切片式傳送器前端電路及相關方法

2023-05-04 00:30:41 1

專利名稱：切片式傳送器前端電路及相關方法
切片式傳送器前端電路及相關方法
技術領域：
本發明領域是關於一種傳送器前端電路，特別是關於一種具有切片式(slicedconfiguration)傳送器前端電路及相關方法。
背景技術：
一傳送器前端(TX FE)是位於一傳送器/收發器內以及設置於一數字電路與該傳送器/收發器的天線之間的一模擬電路。簡單來說，該數字電路產生一數位訊號，接著該數位訊號通過一數模轉換器(DAC)轉換成一基頻信號。通常該傳送器前端電路包含一本地振蕩器(LO)，用於產生一載波信號；一混頻器用於混頻該基頻信號與該載波信號以產生一無線電頻率(RF)信號；以及一增益級用以放大該RF信號。該放大後的RF信號接著直接或間接地傳送至該天線以用於傳送。TX FE電路有時會被設計為可提供一較大的動態範圍。但是這樣的TX FE電路需要面臨很多的問題，例如其需要忍受噪聲汙染尤其是當其提供一高增益時。此外，其不能於不同的增益級維持線性度。此外，其還需要忍受所謂「L0洩漏」問題，尤其是當其提供一低增益時。更甚者，此時該TX FE電路將不能降低較多的功率消耗，尤其是當其提供一低增益時。

發明內容有鑑於此，本發明致力於減輕、緩和或消除上述提及的一個或多個缺陷，以提供一種具有大動態範圍的切片式傳送器前端電路及相關方法。一方面，本發 明實施例提供一種切片式傳送器前端電路，包含多個並行連接的第一傳送器前端切片，其作為一個整體為該切片式傳送器前端電路的疊加增益範圍提供一高增益部分；一第二傳送器前端切片，與多個該第一傳送器前端切片並行連接，該第二傳送器前端切片具有一增益範圍，該增益範圍為該疊加增益範圍提供一低增益部分；其中該第二傳送器前端切片的該增益範圍的最小增益小於該高增益部分的最小增益。另一方面，本發明實施例提供一種運作一切片式傳送器前端電路的方法，該切片式傳送器前端電路包含並行連接的多個第一傳送器前端切片與一第二傳送器前端切片，該方法包含在第一模式，使能該多個第一傳送器前端切片及禁能該第二傳送器前端切片；在第二模式，禁能該多個第一傳送器前端切片及使能該第二傳送器前端切片；其中該第二傳送器前端切片所提供的低增益部分的最小增益小於該多個第一傳送器前端切片作為一整體所提供的高增益部分的最小增益。再一方面，本發明實施例提供一種切片式傳送器前端電路，包含多個並行連接的第一傳送器前端切片，每一該第一傳送器前端切片包含一第一混頻器；一第一本地振蕩器，耦接至該第一混頻器的載波輸入端；以及一第一程控增益放大器，耦接至該第一混頻器的信號輸出端。本發明實施例的切片式傳送器前端電路及相關方法，能夠提供一較大的動態範圍，克服「L0洩漏」問題以及使功率消耗得以降低。

圖1所示為依據本發明一實施例的切片式傳送器前端(TX FE)電路100的簡化結構示意圖；圖2所示為該高增益部分、低增益部分與疊加增益範圍部分之間的關係示意圖；圖3所示為假設M等於8或者每一 PGAs 190_0 190_8具有8個PGA單元的情形下，該切片式TX FE電路100的一些示例性增益級的表格示意圖；圖4所示為具備如切片式TX FE電路100所具備的動態範圍但不具備切片式結構的TX FE電路400的簡化結構示意圖；圖5所示為濾波器22的負載的等效電路圖模型示意圖；圖6所示為依據本發明另一實施例的切片式TX FE電路600的簡化結構示意圖；圖7所示為依據本發明再一實施例的切片式TX FE電路700的簡化結構示意圖；圖8所示為依據本發明又一實施例的切片式TX FE電路800的簡化結構示意圖。
具體實施方式

圖1所示為依據本發明一實施例的切片式傳送器前端(TX FE)電路100的簡化結構示意圖。該切片式TX FE電路100可包含於一傳送器/收發器中，並可以設置於數字電路及該傳送器/收發器的天線之間。一些數模轉換器(DACs)及一些濾波器，例如圖1所示的DAC 12，DAC 14，濾波器22，濾波器24，可作為中間電路設置於該數字電路及該TX FE電路100之間。在本實施例中，該切片式TX FE電路100包含數量為M的第一 TX FE切片IIOj 110_M以及一第二 TX FE切片110_0，其中M為大於I的整數。該M個第一 TX FE切片110_fll0_M並行連接以及相互間是大致上相同的。以第一 TX FE切片IlOJ(為例進行說明，其中K為I與M之間的整數，該第一 TX FE切片110_K包含一混頻器130J(，一本地振蕩器150_Κ，以及包含一程控增益放大器(PGA) 190_Κ的一增益級。該混頻器130_Κ具有至少一混頻器單元，例如兩個分別運作於不同相位的混頻器單元131J(與132_Κ。該混頻器單元131J(與132J(可以為無源元件，每一混頻器單元具有一信號輸入端，一載波輸入端以及一信號輸出端，如圖所示分別位於其左側、底側及右側。該PGA 190_Κ可以包含多個PGA單元(未圖示)及可以在禁能剩餘PGA單元時使能任意數量的PGA單元。例如,PGA單元在其運作信號放大功能時得以使能並於其關閉時予以禁能。由於該第一 TX FE切片110_廣110_M及其多個PGA單元可以分別單獨地使能及禁能，其相當於該第一 TX FE切片110_fll0_M作為一個整體能夠提供多個第一增益級的一高增益部分。同每一個第一 TX FE切片110_1 110_M—樣，該第二 TX FE切片110_0也包含一混頻器130_0，一本地振蕩器150_0以及包含一 PGA 190_0的一增益級。該混頻器130_0包含至少一混頻器單元，例如分別運作於不同相位的兩個混頻器單元131_0與132_0。該混頻器單元131_0與132_0可以為無源元件，每一混頻器單元131_0與132_0具有一信號輸入端，一載波輸入端以及一信號輸出端，如圖所不分別位於其左側、底側及右側。該PGA 190_0具有多個PGA單元以及可以在禁能剩餘PGA單元時使能任意數量的PGA單元。例如，一 PGA單元在其運作信號放大功能時予以使能並於其關閉時予以禁能。不同於該第一 TX FE切片110_Tll0_M,該第二 TX FE切片110_0還包含第二增益級,該第二增益級包含可調衰減器170_0。該可調衰減器170_0能夠在提供一分貝標度(decibel scale)上的負增益。該可調衰減器170_0包含信號輸入端及信號輸出端分別位於其左側及右側。基於該可調衰減器170_0及該PGA 190_0，該第二 TX FE切片110_0能夠提供多個第二增益級的低增益部分。由於包含該可調衰減器170_0，使得該低增益部分的最小增益值比該高增益部分的最小增益值還要小。因此，該至少一第二增益級小於所有的第一增益級。例如，該可調衰減器170_0可以為電容性的分頻器或者具有PGA 190_0的可調增益的輸入級。在本實施例中，該混頻器單元131_(Γ131_Μ的信號輸入端耦接至該濾波器22以接收一第一基頻信號。該混頻器單元132_(Γ132_Μ的信號輸入端耦接至該濾波器24以接收一第二基頻信號。這些基頻信號的初始數字格式由該傳送器/收發器的該數字電路產生。該PGAs 190_(Γ190_Μ的信號輸出端耦接至該切片式TX FE電路100的輸出端以直接或間接提供放大後信號至該傳送器/收發器的天線以用於傳送。本實施例的該切片式TX FE電路100具有一疊加的增益範圍。該疊加的增益範圍包含由該第一 TX FE切片110_f 110_Μ作為一整體所提供的該高增益部分，以及該第二 TXFE切片110_0所提供的低增益部分。例如，若每一第一 TXFE切片110_f 110_Μ所提供的第一增益範圍位於Xl dBm與Yl dBm之間時，上述高增益部分則應該位於Xl dBm與Y1』 dBm之間，其中ΥΓ值大於Y1。若該第二 TX FE切片110_0所提供的第二增益範圍位於X2 dBm與Y2 dBm之間時，上述低增益部分則應該位於X2 dBm與Y2 dBm之間。如上所述，由於包含該可調衰減器170_0致使該第二 TX FE切片110_0所提供的最小增益X2 dBm小於該第一 TX FE切片110_f 110_M所提供的最小增益Xl dBm。此外，若該低增益部分的最大增益Y2 dBm大於該高增益部分的最小增益Xl dBm，該兩個增益部分可以共享Xl dBm至Y2 dBm的一重疊部分。圖2所示為該高增益部分、低增益部分與疊加增益範圍部分之間的關係示意圖。若該低增益部分的最大增益Y2 dBm等於或小於該高增益部分的最大增益XldBm，僅有一重`疊增益部分Xl =Y2 dBm或者無重疊增益部分位於該高增益部分與該低增益部分之間。圖3所示為假設M等於8或者每一 PGAs 190_0 190_8具有8個PGA單元的情形下，該切片式TX FE電路100的一些示例性增益級的表格示意圖。於本實施例中，該切片式TXFE電路100具有至少19種分離的增益級。其中增益級廣15可以為上述第一增益級的非專屬(non-exclusive)成員。該切片式TX FE電路100可以位於第一模式以提供增益級1 5，以及位於第二模式以提供增益級6 15。在第一模式中，所有的第一 TX FE切片110_廣110_M均使能以及該第二 TX FE切片110_0禁能。在第二模式中，該第一 TX FE切片的一組使能而該第一 TX FE切片的另一組禁能以及該第二 TX FE切片110_0禁能。若一 TX FE切片正在基於其自濾波器22或24接收到的基頻信號產生RF信號時，該TX FE切片是使能的。換句話說，若一 TX FE切片處於關閉狀態時其是禁能的。當該切片式TX FE電路100位於該第一模式或者第二模式以及一個以上的第一TXFE切片處於使能狀態時，該切片式TX FE電路100可以對該已使能的第一 TX FE切片的每一個中使能同樣數量的PGA單元。例如，在增益級1，該切片式TX FE 100在8個使能的第一 TX FE切片的每一個中使能8個PGA單元；在增益級2，該切片式TX FE 100在8個使能的第一 TX FE切片的每一個中使能7個PGA單元；……；在增益級6，該切片式TX FE 100在4個使能的第一 TX FE切片的每一個中使能7個PGA單元；在增益級7，該切片式TX FE100在4個使能的第一 TX FE切片的每一個中使能6個PGA單元；……;在增益級10，該切片式TX FE 100在2個使能的第一 TX FE切片的每一個中使能2個PGA單元。增益級16 19可以是上述第二增益級的非專屬(non-exclusive)成員，以及該切片式TX FE電路100位於第三模式以提供上述4個增益級中的任意一個。於第三模式時，該第一 TX FE切片110_1 110_M全部禁能以及僅有該第二 TX FE切片110_0是使能的。圖4所示為具備如切片式TX FE電路100所具備的動態範圍但不具備切片式結構的TX FE電路400的簡化結構示意圖。本領域技術人員應該很容易可以了解，相比於非切片式TX FE電路400該切片式TX FE電路100所具備的優點。該非切片式TX FE電路400相似於該第二 TX FE切片110_0，其也包含一混頻率430，一本地振蕩器450，一包含一可調衰減器470的第一增益級，以及包含PGA 490的第二增益級。此外，該混頻器430還類似於該混頻器130_0，其構成也包含兩個混頻器單元431，432。比較該非切片式TX FE電路400與該切片式TX FE電路100的動態範圍，混頻器130_(Γ130_Μ的每一者的尺寸大致為混頻器430的尺寸的1/Μ，本地振蕩器150_(Tl50_M的每一者的尺寸大致為本地振蕩器450的尺寸的1/M，PGAs 190_(Tl90_M的每一者的尺寸大致為PGA490的尺寸的1/Μ，以及該可調衰減器170_0的尺寸大致為可調衰減器470的尺寸的1/Μ。此外，若PGAs 190_(Tl90_M的每一者包含N個PGA單元，該PGA490則包含(Μ*Ν)個PGA單元，其中N為大於I的整數。接下來將基於假設該非切片式TX FE電路400與切片式TX FE電路100均具有大致上為78dB的動態範圍，以及M及N均為8的前提下，對該非切片式TX FE電路400與切片式TX FE電路100進行比較。在這種假定下，該PGA 490包含64個PGA單元，以及PGAs190_(Tl90_M的每一者包含8個PGA單元。不同於非切片 式TX FE電路400與第二 TX FE切片110_0，第一 TX FE切片110_fll0_M的任一者均不會包含一可調衰減器，該可調衰減器可視為引起信號噪聲比率(SNR)下降的一電位源(potential source)。因此,不同於非切片式TX FE電路400,當該切片式TX FE電路100運作於如圖3所示的增益級f 15的任一級時，其SNR下降能夠得到一定的減緩，原因在於在切片式TX FE電路100的上述增益級中，未使用任何的可調衰減器。由於當切片式TX FE電路100運作於一低增益時，其噪聲更可以相對地忽略不計，因此當切片式TX FE電路100運作於如圖3所示的增益級16 19的任一級時，即使該可調衰減器170_0處於使能狀態時，也不會導致一不可接受的噪聲問題。此外，混頻器130_(Γ130_8的每一者可以為被動式混頻器及具有高線性。從而，該TX FE切片110_0 110_8無需共享一單獨的大的PGA 490，反而可以分別包含切片式PGA190_0 190_8。不同於該混頻器430需設置64個PGA單元以及需具有一寬範圍的增益，混頻器130_(Γ130_8的每一者僅需設置8個PGA單元以及僅需具有一相對較窄的增益範圍。因此，該切片式TX FE電路100作為一個整體能夠比非切片式TX FE電路400獲得更好的線性。此外，本地振蕩器150_(Γ150_8的每一者為本地振蕩器450的尺寸的1/8。當該切片式TX FE電路100運作於如圖3所示的增益級6 8時，本地振蕩器150_(Tl50_8中僅有4個是使能的；當該切片式TX FE電路100運作於如圖3所示的增益級擴10時，本地振蕩器150_(Γ150_8中僅有2個是使能的；當該切片式TX FE電路100運作於如圖3所示的增益級If 19時，本地振蕩器150_(Γ150_8中僅有I個是使能的。換句話說，於增益級6 19，本地振蕩器150_(Γ150_8中至少有5個是處于禁能狀態的，從而不會引發LO洩漏。因此，該切片式TX FE電路100的LO洩漏問題能夠隨著其輸出功率電平的降低而得以降低。相反，對於非切片式TX FE電路400來說，不管該非切片式TX FE電路400是運作於其最大增益級或最小增益級，本地振蕩器450 —直處於開啟狀態。因此，該非切片式TX FE電路400將面臨嚴重的LO洩漏問題，尤其是當其運作於一低增益級時。此外，該第一 TX FE切片110_(Γ110_8中的一些可以被禁能以降低功率消耗。尤其是於圖3所示的增益級f 15時，該第二 TX FE切片110_0是禁能的。此外，於增益級6 8時，第一 TX FE切片110_0 110_8中的4個是禁能的；於增益級9 10時，第一 TX FE切片110_(Tll0_8中的6個是禁能的；於增益級11 15時，第一 TX FE切片110_(Tll0_8中的7個是禁能的；以及於增益級16 19時，第一 TX FE切片110_(Γ110_8中的8個是禁能的。因此，不同於該非切片式TX FE 400，由於非切片式TX FE 400未設置切片可以關閉，因此即使其處於一低輸出功率時也不能引起更多的功率消耗的降低，相反該切片式TX FE電路100則能隨著其輸出功率電平的降低極大的降低其功率消耗。當該切片式TX FE電路100應用於通過電池來提供功率的手持電子設備中時，這一特性將顯得尤其有價值。由於切片式TX FE電路100中使能的切片數目能夠隨著輸出功率電平而發生改變，通過切片式TX FE電路100施加於濾波器22與24的等效負載也可以隨著輸出功率電平的變化而發生改變。負載的改變將引起濾波器22與24輸出的模擬信號的電平同樣發生改變。傳送器/收發器的數字電路能夠調整輸出至DACs 12，14的數位訊號以抵消上述的電平變化。圖5所示為濾波器22的負載的等效電路圖模型示意圖。由於TX FE切片1，2，4或8將被使能，該等效電阻RIF 與RLOAD可以發生變化。例如，當第一 TX FE切片110_1 110_8的8個全部使能時，該等效電阻RLOAD可以等於RL0AD_8，而當第一 TX FE切片110_Γ 10_8中僅有4個使能時，該等效電阻RLOAD可以等於RL0AD_4，而當第一 TX FE切片110_ f 110_8中僅有2個使能時，該等效電阻RLOAD可以等於RL0AD_2，以及當第一 TX FE切片110_1 110_8中僅有I個使能或者僅當第二 TX FE切片110_0使能時，該等效電阻RLOAD可以等於RL0AD_1。為了確保不管多少數量的TX FE切片處於使能狀態，DAC 12接收到的一相等的數字值將於節點B引發一相等的電壓VB，可以通過調整節點A處的電壓VA以使下述方式成立VB=[RLoad_8/(RLoad_8+RIF)]XVA_8=[RLoad_4/(RLoad_4+RIF)]XVA_4=[RLoad_2/(RLoad_2+RIF)]XVA_2=[RLoad_l/(RLoad_l+RIF)]XVA_1於上述公式中，VA_1，VA_2，VA_4以及VA_8為節點A處的可調電壓，其分別對應於當I個，2個，4個以及8個TX FE切片使能的情形。上述電壓的調整可以運作於數字域，例如通過增添低音增益(bass boost gain, GBB)在DAC12的前端予以實現。圖6所示為依據本發明另一實施例的切片式TX FE電路600的簡化結構示意圖。該切片式TX FE電路600與該切片式TX FE電路100的不同之處在於，切片式TX FE電路100設置有非切片式濾波器22與24，而切片式TX FE電路600於其第一 TX FE切片110_1』 110_M1中設置有切片式濾波器22_1 22_11及24_1 24_M，以及於其第二 TX FE切片110_0'中設置有切片式濾波器22_0與24_0。例如，切片式濾波器22_(Γ22_Μ& 24_(Γ24_Μ的每一者可以大致上為濾波器22與24的尺寸的1/Μ。除了上述不同，該切片式TX FE電路600還具有切片式TX FE電路100的許多優點，以及還提供如圖3所示的19個增益級。圖7所示為依據本發明再一實施例的切片式TX FE電路700的簡化結構示意圖。該切片式TX FE電路700與該切片式TX FE電路100的不同之處在於，該切片式TX FE電路700不包含該第二 TX FE切片110_0。除了相比於切片式TX FE電路100，該切片式TXFE電路700具有一相對較窄的動態範圍之外，TX FE電路700還具有切片式TX FE電路100的許多優點，以及還提供如圖3所示的增益級f 15。圖8所示為依據本發明一實施例的切片式TX FE電路800的簡化結構示意圖。該切片式TX FE電路800與該切片式TX FE電路600的不同之處在於，切片式TX FE電路800不包含第二 TX FE切片110_0』。而除了相比於切片式TXFE電路600，該切片式TX FE電路800具有一相對較窄的動態範圍之外，該切片式TX FE電路800亦具有切片式TX FE電路600的許多優點，以及亦提供如圖3所示的增益級f 15。本發明實施例還提供一種運作上述切片式TX FE電路的方法，如前所述，該切片式TX FE電路包含並行連接的多 個第一 TX FE切片與一第二 TX FE切片，該方法包含於第一模式下，使能該多個第一 TX FE切片及禁能該第二 TXFE切片，而於第二模式下，禁能該多個第一 TX FE切片及使能該第二 TX FE切片。其中該第二 TX FE切片所提供的低增益部分的最小增益小於該多個第一 TX FE切片作為一整體所提供的高增益部分的最小增益。關於運作該切片式TXFE電路的方法的詳細操作方式可參見上述描述，在此不再作詳細敘述。雖然本發明已以具體實施例揭露如上，然其僅為了易於說明本發明的技術內容，而並非將本發明狹義地限定於該實施例，本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視本發明的權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種切片式傳送器前端電路，其特徵在於，包含 多個並行連接的第一傳送器前端切片，其作為一個整體為該切片式傳送器前端電路的疊加增益範圍提供一高增益部分； 第二傳送器前端切片，與多個該第一傳送器前端切片並行連接，該第二傳送器前端切片具有一增益範圍，該增益範圍為該疊加增益範圍提供低增益部分； 其中該第二傳送器前端切片的該增益範圍的最小增益小於該高增益部分的最小增益。
2.如權利要求1所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該第二傳送器前端切片包含可調衰減器，以及該多個第一傳送器前端切片的每一個均不包含可調衰減器。
3.如權利要求1所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該多個第一傳送器前端切片的每一個均包含由一程控增益放大器所組成的增益級，以及該第二傳送器前端切片包含分別由一可調衰減器與一程控增益放大器所組成的兩個增益級。
4.如權利要求1所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該切片式傳送器前端電路在第一模式下使能該第一傳送器前端切片及禁能該第二傳送器前端切片，以及於第二模式下禁能該第一傳送器前端切片及使能該第二傳送器前端切片。
5.如權利要求1所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於 該多個第一傳送器前端切片的每一者均包含 一第一混頻器；以及 一程控增益放大器，耦接於該第一混頻器的信號輸出端及包含多個程控增益放大器單元；以及 該第二傳送器前端切片包含 一第二混頻器； 一可調衰減器，耦接於該第二混頻器的信號輸出端；以及 一第二程控增益放大器，耦接於該可調衰減器的信號輸出端以及包含多個程控增益放大器單元。
6.如權利要求5所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該多個第一傳送器前端切片的每一者還包含一第一濾波器，耦接至該第一混頻器的信號輸入端，以及該第二傳送器前端切片還包含一第二濾波器，耦接至該第二混頻器的信號輸入端。
7.如權利要求5所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該切片式傳送器前端電路在一特定模式下，使能該每一已使能的第一傳送器前端切片中相同數量的程控增益放大器單元。
8.如權利要求5所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該第一傳送器前端切片與該第二傳送器前端切片的程控增益放大器單元配置為相互獨立的使能與禁能，以提供多個增益級。
9.如權利要求5所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，該切片式傳送器前端電路在另一特定模式下，使能該多個第一傳送器前端切片中的一組第一傳送器前端切片以及禁能該第二傳送器前端切片與該多個第一傳送器前端切片中的另一組第一傳送器前端切片。
10.一種運作一切片式傳送器前端電路的方法，其特徵在於，該切片式傳送器前端電路包含並行連接的多個第一傳送器前端切片與一第二傳送器前端切片，該方法包含在第一模式下，使能該多個第一傳送器前端切片及禁能該第二傳送器前端切片； 在第二模式下，禁能該多個第一傳送器前端切片及使能該第二傳送器前端切片；其中該第二傳送器前端切片所提供的低增益部分的最小增益小於該多個第一傳送器前端切片作為一整體所提供的高增益部分的最小增益。
11.如權利要求10所述的方法,其特徵在於,該多個第一傳送器前端切片的每一者均包含由多個程控增益放大器單元組成的程控增益放大器，以及該方法還包含 在一特定模式下，使能該每一個已使能的第一傳送器前端切片中相同數量的程控增益放大器單元。
12.如權利要求10所述稍微方法，其特徵在於，該第一傳送器前端切片與該第二傳送器前端切片的每一者均包含一程控增益放大器，每一該程控增益放大器包含多個程控增益放大器單元，以及該方法還包含 控制該第一傳送器前端切片與該第二傳送器前端切片的程控增益放大器單元為相互獨立的使能與禁能，以提供多個增益級。
13.如權利要求10項所述之方法，其特徵在於，該方法還包含 在另一特定模式下，使能該多個第一傳送器前端切片中的一組第一傳送器前端切片以及禁能該第二傳送器前端切片與該多個第一傳送器前端切片中的另一組第一傳送器前端切片。
14.如權利要求10所述的方法，其特徵在於，該多個第一傳送器前端切片配置為提供多個第一增益級，該第二傳送器前端切片配置為提供多個第二增益級，以及該多個第二增益級的每一者均小於該多個第一增益級。
15.如權利要求10所述的方法，其特徵在於 該多個第一傳送器前端切片的每一者均包含 一第一混頻器； 以及一第一程控增益放大器，耦接於該第一混頻器的訊號輸出端及包含多個程控增益放大器單元；以及 該第二傳送器前端切片包含 一第二混頻器； 一可調衰減器，耦接於該第二混頻器的信號輸出端；以及 一第二程控增益放大器，耦接於該可調衰減器的信號輸出端以及包含多個程控增益放大器單元。
16.如權利要求15所述的方法,其特徵在於,該多個第一傳送器前端切片的每一者還包含一第一濾波器，耦接至該第一混頻器的信號輸入端，以及該第二傳送器前端切片還包含一第二濾波器，耦接至該第二混頻器的信號輸入端。
17.一種切片式傳送器前端電路，其特徵在於，包含 多個並行連接的第一傳送器前端切片，每一該第一傳送器前端切片包含 一第一混頻器； 一第一本地振蕩器，耦接至該第一混頻器的載波輸入端；以及 一第一程控增益放大器，耦接至該第一混頻器的信號輸出端。
18.如權利要求17所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，還包含一第二傳送器前端切片，與該多個第一傳送器前端切片並行連接，該第二傳送器前端切片包含 一第二混頻器； 一第二本地振蕩器，耦接至該第二混頻器的載波輸入端； 一可調衰減器，耦接至該第二混頻器的信號輸出端；以及 一第二程控增益放大器，耦接至該可調衰減器的信號輸出端。
19.如權利要求17所述的切片式傳送器前端電路，其特徵在於，每一該第一傳送器前端切片還包含 一過濾器，耦接至該第一混頻器的信號輸入端。
全文摘要
本發明提供一種切片式傳送器前端電路及相關方法，該切片式傳送器前端電路包含多個並行連接的第一傳送器前端切片，其作為一個整體為該切片式傳送器前端電路的疊加增益範圍提供高增益部分；第二傳送器前端切片，與多個該第一傳送器前端切片並行連接，該第二傳送器前端切片具有一增益範圍，該增益範圍為該疊加增益範圍提供低增益部分；其中該第二傳送器前端切片的該增益範圍的最小增益小於該高增益部分的最小增益。本發明能夠提供一較大的動態範圍，克服「LO洩漏」問題以及使功率消耗得以降低。
文檔編號H03G3/20GK103067035SQ20121040872
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月24日 優先權日2011年10月24日
發明者張湘輝, 奧古斯託·馬奎斯, 賴力新, 孫志豪, 簡敦正 申請人:聯發科技股份有限公司