適用於交換機晶片的快速清除配置的方法和裝置的製作方法
2023-05-01 09:14:16
專利名稱：適用於交換機晶片的快速清除配置的方法和裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及晶片測試領域，尤其是涉及一種適用於交換機晶片的快速清除配置的方法和裝置。
背景技術：
在晶片測試中，往往需要設計大量的測試用例來驗證晶片的各項特性，不同測試用例間的配置避免不了會存在著這樣那樣的衝突性，為了避免這種衝突，往往需要測試用例來保證，這樣就會花費大量的時間在腳本的維護工作上。如圖1所示，為傳統測試用例的基本流程，其中晶片特性配置模塊中只是簡單的調用下晶片的1/o接口，並在晶片地址的相應位置上記錄下晶片的配置，這樣就會出現在恢復晶片初始配置時會重複·加載晶片的配置，造成晶片測試的工作量大，並且在恢復初始配置模塊時，沒有將晶片的配置進行及時的清除，所以容易出現不同測試用例間的配置存在衝突。
發明內容
本發明的目的在於克服現有技術的缺陷，提供一種適用於交換機晶片的快速清除配置的方法和裝置，對於讀取的配置進行二次解析，從而得到晶片的最優配置來恢復晶片的初始狀態。為實現上述目的，本發明提出如下技術方案:適用於交換機晶片的快速清除配置的方法，包括以下步驟:SI，對晶片進行特性配置，在對應晶片地址裡寫下值VAL ；S2，將晶片的特性配置前的初始內容保存到第一臨時文件和第二臨時文件中；S3，自動加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置；S4，自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件。優選地,所述步驟SI具體包括:通過交換機晶片配置中的寄存器TBL和文件FIELD，讀取到對應的晶片地址ADDR ；調用一次晶片的I/O寫接口，在所述晶片地址的相應位置寫下VAL。所述步驟S2具體包括:在步驟SI寫下值VAL之前，再調用一次晶片的I/O讀接口，取出對應晶片地址ADDR的值VAL'，並且保存在第一臨時文件中；逐行讀取第一臨時文件，當第一次讀到第一臨時文件的晶片地址ADDR時，記錄下ADDR_VAL,重新寫到第二臨時文件中。適用於交換機晶片的快速清除配置的裝置，包括:晶片特性配置模塊，用於對晶片進行特性配置，在晶片地址裡寫下文件值VAL ；建立臨時文件模塊，用於將晶片的特性配置前的初始內容保存到第一臨時文件和第二臨時文件中；恢復初始配置模塊，通過加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置；清除臨時文件模塊，用於自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件。晶片特性配置模塊具體包括:讀取晶片地址單元，通過交換機晶片配置中的寄存器TBL和FIELD，讀取到對應的晶片地址ADDR ；第一次調用I/O接口單元，用於調用一次晶片的I/O寫接口，在晶片地址的相應位置寫下VAL。建立臨時文件模塊具體包括:第二次調用I/O接口單元，在晶片地址裡記錄下值VAL之前，通過再調用一次晶片的I/o讀接口，取出晶片地址ADDR的值VAL'，並且保存在第一臨時文件中；建立第二臨時文件單元，逐行讀取第一臨時文件，當第一次讀到第一臨時文件的晶片地址ADDR時，記錄下ADDR_VAL，重新寫到第二臨時文件中。本發明的的有益效果是:(I)將晶片的特性配置記憶並保存在下來，待測試結束後，將保存的數據自動恢復回去，有效地節省了測試人員在腳本維護上的工作，提高了晶片測試的效率；(2)通過建立 第一臨時文件後再建立第二臨時文件，對讀下來的配置進行二次解析，從而得到晶片的最優配置，避免了恢復晶片初始配置時出現重複恢復操作，能夠實現恢復晶片的初始狀態。(3)能夠自動清除第一臨時文件和第二臨時文件中的晶片配置，解決了晶片配置衝突的問題。
圖1是傳統的測試用例的基本流程示意圖；圖2是本發明一種適用於交換機晶片的快速清除配置的方法的流程示意圖；圖3是圖2中步驟SI的流程示意圖；圖4是圖2中步驟S2的流程示意圖；圖5是本發明一種適用於交換機晶片的快速清除配置的裝置的模塊示意圖；圖6是圖5中晶片特性配置模塊的模塊示意圖；圖7是圖6中建立臨時文件模塊的模塊示意圖。
具體實施例方式下面將結合本發明的附圖，對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整的描述。結合圖2所示，本發明所揭示的一種適用於交換機晶片的快速清除配置的方法，具體包括的步驟為:SI，對晶片進行特性配置，在對應晶片地址裡寫下值VAL ；S2，將晶片的特性配置前的初始內容保存到第一臨時文件和第二臨時文件中，通過對第一臨時文件進行二次解析後，將晶片的最優配置保存到第二臨時文件中，用於晶片的恢復初始配置，提高晶片配置的效率；S3，自動加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置；S4，自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件，達到快速清除晶片配置的效果。請結合圖3所示，所述步驟SI具體包括:通過交換機晶片配置中的寄存器TBL和FIELD，讀取到對應的晶片地址ADDR ；調用一次晶片的I/O寫接口，在所述晶片地址的相應位置寫下VAL，完成晶片的特
性配置。請結合圖4所示,所述步驟S2具體包括:再調用一次晶片的I/O讀接口，在步驟SI寫下VAL之前，取出晶片地址ADDR的值VAL'，並且保存在第一臨時文件中，此時第一臨時文件中配置值很多，所以多個FIELD可能對應同一個晶片地址ADDR ，恢復晶片初始狀態時，就會重複進行恢復，影響晶片恢復初始狀態的效率，所以需要對第一臨時文件進行二次解析；逐行讀取第一臨時文件，讀到第一臨時文件的晶片地址ADDR時，運用循環語句來判斷是否為第一次讀取，如果是，則記錄下ADDR_VAL，重新寫到第二臨時文件中，並繼續進行循環讀取，如果否，則不再進行記錄，繼續往下判斷。通過對第一臨時文件進行判斷分析，避免了重複恢復晶片初始配置的問題，提高了恢復初始配置的效率。如圖5所示，為本發明一種適用於交換機晶片的快速清除配置的裝置的模塊示意圖，具體包括:晶片特性配置模塊，用於對晶片進行特性配置，在晶片地址裡寫下值VAL ；建立臨時文件模塊，用於將晶片特性配置前的初始內容保存到第一臨時文件和第二臨時文件中；恢復初始配置模塊，通過加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置；清除臨時文件模塊，用於自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件。結合圖6所示，晶片特性配置模塊具體包括:讀取晶片地址單元，通過交換機晶片配置中的寄存器TBL和FIELD，讀取到對應的晶片地址ADDR ；第一次調用I/O接口單元，用於調用一次晶片的I/O寫接口，在所述晶片地址的相應位置寫下VAL。結合圖7所示，建立臨時文件模塊具體包括:第二次調用I/O接口單元，在晶片地址裡記錄下值VAL之前，通過再調用一次晶片的I/o讀接口，取出晶片地址ADDR的值VAL'，並且保存在第一臨時文件中；建立第二臨時文件單元，逐行讀取第一臨時文件，當第一次讀到第一臨時文件的晶片地址ADDR時，記錄下ADDR_VAL，重新寫到第二臨時文件中，當下面再讀到所述晶片地址ADDR時，就不會再進行記錄了，等於對晶片地址做了一次篩選，用於對所述第一臨時文件進行進一步解析，避免重複恢復晶片配置，提高了測試用例對晶片的測試效率。綜上所述，本發明實現了交換機晶片I/O讀寫接口的並發進行，一方面，正常配置晶片，另一方面，讀取原有配置，建立臨時文件進行一次解析，同時將從臨時文件中讀取的配置進行二次解析，得到最優的配置，實現恢復晶片的初始狀態。
本發明的技術內容及技術特徵已揭示如上，然而熟悉本領域的技術人員仍可能基於本發明的教示及揭示而作種種不背離本發明精神的替換及修飾，因此，本發明保護範圍應不限於實施例所揭示的內容，而應包括各種不背離本發明的替換及修飾，並為本專利申請權利要求 所涵蓋。
權利要求
1.適用於交換機晶片的快速清除配置的方法，其特徵在於，包括以下步驟: SI，對晶片進行特性配置，在對應晶片地址裡寫下值VAL ； S2，將晶片的特性配置前的初始內容保存到第一臨時文件和第二臨時文件中； S3，自動加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置； S4，自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件。
2.根據權利要求1所述的適用於交換機晶片的快速清除配置的方法，其特徵在於，所述步驟SI具體包括: 通過交換機晶片配置中的寄存器TBL和FIELD，讀取到對應的晶片地址ADDR ； 調用一次晶片的I/O寫接口，在所述晶片地址的相應位置寫下VAL。
3.根據權利要求1所述的適用於交換機晶片的快速清除配置的方法，其特徵在於，所述步驟S2具體包括: 在步驟SI寫下值VAL之前，再調用一次晶片的I/O讀接口，取出對應晶片地址ADDR的值VAL'，並且保存在第一臨時文件中； 逐行讀取第一臨時文件，當第一次讀到第一臨時文件的晶片地址ADDR時，記錄下ADDR_VAL,重新寫到第二臨時文件中。
4.適用於交換機晶片的快速清除配置的裝置，其特徵在於，包括: 晶片特性配置模塊，用於對晶片進行特性配置，在晶片地址裡寫下值VAL ; 建立臨時文件模塊，用於將晶片的特性配置前的初始內容保存到第一臨時文件和第二臨時文件中； 恢復初始配置模塊，通過加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置； 清除臨時文件模塊，用於自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件。
5.根據權利要求4所述的適用於交換機晶片的快速清除配置的裝置，其特徵在於，晶片特性配置模塊具體包括: 讀取晶片地址單元，通過交換機晶片配置中的寄存器TBL和FIELD，讀取到對應的晶片地址ADDR ； 第一次調用I/O接口單元，用於調用一次晶片的I/O寫接口，在所述晶片地址的相應位置寫下VAL。
6.根據權利要求4所述的適用於交換機晶片的快速清除配置的裝置，其特徵在於，建立臨時文件模塊具體包括: 第二次調用I/o接口單元，通過再調用一次晶片的I/O讀接口，在寫下VAL之前，取出晶片地址ADDR的值VALi，並且保存在第一臨時文件中； 建立第二臨時文件單元，逐行讀取第一臨時文件，當第一次讀到第一臨時文件的晶片地址ADDR時，記錄下ADDR_VAL，重新寫到第二臨時文件中。
全文摘要
本發明揭示了一種適用於交換機晶片的快速清除配置的方法和裝置，屬於晶片測試領域，所述方法包括S1，對晶片進行特性配置；S2，將晶片的特性配置保存到第一臨時文件和第二臨時文件中；S3，自動加載所述第二臨時文件內的配置，恢復交換機晶片的初始配置；S4，自動刪除第一臨時文件和第二臨時文件，所述裝置包括晶片特性配置模塊、建立臨時文件模塊、恢復初始配置模塊和清除臨時文件模塊。本發明實現了交換機晶片I/O讀寫接口的並發進行，一方面，正常配置晶片，另一方面，讀取原有配置，建立臨時文件進行一次解析，同時將從臨時文件中讀取的配置進行二次解析，得到最優的配置，實現恢復晶片的初始狀態。
文檔編號H04L12/26GK103246737SQ201310178648
公開日2013年8月14日 申請日期2013年5月15日 優先權日2013年5月15日
發明者陶鈞 申請人:盛科網絡(蘇州)有限公司