半導體裝置用清洗劑和半導體裝置的製造方法
2023-04-27 04:44:31
專利名稱：半導體裝置用清洗劑和半導體裝置的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種截先劑，更確切地說，涉及對進行了幹刻蝕處理的半導體襯底進行清洗的清洗劑。本發明涉及包括使用這種清洗劑對結束於刻蝕處理的半導體襯底進行清洗的工序的半導體裝置的製造方法。
在半導體集成電路中，為了獲得器件的高速化、高性能化、而大力推廣圖形微細化。不僅僅是對器件性能產生影響的電晶體部分，即使在電容器和多層布線工序中也謀求微細化。
為了通過將抗蝕劑用於掩蔽的幹刻蝕形成微細圖形，必須使抗蝕劑圖形微細化和要求各向異性更高的幹刻蝕。結果，在用於去除幹刻蝕中使用的抗蝕劑灰化之後，在微細圖形上附著的抗蝕劑殘渣物變多，使用以前的清洗液難以除去。
通過圖形的微細化，即使對於器件合格率影響很大的粒子，其對象粒徑也變小，但必須去除更細小的粒子。
當前在去除抗蝕劑殘渣物和去除粒子中，廣泛使用氨和過氧化氫水的混合液(以下稱APM)。APM是鹼性清洗液，對於矽氧化物等器件材料進行輕微刻蝕，具有去除抗蝕劑殘渣物和粒子的效果。在鹼性水溶液中，矽襯底和粒子由於都帶負電，所以粒子難以附著在襯底上，這在各學會等文獻中有所報導，我們認為這種現象就是說明APM具有高清洗效果的理由。
在0．15μm以下設計規格的器件中，在柵電極和位線等的布線中，使用了低電阻材料的鎢或鎢合金等金屬材料。鎢和氮化鎢等的合金具有利用與APM中所含的過氧化氫水發生的反應而溶解的性質。因此，在這些材料曝露時，不能使用APM。為了避免這種情況，在採用不含過氧化氫水的氨和水的混合液(稀釋氨水)作為清洗液時，雖然可抑制鎢的溶解，但是，半導體襯底的矽、布線材料或電容器的電極材料中所用的多晶矽或非晶矽等矽材料，都會因與氨反應而溶解。
除了上述氨水之外，作為鹼性清洗液，雖然有氫氧化四甲基銨(TMAH)的水溶液(一般用作顯影液)和含有有機胺的水溶性有機溶劑等，但哪一種都溶解矽，而且清洗性能差。
因此，現狀是，在鎢和氮化鎢等的合金和矽同時處於曝露狀態下，還沒有去除抗蝕劑殘渣物和粒子的適宜清洗液。
以下就具有鎢和矽同時曝露的工序的、過去半導體裝置製造方法中的幾點問題作一講述。
圖2是使用以往的清洗劑形成的半導體裝置的剖視圖。在半導體襯底1的主表面上設有分隔絕緣各元件區域的分隔絕緣膜2。在半導體襯底1上，通過柵絕緣膜3形成由多晶矽4和鎢(或鎢合金)5構成層疊狀的柵電極6。在半導體襯底1上設有層間絕緣膜7，復蓋住柵電極6。在層間絕緣膜7中形成露出半導體襯底1表面的接觸孔7a和到達柵電極6表面上的接觸孔7b，在各接觸孔7a、7b中埋入由鎢形成的埋入導電層8。在層間絕緣膜7上設有由鎢或鎢合金形成的位線9，與埋入導電層8連接。在層間絕緣膜7上設有層間絕緣膜10和11，復蓋住位線9。形成露出半導體襯底1表面的接觸孔12a，貫通層間絕緣膜11、10、7。設置由鎢形成的埋入導電層12，覆蓋在接觸孔12a的側壁面和底面上。另外，這種埋入導電層12，本應該完全埋入在接觸孔12a中，但是，採用過去的技術，是不可能做到完全埋入的。
在層間絕緣膜11上設置由鋁或鋁合金形成的鋁布線層13，與埋入導電層12連接。圖2所示的以往的半導體裝置，由經圖3～
圖15所示的工序形成。
以下就圖2所示以往的半導體裝置製造方法中的幾點問題進行說明。
第1個問題在以往的半導體裝置中，作為電極材料，使用的是鎢或鎢合金，用這種材料製成的柵電極，一般叫作金屬柵，另外，作為更早的電極材料，使用的是矽化鎢(WSi)。
參照圖3，在半導體襯底1上形成隔離絕緣膜2，接著，對半導體襯底1的表面進行氧化，形成柵絕緣膜3，在柵絕緣膜3上依次形成電極材料的多晶矽膜4和鎢膜5，再在其上形成抗蝕劑圖形14。
參照圖4，將抗蝕劑圖形14作為掩模，對鎢膜5和多晶矽膜4進行反應性離子刻蝕(幹刻蝕)，形成柵電極6。
參照圖4和圖5，通過含氧氣體的等離子體處理(叫作灰化)，以去除抗蝕劑圖形14。這時，在柵電極6的側壁上附著向上延伸的抗蝕劑殘渣15。
參照圖5和圖6，通過用清洗劑進行處理，可去除抗蝕劑殘渣15。作為清洗劑，可使用氨和水的混合液(稀釋氨水)。在稀釋氨水中，雖然鎢的溶解性很小，但由於多晶矽與氨反應而溶解。因此，構成柵電極6的多晶矽膜4在橫向上受到刻蝕，使柵電極6的寬度變得窄。結果帶來的問題是造成電晶體的電性能惡化。在將APM用作清洗劑時，雖然對多晶矽膜4不產生刻蝕，但鎢膜5會進行急劇溶解。因此，作為現實問題，只能不使用APM。
另外，在該老技術中，雖然舉出了使用抗蝕劑掩模的幹刻蝕的情況，但是，即使將氮化矽膜用作掩模，也會產生同樣的問題。
第2個問題以下對具有鎢和矽同時曝露工序的以往的半導體裝置製造方法中的第2個問題進行說明。
參照圖7，在半導體襯底1上形成柵電極6，在其上形成層間絕緣膜7。再在層間絕緣膜7上形成抗蝕劑圖形14。
參照圖8，將抗蝕劑圖形14作掩模，使層間絕緣膜7進行反應性離子刻蝕(幹刻蝕)，在層間絕緣膜7中形成接觸孔16。
參照圖8和圖9，通過含氧氣體的等離子體處理，除去抗蝕劑圖形14。這時，如圖所示向上延伸的抗蝕劑殘渣15附著在接觸孔16的側壁上。
參照圖9和圖10，利用清洗劑處理去除抗蝕劑殘渣15。清洗劑是稀釋氨水。當使用這種清洗劑時，雖然鎢膜5的溶解性很小，但是，半導體襯底1的矽在各個方向上受到刻蝕，在接觸孔16的底上形成凹陷17。當形成這種凹陷17時，參照圖2，導致埋入導電層8不能完全埋入在接觸孔16內，在位線9和柵電極6之間發生斷路，在半導體襯底1和位線9之間也發生斷路。而且即使不產生斷路，也會發生電阻上升的問題。將APM用作清洗劑時，雖然半導體襯底1不發生刻蝕，但鎢膜5卻急劇溶解。因此，現實中無法使用APM。
在這種老技術中，雖然舉出使用抗蝕劑掩模進行幹刻蝕的情況，但是，即使使用氮化矽膜作掩模，也會產生同樣的問題。
第3個問題以下講述現有技術中的第3個問題。
參照圖11，在半導體襯底1上依次形成柵電極6，埋入導電層8和位線9。再在其上形成層間絕緣膜10、11。在層間絕緣膜11上形成抗蝕劑圖形14。
參照圖12，將抗蝕劑圖形14作掩模，通過反應性離子刻蝕(幹刻蝕)形成接觸孔18。
參照圖12和圖13，通過含氧氣體的等離子體處理，除去抗蝕劑圖形14，這時，在接觸孔18的側壁上附著著垂直向上延伸的抗蝕劑殘渣15。
參照圖13和圖14，通過用清洗劑處理，除去抗蝕劑殘渣15。
伴隨著半導體裝置的高集成化，微細化，為了襯底表面的平坦化，複合了不同種類的絕緣膜來使用。作為絕緣膜，有熱氧化矽膜、由CVD形成的氧化矽膜、含B和P的BPSG膜等。
本實例中，層間絕緣膜7、層間絕緣膜10和層間絕緣膜11分別採用不同的材料。例如，層間絕緣膜7用TEOS形成，層間絕緣膜10用BPSG形成，層間絕緣膜11用TEOS形成。在接觸孔的形成中，由於在此部分沒有鎢曝露，作為清洗劑可使用APM。APM對矽氧化膜具有溶解性，所以按照其種類不同，溶解量(刻蝕量)也不同。與構成層間絕緣膜7和層間絕緣膜11的TEOS膜相比，對於構成層間絕緣膜10的BPSG膜，APM的刻蝕量大。因此，如圖示，在接觸孔18的壁面上，層間絕緣膜10在橫向上刻蝕，在接觸孔18的側壁面上產生凹凸狀。
參照圖14和圖15，在這種狀態下，利用CVD法形成鎢膜，通過幹刻蝕的刻蝕，或化學機械研磨(CMP)，在接觸孔18內形成由鎢構成的埋入導電層12。這時，由於在接觸孔18的側壁上存在凹凸狀，鎢不能完全埋入在接觸孔18內，產生如圖所示的空洞，根據情況，導致中間產生斷路。
結果，參照圖2，其上形成的鋁布線層13和半導體襯底1不連接。或者，即使不產生斷路，仍會產生鋁布線層13和半導體襯底1之間電阻升高的問題。
在用APM的清洗中，存在的問題是，接觸孔18的直徑增大，根據情況，又會引起與在接觸孔側面配置的布線等發生短路的問題。
除了APM外，即使使用稀氨水，對去除抗蝕劑也有效果。然而，由於稀氨水刻蝕半導體襯底，所以不能用。
在本實例中，雖然對設想和半導體襯底的接觸做了說明，但，設想和柵電極、位線等其他部分的接觸，也會產生同樣的問題。
正如以上做的說明那樣，在以前的清洗劑和以前的半導體裝置製造方法中，存在溶解鎢或氮化鎢等合金或矽的問題。也存在對不同的氧化膜產生不同刻蝕量的問題。結果導致產生布線和埋入導電層的斷路，或電阻升高，半導體裝置特性惡化的問題。
所以，本發明的目的是提供一種改進的清洗劑，不使布線和埋入導電層產生斷路。
本發明的另一目的是提供一種改進的清洗劑，不會使布線和埋入層的電阻升高。
本發明的又一目的是提供一種改進的半導體裝置製造方法，不使布線和埋入層產生斷路。
本發明的再一個目的是提供一種改進的半導體裝置製造方法，不使布線和埋入層的電阻升高。
本發明的第1方面中的清洗劑含有氫氧化物、水、下述式(1)和／或式(2)表示的化合物。
HO-((EO)x-(PO)y)z-H (1)(EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基。x和y表示滿足x／(x+y)=0．05～0．4的整數。z表示正整數。)R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(2)(EO、PO、x、y、z的定義與式(1)中的定義相同。R表示醇或胺的、除去了氫氧基或氨基的氫原子的殘基、m表示1以上的整數)。
所謂氧乙烯基，以-CH2-CH2-O-表示、所謂氧丙烯基，以-CH(CH3)-CH2-O-或-CH2-CH(CH3)-O-表示。
x／(x+y)的值低於0．05時，配製清洗液時的溶解性不好，而大於0．4時，液體的消泡性不好。
在式(1)和式(2)中以((EO)x-(PO)Y)Z表示的部分可以是嵌段共聚物、或是無規共聚物、或者是帶嵌段性的無規共聚物，這些中最好的是嵌段共聚物。
作為構成上述R的醇類，例如有2乙基已醇、月桂醇、鯨蠟醇、油醇、硬脂醯醇、十三基醇、油醇、牛脂醇、和棕櫚油醇等1價醇和、乙二醇、丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、2，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2-甲基-1，2-丙二醇、2-甲基-1，3-丙二醇、甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、季戊四醇、山梨糖醇、等多價醇。作為胺類，有甲二胺、乙二胺、丙二胺等。
使用本發明的第1方面中的清洗劑，鎢或氮化鎢等合金、矽、和絕緣膜幾乎都不溶解，而且，不同絕緣膜的刻蝕量也一樣。結果獲得柵電極寬度不變窄等效果。
本發明的第2方面中的清洗劑中，上述氫氧化物是氨氧化銨。
根據本發明，作為氫氧化物，由於使用了氫氧化銨，所以溶液中的雜質很少，在半導體襯底表面上不會殘留雜質。
本發明的第3方面中的清洗劑中，上述氫氧化物可從氫氧化四甲胺、鉀的氫氧化物和鈉的氫氧化物中選擇。
本發明的第4方面中的清洗劑，上述清洗劑中所含氫氧化物的濃度，較好為0．01～31重量％，更好為0．1～3重量％，關於氫氧化物的濃度，若使用過低濃度得不到理想的清洗效果，濃度過高，對矽的刻蝕量很大，因此，最好為0．01～31重量％。
本發明的第5方面中的清洗劑中，以上述式(1)、和／或(2)中表示的化合物中的氧丙烯基總計量的平均分子量為500～5000。
平均分子量過小時，清洗效果不充分，另一方面，平均分子量過大時，調整時的溶解性不理想。
本發明的第6方面中的清洗劑中，以上述式(1)和／或(2)表示的化合物與上述氫氧化物的重量比為(0．3×104～1)∶1。
聚合物的比率過小時，對矽的刻蝕量增大，另一方面，聚合物的比率過大時，消泡性不充分。
本發明的第7方面中的清洗劑中，上述清洗劑的pH在8以上。
本發明的第8方面中的清洗劑中，還含1重量％以下的過氧化氫。
過氧化氫的含量過多時，對鎢的刻蝕量增大，若過氧化氫的含量在1重量％以下，則鎢的刻蝕量可降低到沒有問題的水平，而且，通過混合過氧化氫，可獲得進一步降低矽刻蝕量的效果。
在本發明的第9方面中的半導體裝置的製造方法中，首先準備結束了幹刻蝕處理的半導體襯底。對上述半導體襯底的表面，用含有氫氧化物、水和以下述式(1)和／或(2)表示的化合物的清洗劑進行清洗。HO-(EO)x-(PO)y)z-H(1)(EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基。x和y表示滿足x／(x+y)=0．05～0．4的整數。z表示正整數。)R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(2)(EO、PO、x、y、 z的定義與式(1)中的定義相同。R表示醇或胺的除去了羥基或氨基的氫原子的殘基、m表示1以上的整數)。
使用以前的清洗劑，構成柵電極的多晶矽膜在橫向上受到刻蝕，引起柵電極的寬度變窄，以及電晶體的電特性惡化這樣的問題。通過使用上述清洗劑，由於多晶矽膜不受刻蝕，所以柵電極的寬度也不會變窄。
在本發明的第10方面中的半導體裝置的製造方法中，上述第1工序包括方面進行上述幹刻蝕的工序和對上述抗蝕劑圖形進行灰化去除的工序。
根據本發明，附著在微細圖形上的抗蝕劑殘渣物可得到有效地去除。
在本發明的第11方面中的半導體裝置的製造方法中，上述第1工序包括利用上述幹刻蝕使上述半導體襯底上露出含鎢的金屬膜和／或矽材料的工序。
根據本發明，在鎢或氮化鎢等合金與矽同時曝露的狀態下，可有效地去除抗蝕劑殘渣物和粒子。
在本發明的第12方面中的半導體裝置的製造方法中，上述第1工序包括通過在上述半導體襯底上使用抗蝕劑圖形的上述幹刻蝕形成含多晶矽和鎢的布線圖形的工序和去除上述抗蝕劑圖形的工序。
根據本發明，構成柵電極的多晶矽膜在橫向上不會受刻蝕。因此，柵電極的寬度不會變窄。
在本發明的第13方面中的半導體裝置的製造方法中，上述第1工序包括在上述半導體襯底上形成含鎢布線圖形的工序、在上述布線圖形上形成絕緣膜的工序、在上述絕緣膜上通過使用抗蝕劑圖形的上述幹刻蝕形成接觸孔的工序和去除上述抗蝕劑圖形的工序。
根據本發明，在接觸孔的底部沒有形成凹陷。因此，能在接觸孔內完全地埋入埋入導電層。
在本發明的第14方面中的半導體裝置的製造方法中，上述第1工序包括在上述半導體襯底上至少形成2種氧化矽類絕緣膜的工序和對上述2種氧化矽類絕緣膜進行幹刻蝕的工序。
根據本發明，在接觸孔的側壁面上不形成凹凸狀。因此，鎢等完全埋入接觸孔內。
在本發明的第15方面中的半導體裝置製造方法中，上述清洗是將上述清洗劑的液溫度設定在20～65℃，把上述半導體襯底放入上述清洗劑中進行浸漬來進行的。
液溫度低於20℃時，去除抗蝕劑殘渣的能力降低，在65℃以上時，對矽和絕緣膜的溶解性增大，因此，最好在液溫度為20～65℃的範圍內進行浸漬。
在本發明的第16方面中的半導體裝置的製造方法中，上述清洗是將上述清洗劑的液溫度設定在20～65℃，通過將上述清洗劑噴淋到上述半導體襯底上來進行清洗的。
當液溫度低於20℃時，去除抗蝕劑殘渣的能力降低，在65℃以上時，由於對矽和絕緣膜的溶解性增大，所以進行噴淋清洗法時，液溫度最好為20～65℃。
在本發明的第17方面中的半導體裝置的製造方法中，將超聲波入射到上述半導體襯底上來進行上述清洗。
在以去除粒子等為目的時，當清洗處理中含並使用超聲波等物理清洗時，可進一步提高清洗效果。
圖1是利用本發明的實施形態的清洗劑製造的半導體裝置的剖視圖。
圖2是利用以往的製造方法形成的半導體裝置的剖視圖。
圖3是在以往的半導體裝置的製造方法中的第1工序中的半導體裝置剖視圖。
圖4是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第2工序中的半導體裝置剖視圖。
圖5是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第3工序中的半導體裝置剖視圖。
圖6是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第4工序中的半導體裝置剖視圖。
圖7是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第5工序中的半導體裝置剖視圖。
圖8是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第6工序中的半導體裝置剖視圖。
圖9是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第7工序中的半導體裝置剖視圖。
圖10是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第8工序中的半導體裝置剖視圖。
圖11是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第9工序中的半導體裝置剖視圖。
圖12是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第10工序中的半導體裝置剖視圖。
圖13是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第11工序中的半導體裝置剖視圖。
圖14是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第12工序中的半導體裝置剖視圖。
圖15是在以往的半導體裝置的製造方法的順序的第13工序中的半導體裝置剖視圖。
以下根據附圖對本發明實施形態進行說明。
圖1是利用本發明實施形態的清洗劑製造的半導體裝置的剖視圖。除以下幾點，由於與在以往的製造方法中形成的圖2所示半導體裝置相同，所以對相同或相當部分付以相同的參照編號，不再重複說明。
本發明和技術的不同點，參照圖1，由於多晶矽膜4沒有刻蝕，所以柵電極的寬度不會變窄。
在接觸孔8的底部不會因刻蝕產生凹隔。
進而，在接觸孔12的側壁上不會產生凹凸，而且，埋入導電層12能完全埋入接觸孔12內。
以下根據本發明的實施例進一步詳細說明本發明，但本發明不受這些實施例限定。
實施例1，2，3和比較例1作為被清洗劑，在矽襯底上形成1000_的二氧化矽膜後，將形成2800_厚的多晶矽膜樣品用作試驗片。將該試驗片在恆溫浴中，保持45℃的表1記載的清洗劑中浸漬60分鐘，通過測定浸漬前後的多晶矽膜的厚度，研究清洗劑對多晶矽的刻蝕速度，結果示於表1。
表1
*アデカL31(旭電化工業株式會社制)一般式(1)中的x／(x+y)為0．1，氧丙烯基總量的平均分子量為950的化合物。
**アデカTR31(旭電化工業株式會社制)一般式(2)中的x／(x+y)為0．2，氧丙烯基總量的平均分子量為2500-3000，R是乙二胺的化合物。
***NFB2040(青木油脂工業株式會社制)一般式(2)中的x／(x+y)為0．35，氧丙烯基總量的平均分子量為850，R為2-乙基已醇的化合物。
在測定多晶矽膜厚度中，使用ナノメ ト リクス社制的ナノスペックAFT。
使用在實施例1，2，3中所示組成的清洗劑，可以抑制多晶矽膜的刻蝕。
實施例4在實施例4中對柵電極的形成過程中的本清洗劑的應用例進行敘述。
首先，經由和圖3、圖4中所示相同的工序，接著，參照圖5和圖6，用本發明中的清洗劑去除附著在柵電極6的上面和側面的抗蝕劑殘渣15。本清洗劑對鎢或氮化鎢等合金、矽、絕緣膜幾乎沒有溶解性，而且，不同絕緣膜的刻蝕量也相同。用以前的清洗劑，構成柵電極6的多晶矽膜4在橫向上被刻蝕，柵電極6的寬度變窄，而且引起電晶體電特性惡化的問題。然而，使用本清洗劑，參照圖1，由於多晶矽膜4不受刻蝕，所以柵電極的寬度也不變窄。
本清洗劑的氫氧化物是氫氧化銨、氫氧化四甲基銨、鉀的氫氧化物或鈉的氫氧化物中的任一種。當考慮到溶液中的雜質時，在半導體用途中，實際最適用的是氫氧化銨。
實施例5以下對形成與柵電極連接的接觸孔和與半導體襯底1連接的接觸孔的本發明的實施例進行說明。
首先，經由和圖7和圖8中所示現有的工序相同的工序。
在圖9的狀態中，利用實施例1中記載的本清洗劑的處理來去除附著在接觸孔16側面上的抗蝕劑殘渣15。由於本清洗劑對鎢或氮化鎢等合金和矽幾乎不溶解，故如圖10所示，不會產生用以往的清洗劑引起的在半導體襯底1上因刻蝕形成的凹隔。結果，參照圖1，通過埋入導電層8，能實現位線9與柵電極6及半導體體襯底1與位線9之間的正常連接，獲得穩定的電特性。
實施例6
本實施例涉及與半導體襯底連接的接觸孔的形成。
首先，經由和圖11和圖12中所示的現有工序相同的工序。
在圖13的狀態下，通過利用實施例1記載的本清洗劑進行處理來去除附著在接觸孔18上面和側面上的抗蝕劑殘渣15。由於本清洗劑對矽和絕緣膜幾乎沒有溶解性，如圖14所示，不會產生因用老清洗劑引起的因刻蝕引起的層間絕緣膜10的凹凸。結果，參照圖1，通過埋入導電層12，鋁布線層13與半導體襯底1之間正常地連接，獲得穩定的電特性。
使用現有的清洗劑，會使接觸孔18的整個直徑變寬，根據情況又會引起配置在接觸孔側面的布線等短路。而利用本清洗劑，由於絕緣膜的刻蝕量很小，所以能抑制接觸孔18整個孔徑的擴大。
現在公開的實施形態僅僅是示例性的，而不是限制性的。本發明的範圍不應僅限於上述所作的說明，而是應該包括權利要求示出的、在與權利要求範圍內均等的意義和範圍內的所有變更。
權利要求
1．一種半導體裝置用的清洗劑，特徵是含有氫氧化物、水和下述一般式(1)和／或一般式(2)表示的化合物。HO-((EO)x-(PO)y)z-H(1)(EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基。x和y表示滿足x／(x+y)=0．05～0．4的整數。z表示正整數。)R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(2)(EO、PO、x、y、z的定義與式(1)中的定義相同。R表示醇或胺的除去了氫氧基或氨基中的氫原子的殘基、m表示1以上的整數)。
2．根據權利要求1記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是上述氫氧化物包括氫氧化銨。
3．根據權利要求1記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是上述氫氧化物從氫氧化四甲基銨、鉀的氫氧化物和鈉的氫氧化物中選出。
4．根據權利要求1記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是上述清洗劑中所含上述氫氧化物濃度為0．01～31重量％。
5．根據權利要求1中記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是在式(1)或(2)表示的化合物中，氧丙烯基總量的平均分子量為500～5000。
6．根據權利要求1中記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是一般式(1)和／或式(2)表示的化合物與氫氧化物的重量比為(0．3×10-4～1)∶1。
7．根據權利要求1中記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是上述清洗劑的pH在8以上。
8．根據權利要求1記載的半導體裝置用清洗劑，特徵是還含有1重量％以下的過氧化氫。
9．一種半導體裝置的製造方法，特徵是包括準備結束了幹刻蝕處理的半導體襯底1的第1工序以及對上述半導體襯底1的表面用含有氫氧化物、水和下述一般式(1)和／或一般式(2)表示的化合物的清洗劑進行清洗的第2工序。HO-((EO)x-(PO)y)z-H(1)(EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基。x和y表示滿足x／(x+y)=0．05～0．4的整數。z表示正整數。)R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(2)(EO、PO、x、y、 z的定義與式(1)中的定義相同。R表示醇或胺的除去了氫氧基或氨基的氫原子的殘基、m表示1以上的整數)。
10．根據權利要求9中記載的半導體裝置製造方法，特徵是上述第1工序包括使用抗蝕劑圖形進行幹刻蝕的工序和對上述抗蝕劑圖形灰化去除的工序。
11．根據權利要求9中記載的半導體裝置製造方法，特徵是上述第1工序包括在上述半導體襯底1上通過上述幹刻蝕使含鎢的金屬膜5和／或矽材料曝露的工序。
12．根據權利要求9中記載的半導體裝置製造方法，特徵是上述第1工序包括在上述半導體襯底1上通過使用抗蝕劑圖形14的幹刻蝕形成含多晶矽和鎢的布線圖形6的工序和去除上述抗蝕劑圖形14的工序。
13．根據權利要求9中記載的半導體裝置製造方法，特徵是上述第1工序包括在上述半導體襯底1上形成含鎢的布線圖形6的工序、在上述布線圖形6上形成絕緣膜7的工序、在上述絕緣膜7中通過使用抗蝕劑圖形14的幹刻蝕形成接觸孔16的工序和去除上述抗蝕劑圖形14的工序。
14．權利要求9中記載的半導體裝置製造方法，特徵是上述第1工序包括在上述半導體襯底1上形成至少2種氧化矽類絕緣膜11的工序和對上述2種氧化矽類絕緣膜11進行上述幹刻蝕的工序。
15．權利要求9中記載的半導體裝置製造方法，特徵是上述清洗是將上述清洗劑的液溫度設定在20～65℃並通過將上述半導體襯底1浸漬在上述清洗劑中來進行的。
全文摘要
本發明的主要目的是提供一種不產生布線和埋入導電層的斷路的改進的清洗劑。該半導體裝置用清洗劑含有氫氧化物、水和用下述一般式(1)/或一般式(2)表示的化合物。HO－((EO
文檔編號C11D1/44GK1291787SQ0013335
公開日2001年4月18日 申請日期2000年10月5日 優先權日1999年10月6日
發明者菅野至, 橫井直樹, 森田博之, 一木直樹, 根津秀明, 高島正之 申請人:三菱電機株式會社, 住友化學工業株式會社