發光二極體封裝及其所使用的散熱模塊的製作方法

2023-04-27 15:30:06 2

發光二極體封裝及其所使用的散熱模塊的製作方法
【專利摘要】一種發光二極體封裝及其所使用的散熱模塊，散熱模塊包含：一承載基板其是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構成；一絕緣層其是對承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在表面上生成一由承載基板的表面的金屬材料經氧化或氮化反應所構成的絕緣層，使絕緣層是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種構成，並具有電性絕緣耐壓功能及熱傳導功能；及一線路層其是形成於絕緣層的表面上，包含至少二分開且絕緣的電性連接點供與發光二極體晶粒可利用覆晶或導線方式電性連接以完成一LED封裝；其中當至少一LED晶粒發光並產生熱能時，通過絕緣層以將熱能傳導至承載基板以向外散熱。
【專利說明】發光二極體封裝及其所使用的散熱模塊
【技術領域】
[0001]本發明是有關一種發光二極體封裝(LED package)及其所使用的散熱模塊，尤指一種利用一線路層、一絕緣層及一承載基板且其是選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板以構成一散熱模塊，其中該絕緣層是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經氧化或氮化反應所構成的對應絕緣層，供一 LED晶粒能以覆晶方式或導線方式電性連接在該散熱模塊上以完成一 LED封裝，以達成良好的電性絕緣耐壓及散熱功效。
【背景技術】
[0002]一般而言，一 LED晶粒可隨工藝需要而選擇以覆晶方式(Flip Chip)或導線方式(Wire bond)但不限制，以電性連接在一散熱基板上以完成一 LED封裝(LED package),該LED封裝再連接固設在一發光裝置的散熱器(heat sink)的表面上，以組成一 LED發光裝置；通常而言，現有的散熱基板是由一線路層(銅層)、一絕緣層及一基板(如鋁基板或陶瓷基板)依序壓合形成，其中該線路層是配合LED晶粒的布局而設具有適當的圖案(pattern)用以安排並提供該些LED晶粒發光所須的正負極電源。當LED晶粒在發光時會產生熱能，該熱能一般是通過該散熱載板及所連接的發光裝置的散熱器(heat sink)以向外散熱，以避免熱能存積過多以致影響該LED封裝或LED發光裝置的使用效率及壽命。
[0003]以現有的散熱基板而言，現有的散熱基板是由一線路層(銅層)、一絕緣層及一鋁基板依序壓合形成，因此產生的熱能是通過線路層(銅層)及絕緣層之後才傳導至基板；然而，現有散熱基板所使用的絕緣層大部分是以導熱膠片構成，該導熱膠片的導熱係數較差，且厚度較厚，致相對降低現有散熱基板的使用效率，無法滿足目前使用上的需求。因此在LED封裝或所使用的散熱載板或LED發光裝置等相關頜域中，長久以來一直都存在的問題就是如何在線路層不會發生短路的狀況下而又能使散熱基板達到良好散熱功效。
[0004]再以現有的覆晶式(Flip Chip)或導線式(Wire bond) LED封裝為例說明，其中每一 LED晶粒是利用二不同的電極接點以電性連接在一線路層上的二分開且電性絕緣的連接點上；該線路層是預設在一鋁基板上；該線路層與該鋁基板的表面之間通常設有一絕緣連接層以使該線路層能絕緣地連接地固設在該鋁基板的表面上且不易剝離；完成後的LED封裝再由各種連接方式如焊接或緊密貼合但不限制以固設在一 LED發光裝置的散熱器(heat sink)的表面上；然而，在上述傳統的LED封裝中，該絕緣連接層一般是利用散熱貼片或散熱膏構成，其導熱係數較低(約4W/m-k)，且厚度較厚(約60微米(μ m))，以致熱傳導功能不佳，無法將該LED晶粒在發光時所產生的熱能有效地傳導至該鋁基板及/或LED發光裝置的散熱器(heat sink)上以向外散熱。
[0005]有關LED封裝及其所使用的散熱基板，或覆晶式LED元件(fiip-chip lightemitting diode)或覆晶式LED封裝或適用於覆晶式LED的反射結構等【技術領域】中，目前已存在多種先前技術，如 TW573330、TW M350824, CN201010231866.5 (公布號 CN101924175A)、US6, 914，268、US8, 049，230、US7, 985，979、US7, 939，832、US7, 713，353、US7, 642，121、US7, 462，861、US7, 393，411、US7, 335，519、US7, 294，866、US7, 087，526、US5, 557，115、US6, 514，782、US6, 497，944、US6, 791，119 ;US2002/0163302、US2004/0113156 等。然而，上述先前技術並未提出有效的解決方案，以克服線路層不會發生短路且能達到良好散熱功效的問題。
[0006]由上可知，上述先前技術的結構尚難以符合實際使用時的要求，因此在LED封裝或散熱基板的相關頜域中，仍存在進一步改進的需要性。本發明乃是在此技術發展空間有限的領域中，提出一種LED封裝及其所使用的散熱模塊，以使該LED封裝及/戎該發光裝置能達成良好的散熱功效，並可避免造成短路的困擾。

【發明內容】

[0007]本發明主要目的是在於提供一種LED封裝及其所使用的散熱模塊，該散熱模塊是包含一線路層、一絕緣層及一承載基板，其中該承載基板是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構成，其中該絕緣層是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經氧化或氮化反應所構成的對應絕緣層；由此當至少一 LED晶粒以覆晶方式或導線方式電性連接在該散熱模塊上以完成一 LED封裝時，該LED封裝即能達成良好的電性絕緣耐壓效果及良好的散熱功效。
[0008]為達成上述目的，本發明的散熱模塊的一優選實施例包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，其中該承載基板是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構成；其中該絕緣層是形成在該承載基板的一表面上，其形成方式是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經氧化反應或氮化反應而對應構成的絕緣層，使該絕緣層是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種所構成，又該絕緣層是設於該線路層的下面並具有電性絕緣耐壓及熱傳導功能；其中該線路層是形成於該絕緣層的表面上，包含至少二分開且絕緣的電性連接點供與該至少一 LED晶粒所設的不同電極的焊墊能對應電性連接，以使該至少一LED晶粒能電性連接並設置在該散熱模塊上；其中當該至少一LED晶粒發光並產生熱能時，通過該絕緣層以將該熱能傳導至該承載基板以向外散熱。
[0009]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層是利用選自微弧電漿氧化方法、大氣電漿氧化方法、真空電眾氧化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應形成一選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦的族群中一種材質的絕緣層。
[0010]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層是利用選自微弧電漿氮化方法、大氣電漿氮化方法、真空電眾氮化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應形成一選自氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種材質的該絕緣層。
[0011]所述的散熱模塊，其中所述的線路層是利用選自印刷線路板(PCB)線路工藝、網版印刷工藝、半導體工藝的族群中一種工藝以形成在該絕緣層的表面上。
[0012]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層的厚度是依據該絕緣層所欲達成電性絕緣耐壓的程度而預先設定。
[0013]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層的厚度是設定為f 50微米(μ m)，以使電性絕緣耐壓的程度達到300伏特(V)或以上。[0014]所述的散熱模塊，其中所述的至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上的方式包含覆晶(Flip Chip)方式及導線(Wire bond)方式。
[0015]為達成上述目的，本發明的發光二極體(LED)封裝的一優選實施例包含:至少一LED晶粒，各晶粒上設有至少二不同電極的焊墊；及一散熱模塊，其是利用所述的散熱模塊所構成，包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，供該至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上以形成一 LED封裝；其中當該至少一 LED晶粒發光並產生熱能時，通過該散熱模塊的絕緣層以將該熱能傳導至該散熱模塊的承載基板並向外散熱。
[0016]所述的發光二極體(LED)封裝，其中所述的散熱模塊的承載基板上進一步設有至少一散熱導孔(thermal via)，該散熱導孔是在該承載基板上設置至少一貫穿孔，並在該貫穿孔內填滿熱導材所構成，又該散熱導孔的上端是與該絕緣層連接。
[0017]所述的發光二極體(LED)封裝，其中所述的散熱模塊的承載基板的相對於該絕緣層的另一表面上更設置一金屬接著層，以使該散熱模塊由該金屬接著層以貼合於一散熱器(heat sink)的表面上，其中所述的金屬接著層是包含散熱貼片、散熱膏。
[0018]所述的發光二極體(LED)封裝，其中所述的散熱模塊是緊密貼合於一散熱器(heatsink)的表面上。
[0019]所述的發光二極體(LED)封裝，其中所述的散熱模塊的承載基板是以一散熱器(heat sink)的表面所取代。
[0020]本發明的有益效果在於:本發明的散熱模塊的散熱功能優於現有的散熱基板，且厚度也較薄，足以滿足目前使用上的需求。
[0021]並且本發明的該絕緣層是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經氧化或氮化反應所構成的對應絕緣層，供一 LED晶粒能以覆晶方式或導線方式電性連接在該散熱模塊上以完成一 LED封裝，進而達成良好的電性絕緣耐壓及散熱功效。
[0022]為使本發明更加明確詳實，將本發明的結構及技術特徵，配合下列圖示詳述如後:
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是本發明的散熱模塊、所組成的覆晶式(Flip Chip)LED封裝及應用於一散熱器(heat sink)表面的一實施例的結構剖面示意圖。
[0024]圖2是本發明的散熱模塊、所組成的導線式(Wire bond)LED封裝及應用於一散熱器(heat sink)表面的一實施例的結構剖面示意圖。
[0025]圖3是本發明的散熱模塊、所組成的覆晶式(Flip Chip)LED封裝及應用於一散熱器(heat sink)表面的另一實施例的結構剖面示意圖。
[0026]圖4是本發明的散熱模塊、所組成的導線式(Wire bond)LED封裝及應用於一散熱器(heat sink)表面的另一實施例的結構剖面示意圖。
[0027]附圖標記說明:
[0028]10-散熱模塊；11-承載基板；110-表面；111-散熱導孔；112-表面；12-絕緣層；13-線路層；130-表面；131a、131b-電性連接點；20_LED晶粒；30、40_LED封裝；50_散熱器(heat sink) ;51_表面;60_金屬接著層;70_散熱模塊;80、90_LED封裝。【具體實施方式】
[0029]參考圖1-2所示，其分別是本發明的散熱模塊、所組成的LED封裝及應用於一散熱器(heat sink)表面的兩個實施例的結構剖面示意圖。本發明的散熱模塊10主要是包含一承載基板11、一絕緣層12及一線路層13，供一 LED晶粒20能以覆晶(Flip Chip)方式如圖1所示或導線(Wire bond)方式如圖2所示，電性連接在該散熱模塊10上以形成一 LED封裝如圖1所示的覆晶式LED封裝30或如圖2所示的導線式LED封裝40，以使該LED封裝30>40及進一步與一散熱器(heat sink)50結合應用時,能達成良好的散熱功效,並避免造成短路的困擾。
[0030]該承載基板11是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構成。
[0031]該絕緣層12是形成在該承載基板11的一表面上；該絕緣層12的形成方法是對該承載基板11的一表面Iio施行氧化方法或氮化方法,供可在該表面110上直接生成一由該承載基板11的表面的金屬材料，即鋁基板或鎂基板或鋁鎂基板的基板材料，經氧化反應或氮化反應而構成的具有對應材質的絕緣層12，也就是該絕緣層12是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種所構成，也就是當該承載基板11為鋁基板時，即生成一以氧化鋁或氮化鋁構成的絕緣層12 ;當該承載基板11為鎂基板時，即生成一以氧化鎂或氮化鎂構成的絕緣層12 ;當該承載基板11為鈦基板時，即生成一以氧化鈦或氮化鈦構成的絕緣層12。該絕緣層12是位於該線路層13的下面如圖1、2所示，並具有電性絕緣耐壓及熱傳導功能。當該線路層13產生熱能時，該熱能即能通過該絕緣層12再傳導至其他地方如設在該絕緣層12下面的承載基板11。
[0032]此外，該絕緣層12可利用選自微弧電眾氧化(MAPO, Micro-Arc PlasmaOxidation)方法、大氣電漿氧化方法、真空電漿氧化方法的族群中一種方法用以在該承載基板11的表面110上形成一選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦的族群中一種材質所構成的絕緣層12。
[0033]此外，該絕緣層12可利用選自微弧電漿氮化方法、大氣電漿氮化方法、真空電漿氮化方法的族群中一種方法用以在該承載基板11的表面110上形成一選自氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種材質所構成的絕緣層12。
[0034]以實際的應用而言，該絕緣層12的厚度是依據該絕緣層12所欲達成電性絕緣耐壓的程度而預先設定。在本實施例中，該絕緣層12的厚度是設定為廣50微米(ym)，以使該絕緣層12的電性絕緣耐壓程度能達到300伏特(V)或以上。
[0035]該線路層13是形成於該絕緣層12的相對於該承載基板11的另一表面130上；該線路層13的形成方式不限制，如利用印刷線路板(PCB)線路工藝，或網版印刷工藝，或半導體工藝，以形成在該絕緣層的表面上。該線路層13包含至少二分開且絕緣的電性連接點131a、131b供與該至少一 LED晶粒20所設的不同電極的焊墊能對應電性連接，以使該至少一 LED晶粒20能電性連接並設置在該散熱模塊10上。該線路層13的線路布局(circuitlayout)並不限制，可隨LED封裝30、40或LED發光裝置的散熱器(heat sink) 50的需要而作出不同的布局設計，以供多個LED晶粒20電性連接，在圖1、2中以一 LED晶粒20為例說明但非用以限制本發明。當該至少一 LED晶粒20發光並在該線路層13上產生熱能時，即可通過該絕緣層12的熱傳導功能以將該熱能傳導至該承載基板11並向外散熱。
[0036]再參考圖1、2所示的實施例，其中該散熱模塊10的承載基板11上進一步可設置有至少一散熱導孔(thermal via) 111，該散熱導孔111的形成是在該承載基板11上設置至少一貫穿其上、下表面的貫穿孔111，並在該貫穿孔內填滿熱導材所構成，其中該散熱導孔111的上端是與該絕緣層12連接；通過該散熱導孔111的設置，可相對增進該散熱模塊10的散熱效果。
[0037]該散熱導孔111如圖1-2所示的設置數目及位置並不限制，如圖1所示針對一 LED晶粒20設有兩個散熱導孔111但不限制，而如圖2所示針對一 LED晶粒20則設有三個散熱導孔111但不限制。但設置位置以能對應連接至接近該線路層13與LED晶粒20電性連接之間的主要的熱能產生處為最佳，如圖1所示覆晶式(Flip Chip)的連接位置(131a、131b)，或如圖2所示導線式(Wire bond)的LED晶粒20的底部，因為該些連接位置(131a、131b)或LED晶粒20的底部即為覆晶式或導線式封裝的主要的熱能產生處，當該些散熱導孔111設置在接近熱能產生處時，相對可增進散熱作用。
[0038]再參考圖1、2所示的實施例，其中該散熱模塊10的承載基板11的相對於該絕緣層12的另一表面112上，進一步可設置一金屬接著層60，以使該散熱模塊10由該金屬接著層60以貼合於一發光裝置(圖未不)所設的散熱器(heat sink) 50的表面51上,其中該金屬接著層60是包含散熱貼片或散熱膏。
[0039]此外，以圖1、2所示的實施例而言，該金屬接著層60並非必要結構，因為該散熱模塊10亦可以通過鎖固方式以緊密貼合於一發光裝置(圖未示)所設的散熱器(heat sink)50的表面51上，也就是使該散熱模塊10的承載基板11的表面112能與該散熱器(heatsink)50的表面51緊密貼合，如此即能達成散熱效果，用以將該熱能由該散熱模塊10的承載基板11再傳導至該散熱器(heatsink) 50並向外散熱。由於該散熱模塊10或所組成的LED封裝30、40，其與一 LED發光裝置的散熱器(heat sink) 50之間，可利用多種不同的方式進行組裝，且該散熱器(heat sink)50的結構型態亦有多種不同的結構型態，因此圖1、2所示的散熱器(heat sink) 50結構並非用來限制本發明。
[0040]參考圖3-4所示，其分別是本發明的散熱模塊70、所組成的LED封裝80、90及應用於一散熱器(heat sink)50表面的另外兩個實施例的結構剖面不意圖。本實施例的散熱模塊70與圖1、2所示的散熱模塊10大致相同，主要也包含一承載基板11、一絕緣層12及一線路層13,供一 LED晶粒20能以覆晶(Flip Chip)方式如圖3所示或導線(Wire bond)方式如圖4所示，電性連接在該散熱模塊70上以形成一 LED封裝如圖3所示的覆晶式LED封裝80或如圖4所示的導線式LED封裝90，以使該LED封裝80、90能進一步與一散熱器(heat sink) 50結合應用，以達成良好的散熱功效,並避免造成短路的困擾。
[0041]而本實施例的散熱模塊70如圖3-4所示與圖1-2所示散熱模塊10之間的主要不同點在於:本實施例的散熱模塊70的承載基板11進一步以該散熱器(heat sink) 50的表面51所取代，也就是本實施例的絕緣層12是直接形成在該散熱器(heat sink) 50的表面51上；由於該散熱器(heat sink)50或其表面51 —般是以鋁材製成但不限制，其相同或類似於圖1-2所示散熱模塊10的承載基板11所使用的材料，因此本實施例的絕緣層12的形成方法是相同於圖1-2所示散熱模塊10的絕緣層12形成在該承載基板11的一表面110上的工藝。[0042]此外，本發明的散熱模塊10與現有的散熱模塊(散熱基板)相較，現有的散熱基板是由一線路層(銅層)、一絕緣層及一鋁基板依序壓合形成，且現有的絕緣層大部分是以導熱膠片構成；但本發明的絕緣層12的形成是對該承載基板11的一表面110施行氧化方法或氮化方法，供可在該表面110上直接生成一由該承載基板11的表面的金屬材料經氧化反應或氮化反應而構成的具有對應材質的絕緣層12,如以氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦構成。因此，本發明的散熱模塊10的散熱功能優於現有的散熱基板，且厚度也較薄，足以滿足目前使用上的需求。
[0043]此外，本實施例如圖3-4所示的散熱模塊70、所組成的LED封裝80、90及與一散熱器(heat sink) 50的結合應用，與圖1_2所示的散熱模塊10、所組成的LED封裝30、40及與一散熱器(heat sink) 50的結合應用相較，本實施例如圖3_4所示至少可減少圖1_2所示散熱模塊10的承載基板11，也相對可減少圖1-2中所示該金屬接著層60或圖1-2中該承載基板11與散熱器(heat sink)50之間緊密貼合的連接程序，有利於降低材料成本或作業成本。
[0044]以上所示僅為本發明的優選實施例，對本發明而言僅是說明性的，而非限制性的。在本專業【技術領域】具通常知識人員理解，在本發明權利要求所限定的精神和範圍內可對其進行許多改變，修改，甚至等效的變更，但都將落入本發明的保護範圍內。
【權利要求】
1.一種發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，適用於發光二極體封裝，供至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上以形成一 LED封裝，該散熱模塊包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，其中: 該承載基板是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構成； 該絕緣層是形成在該承載基板的一表面上，其是對該承載基板的該表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經氧化反應或氮化反應而對應構成的絕緣層，其中該絕緣層是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種材料所構成； 該線路層是形成在該絕緣層的表面上，包含至少二分開且絕緣的電性連接點供與該至少一 LED晶粒所設的不同電極的焊墊對應電性連接，以使該至少一 LED晶粒能電性連接並設置在該散熱模塊上； 其中當該至少一 LED晶粒發光並產生熱能時，通過該絕緣層以將該熱能傳導至該承載基板以向外散熱。
2.根據權利要求1所述的發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，該絕緣層是利用選自微弧電漿氧化方法、大氣電漿氧化方法、真空電漿氧化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應形成該絕緣層。
3.根據權利要求1所述的發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，該絕緣層是利用選自微弧電漿氮化方法、大氣電漿氮化方法、真空電漿氮化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應形成該絕緣層。
4.根據權利要求1所述的發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，該該線路層是利用選自印刷線路板線路工藝、網版印刷工藝、半導體工藝的族群中一種工藝以形成在該絕緣層的表面上。
5.根據權利要求1所述的發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，該絕緣層的厚度是依據該絕緣層所欲達成電性絕緣耐壓的程度而預先設定。
6.根據權利要求5所述的發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，該絕緣層的厚度是設定為廣50微米，以使電性絕緣耐壓的程度達到300伏特或以上。
7.根據權利要求1所述的發光二極體封裝所使用的散熱模塊，其特徵在於，該至少一LED晶粒電性連接在該散熱模塊上的方式包含覆晶方式及導線方式。
8.一種發光二極體封裝，其特徵在於，包含: 至少一 LED晶粒，各晶粒上設有至少二不同電極的焊墊；及 一散熱模塊，其是利用權利要求1至7中任一項所述的散熱模塊所構成，包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，供該至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上以形成一 LED封裝； 其中當該至少一 LED晶粒發光並產生熱能時，通過該散熱模塊的絕緣層以將該熱能傳導至該散熱模塊的承載基板並向外散熱。
9.根據權利要求8所述的LED封裝，其特徵在於，該散熱模塊的承載基板上進一步設有至少一散熱導孔，該散熱導孔是由該承載基板上所設的貫穿孔且該貫穿孔內填滿熱導材所構成，其中該散熱導孔的上端是與該絕緣層連接。
10.根據權利要求8所述的LED封裝，其特徵在於，該散熱模塊的承載基板的相對於該絕緣層的另一表面上更設置一金屬接著層，以使該散熱模塊通過該金屬接著層以貼合於一散熱器的表面上。
11.根據權利要求10所述的LED封裝，其特徵在於，該金屬接著層是包含散熱貼片、散熱膏。
12.根據權利要求8所述的LED封裝，其特徵在於，該散熱模塊是緊密貼合於一散熱器的表面上。
13.根據權利要求8所述的LED封裝，其特徵在於，該散熱模塊的承載基板是以一散熱器的表面所取代。`
【文檔編號】H01L33/48GK103515508SQ201210208140
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月19日 優先權日:2012年6月19日
【發明者】宋大侖, 賴東昇 申請人:茂邦電子有限公司