塑料基板的切割方法及塑料基板的切割裝置的製作方法

2023-05-04 02:46:16 2

專利名稱：塑料基板的切割方法及塑料基板的切割裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種塑料基板的切割方法及塑料基板的切割裝置。
背景技術：
近年來，人們積極進行例如液晶顯示裝置及有機電致發光裝置 等顯示裝置的研發。在很多情況下，用玻璃基板製作這種顯示裝置， 該基板用來保持顯示介質層等。此外，人們也研究釆用具有可彎性 的塑料基板，以讓顯示裝置本身具有柔軟性，或者一邊維持基板強 度， 一邊謀求薄型化。
製造具有塑料基板的液晶顯示器件時，例如，首先在一個塑料 基板的基體材料中形成TFT (thin film transistor:薄膜電晶體) 元件和透明電極等，在另一個塑料基板的基體材料中形成彩色濾光 片和透明電極等。接著，形成覆蓋所述透明電極的取向膜，並對該 取向膜進行取向處理即摩擦處理。接著，將密封樹脂塗在一個塑料 基板基體材料上，然後將各個塑料基板基體材料貼在一起。之後， 使密封樹脂固化。接著，將貼在一起的所述基板基體材料切割成各 個液晶單元。這時的切割也被稱為外形切割。4妻著，將液晶注入各 個液晶單元中後，對注入了液晶的注入口進行密封。
其結果是，製造出包括形成有TFT元件的TFT基板、形成有 彩色濾光片的CF (color filter:彩色濾光片)基板以及注入該TFT 基板與該CF基板之間並由密封部件密封而形成的液晶層的液晶顯 示器件。
在技術方面，上述工序中與基板基體材料為玻璃的情況大不相 同的是切割基板的工序。在此，在切割基板的工序中，為了在TFT 基板上使形成有多個端子的端子區域露出，會對CF基板中與所述 端子區域相向的部分進行切割(切割一個基板)，或者會對液晶單元的外形進行切割(切割貼在一起的兩個基板)。
—般來講，切割玻璃基板時實施所謂的切割裂片(scribingand breaking)法，這是被人們廣泛知道的。也就是說，在玻璃基板的 表面形成傷痕(切割槽)後施加衝擊力。由此，從傷痕部分開始形 成裂縫，來切割玻璃基板。
在釆用塑料基板的情況下，不能夠利用上述切割裂片法進行切 割。但是，能夠利用各種各樣的切割方法，如使用雷射的切割方 法、使用切割機的切割方法以及通過模切(die-cutting)進行切割 的方法等等。
然而，所述使用切割機的切割方法的切割速度很慢，所以在切 割出很多液晶單元的情況下，該方法不適用。此外，也有下述問題， 即邊用水冷卻、邊進行切割這一做法不適用於注入口部分的切割。
此外，當採用所述通過模切進行切割的方法時，會有下述問題， 即基板的碎片即粉狀切割碎片會大量飛散，在某些基板材質下， 切割用刀片容易惡化。因此，使用雷射的切割方法比較適用於塑料 基板的切割。
然而，即使利用使用雷射的切割方法，也會有下述問題，即 由於切割時所產生的煙和熱，切割部分附近會受到汙染，或者會變 色。針對該問題，下述辦法已被廣泛知道(例如參照專利文獻l)， 即用噴霧器向基板基體材料的表面霧狀地噴出熱固性樹脂，來在 該表面上形成由該熱固性樹脂形成的保護薄膜。藉助該保護薄膜謀 求防止所述基板基體材料受到汙染。專利文獻1:日本公開專利公報特開昭59-151130號公報 一發明要解決的技術問題一
然而，若採用所述專利文獻1的方法，因為用噴霧器霧狀地噴 出樹脂，所以該霧狀地噴出的樹脂就會飛散而導致基板的新汙染。 因此，該方法特別不能夠應用於貼合以前的基板的切割。此外，即 使在用噴霧器向已貼在一起的基板霧狀地噴出樹脂的情況下，也不 可避免霧狀地噴到各個基板的間隙中的樹脂附著在貼在一起的基板 的側端部上並產生汙染。除此之外，還有下述問題，即樹脂會不均勻地附著在基板表面上，因而保護薄膜會不均勻，基板的光學特 性會下降。在用基板製作顯示裝置時，該問題特別重要。此外，在 將偏振板粘著而貼在基板上的情況下，也會導致該偏振板的粘著性 下降。
本申請發明者們長期致力於塑料基板的雷射切割的研究，結果 得到了下述見識。
若對上述塑料基板進行雷射切割，就在該雷射是短波長雷射的 情況下，會出現基板中產生分解反應的問題，而在該雷射是長波長 雷射的情況下，會出現雷射的熱使基板蒸發並飛散、或者基板因熱 衝擊而破裂等問題。
飛散到空氣中的基板碎片和氣體的一部分飛回雷射裝置一側而 附著在基板的雷射裝置一側的切割面附近，其它一部分附著在基板 背面側。該附著物是難以通過浸在水或溶劑中、用噴淋器清洗以及 超聲清洗等筒單的清洗除掉的。
近年來，顯示器件的框架狹窄化逐漸進展，在很多情況下，顯 示器件形成為切割線與有效顯示區域及端子部之間的距離很窄。因 此，由於所述附著物，容易發生顯示不良和端子部的連接不良等現 象。這是一個問題。
此外，如剖視圖即圖15所示，在同時切割兩張互相貼在一起 的塑料基板101、 102時，汙染程度更大，上述問題更為顯著。可 以認為，這是因為在兩張塑料基板101、 102之間形成有5到10^ m左右的間隙103，因而在由射出部104射出的雷射切割第一張基 板101時，伴隨著該切割產生的基板碎片和氣體105進入該間隙 103中。 發明內容
本發明正是為解決所述問題而研究開發出來的。其目的在於 一邊維持塑料基板的光學特性， 一邊抑制切割部分附近在由雷射切 割時受到汙染。一用以解決技術問題的技術方案一
為達成所迷目的，本發明所涉及的塑料基板的切割方法是下述 方法，即通過使與塑料基板相向而配置的雷射的射出部一邊射出 雷射， 一邊沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割 所述塑料基板。此外，將遮擋部件配置在所述塑料基板中比所述激 光的照射區域還靠近外側的位置上。
優選將所述遮擋部件配置在所述塑料基板中的所述射出部一側 及與該射出部相反的一側中的至少 一側。
所述遮擋部件也可以形成為包圍所述射出部的至少一部分的筒 狀。
此外，本發明所涉及的塑料基板的切割方法是下述方法，即 通過使與塑料基板相向而配置的雷射的射出部 一 邊射出雷射， 一 邊 沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基 板。此外，與所述塑料基板中的所述雷射的照射區域相向而配置排 氣機構的排氣口。
優選將所述排氣口配置在所述塑料基板中的所述射出部一側及與該射出部相反的 一 側中的至少 一 側。
此外，本發明所涉及的塑料基板的切割方法是下迷方法，即通過使與塑料基板相向而配置的雷射的射出部 一邊射出雷射， 一邊沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板。此外，在使所迷塑料基板中與所述射出部相反一側的表面和液體接觸的狀態下，用所述雷射進行照射。
優選使所述液體沿所述塑料基板的表面流通。
也可以是這樣的，即所述塑料基板由一對通過密封材料貼在一起的基板構成，在配置有所述密封材料的區域切割所述塑料基板。
此外，本發明所涉及的塑料基板的切割裝置是下述切割裝置，即包括被放置塑料基板的工作檯和與所述工作檯相向而配置的激8光的射出部，並通過使所述射出部在射出雷射的狀態下沿著所述塑 料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板。此外， 所述塑料基板的切割裝置還包括配置於所述塑料基板中比所述雷射 的照射區域還靠近外側的位置上的遮擋部件。
所述遮擋部件也可以安裝並固定在所述射出部上。
所述遮擋部件也可以形成為包圍所述雷射的射出部的至少一部 分的筒狀。
所述遮擋部件也可以在所述塑料基板中與所述射出部相反的一 側安裝並固定在所述工作檯上。
所述遮擋部件也可以包括掩模部件和遮擋板，該掩模部件安裝 在所述塑料基板上，並在該掩模部件中貫通該掩模部件形成有沿所 述塑料基板的切割方向延伸的縫隙，該遮擋板形成在所述掩模部件 上並沿所述縫隙延伸。
此外，本發明所涉及的塑料基板的切割裝置是下述切割裝置， 即包括被放置塑料基板的工作檯和與所述工作檯相向而配置的激 光的射出部，並通過使所述射出部在射出雷射的狀態下沿著所述塑 料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板。此外， 所述塑料基板的切割裝置還包括排氣機構，該排氣機構具有與所述 塑料基板中的所述雷射的照射區域相向而配置的排氣口 。
所述排氣口也可以配置在所述塑料基板中的所述射出部一側及 與該射出部相反的一側中的至少一側。
此外，本發明所涉及的塑料基板的切割裝置是下述切割裝置， 即包括被放置塑料基板的工作檯和與所述工作檯相向而配置的激 光的射出部，並通過使所述射出部在射出雷射的狀態下沿著所述塑 料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板。此外， 所述塑料基板的切割裝置還包括貯存槽，液體以該液體和所述塑料 基板中與所述射出部相反一側的表面接觸的方式貯存在所述貯存槽 中。
接著，對本發明的作用加以說明。
在利用所述切割方法切割塑料基板時，通過使與塑料基板相向而配置的雷射射出部一邊射出雷射， 一邊沿著塑料基板的表面相對 地移動。在塑料基板中的雷射照射區域，用所照射的雷射切割塑料 基板。此時，在照射區域的附近產生基板碎片和氣體(以下，稱所 述基板碎片及氣體為汙染物質)。
在本發明中，因為將遮擋部件配置在塑料基板中比雷射照射區 域還靠近外側的位置上，所以該遮擋部件遮擋所迷汙染物質。也就 是說，抑制汙染物質附著在塑料基板上，因而抑制切割部分附近受 到汙染。此外，根據本發明，不需要在塑料基板本身上形成保護薄 膜。因此，該塑料基板的光學特性不會下降。
若將所述遮擋部件配置在塑料基板中的雷射的射出部一側，在 該射出部一側產生的所述汙染物質就被該遮擋部件遮擋。因此，抑 制塑料基板的射出部一側的表面受到汙染。另一方面，若將遮擋部 件配置在與雷射的射出部相反的一側，在與射出部相反的 一側產生 的汙染物質就被遮擋部件遮擋。因此，抑制塑料基板的與該射出部 相反一側的表面受到汙染。
若將遮擋部件形成為包圍雷射的射出部的至少一部分的簡狀， 遮擋部件一邊與射出部一起相對於塑料基板移動， 一邊遮擋汙染物 質。也就是說，無論是塑料基板的切割形狀如何，產生的汙染物質 都被遮擋部件遮擋。
此外，也可以與塑料基板中的雷射照射區域相向而配置排氣機 構的排氣口。若在這種情況下用雷射切割塑料基板，伴隨著該切割 產生的汙染物質就經過排氣口被排氣機構排除。其結果是，抑制塑 料基板受到所述汙染物質的汙染。
若將所述排氣口配置在塑料基板中的所述射出部一側，在該射 出部一側產生的所述汙染物質就經過該排氣口被棑除。另一方面， 若將排氣口配置在與雷射的射出部相反的一側，在與該射出部相反 的一側產生的汙染物質就經過該排氣口被棑除。
此外，若在使塑料基板中與所述射出部相反一側的表面與液體 接觸的狀態下用雷射切割該塑料基板，在塑料基板中與射出部相反 的一側產生的汙染物質就分散於液體中。其結果是，抑制汙染物質10再次附著在塑料基板表面上。特別是在使所述液體沿塑料基板的表 面流通的情況下，促進汙染物質擴散到液體中。因此，更有效地抑 制汙染物質再次附著在塑料基板表面上。
此外，在塑料基板例如構成液晶顯示裝置等的顯示面板的情況 下，該塑料基板由一對通過密封材料貼在一起的基板構成。在這種 情況下，若在配置有密封材料的區域切割該塑料基板，切割部分中 的所述一對基板之間處於填充有密封材料的狀態，因而產生的汙染 物質不會進入一對基板之間。因此，抑制塑料基板受到汙染。
另一方面，當用本發明所涉及的塑料基板的切割裝置切割塑料 基板時，在將塑料基板放在工作檯上的狀態下使雷射的射出部沿塑 料基板的表面相對地移動。由此實施上述切割方法。
若將遮擋部件安裝並固定在射出部上，就能夠使遮擋部件與射 出部一起相對地移動。另一方面，若在塑料基板中與射出部相反的 一側(即，工作檯側)將遮擋部件安裝並固定在工作檯上，就抑制 塑料基板中的工作檯側受到汙染。此外，也可以用掩模部件和遮擋 板構成所述遮擋部件，在該掩模部件中貫通該掩模部件形成有沿切 割方向延伸的縫隙，該遮擋板沿該縫隙延伸。在這種情況下，所述 射出部沿縫隙相對地移動，由此沿該縫隙形成切割線。另一方面， 該切割時產生的汙染物質被遮擋板遮擋。
此外，若塑料基板的切割裝置包括排氣機構，該排氣機構具有 與雷射的照射區域相向而配置的排氣口 ，伴隨著雷射切割而產生的 汙染物質就經過排氣口被排氣機構排除。
此外，若在塑料基板中與雷射射出部相反的一側設置貯存有液 體的貯存槽，並使該貯存槽的液體與塑料基板的表面接觸，就如上 所述能夠使汙染物質擴散到液體中而抑制塑料基板受到汙染。 一發明的效果一
根據本發明，因為將遮擋部件配置在塑料基板中比雷射照射區 域還靠近外側的位置上，所以能夠用遮擋部件遮擋伴隨著該塑料基 板的切割而產生的基板碎片、氣體等汙染物質。其結果是，能夠抑 制汙染物質附著在塑料基板上，抑制切割部分附近受到汙染。而且，根據本發明，因為不需要在塑枓基板本身上形成保護薄膜，所以能 夠使該塑料基板維持良好的光學特性。
此外，通過與雷射照射區域相向而配置排氣機構的排氣口 ，則 能夠經過排氣口用排氣機構排除伴隨著切割而產生的汙染物質。其 結果是，能夠抑制塑料基板受到所述汙染物質的汙染。
此外，通過在使塑料基板中的與射出部相反一側的表面與液體 接觸的狀態下用雷射進行照射，則能夠使在塑料基板中與射出部相 反的一側產生的汙染物質分散於液體中。其結果是，能夠抑制汙染 物質再次附著在塑料基板表面上。


[圖l]圖l是剖視圖，放大而顯示第一實施方式的切割裝置的主 要部分。[圖2]圖2是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板。 [圖3]圖3是俯視圖，放大而顯示切割裝置的主要部分。 [圖4]圖4是剖視圖，顯示第二實施方式中的遮擋部件的結構。 [圖5]圖5是立體圖，顯示第二實施方式中的遮擋部件的外觀。 [圖6]圖6是剖視圖，示意地顯示第三實施方式中的排氣機構 的排氣口。[圖7]圖7是剖視圖，顯示第四實施方式中的排氣機構和遮擋 部件。[圖8]圖8是剖視圖，示意地顯示第五實施方式中的遮擋部件 的結構。[圖9]圖9是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板。[圖IO]圖IO是剖視圖，顯示設置在第六實施方式中的貯存槽上的塑料基板。[圖ll]圖ll是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板。[圖12]圖12是剖視圖，顯示使水循環的貯存槽。[圖13]圖13是剖視圖，示意地顯示第七實施方式中的是貼合基板的塑料基板的一部分。[圖14]圖14是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板。12[圖15]圖15是剖視圖，顯示現有技術中的正在由雷射切割的 塑料基板。一符號說明—
l —切割裝置；IO—塑料基板；11 —工作檯；12 —射出部；13 一開口部；14—下端部分；15 —遮擋部件；16—支架部；17—汙染 物質；21 —縫隙；22 —掩模部件；23 —遮擋板；25 —排氣口； 26 —排氣機構；28 —遮擋板；29—支架部；31 —貯存槽；32 —水；40 一密封材料；41一第一基板基體材料；42—第二基板基體材料；43 一單元。
具體實施方式
下面，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細的說明。補充說明一下，本發明並不限於下列實施方式。
〈發明的第一實施方式〉圖1到圖3顯示本發明的第一實施方式。圖l是剖視圖，放大而顯示塑料基板10的切割裝置1的主要部分。圖2是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板10。圖3是俯視圖，放大而顯示切割裝置1的主要部分。
本實施方式即第一實施方式中的塑料基板10的切割裝置1包 括被放置塑料基板10的工作檯11、和與該工作檯11相向而配置 的雷射的射出部12。該切割裝置1通過使所述射出部12在射出激 光的狀態下沿塑料基板10的表面相對地移動，來用雷射切割塑料 基板10。
也就是說，如圖1所示，工作檯11例如形成為平板狀並且配 置為沿水平方向延伸。在工作檯11上形成有開口部13，該開口部 13至少在與用雷射切割塑料基板IO的區域相向的區域開口。
在此，若在雷射照射區域A的附近設置有工作檯11，伴隨著激 光切割而產生的熱就會傳到並蓄積在工作檯11中。其結果是，塑 料基板10所受到的熱損傷會很大。與此相對，如本實施方式即第 一實施方式那樣形成開口部13以後，則能夠使上述熱損傷減低。 此外，出於該看法，優選使所形成的開口部13比較大。
所述射出部12能夠在該射出部12與塑料基板IO及工作檯11相向的狀態下與該塑料基板IO及工作檯ll平行地移動。此外，如圖2所示，射出部12構成為從該射出部12的下端部分14射出雷射。 用作所迷塑料基板10的是例如厚度為200〃m左右的PES薄膜。切割後的塑料基板IO例如構成液晶顯示裝置的液晶顯示面板。此外，所述射出部12—邊以30mm/s的速度進行移動，一邊用30W
的C02雷射進行照射。 例如圖2所示，根據本發明，切割裝置1包括遮擋部件15,該遮擋部件15配置在塑料基板10中比雷射照射區域A還靠近外側的位置上。由此，伴隨著雷射切割而在照射區域A中產生的基板碎片和氣體等汙染物質17由遮擋部件15遮擋。 如圖1到圖3所示，遮擋部件15形成為包圍射出部12的至少一部分的筒狀，並且形成為內徑從下端朝向上端變大的剖面為錐形的形狀。換句話說，遮擋部件15的上端開口部分的內徑比下端開口部分的內徑大。而且，下端開口部分的內徑比雷射照射區域A大。 遮擋部件15通過支架部16安裝並固定在射出部12上。也就是說，遮擋部件15配置在塑料基板10的射出部12—側。所述支架部16的一端固定在遮擋部件15的內側壁面上，而該支架部16的另一端固定在射出部12上。補充說明一下，優選遮擋部件15構成為能夠對射出部12進行安裝及取下。這樣，就能夠將附著了汙染物質17的遮擋部件15替換為新遮擋部件15。 此外，遮擋部件15以該遮擋部件15的下端與塑料基板10的表面緊密接觸的方式由射出部12支撐。優選遮擋部件15的頂端已受到使摩擦減低的加工，以免該頂端當在塑料基板10的表面上滑動時形成傷痕。 另一方面，在所述塑料基板10上形成有多個對準標誌(省略圖示)。此外，切割裝置1包括切割位置調整部(省略圖示)，該切割位置調整部檢測所述對準標誌，適當地調整切割塑料基板10的位置(即，雷射照射區域A的位置)。而且，切割裝置l還包括高
14度調整部(省略圖示)，該高度調整部用來將射出部12及遮擋部件15與塑料基板10的表面之間的距離維持為一定不變的距離。所述高度調整部構成為檢測而得知射出部12及遮擋部件15與塑料基板10之間的間隔，使遮擋部件15的下端與塑料基板10的表面緊密接觸。 —塑料基板的切割方法一
接著，對用所述切割裝置1切割塑料基板10的方法加以說明。本實施方式即第一實施方式的切割方法是下述方法，即通過使與塑料基板IO相向而配置的雷射射出部12 —邊射出雷射， 一邊沿著所述塑料基板10的表面相對地移動，來用雷射切割塑料基板10。 首先，將塑料基板IO放置並固定在工作檯ll的上表面中的規定位置上。藉助形成在塑料基板10上的對準標誌適當地決定塑料基板10相對於工作檯ll的位置。 接著，如圖1所示，在規定位置上與塑料基板IO相向而配置安裝並固定了遮擋部件15的射出部12。此時，用所述切割位置調整部決定射出部12及遮擋部件15相對於塑料基板IO的位置。由此，將遮擋部件15配置在塑料基板10中的射出部12 —側且塑料基板IO中比雷射照射區域A還靠近外側的位置上。 之後，如圖2所示， 一邊從射出部12射出雷射， 一邊使該射出部12與遮擋部件15 —起沿塑料基板10的切割線移動。其結果是，在沿切割線相對地移動的雷射的照射區域A切割塑料基板10。 —第一實施方式的效果一
如圖2所示，在塑料基板10中的雷射照射區域A的附近，伴隨著該塑料基板10的切割而產生塑料基板10的碎片和氣體等汙染物質17。針對於此，根據本實施方式即第一實施方式，因為將遮擋部件15配置在塑料基板10中比雷射照射區域A還靠近外側的位置上，所以能夠用遮擋部件15遮擋在塑料基板10的射出部12 —側產生的汙染物質17。也就是說，在照射區域A中產生的汙染物質17附著在遮擋部件15的內側壁面上，由此被遮擋。
特別是在本實施方式即第一實施方式中，將遮擋部件15形成為包圍射出部12的至少一部分的錐形筒狀。因此，能夠用遮擋部件15包圍照射區域A，因而能夠適當地抑制在照射區域A中產生的汙染物質17向周圍擴散。其結果是，能夠抑制汙染物質17附著在塑料基板10上，從而抑制切割部分附近受到汙染。
而且，因為將所述筒狀遮擋部件15安裝並固定在射出部12上，所以能夠使遮擋部件15與射出部12 —起相對地移動。也就是說，無論切割線的形狀如何，在任何切割線下都能夠遮擋汙染物質17。 除此之外，根據本實施方式即第一實施方式，不需要為防止塑料基板10受到汙染而在該塑料基板IO本身上形成保護薄膜，因而還能夠維持良好的塑料基板10的光學特性。 〈發明的第二實施方式〉
圖4和圖5顯示本發明的第二實施方式。補充說明一下，在以下各個實施方式中，用相同的符號表示與圖1到圖3相同的部分，來省略這些部分的詳細i兌明。
圖4是剖梘圖，顯示第二實施方式中的遮擋部件15的結構。圖5是立體圖，顯示第二實施方式中的遮擋部件15的外觀。 在所述第一實施方式中，將遮擋部件15形成為筒狀，並將該遮擋部件15安裝並固定在雷射的射出部12上。而在本實施方式即第二實施方式中，將遮擋部件15形成為掩模(mask)狀。 也就是說，如圖4和圖5所示，遮擋部件15包括掩模部件22和遮擋板23,該掩模部件22安裝在塑料基板10上，並在該掩模部件22中貫通該掩模部件22形成有沿該塑料基板10的切割方向延伸的縫隙21，該遮擋板23形成在掩模部件22上並沿縫隙21延伸。 掩模部件22例如形成為板狀，多條縫隙21例如相互平行地排列而形成在該掩模部件22中。從射出部12射出來的雷射經過縫隙21。對準掩模部件22的位置而設為各條縫隙21與塑料基板10的切割線一致的狀態，再在該狀態下將掩模部件22安裝在工作檯11上的塑料基板10上。也就是說，在塑料基板IO上形成有用來如上所述對準位置的對準標誌(省略圖示)。
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優選以讓所述遮擋部件15與塑料基板10的表面接觸，進而使該兩者緊密接觸的方式支撐所述遮擋部件15。 遮擋板23配置在各條縫隙21的兩側，並形成為沿該縫隙21的長度方向延伸。遮擋板23的一邊在縫隙21的側邊固定在掩模部件22上，遮擋板23從該固定的位置上朝向縫隙21的外側的斜上方延伸。換句話說，配置在縫隙21的兩側的一對遮擋板23形成為剖面呈倒過來的"八"字形的葉片狀，如圖4所示。
用本實施方式即第二實施方式的切割裝置1切割塑料基板10時，與所述第一實施方式一樣，將塑料基板10安裝在工作檯11上後，在塑料基板IO上對準遮擋部件15的位置而進行重疊。由此，在塑料基板10的切割線和遮擋部件15的縫隙21 —致的狀態下，使塑料基板IO和遮擋部件15重疊。 接著，使射出部12—邊射出雷射， 一邊沿遮擋部件15的縫隙21相對地移動。由此，用雷射沿縫隙21切割塑料基板10。
因此，在該第二實施方式中，遮擋部件15也配置在比照射區域A還靠近外側的位置上，因而能夠用遮擋部件15的遮擋板23對在塑料基板10的射出部12—側產生的汙染物質17進行遮擋。也就是說，在照射區域A中產生的汙染物質17通過附著在遮擋板23的內側壁面上而被遮擋。 而且，當將塑料基板10切割成多個形狀相同的面板時，能夠用一個遮擋部件15對多個塑料基板IO依次進行切割。因此，能夠謀求成本的下降。 〈發明的第三實施方式〉
圖6顯示本發明的第三實施方式。圖6是剖視圖，示意地顯示排氣機構26的排氣口 25。 在所述第一實施方式中，在切割裝置1中設置了筒狀遮擋部件15。而在本實施方式即第三實施方式中，設置有排氣機構26。也就是說，排氣機構26具有筒狀排氣口 25，從該排氣口 25與空氣一起吸入汙染物質17，並向外部進行排出。排氣口 25安裝在排氣機構26的主體部分(省略圖示)上，並配置為與塑料基板10中的激
17光照射區域A相向。此外，排氣口 25配置在塑料基板10的射出部12—側，並在排氣口 25的內部固定而配置有射出部12。
用該第三實施方式的切割裝置1切割塑料基板10時，與所述第一實施方式一樣，將塑料基板IO安裝在工作檯11上後，使射出部12在射出雷射的狀態下與排氣口 25—起相對地移動。雖然在雷射照射區域A中產生汙染物質17，但是該汙染物質17經過排氣口25棑出到外部。 因此，根據本實施方式即第三實施方式，能夠在照射區域A中產生的汙染物質17附著於塑料基板10的表面上之前，用排氣機構26經過排氣口 25排出該汙染物質17。其結果是，能夠抑制汙染物質17擴散，來抑制塑料基板10受到汙染。 〈發明的第四實施方式〉
圖7顯示本發明的第四實施方式。圖7是剖視圖，顯示排氣機構26和遮擋部件15。 本實施方式即第四實施方式，是對設置有筒狀遮擋部件15的所述第一實施方式追加設置所述第三實施方式的排氣機構26而構成的。 也就是說，在雷射射出部12上安裝有遮擋部件15和排氣口 25。由此，遮擋部件15及排氣口 25，與射出部12—起相對於塑料基板10移動。遮擋部件15配置為該遮擋部件15的下端與塑料基板10的表面緊密接觸。另一方面，排氣口 25的下端在遮擋部件15的上部配置於比遮擋部件15還靠近內側的位置上。換句話說，排氣口 25的下端由遮擋部件15包圍起來。 用本實施方式即第四實施方式的切割裝置1切割塑料基板10時，使射出部12與排氣口 25及遮擋部件15—起相對於塑料基板IO移動。這樣，就能夠用雷射切割塑料基板10，並能夠使在照射區域A的射出部12—側產生的汙染物質17附著於遮擋部件15的內側壁面上而進行遮擋。除此之外，還能夠用排氣^L構26經過排氣口 25排出到達了遮擋部件15的上部一側的汙染物質17。
因此，根據本實施方式即第四實施方式，能夠經過排氣口 25排出到達了遮擋部件15的上部一側的汙染物質17，因而能夠更為確實地抑制汙染物質17擴散。
〈發明的第五實施方式〉
圖8和圖9顯示本發明的第五實施方式。圖8是剖視圖，示意地顯示遮擋部件15的結構。圖9是剖梘圖，顯示正在被切割的塑料基板10。 在所述第一實施方式和第二實施方式中，將遮擋部件15配置在塑料基板10的射出部12 —側。而在本實施方式即第五實施方式中，將遮擋部件15配置在塑料基板10的與射出部12相反的一側。 如圖8所示，本實施方式即第五實施方式的遮擋部件15具有一對沿塑料基板10的切割線(切割方向)延伸的遮擋板28。所述一對遮擋板28形成為剖面呈"八"字形的葉片狀。各個遮擋板28配置為各個遮擋板28的上端靠近塑料基板10,並維持遮擋板28的上端與塑料基板10的表面緊密接觸。此外，也可以讓遮擋板28的上端與塑料基板10的表面接觸。 另一方面，在各個遮擋板28的下端一側連接有支架部29的一端。此外，支架部29的另一端連接在工作檯11上。由此，各個遮擋板28通過支架部29安裝並固定在工作檯11上。 用本實施方式即第五實施方式的切割裝置1切割塑料基板10時，使射出部12在射出雷射的狀態下相對於塑料基板10移動。由此，如圖9所示，能夠用雷射切割塑料基板10，並能夠使在照射區域A的與射出部12相反一側產生的汙染物質17附著在遮擋部件15中的遮擋板28的內側壁面上而進行遮擋。 〈發明的第六實施方式〉
圖10到圖12顯示本發明的第六實施方式。圖IO是剖視圖，顯示設置在貯存槽31上的塑料基板10。圖11是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板10。 如圖IO所示，本實施方式即第六實施方式的切割裝置1包括貯存槽31,在該貯存槽31中，以液體32和塑料基板10中與射出部12相反一側的表面接觸的方式貯存有該液體32。貯存槽31的上部開放，水32貯存在該貯存槽31內部而填滿該貯存槽31。也就是說，貯存槽31內的水面與貯存槽31的上端一致。通過將塑料基板IO設置在貯存槽31上，則塑料基板10的下表面(即，與射出部12相反一側的表面)利用水32的表面張力與貯存槽31內的水32接觸。 也可以將貯存槽31形成並作為所述第一實施方式中的工作檯11,也可以與工作檯11獨立地設置不是工作檯11的貯存槽31。 如圖ll所示，用該切割裝置1切割塑料基板10時，使射出部12在向設置在貯存槽31上的塑料基板IO射出雷射的狀態下相對地移動。如上所述，在使塑料基板10中與射出部12相反一側的表面和水32接觸的狀態下，用雷射進行照射，由此切割塑料基板IO。 因此，根據本實施方式即第六實施方式，在塑料基板10中與射出部12相反的一側產生的汙染物質17分散於水32中。其結果是，能夠抑制汙染物質17再次附著在塑料基板10的表面上，因而能夠抑制塑料基板10受到汙染。
此外，如一種剖梘圖即圖12示意地顯示，也可以將省略圖示的泵連接在貯存槽31上，使貯存槽31內的水32循環。這樣，就能夠使水32沿塑料基板10的表面流通。其結果是，促進汙染物質17擴散到水32中，因而即使是在該汙染物質17的量比較多時，也能夠高效地抑制汙染物質17再次進行附著。 補充說明一下，貯存在貯存槽31中的並不限於水，也可以是其它液體，特別是優選不吸收雷射的穩定的液體。 〈發明的第七實施方式〉
圖13和圖14顯示本發明的第七實施方式。圖13是剖視圖，示意地顯示是貼合基板的塑料基板IO的一部分。圖14是剖視圖，顯示正在被切割的塑料基板10。 本實施方式即第七實施方式的塑料基板10,由一對通過樹脂所形成的密封材料40貼在一起的基板41、 42構成。塑料基板10構成貼合基板基體材料，該貼合基板基體材料是多個構成例如液晶顯示面板等顯示面板的貼合基板集合而成的。
也就是說，是貼合基板基體材料的塑料基板10包括第一基板基體材料41、以及與第一基板基體材料41相向而配置的第二基板基體材料42，在圖13中為說明只示出了一部分。在第一基板基體材料41與第二基板基體材料42之間，形成有5〃m到10//m左右的間隙，並形成有多個沿基板法線方向來看大致形成為框狀的密封材料40。在該密封材料40的內側形成有單元43， 一種顯示介質即液晶填充在各個單元43中。對是貼合基板基體材料的塑料基板10進行切割而切出各個單無43，由此形成多個貼合基板，再由該貼合基板製造出液晶顯示面板。
如圖14所示，在本實施方式即第七實施方式中，在配置有密封材料40的區域用雷射切割所述是貼合基板基體材料的塑料基板10。此外，雖然省略了圖示，但在本實施方式即第七實施方式中，在雷射射出部12上安裝並固定有遮擋部件15，與所述第一實施方式一樣。 因此，根據本實施方式即第七實施方式，因為設置有遮擋部件15，所以能夠得到與上述第一實施方式一樣的效杲。除此之外，因為塑料基板10的切割部分中的第一基板基體材料41與第二基板基體材料42之間處於填充了密封材料40的狀態，所以還能夠使伴隨著雷射切割產生的汙染物質17不進入所述各個基板基體材料41、42的相亙間。因此，能夠高效地抑制塑料基板10受到汙染。 〈其它實施方式〉
在上述第一實施方式中說明的是將遮擋部件15配置在塑料基板IO的射出部12—側的例子，而在第五實施方式中說明的是將遮擋部件15配置在與射出部12相反的一側的例子。本發明並不限於此，也可以將遮擋部件15配置在塑料基板10中的射出部12 —側及與射出部12相反的一側中的至少一側。這樣，就能夠在所述兩側或一側表面上抑制塑料基板10受到汙染物質17的汙染。 此外，在所述第二實施方式中說明的是將掩模狀遮擋部件15配置在塑料基板10的射出部12—側的例子。本發明並不限於此。除了所述第二實施方式的例子以外，還可以是這樣的，即將掩模狀遮擋部件15配置在與射出部12相反的一側，或者，在射出部12及與射出部12相反的一側都配置掩模狀遮擋部件15。此外，遮擋部件15並不限於掩模形狀，遮擋部件15也可以僅由沿切割方向延伸的遮擋板構成。 此外，在上述第三實施方式中，將排氣機構26的排氣口 25配置在塑料基板IO的射出部12—側。本發明並不限於此，也可以將排氣口 25配置在塑料基板10中的射出部12 —側及與射出部12相反的一側中的至少一側。 此外，在所述第四實施方式中，將遮擋部件15及排氣口 25配置在塑料基板10的射出部12—側。本發明並不限於此。除了所述第四實施方式的例子之外，還可以是這樣的，即將遮擋部件15及排氣口 25配置在與射出部12相反一側，或者，在射出部12 —側及與射出部12相反一側都配置遮擋部件15和排氣口 25。 此外，在所述第六實施方式中說明的是在塑料基板10的與射出部12相反一側設置貯存槽31的例子。也可以還追加設置在所述第一及第二實施方式等中說明的遮擋部件15。此外，也可以如所述第三實施方式那樣在塑料基板10的射出部12 —側設置排氣口 25。此外，也可以如所述第四實施方式那樣在塑料基板10的射出部12一側設置遮擋部件15和排氣口 25。這樣，就能夠抑制塑料基板IO的射出部12 —側受到汙染。 此外，在所述第六實施方式中說明的是將在所述第一實施方式中說明的遮擋部件15配置在具有密封材料40的塑料基板10的射出部12 —側的例子。本發明並不限於此。也可以設置在第二及第五實施方式等中說明的遮擋部件15。此外，也可以如所述第三及第四實施方式那樣設置排氣口 25。這樣，就能夠抑制塑料基板10的射出部12—側及與該射出部12相反一側的表面受到汙染。一產業實用性一 如上所述，本發明對塑料基板的切割方法及塑料基板的切割裝置很有用，特別適用於下述情況，即 一邊維持塑料基板的光學特性，一邊抑制該塑料基板的切割部分附近由於雷射切割而受到汙染。
2權利要求
1.一種塑料基板的切割方法，通過使與塑料基板相向而配置的雷射的射出部一邊射出雷射，一邊沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板，其特徵在於將遮擋部件配置在所述塑料基板中比所述雷射的照射區域還靠近外側的位置上。
2. 根據權利要求l所述的塑料基板的切割方法，其特徵在於 將所述遮擋部件配置在所述塑料基板中的所述射出部一側及與該射出部相反的 一側中的至少 一側。
3. 根據權利要求1所述的塑料基板的切割方法，其特徵在於 所述遮擋部件形成為包圍所述射出部的至少一部分的筒狀。
4. 一種塑料基板的切割方法，通過使與塑料基板相向而配置的雷射的 射出部一邊射出雷射， 一邊沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該 雷射切割所述塑料基板，其特徵在於與所述塑料基板中的所述雷射的照射區域相向而配置排氣機構的排氣口 。
5. 根據權利要求4所述的塑料基板的切割方法，其特徵在於將所述棑氣口配置在所述塑料基板中的所述射出部 一 側及與該射出部 相反的 一側中的至少 一側。
6. —種塑料基板的切割方法，通過使與塑料基板相向而配置的雷射的 射出部一邊射出雷射， 一邊沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該 雷射切割所述塑料基板，其特徵在於在使所述塑料基板中與所述射出部相反一側的表面和液體接觸的狀態 下，用所述雷射進行照射。
7. 根據權利要求6所述的塑料基板的切割方法，其特徵在於 使所述液體沿所述塑料基板的表面流通。
8. 根據權利要求l、 4及6中的任一項所述的塑料基板的切割方法， 其特徵在於所述塑料基板由一對通過密封材料貼在一起的基板構成； 在配置有所述密封材料的區域切割所述塑料基板。
9. 一種塑料基板的切割裝置，包括被放置塑料基板的工作檯和與所述 工作檯相向而配置的雷射的射出部，並通過使所述射出部在射出雷射的狀 態下沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板， 其特徵在於還包括配置於所述塑料基板中比所述雷射的照射區域還靠近外側的位 置上的遮擋部件。
10. 根據權利要求9所述的塑料基板的切割裝置，其特徵在於 所述遮擋部件安裝並固定在所述射出部上。
11. 根據權利要求IO所述的塑料基板的切割裝置，其特徵在於 所述遮擋部件形成為包圍所述雷射的射出部的至少一部分的筒狀。
12. 根據權利要求9所述的塑料基板的切割裝置，其特徵在於所述遮擋部件在所述塑料基板中與所述射出部相反的 一側安裝並固定 在所述工作檯上。
13. 根據權利要求9所迷的塑料基板的切割裝置，其特徵在於所述遮擋部件包括掩模部件和遮擋板，該掩模部件安裝在所述塑料基 板上，並在該掩模部件中貫通該掩模部件形成有沿所述塑料基板的切割方 向延伸的縫隙，該遮擋板形成在所迷掩模部件上並沿所述縫隙延伸。
14. 一種塑料基板的切割裝置，包括被放置塑料基板的工作檯和與所 述工作檯相向而配置的雷射的射出部，並通過使所述射出部在射出雷射的 狀態下沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基 板，其特徵在於還包括排氣機構，該排氣機構具有與所述塑料基板中的所述雷射的照 射區域相向而配置的排氣口 。
15. 根據權利要求14所述的塑料基板的切割裝置，其特徵在於所述棑氣口配置在所述塑料基板中的所述射出部一側及與該射出部相 反的 一側中的至少 一側。
16. —種塑料基板的切割裝置，包括被放置塑料基板的工作檯和與所 述工作檯相向而配置的雷射的射出部，並通過使所述射出部在射出雷射的狀態下沿著所述塑料基板的表面相對地移動，來用該雷射切割所述塑料基板，其特徵在於還包括貯存槽，液體以該液體和所述塑料基板中與所述射出部相反一 側的表面接觸的方式貯存在所述貯存槽中。
全文摘要
本發明公開了一種塑料基板的切割方法及塑料基板的切割裝置。通過使與塑料基板相向而配置的雷射的射出部一邊射出雷射，一邊沿著塑料基板的表面相對地移動，來用雷射切割塑料基板。此時，將遮擋部件配置在塑料基板中比雷射的照射區域還靠近外側的位置上。
文檔編號G02F1/1333GK101563184SQ20078004581
公開日2009年10月21日 申請日期2007年10月29日 優先權日2007年3月16日
發明者渡邊典子 申請人:夏普株式會社