用於形成精細圖案的掩模及形成掩模的方法

2023-05-17 00:40:46

專利名稱：用於形成精細圖案的掩模及形成掩模的方法
技術領域：
本發明涉及一種用於製造半導體器件的掩模以及一種形成所述掩 模的方法，具體地，涉及一種用於形成具有精細圖案的半導體器件的掩 模以及一種形成所述掩模的方法。
背景技術：
隨著離集成度的持續趨勢，用於形成半導體器件的圖案持續逐漸變 得精細。因為用精細圖案形成的單獨器件的尺寸也持續減小，也必須減 小所需圖案的節距(即圖案和圖案之間的間隔或間隙的寬度)。然而，形 成線條圖案的設計規則的進一步減小一般受限於製造半導體器件時用於 形成圖案(例如，線條和間隔圖案，在下文中稱作線條圖案)的光刻工 藝的解析度限制。為克服光刻工藝的解析度限制，已經提出了一種雙構圖方法。雙構 圖可以以多種方式來實現，例如形成小尺寸隔板(spacer)的方法(在 美國專利No. 6， 603， 688中公開，將其合併在此作為參考)和自對準方法 (在韓國專利申請No. 10-2005-0032297中公開，將其合併在此作為參 考)。在雙構圖方法中，使用光刻工藝沿第一方向形成第一圖案，使用除 了光刻工藝之外的其他方法(例如，使用隔板或自對準方法)距第一圖 案預定的距離形成第二圖案。然而，在此方法中，將掩模上的圖案、尤 其是第二圖案實際地轉移到物體上。圖1A和圖1B是用於示出使用自對準方法的精細圖案形成方法的剖
面圖，作為雙構圖方法的傳統示例。這裡，區域a和b是第二圖案易於 出現缺陷的區域，區域c是第二圖案正常形成的區域。這裡，缺陷指的 是其中第二圖案沒有實際地正確轉移到物體的區域。
參考圖1A和圖1B，在其上形成有刻蝕層12的半導體襯底10上重
復地形成使用光刻工藝形成的第一掩模圖案14。這裡，第一掩模圖案14 用於形成刻蝕層12的第一掩模圖案12a，如圖1B所示。在包括第一掩 模圖案14的半導體襯底10上順序地形成第一掩模層18和第二掩模層 20。第一掩模層18形成為共形地均勻覆蓋第一掩模圖案14的頂面和側 面，並且優選地，形成為與區域c中的第一距離Dl相對應的厚度。第二 掩模層20共形地覆蓋第一掩模層18至均勻厚度。這裡，第二掩模層20 可以由具有與第一掩模圖案14相同刻蝕特性的材料形成。
接下來，使用溼法刻蝕來去除一部分第二掩模層20。結果，第二掩 模圖案20a殘留在正常區域(即區域c)的凹入部分上。這裡，第二掩 模圖案20a是用於形成雙構圖程序的第二圖案的掩模。然而，在該示例 中，沒有在有缺陷的區域a和b上形成第二掩模圖案20a,因為在有缺 陷的區域a和b中通過溼法刻蝕完全地去除了第二掩模層20。
當在形成第二掩模圖案20a之後執行各向異性刻蝕時，在第一掩模 圖案14的底部處形成第一圖案12a，在正常區域c的第二掩模圖案20a 下面正確地形成第二圖案16c。然而，在有缺陷的區域a和b上沒有正 確地形成第二掩模圖案20a,並且因此，掩模上的第二圖案16a和16b 沒有正確地轉移到半導體襯底10上。

發明內容
本發明的實施例提出了一種用於形成精細圖案的掩模，在雙構圖工 藝中將掩模的第一和第二圖案正確地轉移到下層的物體上。
本發明的實施例還提出了一種用於形成精細圖案的掩模的形成方 法，在雙構圖工藝中將掩模的第一和第二圖案正確地轉移到下層的物體 上。
根據本發明的一個方面，提出了一種用於形成精細圖案的掩模，包
括第一圖案，沿第一方向重複；第二圖案，排列在第一圖案之間、與
第一圖案平行，並且具有第一寬度W1;以及輔助圖案，設置在第一圖案 和第二圖案之間，並且沿第一方向與第二圖案間隔第一距離Dl。
輔助圖案之間沿第一方向的第二距離D2可以是(W1+2XD1)。輔助 圖案可以是與第二圖案隔離且間隔第一距離的第一輔助圖案。第一輔助 圖案可以設置在與第二圖案的其他區域上的一部分第二圖案相距第一距 離D1處。
第一輔助圖案的第二寬度W2可以與第二圖案的第一寬度Wl相同。 第一輔助圖案可以形成部分地包圍第二圖案的半矩形形狀。第一輔助圖 案的第二寬度W2可以與第二圖案的第一寬度Wl相同。
輔助圖案可以是在第一圖案和第二圖案之間與第一圖案相鄰的、與 第二圖案間隔第一距離Dl的第二輔助圖案。第一圖案和第二圖案之間的 距離可以大於第一距離D1且小於(W1+2XD1)。如果第一圖案和第二圖 案之間的第三距離D3大於第一距離D1且小於(D1+W1)，那麼第二輔助 圖案的寬度W3小於第一距離Dl。如果第一圖案和第二圖案之間的第三 距離D3大於(D1+W1)且小於(W1+2XD1)，那麼第二輔助圖案的寬度 W3大於第一距離D1。
根據本發明的另一個方面，提出了一種用於形成精細圖案的掩模的 形成方法，所述方法包括在掩模上沿第一方向重複地形成第一圖案； 形成第二圖案，所述第二圖案排列在第一圖案之間、與第一圖案平行， 並且具有第一寬度W1;以及形成輔助圖案，所述輔助圖案設置在第一圖 案和第二圖案之間，並且沿第一方向與第二圖案間隔第一距離Dl。
輔助圖案之間沿第一方向的第二距離D2可以是(W1+2XD1)。輔助 圖案可以是與第二圖案隔離且間隔第一距離Dl的第一輔助圖案。
形成第一輔助圖案的步驟可以包括在第二圖案的至少一側形成寬
度與第一距離D1相等的第一材料層;在第一材料層的至少一側形成寬度 與第一寬度Wl相等的第二材料層；以及去除第一距離Dl的第一材料層，
並且去除第二圖案，以形成第一輔助圖案。第二圖案和第一圖案之間的
距離可以大於或等於第一輔助圖案的寬度W2與第一距離Dl的兩倍的總 和(W2+2XD1)。第一輔助圖案可以與第二圖案沿第二圖案的周長間隔第 一距離Dl。第一輔助圖案可以形成部分地包圍第二圖案的半矩形形狀。
所述方法還可以包括在形成第一輔助圖案之後，在其初始位置處形成第 二圖案。
第一輔助圖案的寬度W2可以與第二圖案的寬度W1相同。第二圖案 和第一圖案之間的距離可以大於或等於第二輔助圖案的寬度Wl與第一 距離D1的兩倍的總和(W1+2XD1)。
可選地，輔助圖案可以是在第一圖案和第二圖案之間與第一圖案相 鄰的、與第二圖案間隔第一距離D1的第二輔助圖案。
形成第二輔助圖案的步驟可以包括在第一圖案和第二圖案的至少 一側之間設置材料層；去除第一圖案；以及去除寬度與距離D1相等的一 部分材料層，並且去除第二圖案，以形成第二輔助圖案。第一圖案和第 二圖案之間的距離可以大於第一距離Dl且小於第一寬度Wl與第一距離 Dl的兩倍的總和(W1+2XD1)。第二輔助圖案可以與第二圖案間隔第一 距離Dl。如果第一圖案和第二圖案之間的第三距離D3大於第一距離Dl 且小於(D1+W1)，那麼第二輔助圖案的寬度W3小於第一距離D1。如果 第一圖案和第二圖案之間的第三距離D3大於(D1+W1)且小於(W1+2X Dl)，那麼第二輔助圖案的寬度W3大於第一距離D1。所述方法還可以包 括在形成第二輔助圖案之後，在其初始位置處形成第二圖案。


通過參考附圖對本發明典型實施例的詳細描述，本發明的以上和其
他特徵和優點將變得更加清楚，其中
圖1A和圖1B是示出了根據雙構圖的傳統示例、使用自對準方法的 精細圖案形成方法的剖面圖2是具有正常精細圖案的掩模的平面圖3是根據本發明第一實施例、具有在包含第一缺陷的區域中形成 的精細圖案的平面圖;
圖4是根據本發明第一實施例、用於形成第一輔助圖案的方法的流 程圖5A至圖5E是進一步描述圖4方法的平面圖6是根據本發明第二實施例、具有在包含第二缺陷的區域中形成
的精細圖案的掩模的平面圖7是根據本發明第二實施例、用於形成第二輔助圖案的方法的流
程圖8A至圖8E是進一步描述圖7方法的平面圖；以及 圖9A和圖9B是根據本發明實施例、示出了使用用於雙構圖的典型 自對準方法的精細圖案形成工藝的剖面圖。
具體實施例方式
現在將參考附圖更加全面地描述本發明，附圖中示出了本發明的典 型實施例。然而，本發明可以具體實現為許多不同形式，並且不應該解 釋為局限於這裡闡述的實施例；相反，提供這些實施例使得該公開全面 且完整。圖中相同的數字代表相同的元件，因此將省略它們的描述。
本發明實施例提出了一種用於通過雙構圖形成精細圖案的掩模、以 及一種形成所述掩模的方法。將精細圖案分為通過光刻工藝形成的第一 圖案、以及在第一圖案之間排列的第二圖案，以便克服光刻工藝解析度 的限制。當將掩模上的精細圖案轉移到接收物體上時，如圖1A所示，可 能出現有缺陷的區域a和b以及正常區域c。本發明實施例涉及一種用於防 止有缺陷區域a和b出現的掩模，以及一種形成此種掩模的方法。
在描述本發明實施例之前，將給出用於圖1的以上示例的區域c的 描述。圖2是具有與以上示例的正常區域c相對應的精細圖案的掩模100 的平面圖
參考圖2,正常區域c中的精細圖案包括第一圖案104，沿第一 方向重複形成；以及第二圖案102，在第一圖案104之間形成。第一圖 案104是通過光刻工藝在接收物體上形成的圖案。第二圖案102具有第 一寬度W1，與第一圖案104間隔距離D1並且設定為與之平行。因此， 在該示例中，在第二圖案102兩側第一圖案104之間的間隔距離是(Wl+2 XD1)。
現在將描述用於形成如圖1A和圖1B的以上稱作有缺陷的區域a和 b的精細圖案的掩模。將在第一實施例中描述有缺陷的區域a (下文中稱 作第一缺陷)，在第二實施例中描述有缺陷的區域b (下文中稱作第二缺 陷)。
第一實施例
圖3是根據本發明第一實施例、具有在包含第一缺陷的區域中形成 的精細圖案的掩模200的平面圖。
參考圖3，掩模上存在的用於圖案轉移的對象包括第二圖案202， 所述第二圖案202具有還沒有轉移的第一類型的缺陷。例如，假設第一 圖案210沒有設置在距第二圖案202的一側(W2+2XD1)的距離。這裡， W2是以下描述的第一輔助圖案208的寬度。具體地，當第一圖案210和 第二圖案202之間的距離等於或大於第一輔助圖案的寬度W2與第一距離 D1X2的總和即(W2+2XD1)時，可能出現此處稱作"第一缺陷"的第 一類型的缺陷。
第二圖案202的寬度Wl是可以使用光刻工藝形成的最小寬度。此 外，在一個實施例中，第二圖案的寬度W1可以與第一輔助圖案208的寬 度W2相同。第一輔助圖案208與第二圖案202間隔第一距離D1，並且 獨立地設置。下面將詳細描述形成第一輔助圖案208的方法。
圖4是根據本發明第一實施例、用於形成第一輔助圖案208的方法 的流程圖，以及圖5A至圖5E是用於進一步描述圖4方法的平面圖。首 先，將描述線形第二圖案202的形成。
參考圖4和圖5A，在步驟S10中，從掩模中選擇具有第一缺陷、第 一寬度W1的第二圖案202。在該示例中，第一缺陷與參考圖3的以上描 述相同。當存在第一缺陷時，不會將掩模上的第二圖案202正確地轉移 到接收物體上。可以將第二圖案202設置為多種形式。g卩，當第二圖案 202是單獨的、隔離的實體時，可以具有與其一部分分開第一距離D1的 第一圖案104 (圖2中)，並且其剩餘部分可以突出並且形成第一缺陷。
參考圖4和圖5B，在步驟S12中，在第二圖案202的至少一側形成 具有與第一距離D1相等的寬度的第一材料層204。此外，如圖5B所示， 可以將第一材料層204形成為繞第二圖案202的周長具有與第一距離Dl 相等的寬度。第一材料層204可以由諸如鉻(Cr)之類的傳統阻光材料 形成。
參考圖4和圖5C，在步驟S14中，在第一材料層204的至少一側進
一步形成具有預定寬度(例如，第一寬度W1)的第二材料層206。如圖 5C所示，第二材料層206可選地可以形成為繞第一材料層204的周長具 有與第一寬度W1相等的寬度。參考圖4和圖5D，在步驟S16中，去除第二圖案202和寬度為第一 距離Dl的第一材料層204，從而形成具有第二寬度W2的第一輔助圖案 208。因此，殘留的第二材料層206可以是第一輔助圖案208。即，第一 輔助圖案的寬度W2可以與第二圖案的寬度Wl相等。第一輔助圖案208 與具有第一缺陷的第二圖案202間隔第一距離D1，使得將第一輔助圖案 208隔離。換句話說，第一輔助圖案208沒有附加到任意其他圖案，並 且從而被隔離。第一輔助圖案208之間的距離D2可以是(W1+2XD1)。第一輔助圖 案208可以形成為具有所示的一側開口，以在半矩形周長之內建立內部 空間。這裡，所得到的第一輔助圖案208的寬度W2可以與第一寬度W1 相同。參考圖4和圖5E，在步驟S18中，在形成第一輔助圖案208之後， 將已去除的第二圖案202恢復到其初始位置。因此，第一輔助圖案208 與第二圖案202間隔第一距離Dl以單獨地設置。第二實施例圖6是根據本發明第二實施例、具有在包含第二缺陷的區域中形成 的精細圖案的掩模300的平面圖。參考圖6,第一圖案304設置在掩模上存在的第二圖案302的至少 一側，但是所述第二圖案302還沒有被轉移到接收物體。這裡，當第一 和第二圖案304和302之間的間隔大於第一距離Dl且小於第一寬度Wl 和第一距離D1X2 (W1+2XD1)時，可能出現第二類型的缺陷(這裡稱 作"第二缺陷")。為了確保第二圖案302之間的第一距離D1，將第二輔 助圖案310附加到第一圖案304在第一圖案304和第二圖案302之間的 部分處。第二圖案302的寬度Wl可以是通過光刻工藝可以形成的最小寬 度。下面將詳細描述形成第二輔助圖案310的方法。圖7是根據本發明第二實施例、用於形成第二輔助圖案(310)的
方法的流程圖；以及圖8A至圖8E是進一步描述圖7方法的平面圖。現 在將描述線形第二圖案302的形成。參考圖7和圖8A,在步驟S20中，從掩模中選擇具有第二缺陷的、 第一寬度W1的第二圖案302。第二缺陷是與參考圖6所述相同的缺陷。 當第二缺陷存在時，掩模上的第二圖案302沒有轉移到接收物體。可以 將第二圖案設置為多種形式。即，當第二圖案302是單獨的實體時，可 以採取與其一部分分開第一距離Dl的第一圖案104 (圖2中)的形式， 並且其剩餘部分可以形成第二缺陷。這裡，第一圖案304和第二圖案302 之間的距離D3大於第一距離Dl。具體地，第三距離D3大於第一距離Dl 且小於(W1+2XD1)。參考圖7和圖8B，在步驟S22中，用材料層306填充第二圖案302 的至少一側與相鄰第一圖案304之間的間隙。此外，如圖8B所示，材料 層306可以填充第二圖案302的兩側。材料層306的寬度可以與第一圖 案304與第二圖案302之間的距離D3相同。參考圖7和圖8C,在步驟S24中，去除第一圖案304。因此，第二 圖案302和材料層306殘留在掩模上。在第二圖案302的至少一側上殘 留的材料層306的寬度包括寬度與第一距離Dl相同的第一部分308; 和寬度W3的第二部分310,寬度W3是隨後形成的第二輔助圖案310的 寬度。參考圖7和圖8D，在步驟S26中，去除第二圖案302和材料層306 中寬度與第一距離Dl相同的第一部分310，形成第三寬度W3的第二輔 助圖案310。結果，第二輔助圖案310與第二圖案302的至少一側間隔 第一距離Dl。第二輔助圖案310的寬度W3可以由第一圖案304和第二 圖案302之間的距離D3確定。即，如果D1〈D3〈(訓1)，那麼寬度W3 小於第一距離D1;以及如果(D1+W1)〈D3〈(W1+2XD1)，那麼寬度W3大於 第一距離Dl。第二輔助圖案310之間的距離D2可以是(W1+2XD1)。參考圖7和圖8E，在步驟S28中，在形成第二輔助圖案310之後， 將第二圖案302重新形成於其初始位置。因此，第二輔助圖案310與第 二圖案302間隔第一距離Dl，並且附加到第一圖案304。圖9A鄰圖9B是根據本發明實施例、示出了使用用於雙構圖的典型
自對準方法的精細圖案形成工藝的剖面圖。這裡，區域a和區域b分別 是在其上轉移第一輔助圖案208和第二輔助圖案310的區域，以及區域 c是在其上形成正常第二圖案的區域。參考圖9A和圖9B,在其上形成有刻蝕層402的半導體襯底400上，通 過光刻工藝重複地形成第一掩模圖案404。這裡，第一掩模圖案404用於 形成上述雙構圖程序的第一圖案410 (圖9B中)。在其上形成有第一掩模 圖案404的半導體襯底400上形成第一掩模層406和第二掩模層408。第一 掩模層406共形地覆蓋第一掩模圖案404的上面和側面，具有第一距離D1 的均勻厚度。第二掩模層408共形地覆蓋第一掩模層406，具有均勻厚度。 這裡，第二掩模層408可以包括具有與第一掩模圖案404相同刻蝕特性的 材料。接著,使用溼法刻蝕去除一部分第二掩模層408。第二掩模圖案408a 殘留在正常區域c中的第二掩模層408的凹入部分中。這裡，第二掩模圖 案408a是用於形成雙構圖程序的第二圖案的掩模，並且在正常區域c中形 成正常第二圖案412c，如參考圖2所述。此外，將第一輔助圖案208設置為在有缺陷的區域a中、與間隔第一 距離D1的第二圖案412相鄰。因此，在第二掩模層408的凹入區域中通過 溼法刻蝕正確地形成第二掩模圖案408a。將第二輔助圖案310形成為在有 缺陷的區域b上、與第二圖案412相鄰，其間具有第一距離D1。因此，在 第二掩模層408的凹入區域上通過溼法刻蝕正確地形成第二掩模圖案 408a。由於第二掩模圖案408a正確地形成，當執行各向異性刻蝕時，在第 一掩模圖案404下面正確地形成第一圖案410，以在第二掩模圖案408a下 面正確地形成第二圖案412a、 412b和412c。因此，在包括另外地有缺陷 區域a和b的半導體襯底400的整個區域上形成所需第二圖案。根據如上所述的本發明，在用於形成精細圖案的掩模、以及形成掩 模的方法中，形成可以將第一和第二圖案分開第一距離D1的輔助圖案，使得在雙構圖工藝中，可以將掩模上的第一和第二圖案正確地轉移到襯 底上的下展接收物體上。
儘管已經參考本發明的典型實施例，具體示出和描述了本發明，但 本領域普通技術人員應當理解，在不脫離所附權利要求所限定的本發明 的精神和範圍的情況下，可以對這些實施例進行形式和細節上的多種改 變。
權利要求
1.一種用於形成精細圖案的掩模，包括第一圖案，沿第一方向重複；第二圖案，排列在第一圖案之間、與第一圖案平行，並且具有第一寬度W1；以及輔助圖案，設置在第一圖案和第二圖案之間，並且沿第一方向與第二圖案間隔第一距離D1。
2. 如權利要求1所述的掩模，其中，輔助圖案之間沿第一方向的第二距離D2是(W1+2XD1)。
3. 如權利要求1所述的掩模，其中，輔助圖案是與第二圖案隔離 且間隔第一距離的第一輔助圖案。
4. 如權利要求3所述的掩模，其中，第一輔助圖案設置在與第二 圖案的其他區域上的一部分第二圖案相距第一距離D1處。
5. 如權利要求3所述的掩模，其中，第一輔助圖案的第二寬度W2 與第二圖案的第一寬度W1相同。
6. 如權利要求3所述的掩模，其中，第一輔助圖案形成部分地包 圍第二圖案的半矩形形狀。
7. 如權利要求6所述的掩模，其中，第一輔助圖案的第二寬度W2 與第二圖案的第一寬度W1相同。
8. 如權利要求1所述的掩模，其中，輔助圖案是在第一圖案和第 二圖案之間與第一圖案相鄰的、與第二圖案間隔第一距離Dl的第二輔助 圖案。
9. 如權利要求8所述的掩模，其中，第一圖案和第二圖案之間的 距離大於第一距離Dl且小於(W1+2XD1)。
10. 如權利要求8所述的掩模，其中，如果第一圖案和第二圖案之 間的第三距離D3大於第一距離D1且小於(D1+W1)，那麼第二輔助圖案 的寬度W3小於第一距離Dl。
11. 如權利要求8所述的掩模，其中，如果第一圖案和第二圖案之 間的第三距離D3大於(D1+W1)且小於(W1+2XD1)，那麼第二輔助圖案 的寬度W3大於第一距離D1。
12. —種用於形成精細圖案的掩模的形成方法，所述方法包括 在掩模上沿第一方向重複地形成第一圖案；形成第二圖案，所述第二圖案排列在第一圖案之間、與第一圖案平 行，並且具有第一寬度W1;以及形成輔助圖案，所述輔助圖案設置在第一圖案和第二圖案之間，並 且沿第一方向與第二圖案間隔第一距離Dl。
13. 如權利要求12所述的方法，其中，輔助圖案之間沿第一方向 的第二距離D2是(W1+2XD1)。
14. 如權利要求12所述的方法，其中，輔助圖案是與第二圖案隔 離且間隔第一距離D1的第一輔助圖案。
15. 如權利要求14所述的方法，其中，形成第一輔助圖案的步驟 包括在第二圖案的至少一側形成寬度與第一距離Dl相等的第一材料層； 在第一材料層的至少一側形成與寬度第一寬度Wl相等的第二材料 層；以及去除第一距離Dl的第一材料層，並且去除第二圖案，以形成第一 輔助圖案。
16. 如權利要求15所述的方法，其中，第二圖案和第一圖案之間 的距離大於或等於第一輔助圖案的寬度W2與第一距離Dl的兩倍的總和(W2+2XD1)。
17. 如權利要求15所述的方法，其中，第一輔助圖案與第二圖案 沿第二圖案的周長間隔第一距離Dl。
18. 鄉權利要求15所述的方法，其中，第一輔助圖案形成部分地 包圍第二圖案的半矩形形狀。
19. 如權利要求15所述的方法，還包括在形成第一輔助圖案之後，在其初始位置處形成第二圖案。
20. 如權利要求15所述的方法，其中，第一輔助圖案的寬度W2與 第二圖案的寬度W1相同。
21. 如權利要求20所述的方法，其中，第二圖案和第一圖案之間 的距離大於或等於第二輔助圖案的寬度Wl與第一距離Dl的兩倍的總和(W1+2XD1)。
22. 如權利要求12所述的方法，其中，輔助圖案是在第一圖案和 第二圖案之間與第一圖案相鄰的、與第二圖案間隔第一距離Dl的第二輔 助圖案。
23. 如權利要求22所述的方法，其中，形成第二輔助圖案的步驟 包括在第一圖案和第二圖案的至少一側之間設置材料層； 去除第一圖案；以及去除寬度與距離Dl相等的一部分材料層，並且去除第二圖案，以 形成第二輔助圖案。
24. 如權利要求23所述的方法，其中，第一圖案和第二圖案之間 的距離大於第一距離Dl且小於第一寬度Wl與第一距離Dl的兩倍的總和(W1+2XD1)。
25. 如權利要求22所述的方法，其中，第二輔助圖案與第二圖案 間隔第一距離D1。
26. 如權利要求23所述的方法，其中，如果第一圖案和第二圖案 之間的第三距離D3大於第一距離D1且小於(D1+W1)，那麼第二輔助圖 案的寬度W3小於第一距離D1。
27. 如權利要求23所述的方法，其中，如果第一圖案和第二圖案 之間的第三距離D3大於(D1+W1)且小於(W1+2XD1)，那麼第二輔助圖 案的寬度W3大於第一距離D1。
28. 如權利要求22所述的方法，還包括在形成第二輔助圖案之 後，在其初始位置處形成第二圖案。
全文摘要
在一種用於形成精細圖案以將第一和第二圖案從掩模完全地轉移到接收物體上的掩模、以及一種形成所述掩模的方法中，所述掩模包括第一圖案、第二圖案和輔助圖案。第一圖案沿第一方向重複。第二圖案排列在第一圖案之間、與第一圖案平行，並且具有第一寬度W1。輔助圖案設置在第一圖案和第二圖案之間，並且沿第一方向與第二圖案間隔第一距離D1。
文檔編號G03F1/68GK101158804SQ20071000571
公開日2008年4月9日 申請日期2007年2月13日 優先權日2006年10月2日
發明者柳文鉉, 申在弼, 金英一 申請人:三星電子株式會社