大功率發光二極體封裝結構的製作方法

2023-05-03 14:03:31 1

專利名稱：大功率發光二極體封裝結構的製作方法
技術領域：
本實用新型屬於半導體器件技術領域，涉及一種大功率發光二極體封裝結構。
背景技術：
傳統的發光二極體(LED)的封裝結構，一般是用導電或非導電膠將晶片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺上，由金絲完成器件的內外連接後用環氧樹脂封裝而成，其熱阻高達250～300℃/W，因此其只能在20mA的小電流及＜0.1W的條件下工作。而功率型(＞1W)LED若採用傳統的封裝形式，將會因為散熱不良而導致晶片結溫迅速上升和環氧碳化變黃，造成器件的光衰減加速直至失效，甚至因為迅速的熱膨脹所產生的應力造成開路而失效。因此傳統的發光二極體封裝結構難以適應高功率LED器件的散熱需要，無法獲得穩定的光輸出和維持較高的器件壽命。

發明內容
本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種熱阻低、散熱良好的大功率發光二極體封裝結構。
本實用新型的大功率發光二極體封裝結構包括有一個金屬基板，在金屬基板上表面覆蓋有一層絕緣層，在絕緣層上粘貼有電極片和發光二極體，所述發光二極體與絕緣層結合的底面為光滑平面，發光二極體的管腳由側面伸出並與電極片焊接連接，所述金屬基板的底面上開有多條散熱槽。為進一步減小熱阻，所述的絕緣層可採用薄膜結構，以區別於公知技術中以PCB板作為絕緣層的結構。
本實用新型由於改善了發光二極體、絕緣層及金屬基板的結合結構，同時通過在金屬基板底面設置散熱槽以增加散熱面積，因此大大降低了整個產品封裝後的熱阻，提高了散熱性能。


圖1是本實用新型分層結構示意圖；圖2是本實用新型的平面結構示意圖。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型的結構中包括有一個金屬基板1，金屬基板上表面覆蓋有薄膜狀的絕緣層2，在絕緣層上設置電極片3和發光二極體4。發光二極體的底面為光滑平面，而位於側面的管腳5與電極片焊接連接。金屬基板的底面上開有多條散熱槽6。
權利要求1.一種大功率發光二極體封裝結構，包括有一個金屬基板(1)，在金屬基板上表面覆蓋有一層絕緣層(2)，在絕緣層上粘貼有電極片(3)和發光二極體(4)，其特徵是所述發光二極體與絕緣層結合的底面為光滑平面，發光二極體的管腳(5)由側面伸出並與電極片焊接連接，所述金屬基板的底面上開有多條散熱槽(6)。
2.根據權利要求1所述的大功率發光二極體封裝結構，其特徵是所述的絕緣層(2)為薄膜結構。
專利摘要本實用新型屬於半導體器件技術領域，涉及一種大功率發光二極體封裝結構。該結構包括有一個金屬基板，在金屬基板上表面覆蓋有一層絕緣層，在絕緣層上粘貼有電極片和發光二極體，所述發光二極體與絕緣層結合的底面為光滑平面，發光二極體的管腳由側面伸出並與電極片焊接連接，所述金屬基板的底面上開有多條散熱槽。本實用新型的結構大大降低了整個產品封裝後的熱阻，提高了散熱性能。
文檔編號H01L33/00GK2798315SQ20052007047
公開日2006年7月19日 申請日期2005年4月4日 優先權日2005年4月4日
發明者彭國明, 吉愛華, 李明, 黃振春 申請人:江蘇奧雷光電有限公司