輻射系統和光刻設備的製作方法

2023-05-19 06:39:26

專利名稱：：輻射系統和光刻設備的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種輻射系統和光刻設備。具體地，本發明涉及一種用於提供投影輻射束的輻射系統。所述輻射系統包括用於提供極紫外輻射的極紫外輻射源；以及汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件包括用於俘獲來自輻射源的汙染物材料的多個緊密排布的箔片板。
背景技術：
：光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上(通常到所述襯底的目標部分上)的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的製造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版(reticle)的圖案形成裝置用於生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，矽晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地，經由成像將所述圖案轉移到在所述襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單獨的襯底將包含連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底上，將所述圖案從所述圖案形成裝置轉移到所述襯底上。除去極紫外輻射(EUV)之外，用於EUV光刻中的輻射源生成對於光學裝置和進行光刻過程的工作環境有害的汙染物材料。這尤其是對於經由雷射誘導等離子體或放電等離子體操作的EUV源的情況。因此，在EUV光刻中，存在限制光學系統的汙染的需求，所述光學系統設置用於調節來自EUV源的輻射束。為此，例如採用如EP1491963所公開的所謂箔片阱。箔片阱採用大量緊密排布的箔，所述箔基本平行於由EUV源生成的光的方向而對齊。汙染物碎屑(例如微米顆粒、納米顆粒和離子等)可以在由箔片板所提供的壁中被俘獲。因此，所述箔片阱用作汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件用於俘獲來自所述源的汙染物材料。已知的轉動的箔片阱以沿著所述系統的光軸定向的旋轉軸被定向。由於在所述箔片阱的整個旋轉過程中箔片板被照射，所以這導致相對高的熱載荷。另外，沿著光軸對齊的所述配置要求在所述源的前面具有相對大的空間，這將使所述EUV輻射傳播到下遊光學裝置出現問題。
發明內容旨在進一步限制在所述源前面的汙染物阻擋件的有效空間，並限制其上的熱載荷。還旨在提供一種輻射系統，所述輻射系統優選地在保持優化的輻射量的同時免受汙染。根據實施例，提供一種用於提供投影輻射束的輻射系統。所述輻射系統包括極紫外輻射源，所述極紫外輻射源用於提供極紫外輻射；以及汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件包括多個緊密排布的箔片板，所述箔片板用於俘獲來自所述輻射源的汙染物材料。所述汙染物阻擋件包圍極紫外輻射源。特別地，根據本發明，所述汙染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源。因此，所述被包圍的極紫外輻射源位於所述汙染物阻擋件內，以使得所述汙染物阻擋件整個地包圍所述源。根據實施例，提供一種光刻設備，所述光刻設備包括用於提供輻射束的輻射系統。所述輻射系統包括極紫外輻射源，所述極紫外輻射源用於提供極紫外輻射；以及汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件包括多個緊密排布的箔片板，所述箔片板用於捕獲來自所述輻射源的汙染物材料。所述汙染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源。所述設備也包括圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用於圖案化所述輻射束；以及投影系統，所述投影系統用於將圖案化的輻射束投影到襯底上。在此僅藉助示例，參照所附示意圖對本發明的實施例進行描述，在所附示意圖中，相同的附圖標記表示相同的部分，且其中圖l示出根據本發明的實施例的光刻設備；圖2是根據本發明的第一個實施例的俯視圖；圖3是如圖2所示的實施例的側向剖視圖4是用於實現屏蔽件的主動冷卻的可選實施例的側向剖視圖；圖5示出將箔片阱的箔片用作抽吸葉片而實現抽吸的可選實施例；圖6示出本發明的另一個可選實施例；圖7示出本發明的另一個實施例；以及圖8示出本發明的實施例。具體實施例方式圖l示意性地示出根據本發明的一個實施例的光刻設備。所述設備包括照射系統(照射器)IL，配置用於調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如掩模臺)MT，配置用於支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA並與配置用於根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置的第一定位器PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，配置用於保持襯底(例如塗覆有抗蝕劑的晶片)W，並與配置用於根據確定的參數精確地定位襯底的第二定位器PW相連；以及投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，所述投影系統PS配置用於將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。支撐結構支撐圖案形成裝置，即承受圖案形成裝置的重量。其以依賴於圖案形成裝置的取向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以採用機械的、真空的、靜電的或其他夾持技術保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構可以確保圖案形成裝置位於所需的位置上(例如相對於投影系統)。在這裡任何使用的術語"掩模版"或"掩模"都可以認為與更上位的術語"圖案形成裝置"同義。這裡所使用的術語"圖案形成裝置"應該被廣義地理解為表示能夠用於將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，並且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例採用小反射鏡的矩陣布置，可以獨立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應該將這裡使用的術語"投影系統"廣義地解釋為包括任意類型的投影系統，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任意組合，如對於所使用的曝光輻射所適合的、或對於諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這裡使用的任何術語"投影透鏡"可以認為是與更上位的術語"投影系統"同義。如這裡所示的，所述設備是反射型的(例如，採用反射式掩模)。替代地，所述設備可以是透射型的(例如，採用透射式掩模)。所述光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種"多臺"機器中，可以並行地使用附加的臺，或可以在將一個或更多個其他臺用於曝光的同時，在一個或更多個臺上執行預備步驟。所述光刻設備也可以是其中至少一部分襯底可以被具有相對高折射率的液體(例如水)覆蓋的類型，以便填充投影系統和襯底之間的空隙。浸沒液也可以被應用到光刻設備中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系統之間)。浸沒技術用於增加投影系統的數值孔徑在本領域中是公知的。這裡所使用的該術語"浸沒"並不意味著結構(例如襯底)必須浸在液體200680045796.6說明書第5/14頁中，而僅僅意味著在曝光過程中，液體位於投影系統和襯底之間。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源為準分子雷射器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成光刻設備的組成部分，並且通過包括例如合適的引導反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時的所述束傳遞系統一起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括用於調整所述輻射束的角強度分布的調整器。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向範圍(一般分別稱為^-外部和cT-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器和聚光器。可以將所述照射器用於調節所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模MA)上，並且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。己經穿過圖案形成裝置MA之後，所述輻射束B通過投影系統PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位器PW和位置傳感器IF2(例如，幹涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同目標部分C定位於所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之後，或在掃描期間，可以將所述第一定位器PM和另一個位置傳感器IF1用於將掩模MA相對於所述輻射束B的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位器PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現掩模臺MT的移動。類似地，可以採用形成所述第二定位器PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用掩模對齊標記M1、M2和襯底對齊標記P1、P2來對齊掩模MA和襯底W。儘管所示的襯底對齊標記佔據了專用目標部分，但是他們可以位於目標部分之間的空隙(這些公知為劃線對齊標記)上。類似地，在將多於一個的管芯設置在掩模MA上的情況下，所述掩模對齊標記可以位於所述管芯之間。可以將所述設備用於以下模式的至少一種1.在步進模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上的同時，將掩模臺MT和所述襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態曝光)。然後將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描(即，單一的動態曝光)。襯底臺WT相對於掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統PS的(縮小)放大率和圖像反轉特徵來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態曝光中的所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用於保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止狀態，並且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對所述襯底臺WT進行移動或掃描。在這種模式中，通常採用脈衝輻射源，並且在所述襯底臺WT的每一次移動之後、或在掃描期間的連續輻射脈衝之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易於應用於利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以採用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2示出根據本發明的用於輻射系統1的基本配置。在圖2中，虛線表示來自EUV源3的EUV輻射2，所述EUV源3典型地為雷射誘導等離子體源或放電等離子體源(例如錫、鋰或氙源)，然而，其他的源也是可能的。箔片阱用作汙染物阻擋件4，所述汙染物阻擋件4用於俘獲來自輻射源3的汙染物材料。為此，汙染物阻擋件4設置有多個緊密排布的箔片板5,典型地所述箔片板5以0.3-5mm(通常在lmm左右)的間距設置，而箔片板5形成具有大致為矩形的形狀並依據如圖3所示的圓柱形狀進行安裝。汙染物阻擋件4可相對於源3轉動，並包圍源3。在所示的實施例中，所述汙染物阻擋件是可轉動的，然而，不可轉動的變體在包括合適的裝置(諸如用於在所述箔片內俘獲碎屑的緩衝氣體或電磁場等)時是可行的。而且，源3可以是可轉動的。進而，有利地，源3處於通過所述多個箔片板5所延伸的平面的相交位置中，所述源3限定所述汙染物阻擋件的光學中心，所述光學中心在圖2所示的實施例中與所述汙染物阻擋件4的中心軸線相符。在所述中心中，對於類似EUV源的理想點，輻射通過基本平行的箔片，而且所述輻射的屏蔽最小並僅在相應地保持最小的箔片板厚度上(不包括機械完整性)發生。典型值可能為大約100微米，所述典型值可能導致大約10%的屏蔽。進而，圖2示出根據本發明的實施例的汙染物阻擋件4有利地包括屏蔽件6，屏蔽件6使所述汙染物阻擋件4免受所述EUV源3的影響，並部分地包圍所述EUV源3。在圖2中，屏蔽件6是圓柱形狀的，並部分包圍源3。通過屏蔽件6限定45。角的孔7，在汙染物阻擋件4上的所估計的熱輻射熱載荷可以被減小30%，這可能導致汙染物阻擋件4的溫度的很大的下降。通常，孔7的尺寸將在優化光輸出和最小化熱載荷之間權衡選擇，其中典型的值將在30°至60°之間變化。進而，屏蔽件6被表示為可吸收EUV輻射，這如圖4所示，導致屏蔽件6的很大的熱載荷。然而，包括反射屏蔽件等其他形式也是可能的，這可能成形以優化輻射系統l的輻射量。圖3示出如圖2所示的輻射系統1的側視圖。在此，示出基本為圓柱形的汙染物阻擋件4，所述汙染物阻擋件4以可轉動的方式沿著圓柱軸線安裝在轉軸8上，其具有良好的可製造性。箔片板5位於相對的固定架9、10之間。在所示的實施例中，下固定架9是環狀的，這允許所述系統的底側是開放的。相應地，源3可以通過將電極(未示出)經由環狀固定架9提供給所述源而從下方容易地安裝和操作。上固定架10是盤狀的，並被安裝到轉軸8上，所述轉軸8通過合適的驅動裝置(未示出)被操作。徑向狹縫可以被設置用於將箔片5安裝到固定架9、IO上(未示出)。箔片5的尺寸典型為20X200mm，且所述盤具有大約200-300mm的直徑，然而，在必要時其他尺寸也是可以的。優選地，箔片板5的高度(對應於長度尺寸)被選擇用於優化朝向採集器光學裝置(未示出)的光輻射量，其中所述採集器光學裝置位於輻射系統的前面，用於將EUV輻射從所述輻射系統1會聚到另外的下遊的EUV光學裝置，尤其是到如圖l所示的光刻設備的投影光學裝置。這種採集器元件可能包括與入射反射表面相切形成的殼。替代地，其可能為多層正入射類型。在所示的實施例中，由汙染物阻擋件4的圓柱形狀產生小的不對稱度。這表明對於碎屑和對於EUV光的阻擋路徑可以隨著仰角而變化。更加球對稱的形狀可以由汙染物阻擋件4提供，其中箔片5形成具有弧形的形狀，並根據球形安裝。然而，出於考慮可製造性的原因，所述圓柱形狀是優選的。在所述方面，機械連接可以被設置在相對的固定架9、IO之間(對於在其間連接的箔片5而言是多餘的)，以提供汙染物阻擋件4的穩定的、一致的旋轉運動。這種連接可以為輻條形式(未示出)，這可能造成EUV輻射量的小損失。在所示的實施例中，環狀固定架9是自由懸掛的。然而，也可能被安裝到獨立的轉軸上，以增加機械穩定性。圖4示意性地示出屏蔽件6的優選設計的側向剖視圖。在如圖2和圖3所示的實施例中，來自源3的輻射的實質部分入射到屏蔽件6上，所述屏蔽件6相應地吸收源3的很大部分的輻射能量。空間角的典型值可以為大約2兀。這可能導致屏蔽件6的高溫，從而可能造成被吸收的EUV能量的再次熱輻射。為了抑制這些效應，需要降低屏蔽件6的溫度。相應地，在一方面，如圖4所示，本發明提出為屏蔽件6提供填充有合適的冷卻劑12的冷卻導管11。冷卻劑12(尤其是水(熱容量為大約4200J/kg.K))具有比所述屏蔽件的材料高得多的熱容量，所述屏蔽件的材料可能例如是鉬(熱容量大約是250J/kg.K)，所述冷卻劑12可以將熱傳輸離開所述屏蔽件。對於18kW的源輔射，大約9.55kW的功率可以被所述屏蔽件吸收。例如，對於這種方案，體積流量為大約13.6升/分的水可能在允許水從大約1(TC被加熱到大約2(TC的同時提供冷卻。在所示的實施例中，冷卻導管11由包含在屏蔽件6中的雙層壁結構形成。圖5示出本發明的另一個有利的實施例的橫向剖視圖。在該實施例中，外殼13被設置成與屏蔽件6相對地、部分地包圍汙染物阻擋件4。通過箔片5的轉動，箔片5用作在屏蔽件6和外殼13之間運動的抽吸葉片。通過將外殼13連接到泵14，相應地，顆粒可以被抽吸離開在箔片5之間形成的空間15。以這種方式，可以提供增強的顆粒排放，由此改善在輻射系統l和其他下遊的光學裝置(未示出)中的壓力環境。尤其，所述實施例考慮靠近源3的抽吸，由此改善所述源的工作壓力，這通常從低的真空壓力受益。通過示例，對於如參照圖3所進行的上述描述中的箔片5的尺寸，對於汙染物阻擋件4的50Hz的轉動頻率，抽吸容量可以被設置為大約1381/s。對於在0.5Pa的源條件下的所需的氣體壓力，每單位時間所抽吸的氣體量是大約41.4scc/m，這是將由泵14所抽離的氣體量。如圖5所示的抽吸實施例的典型應用是在孔7的附近提供緩衝氣體16。相應地，緩衝氣體出口17被設置在很接近孔7處，尤其是在由如箭頭P所表示的箔片5的旋轉運動所限定的孔7的上遊側上。所述出口優選地填充在箔片5之間的空間15。所述緩衝氣體具有足夠高的壓力，所述壓力足以在一定程度上抑制逃逸顆粒，尤其是離子狀的顆粒或氣體顆粒，然而，太高的壓力對於操作源是不利的。典型的壓力對於緩衝氣體16可能是大約0.5Pa。而且，淨化氣體18可以被設置在所述外殼13中，用於淨化箔片5。為提供淨化氣體18，淨化氣體噴射器19可能被設置在孔7的下遊側處的屏蔽件6的後面，並且由箭頭P表示的箔片5的旋轉運動所限定。典型的淨化氣體18可以包括氫基或氖基，例如在大約10mbar壓力下。通過所述布置，所述箔片可以在與源3屏蔽時由淨化氣體18以大約200納米/小時的清潔速率清潔。其他適合於清潔所述箔片的淨化氣體包括滷族氣體。儘管所述淨化氣體應用已經針對根據本發明的包圍源3的圖5所示的汙染物阻擋件4而被表示，但是這個概念也可以應用於提供投影輻射束的輻射系統，所述輻射系統包括極紫外輻射源，所述極紫外輻射源用於提供極紫外輻射；汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件包括多個緊密排布的箔片板，用於俘獲來自所述輻射源的汙染物材料；其中屏蔽件設置用於部分地屏蔽所述汙染物阻擋件免受所述極紫外輻射源的影響；且其中淨化氣體噴射器被設置在當不被暴露在所述極紫外輻射源下時用於清潔所述汙染物阻擋件的屏蔽件的後面。相應地，氫基例如可以通過普通的技術人員所公知的方法由熱絲生成，所述氫基可以在箔片被與源3屏蔽時被插入所述箔片之間的空間15中。隨後，在箔片被暴露於EUV源3之前，淨化氣體18和反應產物(對於錫源，這可能典型地為氫化錫氣體)由泵14抽離。對於以6KHz的頻率工作和在4兀中每個脈衝沉積10"5個原子的源3，所估計的錫沉積是大約91納米/小時，這顯然低於所估計的200納米/小時的最大清潔速率。相應地，可以在應用的同時提供汙染物阻擋件4的在線清潔，或至少很大程度上防止在所述汙染物阻擋件上汙染物層的生長。圖6示出本發明的另一個實施例。在最壞的情況下，在孔區域7(見圖5)內被捕捉到的碎屑顆粒20可以在所述區域7內通過作用在顆粒20上的離心力而被釋放，並因此可能汙染下遊的光學裝置。在該實施例中，箔片阱4轉動得足夠快，以沿著遠離由孔7所限定的光軸的方向釋放所捕捉到的顆粒20。根據一個方面，箔片板5在優選的範圍內為命運轉輪形箔片阱4的半徑確定尺寸2.51<(rmax/r0)<6.0，針對在90度到270度之間範圍內的碎屑顆粒20的拾取和剝離之間所需的最小旋轉角。在此，Rmax是在剝離時的碎屑顆粒的最大徑向距離，其中rO是最小的徑向距離。在所述範圍中，假定的所述顆粒的初始徑向速度被假設為零，且歸一化的摩擦常數被假設為大約l。這種歸一化摩擦常數被定義為摩擦常數C(表達在摩擦力和平面速度之間的線性度)和係數2x(碎屑顆粒質量)x(角速度)之比。所述歸一化摩擦常數典型地小於l。當(歸一化)摩擦常數小得多時，在Rmax和RO之間的比率將增加。對於與以上所描繪的相同的情況，所述範圍然後將優選為2.51<(Rmax/R0)<55,7。據此，計算將遵循與參照圖3的實施例所描述的尺寸相對應的所述箔片板的優選寬度尺寸相應地被設定為大於最小尺寸，尤其大於2cm(例如參照圖3的實施例所述)，所述最小尺寸遵循可俘獲的碎屑的速度的評估計算。箔片板的寬度尺寸將最小限度地對應於Rmax和RO之差。相應地，箔片板5優選地具有擴展的(大於阻止衝擊液滴所需的)最大直徑。所述分析表明在液滴被朝向採集光學裝置擦除之前，增加半徑導致旋轉角增加。這種效果是有益的，這是因為如果設計正確，則可以避免液滴被朝向所述採集光學裝置擦除。對於具有孔徑角的孔，所述旋轉角優選大於所述孔徑角的一半。除去關於所述箔片板的擴展寬度的前面所建議的增強之外，或替代所述增強，所述箔片板的結構可以被修改以提高在箔片板5的表面區域上移動的碎屑顆粒20的摩擦力。這可以通過提供比常規箔片板更大的表面粗糙度來實現，例如優選超過所述常規的粗糙度兩倍的粗糙度。而且，合適的材料可以為增加的表面相互作用所選擇。尤其對於錫碎屑顆粒20，這些材料可能選自下表，其中優選的材料以交叉號表示。通常，這些材料的特徵在於其表面能低於鉬的表面能，所述鉬的表面能為3352dyne/cm。合適的材料在下表中以交叉號表示tableseeoriginaldocumentpage15表l適用於增加錫碎屑的摩擦力的材料圖7示出本發明的可選的實施例，其中所述下遊採集光學裝置，尤其是採集器21，與箔片阱4間隔開。採集器的這種間隔提供附加的自由度，其中所收集到的碎屑顆粒20被允許沿著遠離所述光軸的方向朝向碎屑採集器22被剝離，以使得較小的旋轉角由採集器21的較大的距離來補償。例如，對於2x45度的孔收集角、10cm的箔片阱直徑和80度的偏轉角(定義為箔片板5的平面方向和出射速度方向之間的角度)，在對稱軸和碎屑顆粒的方向之間的角度將被給定為y=(90°-oc)+(3-90°={3-oc=35。。採集器開口o由tana二0.5o/d給定。在此，距離d可以計算如下0.5o+F0.5^+0.1tan(35J=-=-0.7"0.5"0.1因此，採用所述配置，在箔片阱4和採集器21之間的距離在最小限度上應當至少為0.5m。圖8示出在作為所需的旋轉角的函數的歸一化半徑與歸一化摩擦常數Q之間的關係，其中歸一化摩擦常數Q的範圍在O和1之間。從圖8中可知，在無摩擦的情況下(Q&0)，在90到270度之間的旋轉角需要滿足2.5KRmax/R(K55.7的歸一化半徑，在歸一化摩擦係數Q-1時滿足1.64<Rmax/R0<6.0。增加與角速度很接近的初始速度，則歸一化半徑的下限應當更高，尤其高於4.81。最後，圖9示出偏轉角、旋轉角和歸一化半徑之間的關係。尤其可以看出，所述偏轉角僅僅依賴於所述歸一化半徑，而不依賴於箔片阱4的角速度。另外，可以看出，對於顆粒20的初始速度為零的情況，所述偏轉角總是大於45度。圖9也示出顆粒20的旋轉角也不依賴於角速度，並隨著歸一化半徑的增加而單調增加。在實際中，假定最大孔徑角(收集角)為45度，則需要所述旋轉角大於90度且小於270度，這與滿足2.51<Rmax/R0<55.7的歸一化半徑的上述範圍相對應，結果不依賴於箔片阱4的角速度/旋轉頻率。例如，如果對於箔片阱4，3cm的箔片阱寬度將被考慮足以阻止所有的顆粒，所述箔片阱4以10cm的半徑轉動。rO將大於10+3=13cm。假定16顆粒20不被朝向下遊的光學裝置(尤其是採集器21)檫除，則所述箔片阱的外半徑的良好的選擇將是Rmax〉32.6。對於101度的角度，這將相當於39cm的Rmax，這意味著箔片板的寬度(沿徑向所見)為39-10=29cm。儘管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設備用於製造IC，但應當理解這裡所述的光刻設備可以有其他的應用，例如，集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器、薄膜磁頭的製造等。對於普通的技術人員，應該理解的是，在這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術語"晶片"或"管芯"分別認為是與更上位的術語"襯底"或"目標部分"同義。這裡所指的襯底可以在曝光之前或之後進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層塗到襯底上，並且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內容應用於這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層IC，使得這裡使用的所述術語"襯底"也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。儘管以上已經做出了具體的參考，在光學光刻的情況中使用本發明的實施例，但應該理解的是，本發明可以用於其他應用中，例如壓印光刻，並且只要情況允許，不局限於光學光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓撲限定了在襯底上產生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓撲印刷到提供給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之後，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，並在抗蝕劑中留下圖案。這裡使用的術語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm範圍內的波長)，以及顆粒束，例如離子束或電子束。在上下文允許的情況下，所述術語"透鏡"可以表示各種類型的光學部件中的任何一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學部件。儘管以上己經描述了本發明的特定的實施例，但是應該理解的是本發明可以以與上述不同的形式實現。例如，本發明可以採取包含用於描述上述公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的電腦程式的形式，或者採取具有在其中存儲的這種電腦程式的數據存儲介質的形式(例如，半導體存儲器、磁碟或光碟)。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領域的技術人員應當理解，在不背離所附的權利要求的保護範圍的條件下，可以對本發明進行修改。權利要求1.一種用於提供投影輻射束的輻射系統，所述輻射系統包括極紫外輻射源，所述極紫外輻射源用於提供極紫外輻射；以及汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件包括多個緊密排布的箔片板，用於俘獲來自所述輻射源的汙染物材料，所述汙染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源。2.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述汙染物阻擋件是能夠相對於所述源轉動的。3.根據權利要求2所述的輻射系統，還包括用於使所述極紫外輻射源免受所述汙染物阻擋件影響的屏蔽件，所述屏蔽件部分地包圍所述極紫外輻射源。4.根據權利要求3所述的輻射系統，其中所述屏蔽件設置有被包含在所述屏蔽件中的冷卻導管。5.根據權利要求3所述的輻射系統，還包括淨化氣體出口，所述淨化氣體出口用於將淨化氣體提供到由所述箔片板所限定的空間中，通過所述屏蔽件使所述淨化氣體出口與所述源之間屏蔽。6.根據權利要求5所述的輻射系統，其中所述淨化氣體選自由氫基、氘基和滷族氣體構成的組。7.根據權利要求2所述的輻射系統，還包括外殼，所述外殼部分地包圍所述汙染物阻擋件，並包括用於連接到泵的連接器，所述阻擋件能夠在所述外殼中轉動。8.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述源位於通過所述多個箔片板的延伸平面的相交位置上。9.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述源位於所述汙染物阻擋件的中心軸線上。10.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述箔片板形成具有基本為矩形的形狀，並根據圓柱形狀被安裝。11.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述箔片板形成具有弧形的形狀，並根據球形被安裝。12.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述箔片板位於相對的固定件之間，至少一個所述固定件是環形形狀的。13.根據權利要求l所述的輻射系統，還包括緩衝氣體出口，所述緩衝氣體出口用於提供在所述箔片板之間的緩衝氣體。14.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述極紫外輻射源是雷射誘導等離子體源或放電等離子體源。15.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述極紫外輻射源包括錫、鋰或氤。16.根據權利要求l所述的輻射系統，其中所述箔片板的尺寸在以下的優選範圍內2.51<(Rmax/rO)<55.7針對在卯和270度之間的範圍內的、碎屑顆粒20的拾取和剝離之間的所需的最小旋轉角；其中Rmax是在剝離時的碎屑顆粒的最大徑向距離，而rO是所述顆粒的最小徑向距離。17.根據權利要求16所述的輻射系統，其中所述箔片板的尺寸在以下的優選範圍內2.51<(Rmax/rO)<6.0針對在0.8到1.0的範圍內的歸一化摩擦常數。18.根據權利要求l所述的輻射系統，其中，對於錫源，所述箔片板由表面能低於3352dyne/cm的材料製成。19.根據權利要求18所述的輻射系統，其中所述材料選自由銀、鋁、金、鉻、銅、鐵、鎳和鉑構成的組中。20.—種光刻設備，所述光刻設備包括用於提供輻射束的輻射系統，所述輻射系統包括極紫外輻射源，所述極紫外輻射源用於提供極紫外輻射；以及汙染物阻擋件，所述汙染物阻擋件包括多個緊密排布的箔片板，用於捕獲來自所述輻射源的汙染物材料，所述汙染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源，圖案形成裝置，所述圖案形成裝置用於圖案化所述輻射束；以及投影系統，所述投影系統用於將圖案化的輻射束投影到襯底上。21.根據權利要求20所述的光刻設備，其中所述汙染物阻擋件能夠相對於所述源轉動。22.根據權利要求21所述的光刻設備，其中所述輻射系統還包括用於使所述極紫外輻射源免受所述汙染物阻擋件影響的屏蔽件，所述屏蔽件部分地包圍所述極紫外輻射源。23.根據權利要求22所述的光刻設備，其中所述屏蔽件設置有被包含在所述屏蔽件中的冷卻導管。24.根據權利要求22所述的光刻設備，其中所述輻射系統還包括淨化氣體出口，所述淨化氣體出口用於將淨化氣體提供到由所述箔片板所限定的空間中，通過所述屏蔽件使所述淨化氣體出口與所述源之間屏蔽。全文摘要公開了一種用於提供投影輻射束的輻射系統。所述輻射系統包括極紫外源(3)，所述極紫外源(3)用於提供極紫外輻射(2)；以及汙染物阻擋件(4)，所述汙染物阻擋件(4)包括多個緊密排布的箔片板(5)，所述箔片板(5)用於俘獲來自輻射源的汙染物材料。所述汙染物阻擋件包圍極紫外輻射源。文檔編號G03F7/20GK101322078SQ200680045796公開日2008年12月10日申請日期2006年12月5日優先權日2005年12月6日發明者德爾克·簡·威爾弗雷德·克朗德爾,馬丁·瑪瑞納斯·約翰內斯·威爾赫爾姆斯·范荷彭申請人:Asml荷蘭有限公司