膜、聚氨酯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚氯乙烯膜等。
上述收縮膜的厚度一般為5-300微米，較好為10-200微米。
較好將聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的熱收縮膜作為收縮膜。
所述收縮膜可以是單層任何一種上述收縮膜，或者是上述收縮膜的層壓物。當層壓收縮膜時，該層壓物最好由不同收縮比的膜組成。當將不同收縮比的膜組成的層壓物用作可收縮的基片1時，如圖5和圖10所示低收縮比的一側會發生突出的變形，使得工件僅靠點接觸粘附，從而非常有助於剝離工件。
用作可收縮基片1的收縮膜可帶有許多微小的切割線(即凹線)。
切割線的間隔(切割間距)取決於各個工件的尺寸。切割的間距較好是工件底面最大長度的0.01-2倍，最好是0.1-1倍。切割的間距一般為0.1-20mm，最好為1-10mm。
切割線的形狀無特別的限制。例如，切割線的圖形可以是格子狀、同心圓和放射狀或其組合。同樣，切割線可以具有任何無規的形狀。切割線可布滿可收縮的基片1的整個表面。
如下面將描述的那樣，在使用本發明雙面塗覆的壓敏粘合片10時，在適當的步驟後用能量輻照可能量輻照固化的壓敏粘合劑層。當使用紫外光作為輻照能源時，構成可收縮基片1的所有膜均應是紫外光可透過的。
本發明雙面塗覆的壓敏粘合片10包括上面所述的可收縮的基片1，以及塗覆在其兩個側面上的壓敏粘合劑層2a和2b，至少一層(一層或兩層)壓敏粘合劑層是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。具體地說，要求施塗在要粘附工件的側面上的壓敏粘合劑層2a是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。另一層壓敏粘合劑層2b(即施塗在粘附於硬板上的壓敏粘合劑層)最好由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成，儘管這不是特別的限制。
當壓敏粘合劑層2a和2b均是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的時，最好挑選這些可能量輻照固化的壓敏粘合劑，使固化後壓敏粘合劑層2a的彈性模量(彈性模量2a)高於固化後壓敏粘合劑層2b的彈性模量(彈性模量2b)。彈性模量2a較好是彈性模量2b的至少2倍，最好是彈性模量2b的至少5倍。
選擇固化後壓敏粘合劑層2a、2b的上述彈性模量，促進了可收縮基片1的收縮造成的雙面塗覆的壓敏粘合片10的變形，並且有助於片材在工件一側的壓敏粘合劑層2a的突起變形，使工件僅靠點接觸粘附，從而大大便於工件的剝離。
所述可能量輻照固化的壓敏粘合劑一般包含丙烯酸壓敏粘合劑和可能量輻照聚合的化合物作為主要組分。
例如，分子中具有至少兩個可光致聚合的碳-碳雙鍵並可通過光輻照轉化成三維網絡結構的低分子量化合物(參見日本公開專利申請No 85-196,956和85-223,139)被廣泛地作為可能量輻照聚合的化合物加入可能量輻照固化的壓敏粘合劑中。其具體的例子包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯和市售的低聚丙烯酸酯類。
另外，除上述丙烯酸酯基化合物以外，可將聚氨酯丙烯酸酯基低聚物用作可能量輻照聚合的化合物。聚氨酯丙烯酸酯低聚物可通過異氰酸酯封端的聚氨酯預聚物與具有羥基的(甲基)丙烯酸酯反應製得，所述聚氨酯預聚物是用多異氰酸酯化合物(如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-苯二亞甲基二異氰酸酯、1，4-苯二亞甲基二異氰酸酯或二苯甲烷-4，4-二異氰酸酯)塗覆多醇化合物(如聚酯或聚醚化合物)獲得的，所述(甲基)丙烯酸酯的例子有丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯或聚乙二醇甲基丙烯酸酯。
在可能量輻照固化的壓敏粘合劑中可能量輻照聚合的化合物與丙烯酸壓敏粘合劑的混合比較好為每100重量份丙烯酸壓敏粘合劑使用50-200重量份可能量輻照聚合的化合物。在這種情況下，製得的壓敏粘合片的初始粘合強度是大的，在用能量輻照壓敏粘合劑層以後該粘合強度急劇下降。因此在已加工工件和可能量輻照固化的丙烯酸壓敏粘合劑層的界面上進行剝離變得容易，從而能獲得加工工件。
可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a可由帶有可能量輻照聚合的基團作為側鏈的可能量輻照固化的共聚物組成。這種可能量輻照固化的共聚物表現出令人滿意的粘性和能量輻照固化性能。帶有可能量輻照聚合的基團作為側鏈的可能量輻照固化的共聚物的詳細情況可參見例如日本的公開專利申請No.93-32,946和96-27,239。
在用能量輻照前，上述丙烯酸可能量輻照固化的壓敏粘合劑與工件具有令人滿意的粘合強度，在用能量輻照後該粘合強度急劇下降。也就是說，在用能量輻照前工件可通過令人滿意的粘合強度得到固定，但是用能量輻照後，形成的工件可容易地剝離。
另一層壓敏粘合劑層2b(即施塗在與硬板相粘附一側的壓敏粘合劑層)可由各種常規的壓敏粘合劑組成。對這些壓敏粘合劑毫無限制，例如，可使用可取下的壓敏粘合劑，如橡膠、丙烯酸、聚矽氧烷、聚氨酯和聚乙烯基醚基壓敏粘合劑。但是，在本發明中，壓敏粘合劑層2b最好由上述可輻照固化的壓敏粘合劑組成。
各個壓敏粘合劑層2a和2b的厚度一般約為3-100微米，較好約10-50微米，儘管取決於所用材料的性能。
上述本發明雙面塗覆的壓敏粘合片10適用於在半導體晶片背面研磨過程中進行表面保護和晶片固定。同時，當加工(例如切割)易碎的硬工件(如玻璃/環氧基片、玻璃或陶瓷)時，可使用雙面塗覆的壓敏粘合片10將工件臨時固定在硬板上。合適的硬板的例子包括玻璃板、石英板和塑料板(如丙烯酸、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚碳酸酯硬板)。根據ASTM D 883測得的硬板的硬度較好至少為70MPa。硬板的厚度儘管取決於所用材料的性能，但是一般約為0.1-10mm。當使用紫外光作為輻照能源時，該硬板是由透紫外光性材料組成的。
下面將參照附圖更詳細地描述本發明雙面塗覆的壓敏粘合片的使用方法。
先看圖2，工件3被粘附在雙面塗覆的壓敏粘合片10的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a上。該工件3是例如待加工的上述半導體晶片、易碎的硬物(如玻璃/環氧基片、玻璃和陶瓷)和各種電子元件及光學部件中的任何一種，但是，工件3不限於這些例子。
下面參照圖3，另一層壓敏粘合劑層2b粘合在硬板4上，使工件3被固定在硬板4上。或者，先將另一層壓敏粘合劑層2b粘附在硬板上，隨後將工件3粘附在可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a上。在這種情況下，為防止在壓敏粘合劑層2b和硬板4之間產生氣泡，最好在真空中將壓敏粘合劑層2b粘附在硬板4上。
隨後，進行工件3所需的加工。對於半導體晶片，所述加工是例如背面研磨或切割成元件晶片。對於玻璃/環氧基片，所述加工是形成電路或按電路切割成晶片。對於玻璃或陶瓷，所述加工是例如切割或蝕刻。在進行加工的同時，對與壓敏粘合劑層2a相接觸的工件3的一面進行表面保護。
圖4表示例如在作為工件3的半導體晶片或玻璃/環氧基片上形成電路並按每一電路切割成晶片。
儘管切割條件無特別限制，但是最好使熱收縮基片1受到完全切割並分開。這種切割減少了粘附面積，從而能縮短剝離時間。切割的深度最好使切口的末端位於粘附在硬板4上的壓敏粘合劑層中。原因是如果硬板4上無割痕，則該硬板4可根據需要重複多次使用。
接著，用輻照能源從硬板4那一側輻照，從而進行固化，使可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a的粘合強度下降，同時利用適當的方法使可收縮基片1收縮。例如，如果使用熱收縮基片，則通過適當地加熱使可收縮基片1收縮。結果，如圖5所示，由於基片1的收縮，在已加工工件3』和已固化的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a之間產生剪力，該剪力引起剝離。經加工的工件3』從已固化的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a上的剝離由粘結部分的四周向中央擴展。最終在整個粘結部分上產生剝離。
另外，壓敏粘合劑層2b也隨可收縮基片1的收縮而變形，從而使雙面塗覆的壓敏粘合片10能容易地從硬板4上取下。尤其當壓敏粘合劑層2b是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的時，通過能量輻照使其與硬板4的粘合強度下降，從而能容易地將雙面塗覆的壓敏粘合片10從硬板4上取下。
如上所述，在本發明雙面塗覆的壓敏粘合片中，可收縮的基片1可帶有許多微小的切割線6。在這種情況下，當對工件3進行所需的加工後可收縮的基片1例如受熱收縮時，可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a隨之變形，從而使與已加工的工件3』的接觸面積下降，結果粘合強度降低(見圖6)。因此，可容易地將雙面塗覆的壓敏粘合片10從已加工的工件3』上取下。
本發明雙面塗覆的壓敏粘合片10尤其適用於包括下面步驟的半導體晶片的背面研磨方法中。
參見圖7，將表面帶有電路圖案的半導體晶片5的電路表面粘附在本發明雙面塗覆的壓敏粘合片10的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a上。
隨後，參見圖8，將另一層壓敏粘合劑層2b粘附在硬板4上，使半導體晶片5被固定在硬板4上。
在固定於硬板4上的狀態下，將半導體晶片5的背面研磨至所需的厚度(參見圖9)。
接著，用上面所述方法用輻照能源進行輻照並收縮所述可收縮的基片，從而能從經輻照和固化的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層2a上剝離半導體晶片5(參見圖10)。
或者，在研磨半導體晶片5的背面後如圖4所示切割晶片，接著用輻照能源輻照之，以便使基片收縮。這樣，在同一狀態下進行背面研磨和切割，以便進行工藝控制。此外，可將晶片固定在硬板上的同時在各步驟之間進行晶片的搬運，從而能防止晶片的碎裂。
或者，與上面相反，在本發明中可在晶片切割後，在元件晶片固定在硬板上的同時研磨元件晶片的背面。
由上面描述可見，上述本發明雙面塗覆的壓敏粘合片能將各種要加工的工件臨時固定在硬板上，從而在加工過程中固定並保護之。同時，在所需的加工和保護後，通過簡單的操作本發明雙面塗覆的壓敏粘合片就能使已加工的工件從片材上剝離。因此，即使將雙面塗覆的壓敏粘合片用於研磨例如極薄的或大直徑半導體晶片的背面，也能提高晶片的厚度精度，從而減少晶片的變形。另外，可防止晶片搬運時的碎裂。結果，本發明雙面塗覆的壓敏粘合片能以高產率製造各種電子元件和半導體晶片。此外，在本發明中可在相同的狀態下進行一系列步驟，包括加工和搬運，從而可有助於工藝控制。
實施例下面將參照實施例對本發明作進一步說明，這些實施例不對本發明範圍構成任何限制。
實施例11(1)將100重量份丙烯酸壓敏粘合劑(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)、200重量份分子量為7,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、10重量份交聯劑(異氰酸酯型)和10重量份可能量輻照固化的反應引發劑(二苯酮型)混合在一起，製得可能量輻照固化的壓敏粘合劑組合物(其紫外光輻照後的彈性模量為1.5×108Pa)。
1(2)在一片經剝離處理的25微米厚聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上塗覆上面步驟1(1)獲得的壓敏粘合劑組合物，塗層厚度為10微米並在100℃加熱1分鐘，形成可能量輻照固化的壓敏粘合劑層。接著，將該可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在可熱收縮的聚乙烯膜(厚度35微米，在120℃的收縮比為65％)上。從而獲得一側粘附在壓敏粘合劑層上的片材。
1(3)在另一片經剝離處理的25微米厚聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上塗覆上面步驟1(1)獲得的壓敏粘合劑組合物，塗層厚度為10微米並在100℃加熱1分鐘，形成另一層可能量輻照固化的壓敏粘合劑層。
1(4)將上面步驟1(2)獲得的一側粘附在壓敏粘合劑層上的片材的熱收縮聚乙烯膜那一側粘附在步驟1(3)中形成於PET膜上的壓敏粘合劑層上，製得雙面塗覆的壓敏粘合片。
實施例2重複實施例1的步驟，但是施加在片材一側的壓敏粘合劑組合物是可取下的壓敏粘合劑，它是由100重量份丙烯酸壓敏粘合劑(丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的共聚物)和10重量份交聯劑(異氰酸酯型)組成的。
實施例3用與實施例1相同的方法製得雙面塗覆的壓敏粘合片，但是用可熱收縮的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度30微米，120℃收縮比為40％)代替可收縮基片。
實施例4重複實施例3的步驟，但是施加在片材一側的壓敏粘合劑組合物是可取下的壓敏粘合劑，它是由100重量份丙烯酸壓敏粘合劑(丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的共聚物)和10重量份交聯劑(異氰酸酯型)組成的。
實施例5用與實施例1步驟1(1)和1(2)的方法製得一側粘附在壓敏粘合劑層上的片材。使用輥刻花模在該片材的熱收縮膜一側刻出縱橫交錯的2mm間距的格子切割線，使切割線深達壓敏粘合劑部分。隨後，在一片經剝離處理的25微米厚聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上塗覆與上面步驟1(1)相同的可能量輻照固化的壓敏粘合劑，使塗層的厚度為10微米並將其在100℃加熱1分鐘。將形成的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在片材帶切割線的熱收縮膜一側，製得包括帶切割線的收縮膜的雙面塗覆的壓敏粘合片。
實施例66(1)將100重量份丙烯酸壓敏粘合劑(丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸2-羥乙酯的共聚物)、150重量份分子量為1,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、5重量份交聯劑(異氰酸酯型)和10重量份可能量輻照固化的反應引發劑(二苯酮型)混合在一起，製得可能量輻照固化的壓敏粘合劑組合物(其紫外光輻照後的彈性模量為9.0×108Pa)。
6(2)在一片經剝離處理的25微米厚聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上塗覆上面步驟6(1)獲得的壓敏粘合劑組合物，塗層厚度為10微米並在100℃加熱1分鐘，形成可能量輻照固化的壓敏粘合劑層。接著，將該可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在可熱收縮的聚乙烯膜(厚度35微米，在120℃的收縮比為65％)上。從而獲得一側粘附在壓敏粘合劑層上的片材。
6(3)將100重量份丙烯酸壓敏粘合劑(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)、200重量份分子量為7,000的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、10重量份交聯劑(異氰酸酯型)和10重量份可能量輻照固化的反應引發劑(二苯酮型)混合在一起，製得可能量輻照固化的壓敏粘合劑組合物(其紫外光輻照後的彈性模量為1.5×108Pa)。
6(4)在一片經剝離處理的25微米厚聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上塗覆上面步驟6(3)獲得的壓敏粘合劑組合物，塗層厚度為10微米並在100℃加熱1分鐘，形成另一種可能量輻照固化的壓敏粘合劑層。
6(5)將上面步驟6(2)獲得的一側粘附在壓敏粘合劑層上的片材的可熱收縮聚乙烯膜那一側粘附在步驟6(4)中形成於聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上的壓敏粘合劑層上，製得雙面塗覆的壓敏粘合片。
實施例7用下面方法製得收縮比互相不同的收縮膜的層壓物。
將100重量份丙烯酸壓敏粘合劑(丙烯酸正丁酯和丙烯酸的共聚物)和10重量份交聯劑(異氰酸酯型)和混合在一起，製得壓敏粘合劑組合物。
在一片經剝離處理的25微米厚聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上塗覆上面獲得的壓敏粘合劑組合物，塗層厚度為5微米並在100℃加熱1分鐘，形成壓敏粘合劑層。接著，將該壓敏粘合劑層粘附在可熱收縮的聚乙烯膜(厚度30微米，在120℃的收縮比為40％)上。從而獲得一側粘附在壓敏粘合劑層上的片材。
剝去得到的片材的經剝離處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，將露出的壓敏粘合劑層粘附在可熱收縮的聚乙烯膜(厚度35微米，在120℃的收縮比為65％)上。從而獲得收縮膜的層壓物。
用與實施例1相同的方法製得雙面塗覆的壓敏粘合片，但是用上面相互收縮比不同的層壓膜(厚度70微米)代替實施例1的可熱收縮聚乙烯膜。
比較例1用與實施例1相同的方法製得兩側均帶有可取下的壓敏粘合劑層的雙面塗覆的壓敏粘合片，但是用實施例2的可取下的壓敏粘合劑代替可能量輻照固化的壓敏粘合劑組合物。
比較例2用與實施例1相同的方法製得雙面塗覆的壓敏粘合片，但是用不可收縮的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度25微米，在120℃的收縮比為1％)代替可收縮的基片。
用下列方法評價如此製得的雙面塗覆的壓敏粘合片，結果列於表1。
評價方法(1)用作研磨保護帶將實施例和比較例製得的各種壓敏粘合片一側的剝離膜剝離，將其粘附在直徑和厚度分別為6英寸(150mm)和700微米的矽晶片的電路一側的表面上。此時，各種雙面塗覆的壓敏粘合片的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在矽晶片上。但是，條件是與矽晶片相粘附的是實施例6中經紫外光輻照後彈性模量為9.0×108Pa的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層，實施例7中在120℃收縮比為40％的那一側的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層，以及比較例1中可取下的壓敏粘合劑層。
接著，剝去另一層剝離膜，將露出的壓敏粘合劑層真空粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
粘附後，將晶片背面研磨至晶片厚度降至50微米。研磨後，用紫外光對玻璃一側(比較例1除外)輻照1分鐘，將各個試樣放置在表面加熱至120℃的熱板上。使用環氧粘合劑將一個鉤子固定在各個晶片的上部並用通用拉伸試驗機測定玻璃表面上的剝離強度(剝離速度700mm/min)。結果列於表1。
另外，肉眼觀察加熱後片材的情況。結果列於表2。
(2)用作切割帶剝去各個實施例和比較例製得的壓敏粘合片一側的剝離膜，並將其粘附在矽晶片的鏡面(#2000鏡面)上，該晶片的直徑和厚度分別為6英寸和350微米。此時，各個雙面塗覆的壓敏粘合片的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在矽晶片上。但是條件是對於實施例6和7及比較例1，矽晶片粘附的壓敏粘合劑層與上面(1)所述的相同。
隨後，剝去另一層剝離膜，在真空中將露出的壓敏粘合劑層粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
粘附後，使用帶27HECC切割刀的DAD2H/6T切割設備(Disco Corporation制)將晶片切割成邊長為10mm的正方形，使未切割部分距玻璃板底面1.16mm。切割後，用紫外光對玻璃一側輻照1分鐘(比較例1除外)，將各個試樣放置在表面加熱至120℃的熱板上。使用環氧粘合劑將一個鉤子固定在各個晶片的上部並用通用拉伸試驗機測定玻璃表面上的剝離強度(剝離速度700mm/min)。結果列於表1。
另外，肉眼觀察加熱後片材的情況。結果列於表2。
(3)用在研磨、搬運和切割順序中剝去各個實施例和比較例製得的壓敏粘合片一側的剝離膜，並將其粘附在矽晶片的電路一側的表面上，該晶片的直徑和厚度分別為6英寸和700微米。此時，各個雙面塗覆的壓敏粘合片的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在矽晶片上。
但是條件是對於實施例6和7及比較例1，矽晶片粘附的壓敏粘合劑層與上面(1)所述的相同。
隨後，剝去另一層剝離膜，在真空中將露出的壓敏粘合劑層粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
粘附後，將晶片研磨至其厚度降至50微米。將相同狀態下固定的研磨晶片搬運至切割步驟。
使用帶27HECC切割刀的DAD2H/6T切割設備(Disco Corporation制)將如此研磨的晶片切割成邊長為10mm的正方形，使未切割部分距玻璃板底面1.16mm。切割後，用紫外光對玻璃一側輻照1分鐘(比較例1除外)，將各個試樣放置在表面加熱至120℃的熱板上。使用環氧粘合劑將一個鉤子固定在各個晶片的上部並用通用拉伸試驗機測定玻璃表面上的剝離強度(剝離速度700mm/min)。結果列於表1。
另外，肉眼觀察加熱後片材的情況。結果列於表2。
(4)用在切割、搬運和研磨順序中剝去各個實施例和比較例製得的壓敏粘合片一側的剝離膜，並將其粘附在矽晶片的電路一側的表面上，該晶片的直徑和厚度分別為6英寸和700微米。此時，各個雙面塗覆的壓敏粘合片的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層粘附在矽晶片上。
但是條件是對於實施例6和7及比較例1，矽晶片粘附的壓敏粘合劑層與上面(1)所述的相同。
隨後，剝去另一層剝離膜，在真空中將露出的壓敏粘合劑層粘附在玻璃板(200mm×200mm×1.15mm厚)上。
使用帶27HECC切割刀的DAD2H/6T切割設備(Disco Corporation制)將晶片切割成邊長為10mm的正方形，使未切割部分距玻璃板底面1.16mm。切割後，將以相同狀態固定的切割晶片搬運至研磨步驟。
將晶片研磨至其厚度降至50微米。研磨後，用紫外光對玻璃一側輻照1分鐘(比較例1除外)，將各個試樣放置在表面加熱至120℃的熱板上。使用環氧粘合劑將一個鉤子固定在各個晶片的上部並用通用拉伸試驗機測定玻璃表面上的剝離強度(剝離速度700mm/min)。結果列於表1。
另外，肉眼觀察加熱後片材的情況。結果列於表2。
表1評價結果
表2雙面塗覆的壓敏粘合片的剝離情況
玻璃側雙面塗覆的壓敏粘合片變形，朝晶片(晶片)一側突出，並且雙面塗覆的壓敏粘合片粘附在玻璃一側，未保留在晶片(晶片)一側。
無規雙面塗覆的壓敏粘合片無規變形。該雙面塗覆的壓敏粘合片同時保留在晶片(晶片)一側和玻璃一側，但是通過空氣壓力吹拂就可容易剝離。
權利要求
1.一種雙面塗覆的壓敏粘合片，它包括一片可收縮的基片和施塗在其兩個側面上的壓敏粘合劑層，至少一層所述壓敏粘合劑層是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。
2.如權利要求1所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，其特徵在於所述兩層壓敏粘合劑層均是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。
3.如權利要求1所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，其特徵在於所述可收縮的基片帶有許多微小的切割線。
4.如權利要求2所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，其特徵在於所述可收縮的基片帶有許多微小的切割線。
5.如權利要求1所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，它用於在臨時固定在硬板上的工件的加工過程中固定或保護該工件。
6.如權利要求2所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，它用於在臨時固定在硬板上的工件的加工過程中固定或保護該工件。
7.如權利要求3所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，它用於在臨時固定在硬板上的工件的加工過程中固定或保護該工件。
8.如權利要求4所述的雙面塗覆的壓敏粘合片，它用於在臨時固定在硬板上的工件的加工過程中固定或保護該工件。
9.一種雙面塗覆的壓敏粘合片的使用方法，它包括將要加工的工件粘附在雙面塗覆的壓敏粘合片的一層可能量輻照固化的壓敏粘合劑層上，所述壓敏粘合片包括一層可收縮的基片和施塗在其兩個側面上的壓敏粘合劑層，至少一層所述壓敏粘合劑層是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的，並將另一層壓敏粘合劑層粘附在硬板上，從而將該工件固定在該硬板上；加工該工件；用能量輻照該可能量輻照固化的壓敏粘合劑層，使之固化並同時收縮所述可收縮的基片；以及從已輻照並固化的可能量輻照固化的壓敏粘合劑層上剝離經加工的工件。
10.如權利要求9所述的方法，其特徵在於所述兩層壓敏粘合劑層均是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。
11.如權利要求9所述的方法，其特徵在於所述可收縮的基片帶有許多微小的切割線。
12.如權利要求10所述的方法，其特徵在於所述可收縮的基片帶有許多微小的切割線。
13.如權利要求9所述的方法，其特徵在於所述要加工的工件是表面帶有電路圖案的半導體晶片，並且所述加工是研磨晶片的背面。
14.如權利要求9所述的方法，其特徵在於所述要加工的工件是表面帶有電路圖案的半導體晶片，並且所述加工是將所述晶片切割成元件晶片。
15.如權利要求9所述的方法，其特徵在於所述要加工的工件是表面帶有電路圖案的半導體晶片，所述加工是研磨該晶片的背面並將該晶片切割成元件晶片，並且加工次序可以是任意的次序。
全文摘要
公開了一種雙面塗覆的壓敏粘合片,它包括一片可收縮的基片和施塗在其兩個側面上的壓敏粘合劑層,至少一層所述壓敏粘合劑層是由可能量輻照固化的壓敏粘合劑組成的。該壓敏粘合片能有效地高精度加工工件。具體地說,在研磨極薄或大直徑矽晶片時,該壓敏粘合片通過減少變形和搬運碎裂,適合於能以高產率製造高厚度精度的IC晶片的方法,並能在相同狀態下進行背面研磨和切割。本發明還提供一種使用上述壓敏粘合片的高可靠性半導體的製造方法。
文檔編號H01L21/68GK1245819SQ99118348
公開日2000年3月1日 申請日期1999年8月26日 優先權日1998年8月26日
發明者野口勇人, 峰浦芳久, 江部和義 申請人:琳得科株式會社