中央處理單元外殼的製作方法

2023-05-16 23:52:41 1

中央處理單元外殼的製作方法
【專利摘要】本發明揭示一種用於降低電磁幹擾並且大體上均勻地分布熱量的電磁幹擾（EMI）屏蔽。所述EMI屏蔽包括經配置以遮蔽EMI的第一層以及經配置以散熱的第二層。所述EMI屏蔽進一步包括界面。一些實施例還提供用於遮蔽EMI並且均勻地驅散電子部件熱量的方法。
【專利說明】中央處理單元外殼

【技術領域】
[0001]本發明涉及電磁幹擾（EMI)屏蔽【技術領域】，具體來說，涉及一種中央處理單元外 冗。

【背景技術】
[000引 由電子裝置內件或部件產生的電磁（EM)福射可W中斷電子操作並且致使電子裝 置發生故障。該就是電磁幹擾（EMI)。隨著工作頻率增加並且電子裝置變得更加複雜，電子 裝置可能更容易受電磁幹擾（EMI)的影響。
[0003] 通常在某個設計中實施Effl屏蔽，用W將電子裝置的一個內件或區段與另一個內 件或區段隔離，或者保護電子裝置內件的電路免受外部(包括其他電子部件）的影響。EMI 屏蔽可W焊接到或者夾到部件上的觸點上。
[0004] 為了確保可靠且穩健的電磁密封，EMI屏蔽圍起電子裝置的整個電磁福射內件，例 女口，中央處理單元（CPU)或集成電路。由內件例如CPU產生的熱量將積聚在EMI屏蔽中，並 且不利地影響內件的性能。Effl屏蔽上的開口或孔能用來通風，從而解決了熱量積聚的問 題。然而，該些特徵可能會削弱遮蔽效果。因此，需要具有改進的散熱特性W及遮蔽Effl效 果的EMI屏蔽。


【發明內容】

[0005] -些實施例提供一種Effl屏蔽，其中所述屏蔽經配置W使得在屏蔽的一側暴露於 熱源中時，整個屏蔽大體上均勻地分布熱量，所述熱源在屏蔽的較多暴露於熱源的側與屏 蔽的較少暴露於熱源的相對側之間產生溫度失衡。在一個示例性實施例中，Effl屏蔽包括 經配置W遮蔽Effl的第一層W及經配置W散熱的第二層。
[0006] -些實施例提供一種包括EMI屏蔽的設備。
[0007] -些實施例涉及一種設備，所述設備包括；用於遮蔽電磁幹擾（EMI)並且大體上 均勻地散熱的構件；W及電子部件，所述電子部件中的至少一者由所述遮蔽Effl構件進行 遮蔽Effl或所述電子部件發出的Effl被所述遮蔽Effl的構件遮蔽。構件的一側暴露於電子 部件時，所述構件大體上均勻地散熱，當所述電子部件在構件的較多暴露於電子部件中的 側與構件的較少暴露於電子部件中的相對側之間產生溫度失衡。
[0008] 另一實施例提供一種可攜式電子裝置，例如，膝上計算機、臺式計算機、手持式通 信裝置等，所述電子裝置包括：母板；中央處理單元（CPU),所述中央處理單元支撐在所述 母板的第一側上；W及EMI屏蔽，所述EMI屏蔽圍繞未被所述母板圍繞的CPU側面，所述屏 蔽包括；經配置W遮蔽Effl的第一層；W及經配置W散熱的第二層，其中所述屏蔽經配置W 屏蔽的一側暴露於熱源中時，整個屏蔽大體上均勻地分布熱量，所述熱源在屏蔽較多暴露 於熱源的側與屏蔽較少暴露於熱源的相對側之間產生溫度失衡，其中所述屏蔽經配置，使 得當CPU在一段時間內輸出2. 5瓦特的熱能時，其中從CPU傳遞到屏蔽的熱量已達到飽和， 並且使得CPU在距離屏蔽約0. 5mm的第一位置處具有攝氏68. 5度的表面溫度，屏蔽的溫度 分布使得在60X60mm2的屏蔽的相對側上距離第一位置的最近點約為攝氏50度，所述屏蔽 的相對側在幾何學上W第一位置為中也並且背朝屏蔽，並且屏蔽中在距離最近點最遠的側 面上的位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫度。
[0009] 實施例還涉及用於降低電子部件的外表面溫度W及減少從電子部件進出的EMI 的Effl遮蔽方法。所述方法包括W下動作：
[0010] (a)將熱量從部件傳遞到Effl屏蔽，其中所述Effl屏蔽與所述部件處於傳熱連通；
[0011] (b)在EMI屏蔽的平面方向上大體上均勻地驅散從部件傳遞到EMI屏蔽的熱量；
[0012] (C)相對於不存在EMI屏蔽的情況，減少從部件進入周圍環境中的EMI。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 通過參考附圖，一些實施例的其他功用將在該些實施例的W下詳細描述中變得清 晰明白，在附圖中：
[0014] 圖1示意性地圖示了EMI屏蔽1的一個實施例的截面圖。所述EMI屏蔽1包括W 下各層；經配置W遮蔽Effl的第一層2W及用於散熱的第二層3,它們在4處接合。
[00巧]圖2示意性地圖示了EMI屏蔽1的另一實施例的截面圖。所述EMI屏蔽1包括W下各層；經配置W遮蔽Effl的第一層2W及用於散熱的第二層3,它們通過界面4A接合。 [001引圖3圖不了EMI屏蔽1的一個實施例的俯視圖。
[0017] 圖4示意性地圖示了圖3中的EMI屏蔽1W及電氣部件5的截面圖。
[0018] 圖5示意性地圖示了圖4中的EMI屏蔽的一個示例性散熱路徑的截面圖。
[0019] 圖6示意性地圖示了支撐在母板6上的EMI屏蔽1的截面圖，示出了EMI屏蔽1 圍繞未被母板6圍繞的電子部件5的側面的情況W及工作實例1中的各個檢測點（H、L、M、 R和 0)。
[0020] 圖7A至圖7E示意性地圖示了Effl屏蔽1的各個實施例。

【具體實施方式】[00川定義
[0022] 除非另外指明，否則上文和本發明全文使用的W下術語應理解為具有W下含義。
[0023] 此處所用的單數形式"一"、"一個"和"所述"包括多個引用，除非上下文另有明確 指示。
[0024]EMI屏蔽
[002引如圖1所示，EMI屏蔽1的示例性實施例包括經配置W遮蔽EMI的第一層2 (或Effl遮蔽層）W及經配置W散熱的第二層3 (或散熱層）。
[0026] 如圖2所示，在另一示例性實施例中，一個或多個界面4A介於Effl遮蔽層2與散 熱層3之間。
[0027] 在一些實施例中，Effl遮蔽層2與散熱層3通過W下工藝中的一種在4處連接：層 壓、塗覆(需要一個或多個界面4A)W及電鍛(需要一個或多個界面4A)。在一些實施例中， EMI屏蔽1的厚度至少為約10. 5ym。在一個實施例中，EMI屏蔽1的EMI遮蔽層2與散熱 層3的厚度是相同的。在另一實施例中，EMI屏蔽1的EMI遮蔽層2與散熱層3的厚度是 不同的。
[002引在一個實施例中，如圖7A至7C及圖7D所示，EMI屏蔽1包含兩層或多於兩層的EMI遮蔽層2。在一個實施例中，此兩層EMI遮蔽層2為相同的金屬或材料。在另一個實施 例中，此兩層Effl遮蔽層2為不同的金屬或材料。在另一個實施例中，如圖7D及圖7E所示， EMI屏蔽1進一步包含一或多層絕緣膜12。在一個實施例中，絕緣膜12面對電子部件5。
[0029]在一個實施例中，通過W此方式形成EMI屏蔽1，Effl遮蔽層2與各向同性散熱層 3的並置會達成各向異性導熱性。
[0030] 如圖3所示，在一個示例性實施例中，Effl屏蔽1包括大體上平坦的主表面8和一 個或多個側壁9。在一些實施例中，如圖3所示，在EMI屏蔽1的側壁9上具有開口 11。在 一個示例性實施例中，該些開口用於將Effl屏蔽1支撐在母板6上。在另一示例性實施例 中，Effl屏蔽1的大體上平坦的主表面8大體上不存在孔或開口 11，因此，與在大體上平坦 的主表面8上具有孔或開口的EMI屏蔽相比，在EMI遮蔽方面更加有效。
[0031] 參考圖4,在一些實施例中，Effl屏蔽1在7處與母板6直接物理接觸，圍繞未被母 板6圍繞的電子部件5的側面（即，為了圍住熱源或電子裝置5的內部部件)。在其他實施 例中，EMI屏蔽在7處與母板6間接接觸巧P，EMI屏蔽1定位在與母板6相距預定間隔處)， 並且圍繞未被母板6圍繞的電子部件5的側面。Effl屏蔽1通過焊接或者通過夾持構件與 母板6接觸。在一個示例性實施例中，Effl屏蔽1的內表面與熱源5的上表面之間的距離 (在圖4中用*表示）至少為0. 05mm，W避免EMI屏蔽1壓塌被圍起的熱源5。
[003引參考圖6, 一些實施例在外殼10的內表面與EMI屏蔽1的外表面之間的間隙中，在EMI屏蔽1的外表面上提供一個或多個加強肋，從而加固了EMI屏蔽1。
[0033]在一組實施例中，當屏蔽的一側暴露於熱源中時，EMI屏蔽1在屏蔽1上均勻地分 布熱量，所述熱源在屏蔽較多暴露於熱源的側與屏蔽較少暴露於熱源的相對側之間產生溫 度失衡。
[0034]在一個實施例中，Effl屏蔽1經配置，一熱源輸出2. 5瓦特的熱能並且在距離EMI屏蔽1最近，約0. 5mm的位置處具有攝氏68. 5度的表面飽和溫度，所述溫度分布使得 60X60mm2的EMI屏蔽1與距離所述位置的最近點的相對側約為攝氏50度，所述EMI屏蔽 1的相對側在幾何學上W所述位置為中也並且背朝EMI屏蔽1，並且EMI屏蔽1中在距離所 述最近點最遠的側面上的位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫度。
[00巧]在一些實施例中，EMI屏蔽1對約50MHz至約4. 2GHz範圍內的EMI具有屏蔽效果， 所述EMI屏蔽效果在約88地至約75地範圍內。
[0036]在一個示例性實施例中，存在一種可攜式電子裝置，例如膝上計算機，所述電子裝 置具有殼體/外殼，所述殼體/外殼的內部高度小於2英寸、小於1. 5英寸、小於1. 0英寸、 小於0. 75英寸、小於0. 5英寸或者在其之間W0. 1英寸遞增的任何值或值範圍（例如，1. 8 英寸、0. 7英寸、0. 6英寸至1. 2英寸等)，並且具有較大尺寸的寬度和長度，此處詳述的任何 或所有部件位於所述殼體中，其中相應高度、寬度和長度W相同方式至少大體上對齊。此種 殼體或外殼的實例是具有鍵盤或其他用戶界面的膝上計算機的底座，其中，在此種示例性 殼體的一個示例性實施例中，所述底座W可拆卸的方式附接到液晶顯示器。
[0037]EMI遮蔽層
[0038]在一個示例性實施例中，EMI遮蔽層2遮蔽EMI並且大體上是平坦的。
[0039] 此處用於描述Effl遮蔽層2或散熱層3的表面的術語"大體上平坦的"是指不接 觸被Effl屏蔽1圍繞的電子部件5的側面的表面。大體上平坦的表面可W包括具有各種表 面特性的平坦表面，所述平坦表面不接觸被Effl屏蔽1圍繞的電子部件5的側面。另外，大 體上平坦的表面可W具有輕微曲度，只要此種曲度不會致使EMI屏蔽1接觸被EMI屏蔽1 圍繞的電子部件5的側面。Effl遮蔽層2或散熱層3的大體上平坦的表面可W具有確定的 或圓形的邊緣。
[0040] 在一個示例性實施例中，Effl遮蔽層2的厚度等於或大於約0. 5ym。在另一示例 性實施例中，Effl遮蔽層2具有W下特性中的一者或多者；散熱性、延展性、彈性、成形性或 自旋性。
[0041] 在一個示例性實施例中，EMI遮蔽層2從W下各項中選擇；不鎊鋼、鉛、媒銀、馬口 鐵、鍛錫鋼、黃銅、合金或上述各項的組合。在另一示例性實施例中，Effl遮蔽層2為不鎊鋼。
[0042] 散熱層
[0043] 在一個示例性實施例中，散熱層3在整個EMI屏蔽1上大體上均勻地散熱並且大 體上是平坦的。在一些實施例中，散熱層3在各向異性方向上散熱，即，在與散熱層3的主 面平行的方向上導熱性較高(平面中導熱性)，並且在與散熱層3的主面垂直的方向上導熱 性明顯較低（穿透平面的導熱性)。
[0044] 在一個示例性實施例中，散熱層3的厚度等於或大於約10ym。
[0045] 在一個示例性實施例中，散熱層3從W下各項中選擇：銅、鉛、媒銀、馬口鐵、鍛錫 鋼、黃銅、合金或上述各項的組合。在另一示例性實施例中，散熱層3為銅。
[0046] 界面
[0047] 界面4A設置在Effl遮蔽層2與散熱層3之間。合適的界面4A包括，但不限於，粘 合劑和石墨。所述粘合劑為雙面粘合帶，包括壓敏粘合塗層W及防粘襯裡。在至少一些實 施例中適用的合適粘合劑的實例包括，但不限於，3M6T16粘合劑W及3M6602粘合劑，兩者 均可從美國的3M公司購得。
[0048] 在一些實施例中，石墨界面4A可W用天然的、合成的或者熱解的石墨顆粒來 製備。在至少一些實施例中所使用的天然石墨的實例包括，但不限於，柔性膨脹石墨/ flexibleexfoliatedgraphite(通過使用插入到所述石墨的晶體結構中的物質處理天然 的片狀石墨而製成)。石墨片的導熱性為各向異性的。在一個示例性實施例中，石墨片的各 向異性比率被定義為平面中導熱性與穿透平面導熱性的比率，介於約2至約800之間。石 墨片可W為約0. 01mm至約0. 5mm。
[0049] 絕緣膜
[0050]在一示例性實施例中，如圖7D及7E所示，EMI遮罩1進一步包含一絕緣膜12。用 於絕緣膜12的適宜材料包含但不限於樹脂、聚醋(例如，聚對苯二甲酸己二醇醋或PET)W 及聚醜亞胺材料。示範性材料為PET,其厚度大於約0.001mm。可使用所屬領域中所知的各 種方法來將所述絕緣膜施加到金屬層上，諸如通過使用熱層壓工藝來塗布，或者通過粘接。 [005。 降低電子部件的外表面溫度W及減少Effl的方法
[005引在一些實施例中，提供降低電子部件的外表面溫度W及使用Effl屏蔽1減少從電 子部件中產生的Effl的方法。所述方法包括W下動作：
[0053] (a)將熱量從部件傳遞到Effl屏蔽，其中所述Effl屏蔽與所述部件處於傳熱連通；
[0054] (b)通過Effl屏蔽的平面方向，大體上均勻地驅散從部件傳遞來的熱量；
[005引（c)相對於不存在EMI屏蔽的情況，減少從部件進入周圍環境中的EMI。
[0056] 在一些實施例中，所述方法進一步包括W下動作；相對於不存在Effl屏蔽的情況， 減少從周圍環境進入部件中的EMI。
[0057] 圖5圖示了EMI屏蔽1的一個示例性傳熱路徑，W在EMI屏蔽1上均勻地分布熱 量。在一個示例性實施例中，Effl屏蔽1在7處與母板6直接物理接觸，並且圍繞不與母板 6接觸的內部部件5的側面（即，為了圍住電子裝置5的內部部件)。在另一示例性實施例 中，Effl屏蔽1在7處與母板6間接接觸，並且圍繞未被母板6圍繞的內部部件5的側面。 母板6的非限制性實例包括印刷電路板（PCB)，或者PCBW機械方式支撐並且使用導電路徑 連接的電子部件，即，從層壓到非導電襯底上的銅片蝕刻出的跡線或信號跡線，將各電子部 件電連接。內部或電子部件的非限制性實例包括CPU、GPU、Wifi、功率集成電路、3G或具有 lOOmwW上熱功率的其他晶片組驅動器。
[0058] 在一個實施例中，內部部件5產生的熱量隨後被傳遞到EMI屏蔽1，其中熱量在 EMI屏蔽1的平面方向（即，各向異性方向）上傳播。在另一實施例中，內部部件5產生的熱 量隨後被傳遞到Effl屏蔽1，其中熱量在散熱層3的平面方向（即，各向異性方向)上傳播（圖 5所示路徑A)。
[0059] 在一個示例性實施例中，通過將Effl遮蔽層2與各向同性的散熱層3 (例如，銅)並 置，散熱變成各向異性的，由此熱量可W在散熱層3的平面方向上傳播（圖5所示路徑A)。
[0060] 在一個示例性實施例中，當EMI屏蔽1的一側暴露於具有6(TC或更高表面溫度的 電子部件中，並且EMI屏蔽1的另一側暴露於不多於電子部件的50%的熱量中時，如果EMI 屏蔽1的溫度分布比率小於約15%，那麼EMI屏蔽1在EMI屏蔽1上均勻地分布熱量。在另 一示例性實施例中，如果EMI屏蔽1的溫度分布比率等於或小於約14%、13%、12%、11%、10%、 9%、8%、7%、6%、5%、4%、3%、2%或1%或者在其之間W0. 1%遞增的任何值或值範圍（例如，約 2. 5%、約4. 5%、約2. 6%至約4. 6%等），那麼EMI屏蔽1均勻地分布熱量。基於6cmX6cm的 Effl屏蔽的溫度分布比率定義為如下；(Effl屏蔽1的最大測得溫度-Effl屏蔽1的最小測得 溫度）/EMI屏蔽1的最小測得溫度。
[0061] 在另一示例性實施例中，如果EMI屏蔽1的最大測得溫度與EMI屏蔽1的最小測 得溫度的差值等於或小於約1〇^、91：、81：、71：、61：、51：、41：、31：、21：、11：和/或在其之 間W0.rC遞增的任何值或值範圍（例如，約2. 2°C、約4. 4°C、約2. 2°C至約3. 3°C等)，那麼 EMI屏蔽1在屏蔽1上均勻地分布熱量。
[0062] W下實例進一步說明了一些實施例。該些實例僅僅意欲為說明性的，而不應被理 解為限制性的。
[0063] 實例1 ;使用EMI屏蔽的熱模型化研究
[0064] 在此研究中，熱源5被放置成與母板6直接接觸，並且使用H種類型的Effl屏蔽1;
[0065] 1.不具有任何開口的不鎊鋼EMI屏蔽(厚度=0. 2mm);
[006引 2.不具有任何開口的銅EMI屏蔽（厚度=0. 2mm); W及
[0067] 3.不具有任何開口的Effl屏蔽，所述Effl屏蔽包括不鎊鋼層(厚度為W下各項中的 至少一者：〇. 5mm、0. 45mm、0. 4mm、0. 35mm、0. 3mm、0. 25mm、0. 2mm、0. 15mm、0. 1mm或 0. 05mm)W及銅層（厚度為W下各項中的至少一者；0.3mm、0.25mm、0. 2mm、0. 15mm、0.lmm、0. 09mm、 0. 08mm、0. 07mm、0. 06mm、0. 05mm、0. 04mm、0. 03mm、0. 02mm或 0. 01mm)。
[006引圖6圖示了在該個研究中EMI屏蔽1相對於熱源5和外殼10的放置。
[0069] 在此研究中，熱源5為約25. 4mm(長度）X25. 4mm(寬度）X0. 5mm(高度）並且熱 功率為約2. 5瓦特。EMI屏蔽1為約60mm(長度）X60mm(寬度）X1mm(高度）並且介於熱 源5與外殼10之間。EMI屏蔽1的內表面與熱源5的外表面之間的距離為約0. 5mm，並且 EMI屏蔽1的外表面與外殼10的內表面之間的距離為約2mm。
[0070] 在研究開始之前，熱源5被預熱至8(TC。2小時之後，使用溫度計（Y0K0GAWA DX-2048,日本東京）測量溫度。溫度是在圖6中的點H、L、M、R和0點處測得的。研究結果 總結於表1至表4中。
[0(m] 表1.使用3種不同EMI屏蔽的情況下點H處的熱源溫度。
[0072]

【權利要求】
1. 一種設備，其包括： 電磁幹擾（EMI)屏蔽，所述EMI屏蔽包括： 經配置以遮蔽EMI的第一層；以及 經配置以散熱的第二層， 其中所述屏蔽經配置以使得在所述屏蔽的一側暴露於熱源中時，整個所述屏蔽上大體 上均勻地分布熱量，當所述熱源在所述屏蔽的較多暴露於所述熱源的側與所述屏蔽的較少 暴露於所述熱源的相對側之間產生溫度失衡。
2. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述EMI屏蔽包括大體上平坦的主表面和 一個或多個側壁。
3. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述第一層為大體上平坦的。
4. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述第一層為不鏽鋼層。
5. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述第二層為大體上平坦的。
6. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述第二層經配置以各向異性地散熱。
7. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述第二層為銅層。
8. 根據權利要求2所述的設備，其特徵在於，所述EMI屏蔽的所述大體上平坦的主表面 大體上不存在開口。
9. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，其進一步包括所述第一層與所述第二層 之間的一個或多個界面。
10. 根據權利要求2所述的設備，其特徵在於，當所述屏蔽的一側暴露於具有至少60°C 或更高表面溫度的熱源中，並且所述屏蔽的另一側暴露於不多於從所述熱源產生的50%的 熱能中時，所述EMI屏蔽具有小於約15%的溫度分布比率。
11. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述屏蔽經配置使得所述屏蔽的一側暴 露於熱源時在整個所述屏蔽上大體上均勻地分布熱量，當所述熱源在所述屏蔽的面對所述 熱源的一側與所述屏蔽的相對側之間產生溫度失衡。
12. 根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述屏蔽經配置，使得熱源輸出2. 5瓦特 的熱能並且在距離所述屏蔽最近且距離所述屏蔽約〇. 5mm的位置處具有攝氏68. 5度的表 面溫度，所述溫度分布使得60X60mm2的所述屏蔽的相對側上距離所述位置的最近點約為 攝氏50度，所述屏蔽的相對側在幾何學上以所述位置為中心並且背朝所述屏蔽，並且所述 屏蔽中在距離所述最近點最遠的側面上的位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的 溫度。
13. 根據權利要求12所述的設備，其特徵在於，攝氏68. 5度的所述表面溫度為所述設 備的飽和溫度。
14. 根據權利要求12所述的設備，其特徵在於，對在約50MHz至約4. 2GHz範圍內的EMI 產生的遮蔽效果是在約88dB至約75dB的範圍內。
15. 根據權利要求12所述的設備，其特徵在於，所述屏蔽的平均厚度為約0. 2mm。
16. 根據權利要求12所述的設備，其特徵在於，所述熱源面向所述屏蔽的表面區域為 約 25mm X 25mm。
17. -種設備，其包括： 用於遮蔽電磁幹擾（EMI)並且大體上均勻地散熱的構件；以及 電子部件，所述電子部件中的至少一者通過所述用於遮蔽EMI的構件進行遮蔽EMI或 所述電子部件發出的EMI被該構件遮蔽。
18. 根據權利要求17所述的設備，其特徵在於，所述用於遮蔽EMI並且大體上均勻地散 熱的構件包括經配置以遮蔽EMI的第一層以及用於散熱的第二層。
19. 根據權利要求18所述的設備，其特徵在於，其進一步包括所述第一層與所述第二 層之間的一個或多個界面。
20. 根據權利要求17所述的設備，其特徵在於，所述用於遮蔽EMI並且大體上均勻地散 熱的構件包括大體上平坦的主表面以及一個或多個側壁。
21. 根據權利要求20所述的設備，其特徵在於，所述大體上平坦的主表面大體上不存 在開口。
22. 根據權利要求17所述的設備，其特徵在於，當所述構件的一側暴露於具有60°C或 更高表面溫度的所述電子部件中，並且所述構件的另一側暴露於與不多於所述電子部件發 出的50%熱能中時，所述用於遮蔽EMI並且大體上均勻地散熱的構件具有小於約15%的溫 度分布比率。
23. -種方法，其包括： 降低電子部件的外部表面溫度並且減少從所述部件產生的EMI，其包括以下動作： (a) 將熱量從所述部件傳遞到EMI屏蔽，其中所述EMI屏蔽與所述部件處於傳熱連通； (b) 在所述EMI屏蔽的平面方向上大體上均勻地驅散從所述部件傳遞到所述EMI屏蔽 的熱量；以及 (c) 相對於不存在所述EMI屏蔽的情況，減少從所述部件進入周圍環境中的EMI。
24. 根據權利要求23所述的方法，其特徵在於，所述EMI屏蔽與母板接觸，並且圍繞未 被所述母板圍繞的電子部件的側面。
25. 根據權利要求23所述的方法，其特徵在於，當所述EMI屏蔽的一側暴露於具有 60°C或更高表面溫度的所述電子部件中，並且所述EMI屏蔽的另一側暴露於不多於所述電 子部件的50%的熱量中時，所述EMI屏蔽具有小於約15%的溫度分布比率。
26. 根據權利要求23所述方法，其特徵在於，其進一步包括以下動作：相對於不存在所 述EMI屏蔽的情況，減少從周圍環境進入所述部件中的EMI。
27. -種可攜式電子裝置，其包括： 母板； 中央處理單元（CPU)，所述中央處理單元支撐在所述母板的第一側上； 電磁幹擾（EMI)屏蔽，所述EMI屏蔽圍繞未被所述母板圍繞的所述CPU的側面，所述屏 蔽包括： 經配置以遮蔽EMI的第一層；以及 經配置以散熱的第二層， 其中所述屏蔽經配置以在所述屏蔽的一側暴露於熱源中時，在整個所述屏蔽上大體上 均勻地分布熱量，所述熱源在所述屏蔽較多暴露於所述熱源的側與所述屏蔽的較少暴露於 所述熱源的相對側之間產生溫度失衡，其中所述屏蔽經配置，使得當所述CPU在一段時間 內輸出2. 5瓦特的熱能時，其中從所述CPU傳遞到所述屏蔽的熱量已達到飽和，並且使得所 述CPU在距離所述屏蔽約0. 5mm的第一位置處具有攝氏68. 5度的表面溫度，所述屏蔽的溫 度分布使得在60X60mm2的所述屏蔽的相對側上距離所述第一位置的最近點約為攝氏50 度，所述屏蔽的相對側在幾何學上以所述第一位置為中心並且背朝所述屏蔽，並且所述屏 蔽中在距離所述最近點最遠的側面上的位置具有在約攝氏48度至約攝氏50度範圍內的溫 度。
【文檔編號】G06F1/16GK104375572SQ201310585120
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年11月19日 優先權日:2013年8月12日
【發明者】陳科君, 黃文雄, 楊培民, 梁峻彰 申請人:華宏新技股份有限公司